-
Die
Erfindung betrifft eine Beleuchtungsvorrichtung mit einem zur Strahlungserzeugung
vorgesehenen Halbleiterchip.
-
Derartige
Beleuchtungsvorrichtungen werden oftmals zur Beleuchtung ebener
Flächen
eingesetzt. Herkömmliche
Halbleiterchips weisen häufig eine
vergleichsweise engwinklige Abstrahlcharakteristik auf, so dass
ein Großteil
der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung in einen vergleichsweise
engen Raumwinkelbereich abgestrahlt wird. Eine großflächige Beleuchtung
mit einem derartigen Halbleiterchip ist aufgrund der engwinkligen
Abstrahlcharakteristik des Halbleiterchips erschwert. Zur Verbreiterung
der Abstrahlcharakteristik kann ein optisches Element eingesetzt
werden.
-
Ein
derartiges optisches Element ist beispielsweise in
US 4,907,044 beschrieben. Der Halbleiterchip
ist jeweils mit dem optischen Element umformt. In
4 der
US 4,907,044 ist eine Radial-LED mit
einem derartigen optischen Element gezeigt, während
8 eine
so genannte Overmold-LED-Bauform
mit dem optischen Element zeigt. Bei beiden Bauformen wird zuerst
der Halbleiterchip auf den Anschlüssen kontaktiert nachfolgend
mit dem optischen Element umgeben, wobei die Overmold-Bauform im
Gegensatz zur Radial-Bauform zur Oberflächenmontage geeignet ist. Aufgrund
der allseitigen Umhüllung
des Halbleiterchips mit dem optischen Element besteht bei diesen
Bauformen bei hoher Strahlungsleistung die erhöhte Gefahr einer Schädigung des
optischen Elements, etwa aufgrund der bei der Strahlungserzeugung
anfallenden Verlustwärme.
Die in der
US 4,907,044 gezeigten
Bauteile sind demnach für
Hochleistungsanwendungen zur Erzeugung hoher Strahlungsleistungen
mit einer dementsprechend hohen Abwärme nur bedingt geeignet.
-
Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Beleuchtungsvorrichtung
anzugeben.
-
Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine
Beleuchtungsvorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1
und des Patentanspruchs 4 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen
Patentansprüche.
-
In
einer ersten Ausführungsform
umfasst eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
ein optoelektronisches Bauteil, das einen Gehäusekörper und mindestens einen zur
Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip aufweist, und ein
separates optisches Element, das zur Befestigung an dem optoelektronischen
Bauteil vorgesehen ist und eine optische Achse aufweist, wobei das
optische Element eine Strahlungsaustrittsfläche aufweist und die Strahlungsaustrittsfläche einen
konkav gekrümmten Teilbereich
und einen den konkav gekrümmten
Teilbereich in einem Abstand zur optischen Achse zumindest teilweise
umgebenden, konvex gekrümmten Teilbereich
aufweist, wobei die optische Achse durch den konkav gekrümmten Teilbereich
verläuft.
-
Mit
Vorteil kann das optoelektronische Bauteil im Wesentlichen unabhängig vom
separaten optischen Element ausgebildet sein. Das optoelektronische
Bauteil kann in der Folge vereinfacht auf Hochleistungsanwendungen
zur Erzeugung einer hohen Strahlungsleistung hin optimiert werden,
ohne die Gefahr einer Schädigung
des optischen Elements, aufgrund der hohen Abwärme zu erhöhen.
-
In
einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Halbleiterchip als Dünnfilm-Halbleiterchip
ausgeführt.
Als Dünnfilm-Halbleiterchip
wird im Rahmen der Anmeldung ein Halbleiterchip angesehen, während dessen
Herstellung das Aufwachssubstrat, auf den eine Halbleiterschichtenfolge,
die ein Halbleiterkörper
des Dünnfilm-Halbleiterchips
umfasst, beispielsweise epitaktisch, aufgewachsen wurde, abgelöst ist.
Der Halbleiterkörper
ist bevorzugt auf einem Träger
angeordnet, der den Halbleiterkörper
mechanisch stabilisiert und besonders bevorzugt vom Aufwachssubstrat
für die
Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers verschieden ist.
-
Der
Träger
des Dünnfilm-Halbleiterchips
unterliegt mit Vorteil nicht den vergleichsweise hohen Anforderungen,
die ein Aufwachssubstrat, etwa hinsichtlich der Kristallstruktur,
erfüllen
muss. Die Freiheitsgrade bei der Auswahl des Trägers sind gegenüber den
Freiheitsgraden bei der Auswahl des Aufwachssubstrats vorteilhaft
erhöht.
Beispielsweise kann der Träger
hinsichtlich thermischer Eigenschaften, wie einen an den Halbleiterkörper angepassten thermischen
Ausdehnungskoeffizienten oder einer hohen Wärmeleitfähigkeit, vergleichsweise frei
gewählt
werden. Eine hohe Wärmeleitfähigkeit
ist bei Hochleistungsanwendungen, bei denen im Betrieb des Halbleiterchips
im Halbleiterchip eine maßgebliche
Wärmemenge
erzeugt wird, von besonderer Bedeutung. Wird die im Halbleiterchip
erzeugte Wärmemenge
nicht ausreichend vom Halbleiterchip abgeführt, so ist die Gefahr einer
Schädigung
des Halbleiterchips erhöht.
Durch den Einsatz eines vom Aufwachssubstrat verschiedenen Trägers hoher
Wärmeleitfähigkeit
kann diese Gefahr mit Vorteil verringert werden.
-
In
einer weiteren Ausführungsform
umfasst eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
einen zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip und ein
optisches Element, das eine optische Achse aufweist, wobei der Halbleiterchip
als Dünnfilm-Halbleiterchip
ausgeführt
ist, das optische Element eine Strahlungsaustrittsfläche aufweist
und die Strahlungsaustrittsfläche
einen konkav gekrümmten Teilbereich
und einen den konkav gekrümmten
Teilbereich in einem Abstand zur optischen Achse zumindest teilweise
umgebenden, konvex gekrümmten Teilbereich
aufweist, wobei die optische Achse durch den konkav gekrümmten Teilbereich
verläuft.
-
Eine
derartige Formgebung der Strahlungsaustrittsfläche des optischen Elements
erleichtert die Veränderung
der Abstrahlcharakteristik der Beleuchtungsvorrichtung, so dass
die unter einem Winkel zur optischen Achse aus der Beleuchtungsvorrichtung ausgekoppelte
Strahlungsleistung gegenüber
der Abstrahlcharakteristik des Bauteils ohne optisches Element erhöht ist.
Hierzu trägt
insbesondere der konvex gekrümmte
Teilbereich bei, der den unter großen Winkeln zur optischen Achse
aus der Beleuchtungsvorrichtung ausgekoppelten Strahlungsanteil erhöht. Die
Beleuchtungsvorrichtung mit einem derartigen optischen Element ist
demnach zur homogenen Ausleuchtung einer vergleichsweise großen, insbesondere
ebenen, Fläche
auch in seitlich zur optischen Achse versetzten Flächenbereiche
besonders geeignet. Bevorzugt ist die Beleuchtungsvorrichtung zur
Hinterleuchtung einer Anzeigevorrichtung, etwa eines LCD (liquid
crystal display), vorgesehen.
-
In
einer bevorzugten Ausgestaltung umfasst die Beleuchtungsvorrichtung
ein optoelektronisches Bauteil, das einen Gehäusekörper und den Halbleiterchip
aufweist, wobei das optische Element als separates optisches Element
ausgeführt
ist und das optische Element zur Befestigung am optoelektronischen
Bauteil vorgesehen ist.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung verläuft die optische Achse, insbesondere
des am optoelektronischen Bauteil befestigten optischen Elements,
durch den Halbleiterchip. Der Halbleiterchip kann insbesondere bezüglich der
optischen Achse zentriert angeordnet sein. Eine derartige Anordnung des
Halbleiterchips erleichtert eine homogene Strahlformung der vom
Halbleiterchip erzeugten Strahlung mittels des optischen Elements.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das optische Element
rotationssymmetrisch zur optischen Achse ausgeführt. Hierdurch wird mit Vorteil
eine azimutal zur optischen Achse homogene und gleichförmige Abstrahlcharakteristik
der Beleuchtungsvorrichtung erzielt.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist der konvex gekrümmte Teilbereich
eine Krümmung
auf, die kleiner ist als eine Krümmung
des konkav gekrümmten
Teilbereichs. Die homogene Ausleuchtung von mittels der Beleuchtungsvorrichtung zu
beleuchtenden Flächenbereichen
in einem vergleichsweise großen
Abstand zur optischen Achse wird erleichtert.
-
Weiterhin
kann der Flächeninhalt
des konvex gekrümmten
Teilbereichs der Strahlungsaustrittsfläche größer sein als der des konkav
gekrümmten
Teilbereichs. Im Bereich des konkav gekrümmten Teilbereichs aus dem
optischen Element austretende Strahlung beleuchtet einen die optische
Achse überquerenden
Bereich der zu beleuchtenden Fläche
homogen, während
die aus dem konvex gekrümmten Teilbereich
austretende Strahlung zur homogenen Beleuchtung von der optischen
Achse beabstandeter Bereiche ausgeführt ist. Da von der optischen
Achse beabstandete Flächenbereiche
häufig
größer sind als
der die optische Achse umgebende Bereich, wird durch einen verglichen
mit dem Flächeninhalt
des konkav gekrümmten
Teilbereichs vergrößerten Flächeninhalt
des konvex gekrümmten
Teilbereichs die homogene Beleuchtung der von der optischen Achse beabstandeten
Flächenbereiche
erleichtert. Ein Übergangsbereich
zwischen dem konvex gekrümmten
und dem konkav gekrümmten
Teilbereich ist bevorzugt derart ausgeführt, dass der konvex gekrümmte Teilbereich
und der konkav gekrümmte
Teilbereich im Übergangsbereich,
insbesondere ausschließlich,
gemeinsame Tangenten aufweisen. Inhomogenitäten in der örtlichen Strahlungsleistungs- oder
Intensitätsverteilung
auf der zu beleuchtenden Fläche
können
so verringert oder vermieden werden. Die Strahlungsaustrittsfläche des
optischen Elements kann kantenfrei und/oder insgesamt als differenzierbare
Fläche
ausgeführt
sein.
-
Weiterhin
kann bei der Erfindung das optische Element derart ausgebildet sein,
dass zwei, insbesondere beliebige, seitens der Strahlungsaustrittsfläche aus
dem optischen Element austretende Strahlen schnittfrei verlaufen,
d.h. dass sich diese Strahlen nicht schneiden oder überkreuzen.
