DE102005024431A1 - Trägerplatte mit Klebstofffolie und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen unter Verwendung der Trägerplatte mit Klebstofffolie - Google Patents

Trägerplatte mit Klebstofffolie und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen unter Verwendung der Trägerplatte mit Klebstofffolie Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Trägerplatte (6) mit Klebstofffolie (1) und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen (13) unter Verwendung der Trägerplatte (6). Die Trägerplatte (6) weist eine Klebstofffolie (1) auf, die aus einer wärmeresistenten Basisfolie (2) mit einer Oberseite (3) und einer Unterseite (4) besteht, wobei die Basisfolie (2) vorzugsweise Polyethylenterephthalat aufweist und wobei auf der Unterseite (4) der Basisfolie (2) eine thermoaktive Klebstoffschicht (5) zur Trägerplatte (6) hin angeordnet ist. Die Oberseite (3) der Basisfolie (2) weist eine Klebstoffschicht (7) mit darauf fixierten Halbleiterchips (8) auf, wobei die Halbleiterchips (8) von deaktivierten Bereichen (9) der Klebstoffschicht (7) der Folienoberseite (19) umgeben sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Trägerplatte mit Klebstofffolie, die eine wärmeresistente Basisfolie aufweist, welche eine Oberseite und eine Unterseite besitzt. Auf der Unterseite der Basisfolie ist eine thermoaktive Klebstoffschicht zur Trägerplatte hin angeordnet. Auf der Oberseite der Basisfolie ist eine Klebstoffschicht angeordnet, auf der Halbleiterchips fixiert werden können.
  • Derartige doppelseitig klebende Folien, die auf entsprechenden Trägerplatten positioniert werden können, sind im Stand der Technik bekannt, und werden vielseitig in der Halbleitertechnologie eingesetzt. Ein besonderes Problem ergibt sich jedoch, wenn derartige Klebstofffolien mit Kunststoffgehäusemassen in Berührung kommen und eine gemeinsame Grenzfläche bilden. Dabei erweist es sich, dass die doppelseitig klebenden Folien zu der Moldmasse eine unerwünscht starke Adhäsion aufweisen. Diese Haftung kann auf chemische oder physikalische Wechselwirkung zwischen dem Klebstoff der doppelseitig klebenden Folie und den Bestandteilen der ungehärteten Kunststoffgehäusemasse zurückzuführen sein.
  • Dieses führt beispielsweise zu Problemen bei der Herstellung von sogenannten Nutzen, die eine Vielzahl von Halbleiterchips aufweisen und in eine Kunststoffgehäusemasse eingegossen sind, wobei zur Herstellung einer koplanaren Oberseite zwischen den Oberseiten der Halbleiterchips und der Kunststoffgehäusemasse des Nutzens, derartige doppelseitig klebende Folien eingesetzt werden. Die Klebstoffschicht der Folie soll einerseits die Halbleiterchips an den Halbleiterbauteilpositionen fixieren und andererseits in einem späteren Schritt die koplanare Oberseite aus aktiven Oberseiten des Halbleiterchips und aus der Oberfläche der Kunststoffgehäusemasse nach Aushärten der Kunststoffgehäusemasse und Entfernen der Folie samt Trägerplatte von der koplanaren Oberseite freigeben.
  • Dabei wirken sich die ungewollten Wechselwirkungen zwischen der doppelseitig klebenden Folie und der Kunststoffgehäusemasse negativ aus, so dass die koplanare Oberseite keine ausreichende Ebenheit besitzt, um darauf beispielsweise eine Verdrahtungsstruktur für Halbleiterbauteile aufzubringen. Das Problem der Haftung von einer Kunststoffgehäusemasse auf einer doppelseitig klebenden Folien ist derart komplex, dass bisher keine kostengünstige und brauchbare Lösung gefunden wurde.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Trägerplatte mit Klebstofffolie zu schaffen und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen anzugeben, bei dem das Haftungsproblem zwischen Kunststoffgehäusemasse und Klebstofffolie einer Trägerplatte überwunden ist.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der anliegenden unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird eine Trägerplatte mit Klebstofffolie geschaffen, wobei die Klebstofffolie eine wärmeresistente Basisfolie mit einer Oberseite und einer Unterseite aufweist, wobei die Basisfolie vorzugsweise aus Polyethylenterephthalat (PET) oder aus einem Ethylen-modifiziertes Polytetrafluorethylen (ETFE) besteht. Auf der Unterseite der Basisfolie ist eine thermoaktive Klebstoffschicht zur Trägerplatte hin angeordnet, während die Oberseite der Basisfolie eine Klebstoffschicht mit darauf fixierten Halbleiterchips aufweist. Dabei sind die Halbleiterchips von deaktivierten Bereichen der Klebstoffschicht der Folienoberseite umgeben.
