DE102004029212A1 - Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR - Google Patents
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Abstract
Zur Untersuchung von mikrostrukturierten Proben z. B. eines Wafers (28) werden bislang meist Untersuchungseinrichtungen und -verfahren eingesetzt, die im visuellen bzw. UV-Auflichtverfahren arbeiten. Um die Einsatzmöglichkeiten dieser Einrichtungen zu erweitern, d. h. insbesondere Strukturdetails darzustellen, die im VIS bzw. UV infolge Nichttransparenz von Abdeckschichten oder Zwischenmaterialien nicht sichtbar sind, z. B. von beidseitig strukturierten Wafern, wird im Auflicht IR-Licht verwendet und gleichzeitig eine IR-Durchlichtbeleuchtung (52) geschaffen, die u. a. eine deutliche Kontrastverbesserung des IR-Bildes bietet. Damit kann die Probe gleichzeitig im IR-Auf- und/oder Durchlicht und im VIS-Auflicht dargestellt werden.
Description
- Die Erfindung betrifft Vorrichtung zur optischen Inspektion von mikrostrukturierten Proben mit einem Probenhalter, auf den die Probe zur Inspektion aufgebracht werden kann sowie ein Verfahren zur optischen Inspektion von mikrostrukturierten Proben bei dem ein Probenhalter vorgesehen ist, auf den die Probe zur Inspektion aufgebracht wird und einer Beobachtungseinrichtung, insbesondere einem Mikroskop, mit der die Probe beobachtet wird.
- Zur Inspektion der Oberfläche von mikrostrukturierten Proben, z.B. Wafern, Masken oder ein mikrostrukturierten Bauteilen auf einem Substrat, eignen sich insbesondere optische Vorrichtungen. So kann die Untersuchung der Oberfläche beispielsweise, wie aus der
EP 455 857 - Auch sind optische Vorrichtungen bekannt, die durch Bilderkennung verschiedenste Strukturen auf der Oberfläche der Probe eines Wafers erkennen lassen. Hierbei wird die Probe üblicherweise im Hellfeld beleuchtet und mit einer Kamera, etwa einer Matrix- oder Zeilenkamera, abgetastet.
- Aus der
US 6,587,193 ist weiterhin bekannt, die Oberfläche eines Wafers zu untersuchen, wobei eine Beleuchtung gewählt wird, die den Wafer in Form einer Line abtastet. Die Beleuchtungslinie wird so über die Oberfläche des Wafers geführt, dass ein zweidimensionales Bild erzeugt werden kann. - Aus der US 2003/0202178 A1 ist weiterhin ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Untersuchung eines Wafers bekannt. Hierbei wird eine Beleuchtung so auf den Wafer eingestrahlt, dass eine Kante des Wafers getroffen wird. Damit kann die Kante des Wafers erfasst und von einer Bildverarbeitungseinheit verarbeitet werden. Fehler des Wafers können dann durch einen Vergleich des ermittelten Kantenbildes mit einem gespeicherten Vergleichsbild ermittelt werden.
- Die bekannten Systeme zur Inspektion von Wafern sind nahezu ausschließlich für die Auflicht-Inspektion im visuellen oder UV-Bereich konzipiert und zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben z.B. gekapselten oder eingebetteten Objekten oder beidseitig strukturierten Wafern sowie Stapelstrukturen aus mehreren Wafern im allgemeinen nicht oder nicht gut geeignet.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die bekannte Probeninspektionstechnik so weiterzubilden, dass sie auch zur Inspektion von gekapselten oder eingebetteten Objekten oder beidseitig strukturierten Wafern sowie Stapelstrukturen aus mehreren Wafern geeignet ist.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben mit den Merkmalen gemäß Anspruch 9 gelöst.
- Erfindungsgemäß wird also eine Inspektionseinrichtung, insbesondere ein Mikroskop vorgeschlagen, das eine gleichzeitige oder getrennte Auf- und Durchlichtbeleuchtung der Proben im IR ermöglicht sowie zusätzlich eine visuelle Auflichtbeleuchtung bietet.
