DE102005018162A1 - Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren - Google Patents
Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005018162A1 DE102005018162A1 DE200510018162 DE102005018162A DE102005018162A1 DE 102005018162 A1 DE102005018162 A1 DE 102005018162A1 DE 200510018162 DE200510018162 DE 200510018162 DE 102005018162 A DE102005018162 A DE 102005018162A DE 102005018162 A1 DE102005018162 A1 DE 102005018162A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- elevations
- holder
- particular according
- holding zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung eines Halbleiterbehandlungsverfahrens insbesondere ein CVD-Verfahren in einer Prozesskammer eines Reaktors, mit einem ringförmigen Halter für ein Substrat, wobei der Rand des im Wesentlichen kreisscheibenförmigen Substrats auf einer an die Ringöffnung des Halters angrenzenden Haltezone liegt.
- Ein derartiger Substrathalter ist aus der
DE 101 35 151 A1 vorbekannt. Der Substrathalter besitzt eine ringförmige Gestalt. Er liegt auf einen ringförmigen Tragkörper auf und kann so gegenüber dem ringförmigen Tragkörper gedreht werden. Durch die Ringöffnung kann Strahlungswärme von einer Strahlungswärmequelle treten, um das Substrat zu erwärmen. - Bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen, bspw. CMOS- oder DRAM-Anwendungen werden große Anforderungen an die Reproduzierbarkeit gestellt. Es ist insbesondere erforderlich, bei der Fertigung derartiger Bauelemente die Substrattemperatur in einem engen Bereich konstant zu halten. Substrattemperaturen liegen üblicherweise in einem Bereich von einigen 100°C bis über 1000°C, bspw. bis zu 1100°C oder auch darüber. Die Substrattemperatur muss nicht nur über die Zeit konstant gehalten werden. Es ist auch erforderlich, den Temperaturgradienten auf der Substratoberfläche möglichst gering zu halten. Außerdem ist es für gewisse Anwendungen erforderlich, die Temperatur kontinuierlich ansteigen oder abfallen zu lassen, also sogenannte Temperaturrampen zu fahren. Auch dabei muss die Temperatur über die Oberfläche des Substrats gleich bleiben, d.h. gleichmäßig ansteigen oder abfallen.
- Zu der von der
DE 101 35 151 A1 beschriebenen Vorrichtung zur Halbleiterbehandlung gibt es alternative Vorrichtungen bzw. Verfahren, bei denen das Sub strat auf einer heißen Oberfläche aufliegt, so dass das Substrat über Kontaktwärme geheizt wird. - Bei einem gattungsgemäßen Verfahren erfolgt die Wärmezufuhr zum Substrat im Wesentlichen durch Strahlen. Es ist dabei ein Wärmeabfluss bzw. ein Wärmezufluss über die Ränder des Substrats zu vermeiden.
- Aus der
DE 101 24 609 A1 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem insbesondere kristallinen Substrat bekannt. Die Schicht bildenden Materialien werden bei diesem Verfahren als gasförmige Ausgangsstoffe in die Prozesskammer eingebracht. - Als CVD-Verfahren werden Verfahren bezeichnet, bei denen die Ausgangsstoffe gasförmig sind und nach einer chemischen Umsetzung auf einer Substratoberfläche abgeschieden werden. Insbesondere ist hier das MOCVD-Verfahren zu nennen, bei welchem die Ausgangsstoffe metallorganische Substanzen sind, die auf einer heißen Substratoberfläche pyrolytisch reagieren, um insbesondere eine Halbleiterschicht zu bilden. Als Ausgangsstoffe kommen Gallium, Indium, Aluminium enthaltende metallorganische Substanzen in Betracht. Die V-Komponenten werden als Hydride in die Prozesskammer eingeleitet. In Betracht kommen hier Arsin, Phosphin, Ammoniak etc. Die III-Komponenten können auch Chloride sein und in der Gasphase über dem Substrat mit den V-Hydriden reagieren. Ferner betrifft die Erfindung MOCVD-Verfahren, um metallorganische Schichten abzuscheiden. Darüber hinaus können auch V-Halbleiterschichten und insbesondere Si-Ge-Schichten abgeschieden werden. Darüber hinaus können mit CVD-Verfahren auch Metallnitride abgeschieden werden. Ferner betrifft die Erfindung auch eine Vorrichtung zur atomic layer deposition (ALD), bei der alternierend verschiedene Substanzen pulsweise in die Prozesskammer eingebracht werden, so dass sich schrittweise einzelne Atomlagen abscheiden. Üblicherweise wird zum Aufheizen eines Substrates eine Strahlungsquelle verwendet. Das Substrat kann dabei auch auf einer flachen Unterlage aufliegen, so dass die Wärme über Flächenkontakt auf das Substrat übertragen wird. Es ist aber auch möglich, das Substrat nur auf seinem äußeren Ring zu halten. Herbei kann es zu Problemen führen, da über den randseitigen Auflagebereich Wärme an den Substrathalter abgegeben werden kann. Dies kann zu Wärmeinhomogenitäten in Lateralrichtung führen. Bei einem CVD-Verfahren wird das Substrat üblicherweise nur von einer Seite beschichtet. Die andere, der zu beschichtenden Seite gegenüberliegenden Seite des Substrats soll unbeschichtet bleiben. Hierzu müssen geeignete Vorkehrungen getroffen werden. Insbesondere muss verhindert werden, dass die reaktiven Prozessgase über den Rand des Substrats in Richtung unter das Substrat strömen.