Das Ausbilden von Bereichen auf der beleuchteten Fläche, die
mit einer gegenüber
benachbarten Bereichen mit einer erhöhten Strahlungsleistung beleuchtet
werden, kann so vermieden werden. Insbesondere kann die örtlich Verteilung
der Strahlungsleistung auf der zu beleuchtenden Fläche unabhängig vom Abstand
der Fläche
zur Beleuchtungsvorrichtung sein.
-
Ferner
kann das optische Element derart ausgeführt werden, dass die Strahlformung
durch das beziehungsweise die Strahlführung in dem optischen Element
totalreflexionsfrei erfolgt. Die Fertigungstoleranzen für das optische
Element sind so erhöht.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der konvex gekrümmte Teilbereich
gemäß einer Konvexlinse
und der konkav gekrümmte
Teilbereich gemäß einer
Konkavlinse ausgeführt.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist der konvex gekrümmte Teilbereich
einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich auf, wobei die Krümmung des
ersten Bereichs kleiner ist als die Krümmung des zweiten Bereichs.
Bevorzugt ist der zweite Bereich weiter von der optischen Achse
beziehungsweise dem konkav gekrümmten
Teilbereich entfernt als der erste Bereich. Hierdurch kann mit Vorteil
der unter einem vergleichsweise großen Winkel zur optischen Achse über den
stärker
gekrümmten
zweiten Bereich aus dem optischen Element austretende Strahlungsanteil
bzw. die Strahlungsleistung erhöht
werden.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung nimmt die Krümmung des
konvex gekrümmten
Teilbereichs, insbesondere die Krümmung des zweiten Bereichs,
mit wachsendem Abstand vom konkav gekrümmten Teilbereich zu. Die Krümmung kann
insbesondere kontinuierlich zunehmen.
-
Durch
eine Zunahme der Krümmung
des konvex gekrümmten
Teilbereichs mit wachsendem Abstand vom konkav gekrümmten Teilbereich
kann der Winkel zur optischen Achse, unter dem Strahlung aus dem
konvex gekrümmten
Teilbereich ausgekoppelt wird erhöht werden. Eine homogene Beleuchtung
von Teilflächen
der zu beleuchtenden Fläche, die
einen vergleichsweise großen
Abstand zur optischen Achse aufweisen wird so erleichtert.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der Gehäusekörper vorgefertigt
und der Halbleiterchip ist nachträglich, nach der Vorfertigung
des Gehäusekörpers am
oder im Gehäusekörper angeordnet.
Der Gehäusekörper ist
insbesondere vor dem Anordnen des Halbleiterchips im Gehäusekörper vorgefertigt.
Gegenüber
einer Umformung des Halbleiterchips mit einem strahlungsdurchlässigen optischen
Element wie etwa bei den eingangs erwähnten Radial-LEDs oder Overmold-Bauformen,
ist die Gefahr einer Schädigung
des Halbleiterchips oder der Kontaktierung des Halbleiterchips,
wie eines empfindlichen Bonddrahtes, bei der Vorfertigung des Gehäusekörpers vorteilhaft
verringert.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optoelektronische
Bauteil einen, insbesondere mit dem Gehäusekörper, umformten Leiterrahmen
auf. Der Leiterrahmen kann beispielsweise mittels Spritzguss, Spritzpressguss
oder Pressguss mit dem Gehäusekörper umformt
werden. Der Gehäusekörper kann
einen Kunststoff enthalten. Das optoelektronische Bauteil kann demnach
ein vorgefertigtes Gehäuse,
das den Gehäusekörper und
den Leiterrahmen umfasst, aufweisen. Insbesondere kann das Gehäuse als
so genannte Premolded-Gehäusebauform
ausgeführt
sein. Bei einer derartigen Bauform wird der Halbleiterchip nach
der Herstellung des Gehäuses
auf den Leiterrahmen montiert.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optoelektronische
Bauteil, insbesondere der Leiterrahmen, ein erstes elektrisches
Anschlussteil, ein zweites elektrisches Anschlussteil und ein, insbesondere
separat von den elektrischen Anschlussteilen ausgebildetes, thermisches
Anschlussteil auf. Über
die elektrischen Anschlussteile kann der Halbleiterchip elektrisch
kontaktiert werden. Das thermische Anschlussteil ermöglicht eine
gute thermische Anbindung an eine externe Wärmeleitvorrichtung, etwa eine
Wärmesenke,
unabhängig
von der elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils
mittels der elektrischen Anschlussteile. Die elektrischen Anschlussteile
können
beispielsweise leitend mit Leiterbahnen einer Leiterplatte elektrisch leitend
verbunden, insbesondere verlötet,
werden. Das thermische Anschlussteil kann beispielsweise mit der,
vorzugsweise elektrisch von den Leiterbahnen isolierten, externen
Wärmeleitvorrichtung,
etwa über
Verlötung,
thermisch leitend verbunden werden.
-
In
einer vorteilhaften Weiterbildung sind die elektrischen Anschlussteile
und das thermische Anschlussteil seitens verschiedener Seitenflächen der Oberfläche des
Gehäusekörpers jeweils
zumindest teilweise Teil einer die Oberfläche des Gehäusekörpers vollständig einhüllenden
Hüllfläche. Insbesondere
können
die elektrischen Anschlussteile und das thermische Anschlussteil
seitens verschiedener Seitenflächen
aus dem Gehäusekörper austreten
oder an verschiedenen Seitenflächen
einen Teil der Oberfläche
des Gehäusekörpers bilden.
Bevorzugt bilden auch die elektrischen Anschlussteile seitens jeweils verschiedener
Seitenflächen
der Oberfläche
des Gehäusekörpers jeweils
zumindest teilweise Teil eine die Oberfläche des Gehäusekörpers vollständig einhüllenden
Hüllfläche. Eine
getrennte elektrische und thermische Anschließbarkeit mittels der elektrischen Anschlussteiles
bzw. des thermischen Anschlussteiles wird so erleichtert.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das optoelektronische
Bauteil als oberflächenmontierbares
Bauteil (SMD: Surface Mountable Device) ausgeführt. Oberflächenmontierbare Bauteile zeichnen
sich durch besonders einfache Handhabbarkeit, insbesondere bei der
Montage auf einer Leiterplatte aus. Sie können beispielsweise mittels
eines einfachen "Pick
and Place"-Prozesses
auf einer Leiterplatte positioniert und nachfolgend elektrisch und/oder
thermisch angeschlossen werden. Weiterhin kann die Beleuchtungsvorrichtung
mit dem am optoelektronischen Bauteil montierten optischen Element
oberflächenmontierbar
ausgeführt
sein. Bei der Montage der Vorrichtung wird die Gefahr einer Schädigung des
optischen Elements, etwa aufgrund der hohen Löttemperatur, mit Vorteil nicht
maßgeblich
erhöht.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist auf dem Halbleiterkörper, insbesondere
zwischen dem Halbleiterkörper
und dem Träger,
eine Spiegelschicht angeordnet. Im Halbleiterkörper erzeugte Strahlung kann
von der Spiegelschicht reflektiert werden, wodurch die auf der der
Spiegelschicht gegenüberliegenden
Seite aus dem Halbleiterkörper austretende
Strahlungsleistung mit Vorteil erhöht werden kann. Weiterhin beugt
die Spiegelschicht einer Absorption von Strahlung in auf der dem
Halbleiterkörper
gegenüberliegenden
Seite der Spiegelschicht angeordneten Strukturen, wie etwa einem
absorbierenden Träger,
vor. Die Freiheitsgrade bei der Auswahl des Trägers werden so weitergehend
erhöht.
-
Bevorzugt
enthält
die Spiegelschicht ein Metall beziehungsweise ist die Spiegelschicht
im Wesentlichen metallisch ausgeführt. Beispielsweise enthält die Spiegelschicht
Au, Al, Ag, Pt, Ti oder eine Legierung mit mindestens einem dieser
Materialien. Au beispielsweise zeichnet sich durch eine hohe Reflektivität im roten
Spektralbereich aus, während
Ag oder Al auch im blauen oder ultravioletten Spektralbereich eine
hohe Reflektivität
zeigt.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optische Element
zumindest ein Befestigungselement auf, das zur Befestigung des optischen
Elements am optoelektronischen Bauteil vorgesehen ist. Das Befestigungselement
kann an ein vorgefertigtes optisches Element angebracht, etwa angeklebt
werden. Weiterhin kann das Befestigungselement bei der Fertigung
des optischen Elements gemeinsam mit dem optischen Element ausgebildet werden.
Im letzteren Fall können
das optische Element und das Befestigungselement einstückig ausgeführt sein.
Das optische Element kann beispielsweise gegossen werden. Hierzu
eignet sich beispielsweise besonders ein Spritzguss-, Spritzpressguss-
oder Pressgussverfahren.
-
Hierzu
sei angemerkt, dass sich die weiter oben erwähnte vorzugsweise zur optischen
Achse rotationssymmetrische Ausgestaltung des optischen Elements
im Wesentlichen auf die optischen Funktionsflächen, d.h. die zur Strahlformung
bzw. Strahlführung
vorgesehenen Elemente des optischen Elements bezieht. Elemente,
die hauptsächlich
nicht der Strahlformung dienen, wie das Befestigungselement, müssen nicht
notwendigerweise rotationssymmetrisch zur optischen Achse ausgeführt sein.
-
Mit
Vorzug ist das optische Element als auf das optoelektronische Bauteil
aufsteckbar ausgebildet. Ein stiftartiges Befestigungselement ist
hierfür besonders
geeignet.
-
Bevorzugt
enthält
das optische Element ein Reaktionsharz, etwa ein Epoxid- oder ein
Acrylharz, ein Silikonharz oder ein Silikon. Das optische Element
kann weiterhin ein Thermoplastmaterial enthalten. Weiterhin ist
das optische Element bevorzugt als starrer Körper ausgeführt, der insbesondere nur unter
zusätzlichen
Maßnahmen,
wie etwa Erhitzen oder erheblichem Kraftaufwand, plastisch verformbar
ist.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das Befestigungselement
seitens einer Strahlungseintrittsfläche des optischen Elements
angeordnet.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optoelektronische
Bauteil, insbesondere der Gehäusekörper, zumindest
eine Befestigungsvorrichtung auf. Eine Befestigung des optischen
Elements am optoelektronischen Bauteil kann über Zusammenwirken des Befestigungselements
mit der Befestigungsvorrichtung erfolgen. Die Befestigungsvorrichtung
ist hierzu zweckmäßigerweise
als Gegenstück
zum Befestigungselement ausgebildet. Bevorzugt greift das Befestigungselement
zur Befestigung des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil
in die Befestigungsvorrichtung ein.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist das optische
Element zur Befestigung mittels Presspassung, Heißpresspassung,
Verstemmen, Heißverstemmen,
thermischem Nieten oder Kleben am optoelektronischen Bauteil vorgesehen.