- Um ein sehr kontrastreiches Bild zu erzielen weist in einer bevorzugten Ausführungsform die Auflichtbeleuchtung eine Auflichtquelle und eine Filtereinrichtung zum Filtern von Strahlung aus dem optischen Spektralbereich auf.
- Als Beleuchtungseinrichtung für die Durchlichteinrichtung kann eine Lichtquelle eingesetzt werden, die eine Strahlung mit Bestandteilen aus dem infraroten Spektralbereich (IR) abgibt. Zusammen mit wechselbaren Filtern zur Wellenlängenselektion ist die gewünschte Wellenlänge wählbar. Das Licht wird bevorzugt über einen Lichtleiter in das System eingekoppelt. Mit dieser im Auf- und Durchlicht unterschiedlichen Beleuchtung wird es möglich, die Vorteile der IR-Beleuchtung mit denen der visuellen Auflichtbeleuchtung zu kombinieren. Im Durchlicht passiert die Probe nur IR-Licht an den Stellen, die dafür transparent sind. Dadurch entsteht ein sehr kontrastreiches Bild. Die gleichzeitig mögliche IR Auflichtbeleuchtung ermöglicht die Darstellung von Objekten, die infolge der Abschattwirkung von Metallisierungsschichten im Durchlicht nicht darstellbar sind. Es entsteht zusammen ein detailreiches, kontraststarkes Bild mit Strukturen, die im visuellen Auflicht infolge nicht vorhandenen Transparenz vieler Schichten gar nicht sichtbar sind. Zusätzlich steht aber das gewohnte visuelle Auflichtbild zur Orientierung zur Verfügung. Beide Bilder, d.h. das kombinierte Auf-/Durchlicht IR-Bild sowie das visuelle Auflichtbild können über einen wellenlängenselektiven TV-Doppelabgang gleichzeitig auf eine IR-Spezialkamera sowie eine normale visuelle Farb- oder S/W-CCD-Kamera abgebildet werden und über einen Rechner auf einen Monitor ausgegeben werden. Diese Funktionalität kann weiter verbessert werden, in dem die verwendeten Lichtwellenlängen einstellbar sind, wobei insbesondere wechselbare Filter für die Auf- und Durchlichtbeleuchtung eingesetzt werden.
- Die Vorrichtung kann durch den Einsatz von schaltbaren Blenden im Strahlengang der Auf- und Durchlichtbeleuchtung weiter verbessert werden.
- Die Erfassung der Bilder der Proben erfolgt in Abhängigkeit von der eingestellten Wellenlänge mit konventionellen Objektiven und Tubuslinsen oder über IR-Objektive, insbesondere über spezielle, entsprechend Probendicke korri gierbare IR-Objektive und sowie spezielle IR-Tubuslinsen.
- Durch den Einsatz eines Autofokussystems zum Fokussieren auf die Probe, Wafer, Maske oder Substrat mit mikrostrukturiertem Bauteil lässt sich das Gesamtsystem automatisieren, was besonders im Inline-Einsatz bei der Produktion von Wafern vorteilhaft ist. Mit Hilfe eines PCs lassen sich die Bilder des Auf- und Durchlichtsystems so miteinander kombinieren, dass sie zusammen auf einem Ausgabegerät, insbesondere einem Monitor ausgegeben werden können.
- Weitere Vorteile und eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden einzigen Figur sowie deren Beschreibungsteil.