  • Diese Trägerplatte mit Klebstofffolie hat den Vorteil, dass die deaktivierten Bereiche der Klebstoffschicht auf der Oberseite nicht mehr mit einer Kunststoffgehäusemasse in Wechselwirkung treten, so dass die Trägerplatte mit der Klebstofffolie rückstandsfrei von der sich ausbildenden koplanaren Oberseite aus Oberseiten der Halbleiterchips und der Oberfläche der Kunststoffgehäusemasse entfernt werden kann. Gleichzeitig bleibt aber die Klebewirkung der Klebstoffschicht gegenüber der Halbleiterchips erhalten, so dass diese beim Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse ihre Position auf der Trägerplatte beibehalten.
  • Der Vorteil dieser Trägerplatte mit Klebstofffolie besteht somit darin, dass Teilbereiche der Oberseite der Klebstofffolie deaktiviert sind und keine Klebewirkung mehr zeigen, während die Bereiche, die Klebewirkung unterhalb der Halbleiterchips aufweisen sollen, nach wie vor die volle Klebewirkung entfalten. Dennoch ist die Klebewirkung der Folie nicht so hoch, dass die Halbleiterchips nach dem Einbetten in die Kunststoffgehäusemasse aus der Kunststoffgehäusemasse herausgerissen werden können, sondern die Klebewirkung der Klebstofffolie reicht wie bisher aus, um die Halbleiterchips in Position zum Einbetten in eine Kunststoffgehäusemasse bzw. zum Ausbilden eines Nutzens zu halten, aber sie ist nicht so groß, dass beim Entfernen der Klebefolie die Halbleiterchips aus der erkalteten Kunststoffgehäusemasse herausgerissen werden können.
  • Die deaktivierten Bereiche hingegen zeigen eine verminderte Adhäsion der Kunststoffgehäusemasse der Halbleitergehäusetechnik, wobei die Aufbringungsart nicht entscheidend ist, das heißt, die Kunststoffgehäusemasse kann durch Dispensen oder durch ein Spritzgussverfahren auf die Trägerplatte der Klebstofffolie aufgebracht werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die deaktivierten Bereiche eine künstlich gealterte Klebstoffschicht auf. Eine derartige künstliche Alterung kann auf verschiedenem Wege erreicht werden. Vorzugsweise weisen die deaktivierten Bereiche der Klebstoffschicht eine Oberfläche mit veränderter elementarer Zusammensetzung auf. Dieses kann erreicht werden, indem die Oberseite der Trägerplatte mit Klebstofffolie und darauf aufgeklebten Halbleiterchips je nach beabsichtigter Modifikation einem Plasma ausgesetzt wird, in dem die einzubringenden Elemente enthalten sind. Dabei sind die klebenden und aktiven Bereiche unter den Halbleiterchips geschützt, während die die Halbleiterchips umgebenden Bereiche altern oder veraschen.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die deaktivierten Bereiche der Klebstoffschicht einen höheren Vernetzungsgrad von Polymerketten auf, als die aktiv klebenden Bereiche unterhalb der Halbleiterchips. Dieser höhere Vernetzungsgrad der Polymerketten kann durch energiereiche Bestrahlung der Klebstoffschicht und einem damit verbundenen vorzeitigen künstlichen Altern erreicht werden. Die Klebstoffschicht wird dabei vorzeitig ausgehärtet und ihre Adhäsions wirkung zu einer Kunststoffgehäusemasse dementsprechend vermindert.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Klebstofffolie beidseitig eine acrylhaltige Klebstoffschicht auf. Diese acrylhaltigen Klebstoffe haben den Vorteil, dass sie einerseits eine thermoreaktive Klebstoffschicht zur Trägerplatte ausbilden und andererseits auf der von oben zugänglichen Oberseite der Basisfolie durch entsprechende Bestrahlung frühzeitig altern und ihre Klebewirkung verlieren. Die bevorzugte Bestrahlung für acrylhaltige Klebstoffschichten ist eine UV-Bestrahlung.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Klebstofffolie auf der Oberseite unter den Halbleiterchips eine adhäsive Photolackschicht auf, und die deaktivierten Bereiche weisen eine ausgehärtete Photolackschicht auf. Derartige Photolackschichten, die eine gewisse adhäsive Wirkung haben, werden in der Halbleitertechnologie vielseitig angewendet, um Strukturen auf Halbleiteroberflächen zu verwirklichen. In diesem Anwendungsfall wird der Photolack dazu eingesetzt, um eine Klebstoffschicht zu bilden, die zwei unterschiedliche Bereiche aufweist, nämlich einen Bereich, der phototechnisch nicht aushärtbar ist, da er durch die Halbleiterchips abgedeckt wird, und einen anderen Bereich, der frei zugänglich ist, und durch UV-Strahlen beispielsweise ausgehärtet werden kann.