-
Hei
einer Presspassung wird das optische Element mittels des vom Befestigungselement
des optischen Elements und der Befestigungsvorrichtung des optoelektronischen
Bauteils aufeinander ausgeübten
Drucks am Bauteil befestigt. Bevorzugt wirkt dieser Druck im wesentlichen
entlang der Oberflächennormalen
des Befestigungselements beziehungsweise der Befestigungsvorrichtung.
-
Bei
der Heißpresspassung
wird das Befestigungselement derart erwärmt, dass es zwar nicht fließfähig, insbesondere
ohne zusätzliche
Krafteinwirkung formstabil, aber dennoch plastisch formbar ist.
Das erwärmte
Befestigungselement formt sich unter Krafteinwirkung an die Befestigungsvorrichtung an.
Nach dem Abkühlen
des Befestigungselements ist das optische Element mechanisch stabil
am optoelektronischen Bauteil befestigt.
-
Beim
Verstemmen erfährt
das Befestigungselement und/oder die Befestigungsvorrichtung, gegebenenfalls
zusätzlich
zu einem presspassenden Druck, eine mechanisch erzeugte Deformation.
Hierzu wird das Befestigungselement und/oder die Befestigungsvorrichtung
beispielsweise mit einem Deformationswerkzeug, etwa einer Nadel,
derart deformiert, dass das optische Element mechanisch stabil am
optoelektronischen Bauteil befestigt ist. Die Deformation kann insbesondere
punktuell oder bereichsweise erfolgen. Beim Heißverstemmen ist das Deformationswerkzeug
zusätzlich
erwärmt,
so dass das Befestigungselement im Kontaktbereich mit dem Werkzeug
plastisch formbar und/oder fließfähig wird. Der
Kraftaufwand kann beim Heißverstemmen
gegenüber
dem Verstemmen verringert sein.
-
Beim
Kleben erfolgt die Befestigung mittels einer Klebeverbindung, die,
etwa über
ein Haftvermittlungsmaterial, zwischen dem Befestigungselement und
der Befestigungsvorrichtung ausgebildet ist.
-
Beim
thermischen Nieten wird das Befestigungselement, vorzugsweise in
einem Teilbereich, derart erwärmt,
dass es fließfähig wird
und an das optoelektronische Bauteil, insbesondere den Gehäusekörper und/oder
das Befestigungselement des Gehäusekörpers, anfließt sowie
beim Abkühlen
aushärtet,
wobei eine mechanisch stabile Befestigung ausgebildet wird.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optische Element
zumindest ein Führungselement
auf. Das Führungselement
kann die Montage des optischen Elements an dem optoelektronischen
Bauteil erleichtern. Vorzugsweise ist das Führungselement derart ausgeführt, dass
das Befestigungselement im Falle einer leicht dejustierten Anordnung
bezüglich
der Befestigungsvorrichtung mittels des Führungselements zur Befestigungsvorrichtung
geführt
wird. Vorzugsweise kann eine derartige Führung mittels des Eigengewichts
des optischen Elements oder einem mittels eines Montagewerkzeugs
ausgeübten
Drucks erzielt werden. Das optische Element kann insbesondere unter
Führung durch
das Führungselement
auf das optoelektronische Bauteil "auf rutschen", wobei das Führungselement bevorzugt derart
ausgebildet ist, dass das Befestigungselement in die Befestigungsvorrichtung eingreift
oder in die Befestigungsvorrichtung "einrutscht". Weiterhin steht das Führungselement
bei der Zuführung
des Befestigungselements zur Befestigungsvorrichtung und/oder nach
abgeschlossener Montage des optischen Elements bevorzugt mit dem Gehäusekörper in
direktem, insbesondere mechanischem, Kontakt.
-
Bevorzugt
ist das Führungselement
verglichen mit dem Befestigungselement näher an einem das optische Element
seitens des Befestigungselements begrenzenden Rand angeordnet. Nach
der Befestigung des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil
ist zwischen dem Führungselement und
dem Befestigungselement bevorzugt zumindest ein Teil des Gehäusekörpers angeordnet.
-
Insbesondere
kann das Führungselement außerhalb
des Gehäusekörpers angeordnet
sein und sich beispielsweise in vertikaler Richtung an einer Seitenfläche des
Gehäusekörpers entlang
erstrecken. Bevorzugt steht das Führungselement mit der Seitenfläche in direktem
Kontakt.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist das Führungselement,
insbesondere auf einer dem das optische Element seitens des Befestigungselements
begrenzenden Rands abgewandten Seite, angeschrägt beziehungsweise abgeschrägt ausgeführt. Durch
eine derartige Schrägung
kann das "Aufrutschen" des optischen Elements
auf den Gehäusekörper des
optoelektronischen Bauteils beziehungsweise das "Einrutschen" des Befestigungselements in die Befestigungsvorrichtung
erleichtern.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist das optische Element
eine Mehrzahl von Befestigungselementen und/oder Führungselementen
auf. Die mechanische Stabilität
der Befestigung und die Lagestabilität des montierten optischen
Elements relativ zum Halbleiterchip können so aufgrund einer Mehrzahl
von Befestigungselementen erhöht
werden. Eine Mehrzahl von Führungselementen
erleichtert die Befestigung des optischen Elements am optoelektronischen
Bauteil. Weiterhin können
auch die Führungselemente
zur mechanischen Stabilität
beziehungsweise zur Lagestabilität
des optischen Elements beitragen. Insbesondere kann über die
Führungselemente
die Gefahr einer Schädigung
des optischen Elementes, etwa aufgrund von auf die Beleuchtungsvorrichtung
einwirkenden Scherkräften, verringert
werden.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen dem am optoelektronischen
Bauteil befestigten optischen Element und dem Halbleiterchip eine
Zwischenschicht angeordnet.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Zwischenschicht
plastisch formbar. Ein plastisch formbares Material für die Zwischenschicht kann
vor der Montage des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil
auf dem optoelektronischen Bauteil bereitgestellt werden. Bei der
Montage des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil kann
mittels des optischen Elements ein Druck auf das formbare Material
ausgeübt
werden, derart dass sich das Material beim Befestigen des optischen
Elements in lateraler Richtung verteilt und die Zwischenschicht
ausgebildet wird. Die Zwischenschicht kann insbesondere direkt an
das optische Element, etwa seitens der Strahlungseintrittsseite angrenzen.
-
Weiterhin
ist das Material für
die Zwischenschicht ohne Krafteinwirkung mit Verzug formstabil. Ein
unkontrolliertes Zerfließen
des Materials vor der Krafteinwirkung wird so vermieden.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen dem am optoelektronischen
Bauteil befestigten optischen Element und dem optoelektronischen
Bauteil, insbesondere zwischen der dem optischen Element zugewandten
Seite des Gehäusekörpers und
der Strahlungseintrittsfläche,
ein Zwischenraum ausgebildet.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung enthält die Zwischenschicht ein
Silikon, insbesondere ein Silikongel. Ein Silikon ist als Material
für die Zwischenschicht
besonders geeignet.
-
Bevorzugt
ist der Zwischenraum als Fuge zur Aufnahme der Zwischenschicht bei
einer Ausdehnung der Zwischenschicht vorgesehen. Dehnt sich die
Zwischenschicht, beispielsweise aufgrund von Erwärmung, aus, so kann sich die
Zwischenschicht in die Fuge ausdehnen, ohne die mechanische Belastung
des optischen Elements oder des optoelektronischen Bauteils wesentlich
zu erhöhen.
Beim Abkühlen
kann sich das optische Element aus der Fuge zurückziehen. Bevorzugt ist der
Zwischenraum zwischen dem optischen Element und dem Bereich des Gehäusekörpers, der
den geringsten Abstand zum optischen Element aufweist, ausgebildet.
-
Insbesondere
kann die Strahlungseintrittsfläche
vollflächig
vom Gehäusekörper beabstandet sein.
Dies kann durch geeignete Ausbildung des Befestigungselements erreicht
werden.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der Halbleiterchip
in eine, insbesondere für
die vom Halbleiterchip erzeugte Strahlung durchlässige, Umhüllung eingebettet. Die Umhüllung kann
beispielsweise Reaktionsharz, wie ein Acryl- oder Epoxidharz, ein
Silikonharz oder ein Silikon enthalten. Vorzugsweise ist die Umhüllung, insbesondere
verglichen mit der Zwischenschicht starr ausgebildet, um die Gefahr
einer Schädigung
des Chips oder der Chipkontaktierung, die beispielsweise mittels
eines Bonddrahtes, der vorzugsweise ebenfalls in die Umhüllung eingebettet
ist, erfolgen kann, nicht zu erhöhen.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Zwischenschicht
als Brechungsindexanpassungsschicht ausgebildet. Übermäßige Brechungsindexsprünge, die
zu dementsprechend hohen Reflektionsverlusten von vom Halbleiterchip
erzeugter Strahlung an den jeweiligen Grenzflächen führen würden, können so vermieden werden. Besonders bevorzugt
vermindert die Zwischenschicht Brechungsindexsprünge, welche die vom Halbleiterchip erzeugte
Strahlung zwischen dem Austritt aus der Umhüllung und dem Eintritt in das
optische Element erfährt.
Besonders bevorzugt vermindert die Zwischenschicht den Brechungsindexsprung
gegenüber einem
mit Luft gefüllten
Freiraum anstelle der Zwischenschicht. Die Zwischenschicht verbessert
mit Vorteil die optische Anbindung des optischen Elements an das
optoelektronische Bauteil.
-
Die
Zwischenschicht kann weiterhin haftvermittelnd ausgeführt sein,
wodurch mit Vorteil die mechanische Anbindung des optischen Elements
an das optoelektronische Bauteil verbessert wird.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung grenzt die Zwischenschicht
an die Umhüllung
und das optische Element an. Bevorzugt überdeckt die Zwischenschicht
den Bereich des optischen Elements, in dem vom Halbleiterchip erzeugte
Strahlung in das optische Element einkoppelt.