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die gattungsgemäße Vorrichtung gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden, Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei grundsätzlich jeder Anspruch eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt und jeder Anspruch mit jedwedem anderen Anspruch in beliebiger Form kombinierbar ist.
- Der Anspruch 1 sieht zunächst und im Wesentlichen vor, dass die Haltezone nicht in einer Horizontalen liegt, sondern in Richtung nach radial außen ansteigend gestaltet ist. Sie soll von einer Vielzahl von aneinander beabstandeten Erhebungen gebildet sein. Auf diesen Erhebungen soll der Rand des Substrats aufliegen. Unterhalb und/oder oberhalb des Substrathalters kann die Strahlungswärmequelle angeordnet sein. Es kann sich hierbei um eine Infrarotheizquelle oder dergleichen handeln. Die Erfindung betrifft somit einen Substrathalter für ein CVD-System, der die eingangs erwähnten Voraussetzungen erfüllt bzw. die dort erwähnten Nachteile des Standes der Technik im Wesentlichen behebt. Bei dem Substrat kann es sich um Siliziumsubstrat, ein Germaniumsubstrat oder um jedes andere III-V-Substrat oder II-VI-Substrat handeln. Derartige Substrate haben unterschiedliche Durchmesser und gerundete Rand kanten. Die Randkanten verlaufen im Wesentlichen auf einer Ellipsenkontur. Die Dicke eines Substrats liegt im Millimeterbereich. Die Oberfläche und Unterfläche des Substrats verlaufen im Wesentlichen parallel und liegen in einer Horizontalebene. Die Durchmesser des Substrats können 200 mm, 300 mm oder auch mehr betragen. Typischerweise verläuft die Randkante eines Substrats im Querschnitt auf einer Ellipse. Die große Halbachse der Ellipse, die bspw. 500 μm betragen kann, verläuft parallel zur Oberfläche des Substrats. Die dazu quer, also in der Vertikalen verlaufende kurze Halbachse kann eine Länge von einem Drittel bis einem Viertel der gesamten Substratdicke betragen, also 0,2 bis 0,25 mm. Wenn das Substrat nur mit seinem Rand auf dem Halter aufliegt, so liegt es dort mit einer gekrümmten Fläche auf. Dies bedeutet, dass der Normalenvektor auf einer Strecke von 0,2 bis 0 mm seine Richtungen um 90° ändert. Ausgehend vom Zentrum des Substrats verläuft der Normalenvektor normalerweise bei einem horizontal orientierten Substrat in Vertikalrichtung. An der äußersten Randkante liegt der Normalenvektor dagegen in der Horizontalebene. Dies hat Folgen für die Wärmeabsorption und für die Wärmestrahlung. Die vom Randbereich des Substrats reflektierte Strahlung trifft auf die Haltezone. Dort kann sie reflektiert werden und trifft wieder den Rand des Substrats. Die Strahlung kann dabei von der Oberfläche des Halters absorbiert und anschließend zurückgestrahlt werden. Die Zwischenräume zwischen den Erhebungen können einen Strömungsweg ausbilden für unterhalb des Substrats in die Prozesskammer eingeleitetes Spülgas. Die Erhebungen können aus einer nach radial außen ansteigenden Fläche des Halters ragen. Der Spülgasfluss bildet eine hydrodynamische Dichtung zwischen Substratoberseite und Substratunterseite. Dies hilft, um eine Deposition auf der Rückseite des Substrates zu verhindern. Die über ein Gaseinlasssystem in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgase führen deshalb nur zu einem Schichtwachstum auf der Oberseite des Substrats. Gleichzeitig bewirkt das Spülgas eine