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Objekt
dieser Erfindung ist ein Verfahren zum Aufstreuen von Spänen, bei
dem in dem Verfahren Späne
durch ein oder mehrere Walzenwerke hindurch als Spanmatte auf einen
rotierenden Bandförderer
oder ähnlichem
aufgestreut wird und bei dem beim Aufstreuen als Hilfe strömendes Gas
verwendet wird, das allgemein Luft ist. Objekt der Erfindung ist außerdem eine
Anlage zur Verwirklichung des Verfahrens.
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Bei
der Herstellung von Spanplatten wird zur Formung der Spanmatte Aufstreuen
benutzt, bei dem das Gemisch, das aus Spänen und aus einem in diese
vermischten Bindemittel besteht, als Matte einem Bandförderer oder ähnlichem
zugeführt
wird. Danach wird von der Spanmatte ein plattenartiges Stück in der
Presse gepresst, allgemein in der Heißpresse, die ununterbrochen
arbeitend sein kann, oder die Spanmatte kann dann gekappt und zur
Synchronpresse transportiert werden, die mit planen Druckplatten
ausgerüstet
ist. Zweck bei der Fertigung der Spanplatte ist das Aufstreuen möglichst
optimal in der Weise zu gestalten, dass die Mischung aus Spänen und
Bindemittel als möglichst
gleichmäßige Matte
zum Bandförderer
oder ähnlichem
gelangt. Das Aufstreuen sollte auch so erfolgen, dass der gröbere Stoff
in der Mitte der zu fertigenden Platte und der feinere Stoff auf
den beiden Oberflächen
der Platte liegt. Da die Platte allgemein nach dem Pressvorgang
auf ihre Sollstärke
geschliffen wird, sollte die Fraktionsverteilung im Schleifbereich
bis zu einer gewissen Schleiftiefe möglichst eben sein, damit die Oberfläche nach
dem Schleifen unabhängig
von der Schleiftiefe immer gut und homogen ist. Der feine Bereich
sollte also möglichst
homogen sein, damit unabhängig
von den Stärkeschwankungen
der ungeschliffenen Platte eine fleckenlose und ebene Oberfläche erreicht
werden würde.
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Vom
FI-Patent 90746 her ist eine Anlage zum Aufstreuen von Fasern und
Spänen
mit einem Bindestoff zu einer Matte für einen Aufstreubandförderer bekannt,
bei dem in der Anlage ein Walzenwerk vorhanden ist, dass zumindest
aus drei miteinander gleichlaufenden Walzen besteht und bei dem
das Walzenwerk verstellbare Walzenspalte enthält. Zwischen dem Walzenwerk
und dem Bandförderer
ist eine Luftströmung
vorhanden, die entweder mit einer Luftausblasung oder einer Luftansaugung
oder einer Kombination von Luftausblasung und -ansaugung erzeugt
wird.
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Wird
diese an sich bekannte Luftströmung nicht
eingesetzt, so wirbelt das nach unten frei fallende Material bei
der Verdrängung
von Luft unkontrolliert, in der Spanmatte Unebenheiten und Vertiefungen
verursachend, die die Qualität
der Plattenoberfläche
wesentlich verschlechtern.
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Vom
FI-Patent 97112 her ist eine Anlage zum Aufstreuen von Fasern und
Spänen
bekannt, bei der in der Anlage oberhalb des eigentlichen Aufstreuwalzenwerks
in Zuführrichtung
der Späne
am Anfang des Walzenwerks ein Vorwalzenwerk zum Vorsieben der Späne montiert
ist. Zu diesem Vorwalzenwerk gehören
zumindest zwei nebeneinander befindliche Zylinderwalzen, zwischen
denen sich ein Walzenspalt bildet. Der Spalt zwischen den einzelnen
Zylinderwalzen des Vorwalzenwerks ist größer als der Abstand der Zylinderwalzen
des eigentlichen Walzenwerks an der Stelle des Vorwalzenwerks.
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Das
Vorwalzenwerk verstärkt
das Abscheiden von feinen Partikeln für die feine Oberflächenschicht
der Platte am Anfang des eigentlichen Walzenwerks, denn der gröbere Stoff,
der nicht durch die Abstände
der Walzenspalte des Vorwalzenwerks hindurchpasst, gelangt erst
nach dem Vorwalzenwerk zum eigentlichen Walzenwerk.