-
Die
Umhüllung
ist bevorzugt, insbesondere vollständig, im Strahlungsaustrittsbereich
der Umhüllung
mit der Zwischenschicht bedeckt.
-
Weitere
Merkmale, vorteilhafte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten
der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele
in Verbindung mit den Figuren.
-
Es
zeigen:
-
1 eine
schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung,
-
2 eine
schematische Schnittansicht eines für eine Beleuchtungsvorrichtung
besonders geeigneten Halbleiterchips,
-
3 ein
Beispiel für
eine Abstrahlcharakteristik einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung,
-
4 in den 4A bis 4F verschiedene
schematische Ansichten eines für
eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
besonders geeigneten optischen Elements,
-
5 eine
schematische Aufsicht auf ein weiteres für eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
besonders geeignetes optisches Element,
-
6 eine
schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels einer Beleuchtungsvorrichtung,
-
7 in den 7A und 7B verschiedene
schematische Ansichten eines für
eine Beleuchtungsvorrichtung besonders geeigneten optoelektronischen
Bauteils und
-
8 in den 8A bis 8D verschiedene
schematische Ansichten eines optoelektronischen Bauteils gemäß 7 und eines dritten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung.
-
Gleiche,
gleichartige und gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit
gleichen Bezugszeichen versehen.
-
1 zeigt
eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung.
-
Die
Beleuchtungsvorrichtung 1 umfasst ein optisches Element 2 und
einen zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip 3.
-
Eine
Strahlungsaustrittsfläche 4 des
optischen Elements 2 weist einen konkav gekrümmten Teilbereich 5,
durch den die optische Achse 6 des optischen Elements verläuft, und
einen den konkav gekrümmten
Teilbereich in einem Abstand zur optischen Achse umgebenden konvex
gekrümmten
Teilbereich 7 auf. Der konvexe und der konkave Teilbereich
können
insbesondere gemäß einer
Konvex- oder Konkavlinse ausgeführt
sein.
-
In
einer aktiven Zone 303 des auf der optischen Achse 6 angeordneten
Halbleiterchips 3 emittierte Strahlung tritt über eine
Strahlungseintrittsfläche 8,
die vorzugsweise eben ausgeführt
ist, in das optische Element 2 ein. Die vom Halbleiterchip
erzeugte Strahlung, insbesondere sichtbare Strahlung, wird in 1 durch
die mit Pfeilen gekennzeichneten Linien, welche einzelne Lichtstrahlen
symbolisieren, verdeutlicht.
-
Das
optische Element 2 ist zur homogenen Beleuchtung einer
Fläche 9,
etwa einer Diffusorfolie oder für
eine Anzeigevorrichtung, wie ein LCD, ausgebildet. Die optische Achse
verläuft
bevorzugt durch die Fläche 9.
Besonders bevorzugt verläuft
die Fläche 9 im
Wesentlichen senkrecht zur optischen Achse 6.
-
Das
optische Element ist zur homogenen Beleuchtung der Fläche 9 ausgebildet. Über geeignete Ausbildung
der Krümmungen
des konvex und des konkav gekrümmten
Teilbereichs kann die vom Halbleiterchip erzeugte Strahlung strahlungsaustrittsseitig derart
verteilt werden, dass die Fläche 9 mittels
der Beleuchtungsvorrichtung gleichmäßig und homogen ausgeleuchtet
wird. Auf verschiedene, gleichgroße Bereiche der Fläche trifft
mit Vorzug jeweils im Wesentlichen die gleiche Strahlungsleistung.
-
Über den
konkaven Teilbereich 5 austretende Strahlung wird ähnlich wie
bei einer Zerstreuungslinse gestreut. Insbesondere wird unter einem
von 90° verschiedenen
Winkel zur optischen Achse auf die Strahlungsaustrittsfläche auftreffende
Strahlung beim Eintritt in das optische Element von der optischen
Achse weg gebrochen. Die aus dem konkaven Teilbereich austretende
Strahlung dient der homogenen Ausleuchtung eines die optische Achse 6 umgebenden
Bereichs der Fläche 9.
-
Für eine azimutal
um die optische Achse 6 umlaufend gleichförmige Abstrahlcharakteristik
der Beleuchtungsvorrichtung ist das optische Element mit Vorzug
rotationssymmetrisch zur optischen Achse 6 ausgeführt.
-
Vergleichsweise
weit von der optischen Achse beabstandete Bereiche der Fläche 9 werden
mittels über
den konvex gekrümmten
Teilbereich 7 unter einem von 90° verschiedenen Winkel zur optischen Achse 6 aus
dem optischen Element 2 austretender Strahlung beleuchtet.
Der Übergangsbereich
zwischen dem konkaven und dem konvexen Teilbereich ist mit Vorzug
glatt, insbesondere kantenfrei, ausgebildet ist. Insbesondere kann
die Strahlungsaustrittsfläche,
bevorzugt vollflächig,
differenzierbar ausgeführt
sein. Eine homogene Ausleuchtung der Fläche 9 wird so erleichtert.
-
Der
konvex gekrümmte
Teilbereich der Strahlungsaustrittsfläche weist bevorzugt einen größeren Flächeninhalt
auf als der konkav gekrümmte Teilbereich.
In der Folge tritt gegenüber
dem konkav gekrümmten
Teilbereich ein erhöhter
Anteil an Strahlung über
den konvex gekrümmten
Teilbereich aus dem optischen Element aus.
-
Weiterhin
weist der konvex gekrümmte
Teilbereich bevorzugt einen ersten Bereich 71 einer ersten
Krümmung
und einen zweiten Bereich 72 einer zweiten Krümmung auf.
Die erste Krümmung
ist hierbei bevorzugt kleiner als die zweite Krümmung.
-
Aufgrund
der im zweiten Bereich 72 größeren Krümmung weist im zweiten Bereich
aus dem optischen Element 2 austretende Strahlung mit Vorteil einen
größeren Winkel
zur optischen Achse 6 auf als im ersten Bereich 71 oder
im konkaven Teilbereich 5 aus dem optischen Element austretende
Strahlung. Die homogene Ausleuchtung vergleichsweise weit von der
optischen Achse entfernter Bereiche der Fläche 9 wird so erleichtert.
-
Bevorzugt
tritt Strahlung aus dem optischen Element lediglich unter einem
Winkel kleiner 90 Grad zur optischen Achse aus dem optischen Element aus.
Die Beleuchtungsvorrichtung strahlt insbesondere seitlich oder quer
zur optischen Achse und nach vorne, in Richtung der optischen Achse.
Die Beleuchtungsvorrichtung 1 ist mit Vorzug derart ausgeführt, dass
ein Großteil
der Strahlungsleistung unter einem Winkel zur optischen Achse, insbesondere über den konvex
gekrümmten
Teilbereich, aus dem optischen Element austritt.
-
Die
Krümmung
des konvexen Teilbereichs kann mit wachsendem Abstand vom konkav
gekrümmten
Teilbereich, insbesondere im zweiten Bereich 72 in Richtung
der Strahlungseintrittsfläche 8 zunehmen,
wodurch eine vermehrte Auskopplung von Strahlung unter großen Winkeln
zur optischen Achse und damit das Beleuchten vergleichsweise weit
von der optischen Achse entfernten Bereichen der Fläche 9 erleichtert
wird.
-
Die
Beleuchtungsvorrichtung 1 kann derart ausgeführt sein,
dass sich aus dem optischen Element austretende Strahlen nicht überschneiden,
sodass die örtliche
Strahlungsleistungsverteilung auf der zu beleuchtenden Fläche im wesentlichen
unabhängig
vom Abstand der Fläche
zur Beleuchtungsvorrichtung ist.
-
Würde das
optische Element bei der Strahlformung eine Überkreuzung von Strahlen hervorrufen,
so könnte
sich ein Fokalbereich ausbilden, so dass die örtliche Strahlungsleistungsverteilung
auf der Fläche
abhängig
vom Abstand der Fläche
zum optischen Element wäre.
Bei einer Variation des Abstandes der Fläche 9 zum optischen
Element 2 würden
sich insbesondere Inhomogenitäten,
etwa Ringe höherer
Intensität,
der örtlichen
Strahlungsleistungsverteilung ausbilden. Diese Inhomogenitäten werden durch Überkreuzung
von Strahlen hervorgerufen. Bei dem in 1 gezeigten
optischen Element ist jedoch, aufgrund der schnittfrei verlaufenden
Strahlung, die örtliche
Verteilung der Strahlungsleistung auf der Fläche 9 unabhängig vom
Abstand der Fläche
zum optischen Element 2. Weiterhin erfolgt die Strahlformung
oder die Strahlführung
im optischen Element mit Vorzug totalreflexionsfrei.
-
Bevorzugt
ist das optische Element als separates optisches Element ausgebildet,
das zur Befestigung an einem optoelektronischen Bauteil, das den Halbleiterchip
umfasst, vorgesehen ist. Das optoelektronische Bauteil kann so unabhängig vom
optischen Element für
eine Hochleistungsanwendung optimiert sein und nachfolgend mit dem
separaten optischen Element versehen werden. Die einzelnen Komponenten
der Beleuchtungsvorrichtung können daher
unabhängig
voneinander auf ihre jeweilige Hauptfunktion, Strahlformung im Falle
des optischen Elements beziehungsweise Strahlungserzeugung im Falle
des Bauteiles, hin optimiert gefertigt werden.
-
Der
Halbleiterchip 3 ist weiterhin bevorzugt als Dünnfilm-Halbleiterchip ausgeführt. Ein
Halbleiterkörper 302 des
Halbleiterchips 3, der eine Halbleiterschichtenfolge mit
der aktiven Zone 303 umfasst, ist auf einem Träger 301 angeordnet,
der von einem Aufwachssubstrat, auf dem der Halbleiterkörper, insbesondere
die Halbleiterschichtenfolge, vorzugsweise epitaktisch, gewachsen
wurde, verschieden ist. Der Träger 301 muss
demnach nicht den hohen Anforderungen an ein Aufwachssubstrat genügen, sondern
kann beispielsweise hinsichtlich der Wärmeableitungseigenschaften
optimiert ausgeführt
sein. Ein Dünnfilm-Halbleiterchip,
bei dem das Aufwachssubstrat während
der Herstellung abgelöst
ist, ist demnach für
Hochleistungsanwendungen mit vergleichsweise hoher im Halbleiterchip
entstehender Verlustwärme
besonders geeignet.