  • Bei anderen Photolacken besteht die Möglichkeit, dass sie durch UV-Bestrahlung nicht ausgehärtet werden, sondern zerstört werden, so dass sie anschließend von der Basisfolie entfernt werden können. Ein derartiges Strippen der UV-bestrahl ten Bereiche der Klebstoffschicht von der Basisfolie hat jedoch den Nachteil, dass beim anschließenden Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse diese gestrippten Bereiche eine Stufe zu den Oberflächen der Halbleiterchips ausbilden, so dass keine ideale koplanare Oberfläche für die Aufbringung einer Verdrahtungsstruktur ausgebildet wird.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft die Verwendung der Trägerplatte gemäß den obigen Ausführungen für die Herstellung von Halbleiterbauteilen. Ein verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen unter Verwendung der Trägerplatte, wobei die Halbleiterbauteile jeweils ein Kunststoffgehäuse mit einem Halbleiterchip aufweisen, ist durch die nachfolgenden Verfahrensschritte gekennzeichnet. Zunächst wird ein Halbleiterwafer hergestellt, der in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips aufweist. Diese Halbleiterchips haben aktive Oberseiten und entsprechende Rückseiten, wobei die aktiven Oberseiten mit Kontaktflächen versehen sind. Diese Kontaktflächen sind von der Oberseite der Halbleiterchips aus zugänglich und sind mit den integrierten Schaltungen auf dem Halbleiterchip intern verbunden. Nach dem Herstellen eines derartigen Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips erfolgt ein Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips.
  • Unabhängig von der Herstellung der Halbleiterchips wird eine Trägerplatte für einen Nutzen hergestellt, wobei die Trägeroberseite eine doppelseitig klebende Klebstofffolie mit einer Folienunterseite und einer Folienoberseite aufweist. Dazu wird die Folienunterseite auf der Trägerplatte adhäsiv fixiert, und die Oberseite bleibt frei zugänglich, und weist in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterbauteilpositionen auf. Als nächstes wird dann diese Trägerplatte mit der doppelseitig klebenden Folie der frei zugänglichen Folienoberseite mit den einzelnen Halbleiterchips bestückt, wobei die einzelnen Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf die Folienoberseite der Klebstofffolie in den jeweiligen Halbleiterbauteilpositionen angeordnet werden. Nach dem Bestücken erfolgt ein Deaktivieren der frei zugänglichen Folienoberseite unter Verminderung der Klebewirkung der frei zugänglichen Folienoberseite.
  • Anschließend wird eine Kunststoffgehäusemasse auf die frei zugänglichen Kunststoffoberseiten unter Einbetten der Halbleiterchips in die Kunststoffgehäusemasse aufgebracht, wobei ein Nutzen mit einer koplanaren Oberseite aus Kunststoffgehäusemasse und Oberseiten der Halbleiterchips entsteht. Danach kann die Trägerplatte mit der doppelseitig klebenden Kunststofffolie von der koplanaren Fläche des Nutzens entfernt werden. Schließlich wird der Nutzen in der Weise fertiggestellt, dass unter Aufbringen einer Verdrahtungsstruktur mit Außenkontaktflächen und mit Leiterbahnen von den Kontaktflächen der Halbleiterchips zu entsprechenden Außenkontaktflächen auf der koplanaren Oberseite die Halbleiterbauteile vollendet werden. Abschließend kann der Nutzen in einzelne Halbleiterbauteile aufgetrennt werden.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass auf Grund der Deaktivierung der frei zugänglichen Folienoberseite nun. eine glatte, koplanare Oberseite im Bereich der Kunststoffgehäusemasse entsteht, die unmittelbar mit einer Verdrahtungsstruktur, beispielsweise aus einer Kupferbeschichtung, belegt werden kann, ohne dass Probleme der Ebenheit auftreten.