Verdünnung des in die Prozesskammer eingebrachten Prozessgases, nachdem es über das Substrat geströmt ist. Entsprechend vermindert sich parasitäres Wachstum auf dem Substrathal ter. Die Querschnittskontur des Halterings ist so gestaltet, dass das Spülgas im Wesentlichen nur in Radialaußenrichtung strömt und nicht über das Substrat. Die Form des Halterings ist des weiteren so gestaltet, dass Todvolumina entlang dem Strömungsweg verhindert werden. Dies verhindert eine mögliche Partikelbildung signifikant. Die Breitseitenfläche des Halters kann einen ringförmig verlaufenden Scheitel aufweisen, der von beiden Rändern des Halters beabstandet ist. Dieser ringförmige Scheitel liegt außerhalb der Randkante des Substrats. Vorzugsweise wird der Scheitel von einem Ringwulst ausgebildet. Die Substratoberfläche kann die Scheitelhöhe überragen. Sie kann aber auch auf der Scheitelhöhe liegen. Dieser Ringwulst kann zur Unterdrückung von Temperaturgradienten im Randbereich des Substrats beitragen. Er dient auch dazu, das Substrat am Orte zu halten. Bevorzugt liegt die Scheitelhöhe unterhalb der Horizontalebene der zu beschichtenden Oberfläche, um einen Rückstrom des Spülgases zu verhindern. Wesentlich ist die Textur der Haltezone. Diese kann so gestaltet sein, dass zwischen den einzelnen Erhebungen genügend Raum ist, so dass das Spülgas von der Rückseite des Substrat zur Vorderseite des Substrats strömen kann. Das Spülgas dient dazu, ungewünschte Reaktionen auf der Unterseite des Substrats zu vermeiden. Die reaktiven Gase können nicht nach Unterhalb des Substrats gelangen, um dort parasitäres Wachstum zu erzeugen. Die Dichte der Erhebungen und deren Anordnung verhindert darüber hinaus ein Durchdringen der Strahlung von unterhalb des Substrats durch den Spalt nach oberhalb des Substrats. Eine pyrometrische Messung der Oberflächentemperatur kann daher durch Infrarotstrahlung von unten nicht gestört werden. Der thermische Kontakt zwischen Randbereich des Substrats und Haltefläche des Ringes ist im Wesentlichen gleichmäßig. Dies gilt ebenfalls für den Spalt, der von einem Gas durchströmt wird. Dieser setzt dem Gasstrom in Umfangsrichtung nahezu an jedem Ort denselben Widerstand entgegen. Hierdurch entsteht ein gleichmäßiger Gasstrom zwischen dem Rand des Substrats und der Haltezone. Es gibt keine großen Spalte zwischen dem Substrat und den Scheiteln der Erhebungen unterhalb des Randes des Substrats. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Scheitelpunkte der Erhebungen, die die Unterseite des Substrats tragen im Wesentlichen auf einer Horizontaleebene liegen. Die Oberflächenpunkte, auf denen das Substrat liegt, stützen das Substrat. Diese das Substrat tragenden Erhebungen können von weiteren Erhebungen umgeben sein. Diese Erhebungen liegen auf einem Radius auf dem ringförmigen Halter, der größer ist, als der Radius auf dem die das Substrat tragenden Erhebungen liegen. Die Oberflächenpunkte dieser radial äußeren Erhebungen können mit steigendem Radius ansteigen. Sie können bspw. auf einer Kalottenfläche oder auf einer invertierten Kegelmantelfläche liegen. Sie können auf den Rand des Substrats hinweisen. Die das Substrat tragenden Erhebungen haben nur einen geringfügigen thermischen Kontakt mit dem Substrat. Ihre Aufgabe ist einerseits das Substrat zu tragen und andererseits einen Gaskanal zu erzeugen. Die Erhebungen bei größeren Radien, die außerhalb der Randkanten des Substrats liegen, sorgen für einen gleichmäßigen Gasfluss in Radialrichtung. Die Erhebungen sind dabei so angeordnet, dass eine leichte Verschiebung des Substrats aus seiner Ideallage keine Störung auf den Gasfluss bzw. auf die Lagerung besitzt. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Erhebungen, die das Substrat tragen, auf einer Kalottenfläche liegen. Hierdurch ist eine Selbstzentrierung der Substratlage gewährleistet. Um thermische Diskontinuitäten zu vermeiden ist vorgesehen, dass der Ring, der den Halter ausbildet, aus dem selben Material gefertigt ist wie das Substrat. Er kann bspw. aus Silizium, Siliziumkarbit oder dergleichen gefertigt sein. Silizium kann aber auch mit Siliziumkarbit oder Siliziumoxid beschichtet sein. Der ringförmige Halter kann, wie es die
DE 101 35 151 A1 beschreibt, auch drehangetrieben werden. Er kann aber auch in anderer Weise drehangetrieben werden, nämlich indem er auf einem rotierenden Zylinder sitzt. Der Zylinder kann aus einem Material gefertigt sein, der eine thermische Strahlung abblockt. Auch dieser Zylinder kann aus beschichtetem Material bestehen. Der Zylinder kann aus Quarz bestehen. Letzterer kann bspw. mit Silizium beschichtet sein. Die Grundfläche des ringförmigen Halters kann einen ringförmige Wand als Fassung für den Zylinder ausbilden. Diese Wand hält den ringförmigen Halter auf dem Zylinder und blockiert darüber hinaus die Temperaturstrahlung. Die Randkanten des Ringes können zur Verminderung von Spannungen gerundet sein. Für Substrate verschiedener Durchmesser, bspw. 15, 20 oder 30 cm sind verschiedene Halteringe vorgesehen. Der Gaseinlass in der Mitte über dem Substrat kann ringförmige Düsen ausbilden. Er kann auch von einem Showerhead gebildet sein, wie ihn bspw. dieDE 102 11 442 A1 ,DE 102 17 806 A1 oderDE 102 47 921 beschreiben. - Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 in perspektivischer, geschnittener Darstellung einen Haltering mit einem von ihm getragenen Substrat, -
2 einen vergrößerten Ausschnitt gemäß Linie II-II in1 , -
3 eine schematische Darstellung eines Halterings, wobei der Durchmesser der Ringöffnung zur Verdeutlichung erheblich verkleinert dargestellt ist, -
4 eine Darstellung gemäß2 eines weiteren Ausführungsbeispiels, -
5 eine Darstellung gemäß2 eines weiteren Ausführungsbeispiels, -
6 eine Darstellung gemäß2 eines weiteren Ausführungsbeispiels, -
7a eine Draufsicht auf eine Haltezone mit wahllos verteilten Noppen, -
7b eine Draufsicht gemäß7a mit gleichmäßig verteilten Noppen, -
8 eine Darstellung gemäß7a , wobei die Erhebungen von Rippen ausgebildet sind, -
9a eine Darstellung gemäß2 , wobei der Haltering auf einem Tragzylinder12 ruht, -
9b eine Darstellung einer Alternative zu9a , -
10 ein Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem die Haltezone auf einer Kugelinnenfläche liegt und -
11 in schematischer Darstellung ein Reaktor mit einer Prozesskammer, in welcher ein Substrat auf einem Ring gemäß einem der Ausführungsbeispiele getragen wird. - Die in der