-
In 2 ist
ein Ausführungsbeispiel
eines für eine
Beleuchtungsvorrichtung besonders geeigneten Halbleiterchips anhand
einer schematischen Schnittansicht dargestellt.
-
Der
Halbleiterchip 3, etwa ein LED-Chip, weist eine auf einem
Träger 301 angeordneten
Halbleiterkörper 302 auf,
der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer zur Strahlungserzeugung
vorgesehene aktive Zonen 303 umfasst. Auf der dem Träger abgewandten
Seite des Halbleiterkörpers
ist ein erster Kontakt 304 angeordnet, über den der Halbleiterchip 3 in
Verbindung mit einem auf der dem Halbleiterkörper abgewandten Seite des
Trägers
angeordneten zweiten Kontakt 305 elektrisch anschließbar ist.
Der erste Kontakt 304 ist insbesondere zur leitenden Verbindung
mit einem Bonddraht und der zweite Kontakt 305 zur leitenden
Verbindung mit einem Anschlussleiter (vgl. hierzu z.B. die im Zusammenhang
mit den 6, 7 und 8 beschriebenen Bauteile) vorgesehen. Die
Kontakte können
beispielsweise jeweils ein Metall oder eine Legierung enthalten.
-
In
einer bevorzugten Ausgestaltung enthält der Halbleiterkörper 302,
insbesondere die aktive Zone 303, mindestens ein III-V-Halbleitermaterial, etwa
ein Material aus den Materialsystemen InxGayAl1-x-yP, InxGayAl1-x-yN
oder InxGayAl1-x-yAs, jeweils mit 0 ≤ x ≤ 1, 1 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
-
III-V-Halbleitermaterialien
sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (InxGayAl1-x-yN) über den
sichtbaren (InxGayAl1-x-yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung,
oder InxGayAl1-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung)
bis in den infraroten (InxGayAl1-x-yAs) Spektralbereich besonders geeignet.
Mit III-V-Halbleitermaterialien,
insbesondere aus den genannten Materialsystemen, zeichnen können weiterhin
bei der Strahlungserzeugung vorteilhaft hohe interne Quanteneffizienzen
erzielt werden.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung umfasst die aktive Zone 303 eine
Heterostruktur, insbesondere eine Doppelheterostruktur. Weiterhin kann
die aktive Zone eine Einfach- oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur
umfassen. Mittels derartiger Strukturen, insbesondere einer Mehrfach-Quantentopfstruktur
oder einer Doppelheterostruktur, können besonders hohe interne
Quanteneffizienzen erzielt werden.
-
Die
Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung
jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ("confinement") eine Quantisierung
ihrer Energiezustände
erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur
keine Angabe über
die Dimensionalität
der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und
Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen dem Halbleiterkörper 302 und
dem Träger 301 eine
Spiegelschicht 306 angeordnet. Die Spiegelschicht kann
beispielsweise als metallhaltige, insbesondere im Wesentlichen metallische,
Spiegelschicht ausgeführt
sein. In der aktiven Zone erzeugte Strahlung kann an der Spiegelschicht
reflektiert werden, wodurch eine Absorption in der der Spiegelschicht
von der aktiven Zone aus gesehen nachgeordneten Strukturen, etwa
dem Träger,
vorgebeugt wird. Die Effizienz des Halbleiterchips 3 kann
so erhöht
werden. Heispielsweise enthält
die Spiegelschicht Au, Al, Ag, Pt, Ti oder eine Legierung mit mindestens
einem dieser Materialien. Al und Ag weisen im ultravioletten und
blauen Spektralbereich, Au auch im gelben, orangen und roten bis
in den infraroten Spektralbereich besonders hohe Reflektivitäten auf.
Weiterhin wird durch Reflexion an der Spiegelschicht der Anteil
an der der Spiegelschicht 306 gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers 302 austretenden
Strahlung erhöht.
-
In
einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen dem Träger 301 und
der Spiegelschicht 306 eine Verbindungsschicht 307 angeordnet,
mittels derer der Halbleiterkörper
seitens der Spiegelschicht auf dem Träger befestigt ist. Die Verbindungsschicht 307 kann
beispielsweise als Lotschicht ausgeführt sein.
-
Der
in 2 gezeigte Halbleiterchip 3 ist als Dünnfilm-Halbleiterchip ausgeführt, was
bedeutet, dass während
der Herstellung des Halbleiterchips das Aufwachssubstrat, auf dem
die Halbleiterschichtenfolge für
den Halbleiterchip, beispielsweise mittels Epitaxie, gewachsen wurde,
abgelöst
wird. Der Träger 301 ist
demnach insbesondere von dem Aufwachssubstrat verschieden und muss
nicht den hohen Anforderungen an ein Aufwachssubstrat genügen, sondern
kann hinsichtlich weiterer für
den Halbleiterchip vorteilhafter Eigenschaften, etwa einer hohen
thermischen Leitfähigkeit,
vergleichsweise frei gewählt
werden.
-
Bevorzugt
weist der Träger
eine vergleichsweise hohe Wärmeleitfähigkeit
auf. Beispielsweise enthält
der Träger
Ge. Auch ein GaAs-Träger
kann Anwendung finden.
-
Die
aktive Zone 303 ist bevorzugt mit dem zweiten Kontakt 305 über den
elektrisch leitfähigen Träger, die
elektrische leitfähige
Verbindungsschicht und die elektrisch leitfähige Spiegelschicht sowie die Halbleiterschichtenfolge
elektrisch leitend verbunden.
-
Enthält der Träger ein
Halbleitermaterial, so ist der Träger mit Vorzug zur Erhöhung der
Leitfähigkeit
geeignet dotiert.
-
Zur
Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips
wird beispielsweise zunächst
die Halbleiterschichtenfolge für
den Halbleiterkörper 302 auf
dem Aufwachssubstrat hergestellt. Nachfolgend wird auf die dem Aufwachssubstrat
abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge die Spiegelschicht,
etwa mittels Aufdampfen, insbesondere Sputtern, aufgebracht. Seitens
der Spiegelschicht wird der Verbund mit Halbleiterschichtenfolge
und Aufwachssubstrat hierauf über
die Verbindungsschicht 307 mit dem Träger 301 verbunden,
woraufhin das Aufwachssubstrat, etwa mittels Ätzen oder Lasertrennen, entfernt oder
abgelöst
wird.
-
Dünnfilm-Halbleiterchips
zeichnen sich, insbesondere mit einer Spiegelschicht, durch eine
vorteilhaft hohe Effizienz aus. Weiterhin kann ein Dünnfilm-Halbleiterchip
eine im Wesentlichen einem Lambertschen Strahler entsprechende kosinusförmige Abstrahlcharakteristik
aufweisen. Mittels eines Dünnfilm-Halbleiterchip,
insbesondere mit metallhaltiger Spiegelschicht, kann vereinfacht
ein als Oberflächenstrahler
ausgeführter
Halbleiterchip realisiert werden.
-
Ein
Dünnfilm-Halbleiterchip,
etwa ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip, kann sich weiterhin
durch folgende charakteristische Merkmale auszeichnen:
- – an
einer zu einem Trägerelement,
z.B. dem Träger 301,
hin gewandten ersten Hauptfläche
einer Halbleiterschichtenfolge, die eine aktive Zone umfasst, insbesondere
einer Epitaxieschichtenfolge, ist eine Spiegelschicht aufgebracht
oder, etwa als Braggspiegel in der Halbleiterschichtenfolge integriert,
ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge
erzeugten Strahlung in diese zurückreflektiert;
- – die
Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20μm oder weniger,
insbesondere im Bereich von 10 μm
auf; und
- – die
Halbleiterschichtenfolge enthält
mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die
eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer
annähernd
ergodischen Verteilung des Lichtes in der Halbleiterschichtenfolge führt, d.h.
sie weist ein möglichst
ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
-
Ein
Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips
ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63
(16), 18. Oktober 1993, 2174 – 2176 beschrieben,
deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug
in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
-
Es
sei angemerkt, dass die Beleuchtungsvorrichtung selbstverständlich nicht
nur mit einem Dünnfilm-Halbleiterchip realisiert
werden kann. Auch ein anderer Halbleiterchip, wie etwa ein Halbleiterchip,
bei dem das Aufwachssubstrat nicht abgelöst ist, können für eine Beleuchtungsvorrichtung
geeignet sein. Aufgrund der hohen Effizienz und einer vereinfacht
erzielbaren, mit Vorzug vermehrt direkt in Richtung des optischen
Elements gerichteten, Oberflächenemission
ist ein Dünnfilm-Halbleiterchip jedoch
besonders geeignet.
-
In 3 ist
ein Beispiel für
eine Abstrahlcharakteristik einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung
gezeigt. Aufgetragen ist die relative Intensität in Prozent in Abhängigkeit
vom Winkel ϑ in ° zur
optischen Achse.
-
Die
hier gezeigte Abstrahlcharakteristik wurde für ein optisches Element 2 gemäß 1,
das rotationssymmetrisch zur optischen Achse ausgeführt ist,
und einen Halbleiterchip 3 gemäß 2 ermittelt, der
im Abstand von 0,6 mm von der Strahlungseintrittsfläche 8 angeordnet
war.
-
Die
Beleuchtungsvorrichtung emittiert mit Vorzug einen Großteil der
Strahlungsleistung seitlich zur optischen Achse, insbesondere unter
vergleichsweise großen
Winkeln. Bevorzugt weist die im die optische Achse umgebenden, konkav
gekrümmten
Teilbereich ausgekoppelte Strahlungsleistung ein lokales Minimum
der Charakteristik auf, insbesondere im Winkelbereich zwischen 0° und 10°.
-
Weiterhin
emittiert die Beleuchtungsvorrichtung bevorzugt mehr als 50 %, besonders
bevorzugt mehr als 60% der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlungsleistung
in einen Winkelbereich zwischen 80° und 40° zur optischen Achse.
-
Das
Maximum der Intensität
liegt bei ungefähr
70°. Von
dem konkaven Teilbereich 5, der dem Bereich um 0° entspricht,
ausgehend wächst
die Intensität
mit steigendem Winkel, was dem konvex gekrümmten Teilbereich entspricht,
etwa gemäß einer Potenzfunktion,
insbesondere gemäß einer
Parabel, und fällt
nach dem Erreichen des Maximums steil ab.