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Vor
allem bei der Herstellung von Platten, die gestapelt werden sollen,
muss die geschliffene Oberfläche.
des feinen Bereichs möglichst
eben und homogen, fleckenlos und dicht sein, damit zur Minimierung
von Kosten möglichst
dünne Beschichtungsstärken angewandt
werden können.
Das Problem bei den bekannten Aufstreuverfahren liegt gerade in
der Erhöhung
der Homogenität
des feinen Bereichs.
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Falls
die Luftströmung
wie gewöhnlich
nur zwischen dem Bandförderer
und dem über
diesem befindlichen Walzenwerk angewendet wird, neigt der Luftstrom
dazu, den feinen Stoff zu weit an den Anfang des Walzenwerks zu
bringen. Das verursacht, dass die feinen Späne sich ganz an der Oberfläche des
Schleifbereichs ansammeln, wobei die nach dem Schleifen zum Vorschein
kommende Fläche
leicht u.a. zu grob und porös
bleibt, nachdem der feine Stoff abgeschliffen wurde. Nach dem Schleifen
variieren auch die Eigenschaften der Oberfläche zu stark, was auf die Schwankungen
der benötigten
Schleiftiefe zurückzuführen ist.
Das Problem besteht auch darin, dass die kleinen Partikel, die also
beim vorgenannten Verfahren am meisten abgeschliffen werden müssen, auch
am meisten relativ teures Bindemittel adsorbiert haben, welches
merklich mehr über
den Nettobedarf hinaus dosiert werden muss, damit zum Erhalten einer
ausreichenden Festigkeit auch die größeren Partikel damit ausreichend
versorgt werden. Das Schleifen von reichlich bindestoffhaltigem
Staub führt
auch zum Verstopfen von Schleifpapier und/oder dessen zu schnellem
Verschleiß.
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Zweck
dieser Erfindung ist ein Verfahren zu erhalten, mit dem die vorgenannten
Probleme reduziert oder sogar beseitigt werden können, und die Oberfläche des
Schleifbereichs möglichst
homogen zu bekommen bzw. die Feinschicht gleichmäßig von der Oberfläche bis
zur Schleiftiefe zu verteilen sowie die Kosten für den Bindestoff zu reduzieren
und die Schleiffähigkeit
zu verbessern.
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Zweck
dieser Erfindung ist auch eine Anlage für das Aufstreuen der Oberflächenschicht
der Spanplatte zu erhalten, bei dem ein Verfahren nach der Erfindung
angewendet wird. Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird der Gasstrom
(der im allgemeinen Luft ist), zwischen die verschiedenen Walzenwerke oder
das Walzenwerk und den Bandförderer
geleitet, und die Richtungen und Geschwindigkeiten der Gasströme können im
jeweiligen Spalt beliebig eingestellt werden und der Gasstrom außerdem zumindest in
einem Walzenwerkspalt entgegengesetzt zum anderen Walzenwerkspalt
vorhanden ist. Durch Regulieren der Geschwindigkeit des Gasstroms
in den verschiedenen Walzenwerkspalten kann vorteilhaft auf die
Verteilung der Fraktionen und damit schließlich auf die Qualität der Plattenoberfläche eingewirkt
werden. Außerdem
kann beim Aufstreuen mittels Regulierung der Geschwindigkeit und
Richtung des Gasstroms das Gleichgewicht auf den gewünschten Punkt
verschoben werden, wodurch sich die Qualitätskontrolle merklich verstärkt. Zum
Beispiel ist die Gasströmung über dem
unteren Walzenwerk entgegengesetzt zur Gasströmung zwischen dem Walzenwerk
und dem Bandförderer.
Hierbei bewegt sich der allerfeinste Span bei der Vorfraktionierung
mehr zur Mitte des unteren Walzenwerks und fällt gleichmäßiger auf die Spanmate als
bei bekannten Anlagen.
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Die
für die
Erfindung charakteristischen Merkmale sind detailliert in den beiliegenden
Patentansprüchen
dargestellt.