  • In einem weiteren bevorzugten Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird auf eine wärmeresistente Basisfolie aus Polyethylenterephthalat (PET) oder aus Ethylen-modifiziertem Polytetrafluorethylen (ETFE) eine Klebstoffschicht, sowohl auf die Unterseite der Basisfolie, als auch auf die Oberseite der Basisfolie aufgebracht. Dabei wird vorzugsweise beidseitig ein acrylhaltiger Klebstoff eingesetzt.
  • In einem weiteren bevorzugten Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird als doppelseitig klebende Klebstofffolie eine wärmeresistente Basisfolie mit einem thermoaktiven Klebstoff auf der Folienunterseite zur Trägerplatte hin, und mit einem drucksensitiven Film auf der Folienoberseite zur Fixierung von Halbleiterchips und zum Bestrahlen bzw. Deaktivieren der die Halbleiterchips umgebenden Bereiche eingesetzt.
  • Schließlich kann als Klebstoffschicht auf der Oberseite der wärmeresistenten Basisfolie ein adhäsiver Photolack verwendet werden. Die Deaktivierung wird vorzugsweise auf den frei zugänglichen Folienoberflächen nach dem Aufbringen der Halbleiterchips mit Hilfe von UV-Strahlen durchgeführt. In einer weiteren bevorzugten Durchführungsform des Verfahrens werden die frei zugänglichen Folienoberflächen nach dem Aufbringen der Halbleiterchips mit in der Halbleitertechnologie üblichen Plasmatechniken behandelt.
  • Nach dem Entfernen der Trägerplatte mit der erfindungsgemäßen doppelseitig klebenden Folie liegt ein Nutzen vor, der zusätzlich, sobald die Verdrahtungsstruktur aufgebracht ist, mit Außenkontakten auf den Außenkontaktflächen der Verdrahtungsstruktur bestückt werden kann. Diese Bestückung kann jedoch auch erfolgen, nachdem der Nutzen bereits in einzelne Halbleiterbauteile aufgetrennt ist.
    •
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Nutzens auf einer Trägerplatte mit Klebstofffolie, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Trägerplatte für einen Nutzen, gemäß 1, vor dem Aufbringen einer Kunststoffgehäusemasse und beim Deaktivieren der die Halbleiterchips umgebenden Bereiche der Klebstofffolie;
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Trägerplatte, gemäß 2, nach Beendigung der Deaktivierung.
  • 1A zeigt einen schematischen Querschnitt eines Nutzens 22 auf einer Trägerplatte 6 mit Klebstofffolie 1, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Der Nutzen 22 weist mehrere Halbleiterbauteilpositionen 21 auf, die in Spalten und Zeilen angeordnet sind, wobei in diesem Querschnitt lediglich strichpunktierte Linien 25 die Aneinanderreihung der Halbleiterbauteilpositionen 21 mit ihren Kunststoffgehäusen 14 zeigen. In jeder der hier gezeigten Halbleiterbauteilpositionen 21 ist ein Halbleiterbauteil 13 angeordnet, wobei sämtliche Halbleiterbauteile 13 des Nutzens 22 in diesem Vorfertigungszustand von der gemeinsamen Trägerplatte 6 gehalten werden. Diese Trägerplatte 6 ist mit einer Klebstofffolie 1 bestückt, die aus einer Basisfolie 2 besteht, die vorzugsweise aus einem thermoresistenten PET-Material gefertigt ist.
  • Die Unterseite 4 der Basisfolie 2 weist eine thermoaktive Klebstoffschicht 5 auf, über die die doppelseitig klebende Klebstofffolie 1 mit der Trägeroberseite 18 der Trägerplatte 6 verbunden ist. Die Oberseite 18 der Trägerplatte 6 bildet somit gleichzeitig die Folienunterseite 20 der Klebstofffolie 1. Zum Entfernen der starren Trägerplatte 6 wird die thermoreaktive Klebstoffschicht 5 erwärmt, so dass die Trägerplatte 6 abgezogen werden kann.