- Es zeigt
- Fig. schematisch eine Waferinspektionseinrichtung im Überblick
- Die einzige Figur zeigt schematisch einen erfindungsgemäßen charakteristischen Aufbau einer Waferinspektionseinrichtung
10 , insbesondere eines Mikroskops zur Beobachtung eines Wafers28 . Der Begriff Waferinspektionseinrichtung10 soll jedoch nicht aks Beschränkung aufgefasst werden. Mit der Waferinspektionseinrichtung10 können mikrostrukturierte Proben, wie z. B. Wafer, Masken oder mikrostrukturierte Bauteile (gekapselt oder ungekapselt) auf einem Substrat (in der Regel ein Halbleitertsubstrat), untersucht werden. Die Waferinspektionseinrichtung10 weist eine Auflichtbeleuchtungseinrichtung50 auf. Diese besteht im Wesentlichen aus einer Auflichtquelle12 deren Licht direkt oder indirekt auf den Wafer28 eingekoppelt werden kann. Hierzu kann der Auflicht-Lichtstrahl11 durch einen Kollektor14 geführt werden. Mit der anschließenden Anordnung eines oder mehrer wechselbarer Filter16 lässt sich die zur Beleuchtung gewünschte Lichtwellenlänge aus dem optischen Spektralbereich filtern. Weiterhin kann eine schaltbare Blende15 vorgesehen sein, um aus dem Auflicht-Lichtstrahl11 den zur Beleuchtung des Wafers28 gewünschten Teil zu selektieren. Über einen Teilerspiegel18 kann der Auflichtlichtstrahl dann auf den Wafer28 gerichtet werden, der in dem Substrathalter26 fixiert ist. Selbstverständlich kann das Licht der Auflichtquelle12 auch direkt, etwa mit Hilfe eines Lichtleiters eingekoppelt werden. Das von dem Wafer28 reflektierte Licht wird mit einem konventionellen Objektiv22 , das auf einem Objektivrevolver20 vorgesehen ist, erfasst und über eine wechselbare Tubuslinse40 einer CCD-Kamera44 zugeführt. Die auf diese Weise erzeugten Bilddaten werden in einer Recheneinheit, insbesondere einem PC46 verarbeitet und mit einem Ausgabegerät, insbesondere einen Monitor48 ausgegeben. - An der Unterseite des Wafers
28 ist erfindungsgemäß gleichzeitig ein Durchlichtbeleuchtung52 vorgesehen, mit deren Hilfe der Wafer zusätzlich im Durchlicht beleuchtet werden kann. Diese Durchlichtbeleuchtung52 weist eine Durchlichtquelle38 , einen Kollektor36 und eine Filtereinrichtung34 auf. Die Filtereinrichtung ermöglicht es, aus dem Licht der Durchlichtquelle38 einen gewünschten IR-Spektralanteil zu filtern, der zur Durchlichtbeleuchtung des Wafers verwendet werden soll. Zum Einkoppeln des IR-Durchlichtes wird bevorzugt ein Lichtwellenleiter32 , etwa in Form eines Lichtwellenleiterbündels eingesetzt. Nachdem das IR-Durchlicht eine Zwischenoptik33 passiert hat, kann es über einen Teilerspiegel30 auf den Wafer28 gerichtet werden. Üblicherweise ist dabei zwischen dem Teilerspiegel30 und dem Wafer28 ein Kondensor der mit einer schaltbaren Blende kombiniert ist, angeordnet. - Zum Erfassen des Bildes des Wafers
28 , das durch das IR Durch- und Auflicht erzeugt wurde, kann ein spezielles IR-korrigiertes Objektiv24 eingesetzt werden, das ebenfalls auf dem Objektivrevolver20 positioniert ist und hierzu in den Strahlengang gedreht wird. Damit kann das Bild einer IR-Kamera42 zugeführt und die damit erzeugten Daten an eine Recheneinheit, etwa den PC46 weitergeleitet werden. Hier können die Daten wiederum aufbereitet und über den Monitor48 ausgegeben werden. - Die Fokussierung des Wafers kann manuell oder automatisch über ein Autofokussystem erfolgen, was einen wesentlichen Beitrag zur vollständigen Automatisierung des gesamten Untersuchungsprozesses leistet.