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Mittels
des Verfahrens und der Anlage nach der Erfindung erhält man ein
merklich verbessertes Aufstreuergebnis. Die Oberflächenschicht
der Spanplatte wird homogener und die Ansammlung von allerfeinstem
und reichlichstem Material, welches das Bindematerial adsorbiert,
in der Nähe
der Oberflächenschicht
der Spanplatte wird vermieden, da die feine Schicht gleichmäßig von
der Oberfläche beginnend
bis zur benötigten
Schleiftiefe verteilt werden kann. Außerdem verbleibt jetzt merklich
mehr reichlich Bindemittel adsorbierter Staub für die ungeschliffene Struktur,
wodurch der Bindemittelgehalt der Späne reduziert werden kann und
trotzdem die gewünschten
Eigenschaften erreicht werden. Der für die Struktur verbleibende
Staub füllt
jetzt vorteilhaft die Poren und die Platte lässt sich letztendlich besser schleifen,
wodurch der Verschleiß des
benötigten Schleifpapiers
abnimmt. Die Qualität
der geschliffenen Oberfläche
der Spanplatte ist auch in den verschiedenen Schleiftiefen gleichmäßiger, d.h.
die Schwankungen in der Oberflächenqualität sind erheblich
geringer als früher.
Deshalb wird z.B. beim Anstreichen oder bei der Oberflächenbehandlung weniger
Farbe oder ähnliches
verbraucht.
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Nachstehend
wird die Erfindung unter Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen
genauer beschrieben.
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1 stellt
von der Seite her eine vorteilhafte Anwendungsform der Erfindung
dar, bei der die Aufstreuanlage zumindest die zwei Walzenwerke 2 und 11 umfasst.
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In 2 sind
die kammerartigen Räume nach
der Darstellung mit einer an das Ende des Walzenwerks anzubringenden
Zwischenplatte oder ähnlichem 14 voneinander
getrennt.
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In 3 ist
eine Anwendungsform dargestellt, die nur ein Walzenwerk hat.
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In 4 ist
ein schematisches Beispiel eines Aufstreuergebnisses nach einem
bekannten Verfahren vereinfacht dargestellt.
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In 5 ist
ein Beispiel eines Aufstreuergebnisses nach der jetzt beschriebenen
Erfindung dargestellt.
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1 stellt
von der Seite her eine vorteilhafte Anwendungsform der Erfindung
dar, bei der die Aufstreuanlage zumindest die zwei Walzenwerke 2 und 11 umfasst.
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Der
Dosiertransporteur 5 führt
die Spanmate 3 von der Walze 1 gesteuert dem Walzenwerk 2 zu; jedes
Walzenwerk wird von parallel rotierenden Walzen gebildet. Da sich
zwischen den Walzen Spalten befinden, fällt der spanartige Stoff schließlich zwischen
den Walzen 2 und 11 und den Spalten hindurch auf
den Bandförderer 8.
Der feinere Stoff fällt von
dem oberen Walzenwerk 2 von links gesehen an den Anfang
des Walzenwerks 11 und der gröbere Stoff mehr nach rechts.
Dies wurde mit zunehmenden Walzenspalten und/oder durch Vergrößerung der Profiltiefe
der Oberflächenmusterung
der Walzen bewerkstelligt. Für
den Bandförderer 8 formt
sich schließlich
die Matte 9, die der Bandförderer weiter befördert. Zusätzlich zur
Aufstreumaschine in 1 wird mindestens eine Aufstreumaschine
nach Spiegelbild benötigt,
damit die vollständig
symmetrische Spanmatte, die feine Ober- und Unterflächenschichten
sowie eine gröbere
Mittelschicht aufweist, nach ihrer Formung weiter zur Presse gebracht
wird. Oft liegt zwischen den vorgenannten Maschinen noch mindestens
eine alleinig für
die Bildung der Mittelschicht der Platte entworfene Aufstreumaschine.
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Nach
der vorstehenden Erfindung transportiert die in dem wesentlichen
kammerartigen Raum 13 zwischen den Walzenwerken 2 und 11 vorhandene
Gasströmung 4 einen
Teil des durch die Spalten am Anfang des Walzenwerks 2 fallenden
feineren Stoffs nach rechts. Der feinere Stoff vermischt sich mit
dem gröberen
Stoff und fällt
schließlich
durch die Spalten des Walzenwerks 11. Die Gasströmung 10 transportiert
das durch das Walzenwerk 11 hindurch fallende Material
nach links, die feine Spanfraktion gelangt durchschnittlich etwas
weiter als die gröbere.
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Beim
Mischen des feinen und groben Stoffs für den Bandförderer 8 bildet sich
aus beiden Stoffen die ebene Matte 9 in der Weise, dass
das Material bis zur Schleiftiefe hin möglichst homogen ist.