  • Die Klebstofffolie 1 ist dennoch zumindest mit den aktiven Oberseiten 15 der Halbleiterchips 8, die Kontaktflächen 17 aufweisen, in jeder der Halbleiterbauteilpositionen 21 verbunden. Jedoch aufgrund der erfindungsgemäßen Deaktivierung der Klebstoffwirkung der Klebstoffschicht 7 auf der Oberseite 3 der Basisfolie 2 wird erreicht, dass die aufgebrachte Kunststoffgehäusemasse 11 mit der Folienoberseite 19 in den deaktivierten Bereichen 9 nicht mehr stoffschlüssig verbunden ist, so dass die doppelseitig klebende Klebstofffolie 1 von dem Nutzen 22 ohne Bildung von Rückständen auf der koplanaren Oberseite 23 aus Halbleiterchipoberseiten 15 und Kunststoffgehäusemasse abgezogen werden kann. Nach dem Abziehen der Klebstofffolie 1 sind die aktiven Oberseiten 15 der Halbleiterchips 8 zugänglich, so dass die dort befindlichen Kontaktflächen 17 über aufzubringende Verdrahtungsstrukturen mit entsprechenden Außenkontaktflächen über entsprechende Leiterbahnen verbunden werden können. Das problemlose Abziehen der doppelseitig klebenden Klebstofffolie 1 von dem Bereich der Kunststoffgehäusemasse 11 hat den Vorteil, dass das Aufbringen einer Verdrah tungsstruktur auf der koplanaren Oberseite 23 nun ohne weiteres möglich ist.
  • Mit der 1B wird die Grenzschicht 26 zwischen der aufgebrachten Kunststoffgehäusemasse 11 und dem deaktivierten Bereich 9 der Klebstoffschicht 7 nochmals herausgehoben, wobei die adhäsiven Kräfte in der Grenzfläche 26 durch die Deaktivierung der Klebstoffschicht 7 derart vermindert sind, dass die Klebstoffschicht 7 keine Rückstände auf der Grenzschicht 26 zur Kunststoffgehäusemasse 11 hin ausbildet. Anstelle einer Klebstoffschicht 7 kann auch ein Klebstofffilm 12 eingesetzt werden.
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Trägerplatte 6 für einen Nutzen 22, gemäß 1, vor dem Aufbringen einer Kunststoffgehäusemasse 11, wie sie in 1 gezeigt wird, und beim Deaktivieren der die Halbleiterchips 8 umgebenden Bereiche 9 der Klebstofffolie 1. Dazu sind die Halbleiterchips 8 mit ihren aktiven Oberseiten 15 auf der Klebstofffolie 1 aufgebracht, während ihre Rückseiten 16 der UV-Strahlung 24 ausgesetzt sind. Dabei wird in dieser Ausführungsform der Erfindung die gesamte Folienoberseite 19 der Klebstofffolie 1 mit UV-Strahlen 24 bearbeitet, wobei die Klebstoffschicht 7 in den aktiv klebenden Bereichen 10 unterhalb der Halbleiterchips 8 vor UV-Strahlung geschützt ist, und die Bereiche, welche die Halbleiterchips 8 umgeben, durch die UV-Strahlung 24 einem Alterungsprozess ausgesetzt sind.
  • Dabei können sich je nach Art der Klebstoffschicht 7 entweder höhere Vernetzungsgrade der Polymere ausbilden, so dass die Klebewirkung gegenüber der Kunststoffgehäusemasse herabgesetzt wird, oder es können wie bei Photolackschichten, die Bereiche, die mit UV bestrahlt werden, derart angegriffen werden, dass sie anschließend durch sogenanntes "Strippen" entfernt werden können. In einem derartigen Fall wird die Kunststoffgehäusemasse mit der wärmeresistenten Basisfolie in Berührung kommen, die jedoch nicht mit der Kunststoffgehäusemasse adhäsiv in Wechselwirkung tritt. Jedoch bildet sich bei Verwendung eines derartigen adhäsiven Photolackes eine Stufe in der koplanaren Oberseite 23 aus, indem eine Stufe zu den Oberseiten 15 der Halbleiterchips 8 geschaffen wird, die eventuell Probleme bei der Aufbringung von einer Verdrahtungsstruktur auf den Nutzen ergeben könnte.