10 dargestellte Prozesskammer17 befindet sich innerhalb eines Reaktors16 . In die Prozesskammer17 ragt ein Gaseinlassorgan19 . Durch dieses zentrisch in die Prozesskammer17 einragendes Gaseinlassorgan19 kann ein Gas in die Prozesskammer unmittelbar oberhalb der Oberfläche des Substrats1 eingeleitet werden. Durch dieses Gaseinlassorgan19 , das sich in der Mitte des Substrates1 befindet, können die bekannten Prozessgase in bekannter Weise eingeleitet werden. Das Gaseinlassorgan kann bspw. eine Gestalt haben, wie sie in derDE 101 33 914 A1 ,DE 101 53 463 A1 ,DE 101 63 394 A1 ,DE 102 11 442 A1 oderDE 102 12 923 A1 beschrieben werden. Als Gase kommen metallorganische Verbindungen für eine III-Komponente und Hydride für eine V-Komponente in Betracht. - Das Substrat
1 erstreckt sich zentrisch zum Gaseinlassorgan19 und liegt mit seinem Randbereich1' auf einem Haltering2 auf. Der Haltering liegt in dem in -
11 dargestellten Beispielfall auf einem Tragzylinder12 , der sich auf dem Boden der Prozesskammer17 abstützt. Das durch das Gaseinlassorgan19 in die Prozesskammer17 eingebrachte Gas kann durch einen Gasauslass20 aus der Prozesskammer17 herausströmen. Der Gasauslass20 kann aus einer Vielzahl von zentrisch um den Haltering2 angeordnete Gasauslassrohre bestehen. Unterhalb der Öffnung3 des Halterings2 befindet sich eine Infrarotheizung18 . Mit dieser Infrarotheizung18 kann das Substrat von unten her beheizt werden. In einer nicht dargestellten Variante der Erfindung kann eine ähnliche Heizung auch oberhalb des Substrats angeordnet sein, wie es bspw. in derDE 101 35 151 A1 beschrieben ist, um das Substrat1 von beiden Seiten aus zu beheizen. - Die unterschiedlichen Halteringe, die in den Zeichnungen dargestellt sind, können aus Silizium oder einem anderen geeigneten Material, bspw. Quarz oder Keramik bestehen. Es ist insbesondere vorgesehen, dass diese Halteringe
2 aus einem beschichteten Material bestehen. Insgesamt soll der Haltering für die thermische Strahlung nicht transparent sein. - Aus der in
2 dargestellten Querschnittsdarstellung geht hervor, dass die Randkante1' des Substrats1 eine etwa Ellipsenform besitzt. Diese Randkante1' ruht auf einer Vielzahl von Erhebungen4 , die sich auf einer radial inneren Haltefläche9 des Halteringes2 erstrecken. Diese Haltezone9 ist eine in Radialrichtung ansteigende Fläche. Bei den Erhebungen4 handelt es sich um eine Vielzahl von voneinander beabstandete Erhebungen4 , so dass sich zwischen den einzelnen Erhebungen4 Durchlässe ergeben, durch welche ein Gasstrom von unterhalb des Substrats1 nach oberhalb des Substrats1 strömen kann. Der unterhalb des Substrats1 strömende Strom ist in der2 mit dem Pfeil5 bezeichnet. Zwischen der Fläche der ansteigenden Zone9 , aus welcher die Erhebungen4 ragen, und der elliptischen Randkante1' des Substrats1 bildet sich ein Spalt8 aus. Dieser Spalt8 ist schräg nach oben gerichtet. Durch ihn strömt der mit dem Pfeil6 bezeichnete Gasstrom. An die ansteigende Zone9 schließt sich in Radialaußenrichtung ein Ringwulst10 an. Dieser bildet einen Scheitel S, der von dem Gasstrom überströmt wird. - Die Oberfläche des Substrats liegt in einer Horizontalebene. Der Abstand dieser Horizontalebene zur Scheitellinie S ist in der
2 mit dem Maß d bezeichnet. Diese Horizontalfläche überragt somit den Scheitel S. Das Maß des Überragens ist aber geringer, als die Materialstärke D des Substrats1 . - In Radialauswärtsrichtung schließt sich an den Ringwulst
10 eine absteigende Fläche11 an. Es handelt sich hierbei um eine Abströmzone entlang welcher der Gasstrom7 strömt, der die Scheitellinie S überströmt hat. - Bei der in der
2 dargestellten Variante ist die ansteigende Zone9 konkav geformt. Auch die absteigende Zone11 ist konkav geformt. - Die