-
4 zeigt in den 4A bis 4F verschiedene
schematische Ansichten eines für
eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
besonders geeigneten optischen Elements 2. Hierbei zeigt 4A eine
Schrägansicht
von unten auf die Strahlungseintrittsfläche 8 des optischen
Elements, 3B eine Schrägansicht
von oben auf die Strahlungsaustrittsfläche 4 des optischen
Elements, 4C eine Aufsicht auf die Strahlungseintrittsfläche, 4D eine
Seitenansicht, 4E eine Schnittansicht entlang
der Linie E-E aus 4C und 4F eine
Schnittansicht entlang der Linie F-F in 4C.
-
Im
wesentlichen entspricht das optische Element dem in 1 gezeigten
optischen Element. Im Unterschied zum optischen Element gemäß 1, bei
dem im wesentlichen die optischen Funktionsbereiche des optischen
Elements 2 gezeigt sind, weist das optische Element 2 gemäß dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel eine Mehrzahl
von Befestigungselementen 9 und Führungselementen 10 auf. Weiterhin
weist das optische Element zumindest ein Orientierungselement 11,
vorzugsweise eine Mehrzahl von Orientierungselementen, auf.
-
Das
optische Element 2 ist insbesondere zur Befestigung an
einem separaten optoelektronischen Bauteil, das einen Gehäusekörper und
den Halbleiterchip der Beleuchtungsvorrichtung aufweist, ausgebildet
(vgl. hierzu die 6, 7 und 8).
-
Das
optische Element 2 ist strahlungsdurchlässig ausgeführt und enthält beispielsweise
ein strahlungsdurchlässiges
Silikon oder ein Silikonharz.
-
Das
optische Element kann gegebenenfalls auch ein Reaktionsharz, etwa
ein Acryl- oder Epoxidharz, enthalten und/oder silikonfrei ausgeführt sein. Gegebenenfalls
kann das optische Element ein Thermoplastmaterial enthalten oder
aus einem Thermoplastmaterial bestehen.
-
Das
optische Element ist bevorzugt mittels Spritzguss, Spritzpressguss
oder Pressguss hergestellt. Mittels dieser Verfahren können auch
die Befestigungselemente 9, die Führungselemente 10 und/oder
die Orientierungselemente 11 hergestellt sein. Insbesondere
können
die genannten Elemente und das optische Element einstückig ausgebildet sein.
Bevorzugt ist das optische Element frei von Hinterschneidungen.
Auf den Einsatz eines kostenintensiven Schiebers im Gusswerkzeug
kann so verzichtet werden. Zur Erleichterung der Entformung des
optischen Elements aus dem Gusswerkzeug können Befestigungselemente 9,
die Führungselemente 10 und/oder
die Orientierungselemente 11 angeschrägt ausgeführt sein und somit sogenannte
Entformungsschrägen
aufweisen.
-
Die
Befestigungselemente 9, die Führungselemente 10 und/oder
die Orientierungselemente 11 sind bevorzugt seitens der
Strahlungseintrittsfläche 8 des
optischen Elements angeordnet.
-
Die
Führungselemente 10 sind
zweckmäßigerweise
derart ausgebildet, dass bei der Befestigung des optischen Elements 2 am
optoelektronischen Bauteil die Befestigungselemente bei einer leicht
dejustierten Anordnung der Befestigungselemente relativ zu den entsprechenden
Befestigungsvorrichtungen des optoelektronischen Bauteils in die entsprechenden
Befestigungsvorrichtungen des optoelektronischen Bauteils einrutschen
oder eingeführt
werden bzw. die Befestigungselemente den Befestigungsvorrichtungen
zugeführt
werden. Hierzu sind die Führungselemente 10 auf
ihrer der Strahlungseintrittsfläche
abgewandten Seite angeschrägt ausgeführt. Die
Führungselemente
weisen hierzu eine Abschrägung 12 auf.
Die Führungselemente 10 verjüngen sich
im geschrägten
Bereich mit Vorzug mit wachsendem Abstand von der Strahlungseintrittsfläche 8.
Bevorzugt sind die Führungselemente 10 einseitig,
insbesondere auf einer einem das optische Element 2 seitens
der Strahlungseintrittsfläche begrenzenden
Rand 13 abgewandten Seite, angeschrägt.
-
Die
Befestigungselemente 9 sind im Ausführungsbeispiel gemäß 4 als einzelne Stifte ausgeführt. Beispielsweise
sind die Befestigungselemente zur Presspassung ausgeführt und
verjüngen
sich, vorzugsweise durchgehend, mit wachsender Entfernung von der
Strahlungseintrittsfläche 8.
Ein Durchmesser der Befestigungselemente 9 kann sich demnach
mit wachsendem Abstand von der Strahlungseintrittsfläche 8 verringern.
-
Seitens
der Strahlungseintrittsfläche 8 wird das
optische Element 2 durch den Rand 13 begrenzt. Die
Führungselemente 10 sind
verglichen mit den Befestigungselementen 9 näher am Rand 13 angeordnet.
Die Befestigung des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil
wird so vorteilhaft erleichtert und die Gesamtstabilität einer
Beleuchtungsvorrichtung mit dem optoelektronischen Bauteil und dem daran
befestigten optischen Element wird erhöht.
-
Einem
Befestigungselement ist bevorzugt eine Mehrzahl von Führungselementen,
etwa zwei, zugeordnet, wodurch die Befestigung des optischen Elements
am optoelektronischen aufgrund verbesserter Führung bei der Montage des optischen
Elements mit Vorteil weitergehend erleichtert wird. Die einem Befestigungselement
zugeordneten Führungselemente
sind dem Befestigungselement, vorzugsweise unmittelbar, benachbart
angeordnet.
-
Die
Orientierungselemente 11 erleichtern mit Vorteil die Montage
des optischen Elements am optoelektronischen Bauteil, insbesondere
das orientierte Aufstecken des optischen Elements auf das Bauteil.
In einem Montagewerkzeug, in das das optische Element zur Befestigung
am Bauteil eingesetzt werden kann, können zu den Orientierungselement
korrespondiere Orientierungsvorrichtungen vorgesehen sein, in die
die Orientierungselemente, insbesondere zur mechanisch stabilen,
lösbaren
Befestigung des optischen Elements im Werkzeug, eingreifen. So kann
eine für
die Montage vorgegebene Orientierung des optischen Elements im Montagewerkzeug
einer Bestückungsanlage
gewährleistet
werden. Bevorzugt ragen die Orientierungselemente über den
Rand 13 hinaus, wodurch insbesondere Angriffspunkte für das Werkzeug
gebildet werden und die Montage vereinfacht wird.
-
Weiterhin
ist das optische Element in Aufsicht auf die Strahlungseintrittseinfläche 8 vorzugsweise
im wesentlichen kreisförmig
ausgebildet. Ferner ist das optische Element in Aufsicht auf die
Strahlungseintrittsfläche 8 vorzugsweise
achsensymmetrisch zu den Symmetrieachsen E-E und/oder D-D aus 4C und/oder
punktsymmetrisch zu einem Mittelpunkt der Strahlungseintrittsfläche ausgebildet.
-
5 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
optischen Elements 2 für
eine erfindungsgemäße Beleuchtungsvorrichtung
anhand einer schematischen Aufsicht auf die Strahlungseintrittsfläche 8 dieses
optischen Elements.
-
Das
in 5 gezeigt optische Element 2 entspricht
im wesentlichen dem in 4 gezeigten.
Im Unterschied zu 4 ist im optischen
Element gemäß 5 auf
separate Orientierungselemente verzichtet. Vielmehr sind die Führungselemente 10 teilweise
auch als Orientierungselemente 11 ausgebildet. Mit Vorteil
kann so auf das Ausbilden separater Orientierungselemente 11 verzichtet
werden. Die als Orientierungselemente ausgebildeten Führungselemente 11 ragen
mit Vorzug über
den Rand 13 hinaus.
-
In 6 ist
eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung
mit einem an einem optoelektronischen Bauteil befestigten optischen
Element dargestellt.
-
Die
Beleuchtungsvorrichtung 1 weist ein optoelektronisches
Bauteil 20 auf, das den Halbleiterchip 3 umfasst.
Das optische Element 2, das beispielsweise gemäß einer
der vorhergehenden Figuren ausgebildet ist, ist mittels der Befestigungselemente 9 am
optoelektronischen Bauteil 20 befestigt.
-
Für die Befestigung
des optischen Elements sind in dem optoelektronischen Bauteil 1 Befestigungsvorrichtungen 201 ausgebildet,
in die die Befestigungselemente 9 bei der Befestigung eingreifen. Die
Befestigungsvorrichtungen 201 sind vorzugsweise als Aussparungen,
ausgebildet, die von einer ersten Hauptfläche 202 eines Gehäusekörpers 203 des optoelektronischen
Bauteils bis zu einer der ersten Hauptfläche 202 gegenüberliegenden
zweiten Hauptfläche 204 des
Gehäusekörpers reichen.
Die Aussparungen durchdringen den Gehäusekörper insbesondere vollständig. Die
Befestigungsvorrichtungen können
beispielsweise schon bei der Herstellung des Gehäusekörpers in diesem vorgeformt
werden. Beispielsweise ist die Befestigungsvorrichtung zylinderartig
ausgeführt.
Die Befestigungsvorrichtungen können
gegebenenfalls auch als den Gehäusekörper nicht
vollständig
durchdringende Ausnehmungen ausgebildet sein.
-
Die
Befestigungselemente 9 sind für eine Befestigung mittels
Presspassung ausgeführt.
Hierzu verjüngen
sich die Befestigungselemente 9 bevorzugt mit wachsender
Entfernung von der Strahlungseintrittsfläche 8 des optischen
Elements 2. Das optische Element 2 wird auf das
optoelektronische Bauteil aufgesteckt, wobei die Befestigungselemente 9 in die
Befestigungsvorrichtungen 201 eingreifen. Treten die Befestigungselemente
mit dem Gehäusekörper in Kontakt
wird ein Druck auf das Befestigungselement ausgeübt, der sich mit weiterem Hineinpressen
des optischen Elements in die Befestigungsvorrichtung derart erhöht, dass
das optische Element schließlich mittels
Presspassung mechanisch stabil am Gehäusekörper 203 befestigt
ist.
-
Die
Strahlungseintrittsfläche 8 des
am optoelektronischen Bauteil 20 befestigten optischen
Elements 2 ist bevorzugt vom optoelektronischen Bauteil,
besonders bevorzugt von dem Gehäusekörper, insbesondere
dessen erster Hauptfläche 202 beabstandet.
Hierzu weisen die Befestigungselemente 9, zweckmäßigerweise
in einem der Strahlungseintrittsfläche 8 benachbarten
Bereich, eine verglichen mit der lateralen Ausdehnung der Befestigungsvorrichtungen,
insbesondere parallel zur ersten Hauptfläche, größere laterale Ausdehnung auf.