  • Dieses hängt davon ab, wie scharfkantig die Übergange an den Rändern zu den Halbleiterchips 8 ausgebildet sind. Im Falle einer acrylbeschichteten Basisfolie 2 bleibt jedoch die Acrylbeschichtung bestehen, und die Deaktivierung durch UV-Strahlen 24 birgt einen höheren Vernetzungsgrad, so dass die acrylhaltige Klebstoffschicht 7 derart altert, dass ihre Adhäsion zu der Kunststoffgehäusemasse entsprechend vermindert ist. Nachdem die UV-Strahlung 24 eine begrenzte Zeit auf die zugänglichen Bereiche 9 gewirkt hat, werden diese deaktiviert und es ergibt sich ein Zustand, wie er in 3 gezeigt wird.
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Trägerplatte 6, gemäß 2, nach Beendigung der Deaktivierung. Dabei ist aus der Klebstoffschicht 7 auf der Oberseite 3 der Basisfolie 2 in den bestrahlten Bereichen 9 eine Deaktivierung durch vermehrte Vernetzung der Kettenmoleküle in der Klebstoffschicht 7 aufgetreten, so dass die Klebewirkung durch die künstliche Alterung der Klebstoffschicht 7 nun vermindert ist. Demgegenüber bleibt die Adhäsionswirkung in den Bereich der aufgeklebten Halbleiterchips 8 unverändert, so dass hier die Halbleiterchips 8 durch die erfindungsgemäße Trägerplatte 6 in Position gehalten werden können, während eine Kunststoffgehäusemasse durch Dispensen oder durch Spritzgießen aufgebracht wird.
    • 1
    Klebstofffolie
    2
    Basisfolie
    3
    Oberseite der Basisfolie
    4
    Unterseite der Basisfolie
    5
    thermoaktive Klebstoffschicht (der Unterseite)
    6
    Trägerplatte
    7
    Klebstoffschicht (der Oberseite)
    8
    Halbleiterchip
    9
    deaktivierter Bereich
    10
    aktiv klebender Bereich
    11
    Kunststoffgehäusemasse
    12
    Klebstofffilm
    13
    Halbleiterbauteil
    14
    Kunststoffgehäuse
    15
    aktive Oberseite des Halbleiterchips
    16
    Rückseite des Halbleiterchips
    17
    Kontaktflächen des Halbleiterchips
    18
    Trägeroberseite
    19
    Folienoberseite
    20
    Folienunterseite
    21
    Halbleiterbauteilposition
    22
    Nutzen
    23
    koplanare Oberseite
    24
    UV-Strahlung
    25
    strichpunktierte Linie
    26
    Grenzfläche

Claims (18)

  1. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) aus einer wärmeresistenten Basisfolie (2), die eine Oberseite (3) und eine Unterseite (4) aufweist, wobei auf der Unterseite (4) der Basisfolie (2) eine thermoaktive Klebstoffschicht (5) zur Trägerplatte (6) hin angeordnet ist, und die Oberseite (3) der Basisfolie (2) eine Klebstoffschicht (7) mit darauf fixierten Halbleiterchips (8) aufweist, wobei die Halbleiterchips (8) von deaktivierten Bereichen (9) der Klebstoffschicht (7) der Folienoberseite (19) umgeben sind.
  2. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die deaktivierten Bereiche (9) eine verminderte Adhäsion zu Kunststoffgehäusemassen (11) der Halbleitergehäusetechnik aufweisen.
  3. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die deaktivierten Bereiche (9) eine künstlich gealterte Klebstoffschicht (7) aufweisen.
  4. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die deaktivierten Bereiche (9) der Klebstoffschicht (7) an der Oberfläche eine andere elementare Zusammensetzung aufweisen, als die aktiv klebenden Bereiche (10) unter den Halbleiterchips (8).
  5. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die deaktivierten Bereiche (9) der Klebstoffschicht (7) einen höheren Vernetzungsgrad von Polymerketten aufweisen, als die aktiv klebenden Bereiche (10) unter den Halbleiterchips (8).
  6. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstofffolie (1) beidseitig eine acrylhaltige Klebstoffschicht (5, 7) aufweist.
  7. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstofffolie (1) auf der Oberseite (3) einen drucksensitiven Klebstofffilm (12) aufweist.
  8. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Klebstofffolie (1) auf der Oberseite (3) unter den Halbleiterchips (8) eine adhäsive Photolackschicht und in den deaktivierten Bereichen (9) eine ausgehärtete Photolackschicht aufweist.