3 zeigt in schematischer Darstellung die Ausgestaltung der ansteigenden Zone9 . Diese besteht aus einer Vielzahl von noppenartigen oder warzenartigen Erhebungen. Diese Erhebungen4 besitzen punktförmige Scheitel. Auf diesen punktförmigen Scheiteln liegt der Rand1' des Substrats1 auf. - Wie der
2 zu entnehmen ist, weisen die Scheitelpunkte der verschiedenen Erhebungen4a ,4b ,4c ,4d in verschiedene Richtungen. Die Erhebungen4a bis4d sind so ausgerichtet, dass die Scheitelpunkte immer auf die Oberfläche des Substrats weisen, auch wenn die Scheitelpunkte vom Substrat entfernt sind. Bei dem in4 dargestellten Ausführungsbeispiel liegt der Randabschnitt1' des Substrats1 auf den beiden radial inneren Erhebungen4a ,4b . Die beiden äußeren Erhebungen4c und4d besitzen einen Spaltabstand zur Oberfläche1' des Substrats, so dass sich hierdurch ein geringfügiger Spalt ausbildet, dessen Maß aber geringer ist, als die Weite des Spaltes8 , die vom Boden der Fläche bis zur Oberfläche des Substrats gemessen ist. - Bei dieser Ausgestaltung können die Erhebungen
4a bis4d von Noppen, Warzen oder Stiften ausgebildet sein, die entweder wahllos oder regelmäßig auf der ansteigenden Zone9 angeordnet sind. - Bei der in der
5 dargestellten Variante bildet der Wulst10 in Radialaußenrichtung eine Abströmkante. Sie ist strömungsoptimiert. - Bei dem in der
11 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt die Abströmkante11 eine konvexe Gestalt. - Die
7a und die7b zeigen unterschiedliche Anordnungen der einzelnen Erhebungen4 . Die Erhebungen4 sind aber so angeordnet, dass sie die Strahlung der Strahlungsquelle18 abschatten. Durch den Spalt8 dringt somit keine Strahlung, sondern ausschließlich ein Gasstrom. Die Noppen4 besitzen eine gerundete Oberfläche, so dass der Kontakt zwischen Substrat und Erhebungen möglichst gering und punktförmig ist. - Bei dem in
8 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Erhebungen von Rippen14 ausgebildet. Die Rippen14 können eine derartige S-Form besitzen, dass auch sie die Strahlung abschatten, aber einen Gasstrom durchlassen. - Bei den in den
9a bzw.9b dargestellten Ausführungsbeispielen ruht der Haltering2 auf einem Tragzylinder12 . Dieser kann drehangetrieben sein. Um den Haltering2 auf dem Zylinder12 zu zentrieren, ist ein ringförmiger Vorsprung13 vorgesehen. Dieser kann entweder radial innerhalb oder radial außerhalb des Tragzylinders12 angeordnet sein. - Die
10 zeigt noch einmal schematisch die gedachte Kugeloberfläche, auf welcher die Haltezone9 angeordnet sein kann. Die Haltezone9 erstreckt sich dann auf einer Kalotte. - Die Konturen der Abströmzone
11 oder der ansteigenden Zone9 verlaufen rotationssymmetrisch um das Zentrum des kreisförmigen Halterings2 . In Radialrichtung können die beiden Zonen9 ,10 unterschiedlich gestaltet sein. Der Krümmungsverlauf der Querschnittskonturlinie ist strömungsoptimiert und hängt unter anderem von dem Gasstrom5 ,6 ,7 ab. Die Querschnittskonturlinie der Zonen9 und11 können konvex oder konkav gerundet sein. Sie können aber auch S-förmig gerundet sein. Der Scheitel S kann rund gestaltet sein. Es ist aber auch möglich, dass der Scheitel S eine Abrisskante für die Strömung ausbildet. Wie aus den Figuren hervorgeht, verläuft die ansteigende Zone9 etwas steiler, als die Abströmzone11 . - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.