-
Der
Abstand des Halbleiterchips zum optischen Element, insbesondere
zu dessen Strahlungseintrittsfläche 8,
kann 1 mm oder weniger betragen. Ein Abstand von 0,6 mm hat sich
als besonders vorteilhaft herausgestellt.
-
Es
sei angemerkt, dass sich zur Befestigung des optischen Elements
am optoelektronischen Bauteil nicht nur Presspassung eignet. Auch
die weiter oben angeführten
Methoden, Heißpressen,
Verstemmen, Heissverstemmen, thermisches Nieten oder Kleben, können, gegebenenfalls
unter geeigneter Modifikation der Befestigungselemente und/oder
der Befestigungsvorrichtungen, angewandt werden.
-
Für eine thermische
Vernietung beispielsweise ragt das Befestigungselement nach dem
Einführen
in die Befestigungsvorrichtung seitens der zweiten Hauptfläche 204 des
Gehäusekörpers 203 über die
zweite Hauptfläche
hinaus. In dem herausragendem Teilstück des Befestigungselements 9 wird
das Befestigungselement nachfolgend derart erhitzt, dass es zumindest
in diesem Teilbereich fließfähig wird.
Das fließfähige Teilstück formt
sich („fließt") an die Befestigungsvorrichtung
und/oder den Gehäusekörper an,
so dass sich nach dem Abkühlen
und dem Erstarren des Befestigungselements eine mechanisch stabile
Befestigung des optischen Elements 2 am optoelektronischen
Bauteil 20 ausbildet. Gegebenenfalls kann auch der Gehäusekörper im
an die Befestigungselemente seitens der zweiten Hauptfläche angrenzenden
Bereich erhitzt werden, so dass der Gehäusekörper und das fließfähige Befestigungselement
verschmelzen.
-
Die
laterale Ausdehnung der Befestigungsvorrichtung 201 ist
für thermisches
Nieten seitens der zweiten Hauptfläche bevorzugt größer als
die des Befestigungselements 9 und verringert sich besonders
bevorzugt in Richtung der ersten Hauptfläche 202. Das nach
dem Einführen
des Befestigungselements in die Befestigungsvorrichtung freie, nicht
vom Befestigungselement ausgefüllte
Volumen der Befestigungsvorrichtung ist zur Aufnahme des vor dem
Erhitzen des Befestigungselements über die zweite Hauptfläche überstehenden
Materials bestimmt. Hierfür
ist die Befestigungsvorrichtung vorzugsweise im Bereich angrenzend
an die zweite Hauptfläche des
Gehäusekörpers mit
einem sich in Richtung der ersten Hauptfläche verjüngenden, etwa trapezförmigen,
Querschnitt ausgebildet. Nach der Verjüngung kann sich die Befestigungsvorrichtung
im Wesentlichen zylinderförmig
in Richtung der ersten Hauptfläche
erstrecken.
-
Das
optische Element 2 kann weiterhin lateral über Seitenflächen 217 den
Gehäusekörper hinausragen.
In dem überstehenden
Bereich können
an der Strahlungseintrittsfläche 8,
der in diesem Bereich keine optische Funktion zukommt, Führungselemente
und/oder Orientierungselemente angeordnet sein (vgl. die Ausführungen
in Verbindung mit dem in 4 gezeigten
optischen Element)
-
Das
optoelektronische Bauteil 20 weist einen ersten elektrischen
Anschlussleiter 205 und einen zweiten elektrischen Anschlussleiter 206 auf.
Diese ragen bevorzugt an verschiedenen Seitenflächen des Gehäusekörpers aus
diesem heraus. Die Anschlussleiter dienen der elektrischen Kontaktierung des
Halbleiterchips 3. Der Halbleiterchip 3 kann mit dem
ersten Anschlussleiter 205 über eine Anschlussschicht 207,
etwa eine elektrisch leitende Klebstoff- oder eine Lotschicht, elektrisch
leitend verbunden und/oder auf diesem befestigt sein. Mit dem zweiten Anschlussleiter 206 ist
der Halbleiterchip bevorzugt über
einen Bonddraht 208 leitend verbunden.
-
Das
optoelektronische Bauteil 20, insbesondere der Gehäusekörper, kann
mittels Umgießen, etwa
mittels eines Spritzguss-, Spritzpressguss- oder Pressgussverfahrens,
eines die beiden Anschlussleiter 205 und 206 umfassenden
Leiterrahmens mit einer geeigneten Formmasse, etwa einem Kunststoffmaterial,
insbesondere einem Material auf Epoxid- oder Acrylbasis, etwa einem Reaktionsharz,
hergestellt werden. Nachfolgend kann der Halbleiterchip 3 mit
den Anschlussleitern verbunden werden. Das optoelektronische Bauteil
kann demnach ein vorgeformtes Gehäuse, insbesondere ein sogenanntes premolded-package,
aufweisen.
-
Bevorzugt
weist der Gehäusekörper 203 eine
Kavität 209 auf,
in der der Halbleiterchip 3 angeordnet ist. Weiterhin kann
in der Kavität 209 eine
Umhüllungsmasse 210 angeordnet
sein, in die der Halbleiterchip 3 eingebettet ist. Diese
Umhüllung
schützt den
Halbleiterchip 3 und den Bonddraht 208 mit Vorteil
vor schädlichen äußeren Einflüssen. Beispielsweise
enthält
die Umhüllung
ein Reaktionsharz, etwa ein Acryl- oder Epoxidharz, ein Silikonharz
oder ein Silikon. Die Umhüllung
ist zur Erhöhung
des Schutzes vorzugsweise starr.
-
Das
optoelektronische Bauteil kann ferner zur Erzeugung mischfarbigen,
insbesondere weißen Lichts,
ausgebildet sein. Hierzu regt ein Teil der vom Halbleiterchip erzeugten
Strahlung beispielsweise ein in der Umhüllungsmasse 210 angeordnetes
Lumineszenzkonversionsmaterial, etwa einen Leuchtstoff, insbesondere
in Partikelform, zur Emission längerwellige
Strahlung an. Aus der Mischung der vom Halbleiterchip erzeugten
und der vom Lumineszenzkonversionsmaterial reemittierten Strahlung
kann in der Folge mischfarbiges, insbesondere weißes, Licht entstehen.
Zur Weißlichterzeugung
sind eine vom Halbleiterchip erzeugte Primärstrahlung im blauen Spektralbereich
und eine vom Lumineszenzkonversionsmaterial reemittierte Strahlung
im gelben Spektralbereich besonders geeignet.
-
Der
Gehäusekörper 203 ist
bevorzugt aus einem gut reflektierenden Material, etwa weißem Kunststoff,
gefertigt. Die Wände
der Kavität
können zur
weiteren Steigerung der Reflexion einer vom Halbleiterchip erzeugten
Strahlung an der Wand der Kavität
mit einem reflexionssteigernden Material, etwa einem Metall, beschichtet
sein. Über
Reflexion an der Wand der Kavität
kann der Anteil der dem optischen Element 2 zur Strahlformung
zugeführten Strahlung
verglichen mit einem Gehäusekörper ohne Kavität 209 mit
Vorteil erhöht
werden.
-
Das
optoelektronische Bauteil ist weiterhin bevorzugt oberflächenmontierbar
(SMD: Surface Mountable Device) ausgebildet. Bei der Oberflächenmontage
werden beispielsweise die Anschlussleiter 205 und 206 seitens
von Lötflächen 211 und 212 der Anschlussleiter
auf Leiterbahnen einer Leiterplatte (nicht dargestellt) gelötet.
-
Wird
das optische Element 2 vor der Montage des optoelektronischen
Bauteils an diesem befestigt, so ist die gesamte Beleuchtungsvorrichtung 1 mit dem
optoelektronischen Bauteil 20 und dem daran befestigten
optischen Element 2 oberflächenmontierbar ausgeführt.
-
Zwischen
dem optischen Element 2 und dem Halbleiterchip 3 ist
eine Zwischenschicht 14 angeordnet. Die Zwischenschicht
kann an die Umhüllung 210 und
strahlungseintrittseitig an das optische Element angrenzen. Die
Zwischenschicht 14 kann weiterhin plastisch formbar ausgeführt sein.
-
Mit
Vorzug ist das Material der Zwischenschicht haftvermittelnd ausgeführt, so
dass die mechanische Anbindung des optischen Elements an das optoelektronische
Bauteil erhöht
wird.
-
Ferner
ist die Zwischenschicht bevorzugt als Brechungsindexanpassungsschicht
ausgeführt,
die die Brechungsindexsprünge,
welche vom Halbleiterchip 3 erzeugte Strahlung vor der
Einkopplung in das optische Element erfährt, gegenüber einer fehlenden Zwischenschicht
vermindert. Beispielsweise können das
optische Element die Zwischenschicht und die Umhüllungsmasse derart aufeinander
abgestimmt sein, dass sich die Brechungsindizes aneinandergrenzender
Materialien, wie der Brechungsindex der Umhüllung zu dem der Zwischenschicht
oder derjenige der Zwischenschicht zu dem des optischen Elements,
zueinander wie 1,4:1,6 oder weniger, etwa 1,4:1,48, verhalten. Reflexionsverluste
an Grenzflächen
werden so vermindert.
-
Vorzugsweise
enthalten die Umhüllung,
die Zwischenschicht und das optische Element ein Silikon. Eine Brechungsindexanpassung
kann so vereinfacht erfolgen.
-
Die
Umhüllung
und das optische Element sind verglichen mit der Zwischenschicht
vorzugsweise starr, dass heißt
nur unter erheblich höherem Kraftaufwand
plastisch verformbar ausgeführt.
-
Eine
Zwischenschicht, die ein Silikongel, etwa SilGel 612 der
Firma Wacker Chemie, insbesondere mit einem Mischverhältnis der
beiden Komponenten von ungefähr
1:1 (vergleiche hierzu das entsprechende Datenblatt), enthält, ist
besonders geeignet. Ein Silikongel, insbesondere SilGel 612,
kann zugleich haftvermittelnde Wirkung besitzen, plastisch formbar
sein und Brechungsindexsprünge
mindern. Dies gilt insbesondere, falls die Umhüllung und/oder das optische
Element ein Silikon enthalten.
-
Die
Zwischenschicht bedeckt die Umhüllung 210 und
den optisch zur Strahlungseinkopplung genutzten Bereich der Strahlungseintrittsfläche 8 vorzugsweise
vollständig,
so dass Reflexionsverluste an Grenzflächen vorteilhaft gering gehalten
werden.