  9. Trägerplatte mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Basisfolie (2) Polyethylenterephthalat (PET) oder ein Ethylen-modifiziertes Polytetrafluorethylen (ETFE) aufweist.
  10. Verwendung der Trägerplatte (6) mit Klebstofffolie (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Herstellung von Halbleiterbauteilen.
  11. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterteilen (13) unter Verwendung der Trägerplatte (6) mit Klebstofffolie (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Halbleiterbauteile (13) jeweils ein Kunststoffgehäuse (14) mit einem Halbleiterchip (8) aufweisen, und wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Halbleiterwafers mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips (8), die aktive Oberseiten (15) und Rückseiten (16) aufweisen, wobei die aktiven Oberseiten (15) mit Kontaktflächen (17) versehen sind; – Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips (8); – Herstellen der Trägerplatte (6), wobei auf eine Trägeroberseite (18) eine doppelseitig klebende Klebstofffolie (1) mit einer Folienunterseite (20) und einer Folienoberseite (19) aufgebracht wird, und wobei die Folienunterseite (20) auf der Trägerplatte (6) adhäsiv fixiert wird, und die Folienoberseite (19) frei zugänglich bleibt und in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterbauteilpositionen (21) aufweist; – Bestücken der freizugänglichen Folienoberseite (19) mit den einzelnen Halbleiterchips (8), wobei die einzelnen Halbleiterchips (8) mit ihren aktiven Oberseiten (15) auf die Folienoberseite (19) der Klebstofffolie (1) in den Halbleiterbauteilspositionen (21) angeordnet werden; – Deaktivieren der frei zugänglichen Folienoberseite (19) unter Verminderung der Klebewirkung der freizugänglichen Folienoberseite (19); – Aufbringen einer Kunststoffgehäusemasse (11) auf die freizugängliche Folienoberseite (19) unter Einbetten der Halbleiterchips (8) in die Kunststoffgehäusemasse (11) zu einem Nutzen (22) mit einer koplanaren Fläche (23) aus Kunststoffgehäusemasse (11) und Oberseiten (15) der Halbleiterchips (8); – Entfernen der Trägerplatte (6) von der thermoaktiven Unterseite (20) der doppelseitig klebenden Klebstofffolie (1) von der koplanaren Fläche (23), und anschließendes Entfernen der Klebstofffolie (1) von der koplanaren Fläche (23); – Fertigstellen des Nutzens (22) unter Aufbringen einer Verdrahtungsstruktur mit Außenkontaktflächen und mit Leiterbahnen von den Kontaktflächen (17) der Halbleiterchips (8) zu den Außenkontaktflächen auf die koplanare Fläche (23); – Auftrennen des Nutzens (22) in einzelne Halbleiterbauteile (13).
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf eine wärmeresistente Basisfolie (2) aus Polyethylenterephthalat (PET) oder aus Ethylen-modifiziertem Polytetrafluorethelen (ETFE) Klebstoffschichten (5, 7) aufgebracht werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass als doppelseitig klebende Klebstofffolie (1) eine wärmeresistente Basisfolie (2) mit beidseitig aufgebrachtem acrylhaltigem Klebstoff eingesetzt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als doppelseitig klebende Klebstofffolie (1) eine wärmeresistente Basisfolie (2) mit einem thermoaktiven Klebstofffilm (5) auf der Folienunterseite (20) zur Trägerplatte (6) hin, und mit einem drucksensitiven Film auf der Folienoberseite (19) zum Bestücken mit Halbleiterchips (8) eingesetzt wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass als Klebstoffschicht (7) auf die Oberseite (3) der wärmeresistente Basisfolie (2) ein adhäsiver Photolack aufgebracht wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zum Deaktivieren die frei zugängliche Folienoberseite (19) nach dem Aufbringen der Halbleiterchips (8) mit UV-Strahlen (24) bestrahlt wird.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zum Deaktivieren die freizugängliche Folienoberseite (19) nach dem Aufbringen der Halbleiterchips (8) mit in der Halbleitertechnik üblichen Plasmatechniken unter Verwen dung von Gasen wie Argon, Helium, Wasserstoff, Sauerstoff, Tetrafluormethan oder Schwefelhexafluorid behandelt wird.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenkontaktflächen mit Außenkontakten vor dem Auftrennen des Nutzens (22) bestückt werden.
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