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Das
Gas wird zwischen die Walzenwerke oder das Walzenwerk und den Bandförderer geblasen
oder gesogen und mit der Gasabsaugung 4 zwischen oder über den
Spalten entfernt. Der Verlauf des Gases wird außerdem mit der beweglichen
Klappe 6 oder ähnlichem
reguliert, mit deren Hilfe bei Bedarf das Zusatzgas 7 zwischen
die Walzenwerke oder das Walzenwerk und den Bandförderer strömen kann.
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Der
Gasstrom zwischen den Walzenwerken wird außerdem mit der Gasblasung 10 und/oder
der Gasabsaugung 4 geregelt, die zwischen die Walzenwerke 2, 11 oder
dem Walzenwerk 11 und dem Bandförderer 8 angeordnet
wird. Die Geschwindigkeiten und Stärken sowie die Richtung der
Gasströme
sind jeweils individuell in dem jeweiligen kammerartigen Raum 12, 13 mit
der Gasblasung und/oder der Gasabsaugung regelbar. In 1 ist
eine Richtung der Gasströme
dargestellt, doch kann die Richtung der Gasströme auch entgegengesetzt sein bzw.
die Richtung der Gasabsaugung 4 und der Gasblasung 10 sowie 7 kann
beliebig sein.
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Nach
dem Beispiel mit zwei Walzenwerken 2, 11 ist die
Richtung des Gasstroms im wesentlichen kammerartigen Raum zwischen
dem unteren Walzenwerk 11 und dem Förderband 8 entgegengesetzt zur
Richtung des im wesentlich kammerartigen Raum zwischen dem oberen
Walzenwerk 2 und dem unteren Walzenwerk 11 vorhandenen
Gasstroms.
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Die
kammerartigen Räume
können
auch nach 2 z.B. mit einer an das Ende
der Walzenwerke zu montierenden Zwischenplatte oder einem entsprechenden
Trennelement 14 voneinander getrennt werden, wobei der
Gasstrom in jedem wesentlichen kammerartigen Raum 12, 13 nicht
unbedingt mit anderen kammerartigen Räumen verbunden ist. Es kann
auch nur ein Walzenwerk vorhanden sein. Eine derartige Anwendungsform
ist in 3 dargestellt.
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Wesentlich
ist, dass die Richtung des Gasstroms zumindest in einem Walzenwerkspalt
entgegengesetzt als in den anderen Walzenwerkspalten ist, und außerdem die
Richtung und Geschwindigkeit des Gasstroms bei Bedarf in jedem Walzenwerkspalt individuell
bei einer Geschwindigkeit des Gasstroms von 0,1 – 3 m/s und vorteilhafter bei
ca. 0,5 m/s regulierbar ist.
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In 4 ist
ein schematisches Beispiel eines Aufstreuergebnisses nach einem
bekannten Verfahren vereinfacht dargestellt und in 5 ein
Beispiel eines Aufstreuergebnisses nach der jetzigen Erfindung.
In den 4 und 5 bedeutet die X-Achse die Stärke der
Platte gerechnet von der ungeschliffenen Oberfläche A und die Y-Achse den Gewichtsprozentanteil
der Materialfraktionen. Die feinste Fraktion ist mit j1 und die
gröbste
mit j4 gekennzeichnet. Aus den Grafiken kann abgelesen werden, wie
viel bei einer bestimmten Tiefe für jede Fraktion relativ ist.
Die Oberfläche
nach dem Schleifen ist mit dem Buchstaben C gekennzeichnet und der
geschliffene Bereich mit D. Wegen der Dickeschwankung der ungeschliffenen
Platte kann sich die geschliffene Oberfläche C an jeden beliebigen Punkt
in dem mit dem Buchstaben B gekennzeichneten Bereich setzen. Aus 4 ist
zu sehen, dass das bekannte Verfahren verwendend sich die Verteilung
der Partikel im Bereich B merklich ändert.
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Bei
der in 5 dargestellten Struktur der Erfindung ist der
Bereich B homogen und die auf der Oberfläche C zu sehenden Fraktionsanteile
bleiben trotz der Lage der betreffenden Oberfläche stabil.
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Dem
Fachmann ist klar, dass die verschiedenen Anwendungsformen der Erfindung
sich nicht ausschließlich
auf die vorstehend dargestellten Beispiele beschränken und
deshalb im Rahmen der nachstehend darzustellenden Patentansprüche variieren
können.