-
Bei
einer Erwärmung
kann sich die Zwischenschicht in einen zwischen dem optischen Element
und der ersten Hauptfläche 202 des
Gehäusekörpers 203 ausgebildete
Zwischenraum 15 ausdehnen, wodurch die mechanische Belastung
der Beleuchtungsvorrichtung 1, insbesondere der Umhüllung 210 und
des optischen Elements, bei Temperaturschwankungen vorteilhaft gering
gehalten wird.
-
In 7 ist ein für eine Beleuchtungsvorrichtung
besonders geeignetes optoelektronisches Bauteil anhand einer schematischen
perspektivischen Aufsicht auf das optoelektronische Bauteil in 7A und
einer schematischen perspektivischen Schnittansicht des Bauteils
in 7B dargestellt.
-
Ein
derartiges optoelektronische Bauteil ist beispielsweise in WO 02/084749
näher beschrieben, deren
Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Referenz in die vorliegende
Anmeldung aufgenommen wird. Als optoelektronisches Bauteil ist ein
Bauteil ähnlich
dem mit der Typenbezeichnung LW W5SG (Hersteller: Osram Opto Semiconductors
GmbH), ein damit verwandtes oder ein ähnliches Bauteil des gleichen
Herstellers besonders geeignet.
-
Das
optoelektronische Bauteil 20 umfasst einen ersten elektrischen
Anschlussleiter 205 und einen zweiten elektrischen Anschlussleiter 206,
die aus verschiedenen Seitenflächen
des Gehäusekörpers 203 des
optoelektronischen Bauteils 20 herausragen können und
beispielsweise schwingenartig ausgebildet sind.
-
Der
Gehäusekörper 203 weist
eine Kavität 209 auf,
in der der Halbleiterchip 3 angeordnet ist, der in eine
Umhüllung 210 eingebettet
ist. Der Halbleiterchip 3 ist mit dem Anschlussleiter 205 beispielsweise
mittels einer Lötverbindung
elektrisch leitend verbunden. Eine leitende Verbindung zum zweiten Anschlussleiter 206 wird über den
Bonddraht 208 hergestellt. Der Anschluss des Bonddrahts
an den zweiten Anschlussleiter 206 erfolgt mit Vorzug im
Bereich einer Ausbuchtung 213 einer Wand 214 der
Kavität 209.
-
Der
Halbleiterchip 3 ist auf einem thermischen Anschlussteil 215 angeordnet,
das als Chipträger
fungiert. Das thermische Anschlussteil erstreckt sich in vertikaler
Richtung mit Vorzug von der Kavität bis zur zweiten Hauptfläche 204 des
Gehäusekörpers 203 und
erleichtert einen, insbesondere gegenüber der Chipmontagefläche auf
dem thermischen Anschlussteil, großflächigen, thermischen Anschluss des
Halbleiterchips 3 seitens der zweiten Hauptfläche an eine
externe Wärmeleitvorrichtung,
etwa einen Kühlkörper, z.B.
aus Cu. Die thermische Belastung des Gehäusekörpers kann so, insbesondere
bei Betrieb des Bauteils als Hochleistungsbauteil mit einem Hochleistungs-Halbleiterchip,
etwa einen Dünnfilm-Halbleiterchip
(vgl. den im Zusammenhang mit 2 beschriebenen
Halbleiterchip), mit Vorteil verringert werden. Das optoelektronische
Bauteil kann zur Erzeugung einer hohen Strahlungsleistung bei einer
gleichzeitig aufgrund des thermischen Anschlussteils vorteilhaft
verbesserten Wärmeableitung ausgebildet
sein. Ein derartiges optoelektronisches Bauteil ist zur Beleuchtung
von Flächen,
etwa zur Hinterleuchtung einer Anzeigevorrichtung, etwa eines LCD,
besonders geeignet.
-
Das
thermische Anschlussteil ist beispielsweise in eine Lasche des ersten
Anschlussleiters 205 eingeknüpft oder anderweitig mit dem
ersten Anschlussleiter, insbesondere elektrisch leitend und/oder
mechanisch, lateral umfangsseitig verbunden. Der zweite Anschlussleiter 206,
der zur Kontaktierung mit dem Bonddraht 208 vorgesehen
ist, ist vorzugsweise bezüglich
der Chipmontage-Ebene des Halbleiterchips 3 auf dem thermischen
Anschlussteil 215 erhöht.
Die für
eine Reflexion von Strahlung zur Verfügung stehende Fläche der
Wand der Kavität
wird so vorteilhaft groß gehalten.
Weiterhin kann das thermische Anschlussteil selbst reflektierend
ausgeführt
sein und bildet dann mit Vorzug einen Teil des Bodens und/oder der
Wand der Kavität. Das
thermische Anschlussteil kann ferner seitens der zweiten Hauptfläche aus
dem Gehäusekörper herausragen
oder im wesentlichen eben mit dem Gehäusekörper abschließen. Beispielsweise
enthält
das thermische Anschlussteil ein Metall hoher Wärmeleitfähigkeit, etwa Cu oder Al, oder
eine Legierung, etwa eine CuW-Legierung.
-
Ein
Leiterrahmen mit den beiden Anschlussleitern 205 und 206 und
dem thermischen Anschlussteil 215 kann bei der Herstellung
eines derartigen optoelektronischen Bauteils in einem geeigneten
Gussverfahren, etwa einem Spritzgussverfahren, mit dem Material
des Gehäusekörpers umformt
werden. Der Halbleiterchip wird nach der Herstellung des Gehäusekörpers am
bzw. in dem Premolded-Gehäuse
angeordnet. Das thermische Anschlussteil 215 ist vorzugsweise
mit einer oder mehreren Ausbuchtungen oder Auswölbungen 216 ausgebildet,
wodurch die mechanische Anbindung des thermischen Anschlussteils
an den Gehäusekörper verbessert
und somit die Gesamtstabilität
des optoelektronischen Bauteils erhöht wird.
-
Seitens
der ersten Hauptfläche 202 des
Gehäusekörpers sind
Befestigungsvorrichtungen 201 ausgebildet, die zur Befestigung
des optischen Elements vorgesehen sind, wobei das optische Element beispielsweise
entsprechend den weiter oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ausgeführt sein kann.
Zur Befestigung des optischen Elements am Gehäusekörper 203 können beispielsweise
vier Befestigungsvorrichtungen 201 vorgesehen sein, die eine
mechanisch stabile Befestigung des optischen Elements am Bauteil
erleichtern. Zweckmäßigerweise
sind die Befestigungsvorrichtungen 201 in den Eckbereichen
der ersten Hauptfläche 202 des
Gehäusekörpers 203 angeordnet.
-
8 zeigt in den 8A bis 8D verschiedene
schematische Ansichten eines optoelektronischen Bauteils und eines
Ausführungsbeispiels einer
erfindungsgemäßen Beleuchtungsvorrichtung. 8A zeigt
eine Seitenansicht des optoelektronischen Bauteils, 8B eine
Aufsicht auf das optoelektronische Bauteil 20, 8C eine
Schrägaufsicht auf
das optoelektronische Bauteil von oben und 8D eine
Seitenansicht der Beleuchtungsvorrichtung 1 mit dem an
dem optoelektronischen Bauteil befestigten optischen Element 2.
Das in 8 gezeigte optoelektronische
Bauteil 20 ist beispielsweise gemäß dem in Zusammenhang mit 7 beschriebenen Bauteil ausgeführt.
-
Im
Unterschied hierzu gemäß 8 ist auf der in der Kavität 209 angeordneten
Umhüllungsmasse 210,
welche vorzugsweise ein starres den Halbleiterchip und den Bonddraht 208 schützendes Material
enthält,
ein Material für
die Zwischenschicht 14, etwa tropfen- oder halbkugelförmig, angeordnet. Der
Durchmesser B des Materials für
die Zwischenschicht ist mit Vorzug kleiner als der Durchmesser A der
Kavität 209.
Das Material der Zwischenschicht 14 ist hierbei vorzugsweise
plastisch formbar ausgebildet. Beispielsweise enthält das Material
ein Silikongel, etwa vom weiter oben erwähnten Typ. Das Material der
Zwischenschicht kann in der flüssigen
Phase auf das optoelektronische Bauteil und insbesondere die Umhüllungsmasse 210 aufgebracht,
etwa aufgetropft, werden. Mit Vorzug wird es nachfolgend in eine feste;
jedoch noch plastisch formbare Phase überführt. Hierzu kann das optoelektronische
Bauteil geheizt, beispielsweise auf eine Temperatur von 140 Grad,
werden und das aufgebrachte Material der Zwischenschicht vernetzt
sich unmittelbar nach dem Aufbringen temperaturinduziert zumindest
teilweise derart, dass es formstabil und formbar ist.
-
Das
Material für
die Zwischenschicht 11 überragt
mit Vorzug die erste Hauptfläche 202 des Gehäusekörpers 203.
Wird das optische Element 2, etwa das in 4 dargestellte,
von der Seite der ersten Hauptfläche 202 auf
das optoelektronischen Bauteile 20 aufgesteckt und nachfolgend
weitergehend und aufgedrückt,
so kann die Strahlungseintrittsfläche 8 mit dem Material
der Zwischenschicht 14 in Kontakt treten. Der ausgeübte Druck
verteilt das Material lateral, insbesondere in einer Richtung parallel zur
ersten Hauptfläche
des Gehäusekörpers. Hierdurch
wird die Zwischenschicht 14 ausgebildet, die mit der Umhüllung 210 und
dem optischen Element in direktem mechanischen Kontakt steht. Vorzugsweise ist
die Kavität 209 in
lateraler Richtung vollständig von
der Zwischenschicht überdeckt.
Die optische Anbindung des Halbleiterchips an das optische Element wird
durch eine derartig große
laterale Ausdehnung der Zwischenschicht 14 verbessert.
-
Die
Führungselemente 10 sind
lateral neben den Seitenflächen 217 des
Gehäusekörpers angeordnet.
Bevorzugt schließen
die sich die Führungselemente
reibschlüssig
an den Gehäusekörper an. Hierdurch
wird die mechanische Stabilität
des am optoelektronischen Bauteil befestigten optischen Elements
und die Gesamtstabilität
der Beleuchtungsvorrichtung 1 erhöht.
-
Die
Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele
beschränkt. Vielmehr
umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in
den Patentansprüchen
beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst
nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen
angegeben ist.