Claims (23)
- Vorrichtung zur Durchführung eines Halbleiterbehandlungsverfahrens, insbesondere eines CVD-Verfahrens in einer Prozesskammer eines Reaktors, mit einem ringförmigen Halter (
2 ) für ein Substrat (1 ), wobei der Rand (1' ) des im Wesentlichen kreisscheibenförmigen Substrats (1 ) auf einer an die Ringöffnung (3 ) des Halters (2 ) angrenzenden Haltezone (9 ) liegt, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltezone (9 ) in Richtung nach radial außen ansteigend gestaltet ist und eine Vielzahl von einander beabstandete Erhebungen (4 ,14 ) aufweist, auf denen der Rand (1' ) des Substrats (1 ) aufliegt. - Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine unterhalb des Halters (
2 ) angeordnete Strahlungswärmequelle (18 ), deren Wärmestrahlung durch die Ringöffnung (3 ) tretend vom Substrat (1 ) absorbiert wird. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenräume zwischen den Erhebungen (
4 ,14 ) einen Strömungsweg (6 ) ausbilden für unterhalb des Substrats in die Prozesskammer eingeleitetes Spülgas (5 ). - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen (
4 ,14 ) aus einer nach radial außen ansteigenden Fläche des Halters (2 ) ragen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Breitseitenfläche des Halters (
2 ) einen ringförmig verlaufenden Scheitel (S) aufweist, der von beiden Rändern des Halters (2 ) beabstandet ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Scheitel (S) von einem Ringwulst (
10 ) gebildet ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheitelhöhe (S) auf Höhe oder unterhalb der durch die Oberfläche des Substrats (
1 ) verlaufenden Ebene liegt. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine sich nach radial außen an dem Scheitel (S) anschließende, nach radial außen absteigende Abströmzone (
11 ). - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltezone (
9 ) bzw. die Stirnflächen der Erhebungen (4 ,14 ) auf einer Zylindermantelfläche, auf einer konvex gekrümmten oder auf einer konkav gekrümmten Fläche liegen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltezone (
9 ) bzw. die Stirnflächen der Erhebungen (4 ,14 ) auf einer Kalottenfläche (15 ) liegen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterseite des Substrats (
1 ) in einer im Wesentlichen horizontalen Ebene liegt und dass sich die Berührungspunkte der Erhebungen (4 ,14 ) an der Substratunterseite auf einer Kreisbogenlinie erstrecken, die in der Horizontalen liegt. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Stirnflächen der radial außerhalb der das Substrat stützenden Erhebungen (
4a ,4b ) liegenden Erhebungen (4c ,4d ) auf das Substrat (1 ) gerichtet sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Abströmzone (
11 ) auf einer Kegelmatelfläche, einer konkav gerundeten oder einer konvex gerundeten Fläche liegt. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl und die Lage der Erhebungen (
4 ) so gewählt ist, dass Strahlung von unterhalb des Substrats (1 ) blockiert ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen (
4 ) gerundete Stirnflächen aufweisen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen (
4 ) Stifte, Warzen oder Noppen sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen Rippen (
14 ) sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Rippen (
14 ) geradlinig oder gebogen verlaufen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (d) zwischen der Scheitellinie (S) der Breitseitenkontur des Halters (
2 ) und der Substratoberfläche etwa 0 bis 35 %, vorzugsweise 0 bis 25 % der Substratdicke (D) beträgt. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein zentral über dem Substrat (
1 ) angeordnetes Gaseinlassorgan (19 ) zum Einlass von Gasen in die Prozesskammer, die in Horizontalrichtung nach radial außen über das Substrat (1 ) strömen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Stifte, Warzen oder Noppen wahllos über die kreisringförmige Haltezone (
9 ) verteilt sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Stifte, Warzen oder Noppen regelmäßig über die kreisringförmige Haltezone (
9 ) verteilt sind. - CVD-Verfahren in einer Prozesskammer eines Reaktors, in welcher ein ringförmiger Halter (
2 ) für ein Substrat (1 ) angeordnet ist, wobei der Rand (1' ) des im Wesentlichen kreisscheibenförmigen Substrats (1 ) auf einer an die Ringöffnung (3 ) des Halters (2 ) angrenzenden Haltezonen (2 ) liegt, die Haltezone (9 ) in Richtung nach radial außen ansteigend gestaltet ist und eine Vielzahl von einander beabstandete Erhebungen (4 ,14 ) aufweist, auf denen der Rand (1' ) des Substrats (1 ) aufliegt, wobei in die Prozesskammer mittels eines Gaseinlasses Prozessgase eingeleitet werden, die in der Prozesskammer derart chemisch miteinander reagieren oder zerfallen, dass auf dem von einer Strahlungswärmequelle (18 ) aufgeheizten Substrat (1 ) zumindest eine Schicht aus leitenden, nichtleitenden oder halbleitenden Material aufwächst.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200510018162 DE102005018162A1 (de) | 2005-04-19 | 2005-04-19 | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200510018162 DE102005018162A1 (de) | 2005-04-19 | 2005-04-19 | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005018162A1 true DE102005018162A1 (de) | 2006-10-26 |
Family
ID=37067816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200510018162 Withdrawn DE102005018162A1 (de) | 2005-04-19 | 2005-04-19 | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102005018162A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007131547A1 (de) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Aixtron Ag | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein cvd- oder rtp-verfahren |
DE102012111167A1 (de) * | 2012-11-20 | 2014-05-22 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger |
WO2019233965A1 (de) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Aixtron Se | Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor |
DE102014209466B4 (de) * | 2013-12-24 | 2021-06-10 | Chengdu Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Trockenätzungsvorrichtung und Elektrode davon |
DE102020110570A1 (de) | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Aixtron Se | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor mit austauschbaren mit dem Substrat Wärme austauschenden Körpern |
CN114855148A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-05 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法 |
-
2005
- 2005-04-19 DE DE200510018162 patent/DE102005018162A1/de not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007131547A1 (de) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Aixtron Ag | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein cvd- oder rtp-verfahren |
DE102012111167A1 (de) * | 2012-11-20 | 2014-05-22 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger |
DE102014209466B4 (de) * | 2013-12-24 | 2021-06-10 | Chengdu Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Trockenätzungsvorrichtung und Elektrode davon |
WO2019233965A1 (de) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Aixtron Se | Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor |
DE102020110570A1 (de) | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Aixtron Se | CVD-Verfahren und CVD-Reaktor mit austauschbaren mit dem Substrat Wärme austauschenden Körpern |
WO2021209578A1 (de) | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Aixtron Se | Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern |
CN114855148A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-05 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法 |
CN114855148B (zh) * | 2022-03-21 | 2023-05-16 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 提高反应腔流场稳定性的外延托盘及使用方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69806578T2 (de) | Waferhaltevorrichtung | |
DE102005018162A1 (de) | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein CVD-Verfahren | |
DE3634131C2 (de) | Vorrichtung zum Heizen oder Erwärmen eines scheibenförmigen Substrats | |
DE69628211T2 (de) | Prozesskammer mit innerer Tragstruktur | |
EP1255876B1 (de) | Kondensationsbeschichtungsverfahren | |
DE69806650T2 (de) | Vorrichtung zur Abscheidung eines Films aus der Gasphase und Gasinjektionsdüse | |
EP2470685B1 (de) | Cvd-reaktor und verfahren zum abscheiden einer schicht | |
WO2007131547A1 (de) | Halbleiterbehandlungsvorrichtung für ein cvd- oder rtp-verfahren | |
DE102011055061A1 (de) | CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor | |
EP1625243B1 (de) | Cvd-beschichtungsvorrichtung | |
WO2011023512A1 (de) | Cvd-verfahren und cvd-reaktor | |
DE102012106796A1 (de) | Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring | |
DE102012108986A1 (de) | Substrathalter einer CVD-Vorrichtung | |
WO2020109361A2 (de) | Gaseinlassvorrichtung für einen cvd-reaktor | |
WO2021185769A1 (de) | Suszeptor für einen cvd-reaktor | |
DE3540628C2 (de) | Herstellen eines Epitaxiefilms durch chemische Dampfabscheidung | |
DE60004290T2 (de) | Dosierrohr für Gasabgabe | |
DE102005018161A1 (de) | Halbleiterbehandlungsvorrichtung zur Durchführung eines RTP Verfahrens | |
WO2018138197A1 (de) | Transportring | |
DE69116033T2 (de) | Reaktor zur Behandlung von Halbleiterscheiben. | |
WO2003078681A1 (de) | Vorrichtung zum abscheiden von dünnen schichten auf einem substrat | |
WO2020109357A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines bestandteils eines cvd-reaktors | |
DE102006013801A1 (de) | Gaseinlassorgan mit gelochter Isolationsplatte | |
WO2021209578A1 (de) | Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern | |
EP3976853A1 (de) | Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer vorderseite einer halbleiterscheibe und vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, 42 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: AIXTRON SE, DE Free format text: FORMER OWNER: AIXTRON AG, 52134 HERZOGENRATH, DE Effective date: 20111104 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: RIEDER & PARTNER PATENTANWAELTE - RECHTSANWALT, DE Effective date: 20111104 Representative=s name: RIEDER & PARTNER MBB PATENTANWAELTE - RECHTSAN, DE Effective date: 20111104 |
|
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20120403 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20141101 |