- Wie der Figur zu entnehmen ist, können die aus der IR Auf- und Durchlichtuntersuchung sowie der VIS Auflichtuntersuchung stammenden Daten einem speziellen, wellenlängenselektiven TV-Doppelausgang
41 zugeführt werden, der, wie gezeigt, mit einer visuellen CCD-Kamera und einer IR-Kamera bestückt ist. In dem PC46 können beide Bilder so aufbereitet werden, dass sie entweder einzeln oder als Gesamtbild auf dem Monitor48 dargestellt werden können. Gerade die Kombination der beiden Abbildungsverfahren ermöglicht es, innere Elemente des Wafers oder Strukturen auf der Unterseite strukturell zu erfassen und mit den aus der visuellen Auflichtbeleuchtung gewonnenen Daten zu kombinieren. So kann die Überwachung des Produktionsprozesses von Wafer oder den anderen erwähnten Proben deutlich gesteigert werden. -
- 10
- Waferinspektionseinrichtung
- 11
- Auflicht-Lichtstrahl
- 12
- Auflichtquelle
- 14
- Kollektor
- 15
- schaltbare Blende
- 16
- Filter
- 18
- Teilerspiegel
- 20
- Objektivrevolver
- 22
- VIS-Objektiv
- 24
- IR-Objektiv
- 26
- Probenhalter
- 28
- Wafer
- 29
- Kondensor
- 30
- Teilerspiegel
- 32
- Lichtleiter
- 33
- Zwischenoptik
- 34
- Filter
- 36
- Kollektor
- 38
- Durchlichtquelle
- 40
- wechselbare Tubuslinse
- 41
- wellenlängenselektiver TV-Doppelabgang
- 42
- IR-Kamera
- 44
- Vis-CCD-Kamera
- 46
- PC
- 48
- Monitor
- 50
- Auflichtbeleuchtung
- 52
- Durchlichtbeleuchtung
Claims (15)
- Vorrichtung zur Inspektion von mikrostrukturierten Proben, z.B. eines Wafers (
28 ) mit einem Probenhalter (26 ), zum Halten der Probe, z.B. eines Wafers (28 ) und einer Auflichtbeleuchtung (50 ) zur Beleuchtung der Probe im Auflicht dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich eine Durchlichtbeleuchtung (52 ) zum Beleuchten der Probe im Durchlicht vorgesehen ist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mikrostrukturierte Probe ein Wafer (
28 ), eine Maske oder ein mikrostrukturiertes Bauteil auf einem Substrat ist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung (
50 ) eine Auflichtquelle (12 ) und eine Filtereinrichtung (14 ) zum Filtern von Strahlung aus dem optischen Spektralbereich aufweist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlichtbeleuchtung (
50 ) eine Durchlichtquelle (38 ) und eine Filtereinrichtung (34 ) zum Filtern von Strahlung aus dem infraroten Spektralbereich aufweist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 3 oder 4 dadurch gekennzeichnet, dass der Filter (
16 ) der Auflichtbeleuchtung (50 ) und/oder der Filter (34 ) der Durchlichtbeleuchtung (52 ) wechselbar ist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlichtbeleuchtung (
52 ) so angeordnet ist, dass sie von der Unterseite der Probe insbesondere mit einem Lichtleiter (32 ) eingekoppelt ist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung (
50 ) und/oder die Durchlichtbeleuchtung (52 ) schaltbare Blenden (15 ,33 ) aufweist. - Vorrichtung zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung (
50 ) und/oder die Durchlichtbeleuchtung (52 ) ein Lichtleiterkabel (32 ) aufweist. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, mit einer Inspektionseinrichtung, die einen Probenhalter (
26 ), auf den die Probe, z.B. der Wafer (28 ) zur Inspektion aufgebracht wird und einer Auflichtbeleuchtung (50 ) zur Beleuchtung der Probe, im Auflicht aufweist dadurch gekennzeichnet, dass eine Durchlichtbeleuchtung (52 ) vorgesehen ist, mit der die Probe, gleichzeitig im Durchlicht beleuchtet wird. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass die mikrostrukturierte Probe ein Wafer (
28 ), eine Maske oder ein mikrostrukturiertes Bauteil auf einem Substrat ist. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass die Auflichtbeleuchtung mit einer Wellenlänge im visuellen und/oder IR Spektralbereich und die Durchlichtbeleuchtung im IR erfolgt.
- Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 11 dadurch gekennzeichnet, dass die Abbildung abhängig vom eingestellten Wellenlängenbereich mit konventionellen Objektiven (
22 ) und gegebenenfalls Tubuslinsen (40 ) oder über IR- Objektive (24 ), insbesondere speziell korrigierte IR-Objektive und gegebenenfalls spezielle IR-Tubuslinsen (40 ) erfolgt. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 12 dadurch gekennzeichnet, dass eine Fokussierung der Probe, z.B. des Wafers (
28 ) manuell oder über ein Autofokussystem erfolgt. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach einem der Ansprüche 9 bis 13 dadurch gekennzeichnet, dass die Bilder der IR- Auf- und/oder Durchlichtbeleuchtung mittels eines wellenlängenselektiven TV-Doppelabganges (
41 ) auf eine IR-Kamera (42 ) und die Bilder der visuellen Auflichtbeleuchtung auf eine VIS-CCD-Kamera (44 ) abgebildet werden. - Verfahren zur Inspektion einer mikrostrukturierten Probe, nach Anspruch 14 dadurch gekennzeichnet, dass die Bilder der IR- Auf- und/oder Durchlichtbeleuchtung und die Bilder der VIS- Auflichtbeleuchtung einem PC (
46 ) zugeführt und gleichzeitig dargestellt, insbesondere auf einem Monitor (48 ) dargestellt werden.
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US11/568,949 US8154718B2 (en) | 2004-06-16 | 2005-05-23 | Apparatus and method for inspecting micro-structured devices on a semiconductor substrate |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007006525A1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
EP1855103A3 (de) * | 2006-05-08 | 2009-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Bildprüfvorrichtung und die Bildprüfvorrichtung verwendendes Bildprüfverfahren |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0611156D0 (en) * | 2006-06-07 | 2006-07-19 | Qinetiq Ltd | Optical inspection |
KR20080015363A (ko) | 2006-08-14 | 2008-02-19 | 야마하 가부시키가이샤 | 웨이퍼 및 반도체 소자의 검사 방법 및 장치 |
DE102006056086B3 (de) * | 2006-11-28 | 2008-01-10 | Rmb Gmbh Maschinen-Und Anlagenbau | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Analyse von Körpern aus Silizium |
CN101796398B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-06-19 | Icos视觉系统股份有限公司 | 用于检测半导体异常的装置和方法 |
DE102008028869A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Gegenstandes |
CN102575993B (zh) * | 2009-08-14 | 2015-07-22 | Bt成像股份有限公司 | 半导体材料内不连续性的探测 |
US8492721B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Camtek Ltd. | Systems and methods for near infra-red optical inspection |
CN102156106A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 太阳能晶圆快速检测系统 |
US9389408B2 (en) * | 2010-07-23 | 2016-07-12 | Zeta Instruments, Inc. | 3D microscope and methods of measuring patterned substrates |
JP5646922B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-12-24 | 株式会社トプコン | 検査装置 |
JP5824984B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2015-12-02 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池セル検査装置 |
US9432592B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-08-30 | Daylight Solutions, Inc. | Infrared imaging microscope using tunable laser radiation |
US9322786B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-04-26 | Shimadzu Corporation | Solar cell inspection apparatus and solar cell processing apparatus |
JP5867194B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-02-24 | 株式会社島津製作所 | 顕微鏡 |
US8902428B2 (en) * | 2012-03-15 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers |
US9885671B2 (en) | 2014-06-09 | 2018-02-06 | Kla-Tencor Corporation | Miniaturized imaging apparatus for wafer edge |
US9645097B2 (en) | 2014-06-20 | 2017-05-09 | Kla-Tencor Corporation | In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning |
CN104267015B (zh) * | 2014-07-09 | 2017-01-18 | 香港应用科技研究院有限公司 | 用于生理检测的光信号检测装置及分析样本成分的方法 |
CN107003254A (zh) | 2014-12-05 | 2017-08-01 | 科磊股份有限公司 | 用于工件中的缺陷检测的设备、方法及计算机程序产品 |
CN104538326A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-22 | 苏州凯锝微电子有限公司 | 一种晶圆切割切口检测装置 |
CN104568962A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 苏州凯锝微电子有限公司 | 一种晶圆切割切口检测设备 |
US9588058B1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-03-07 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Non-destructive evaluation of water ingress in photovoltaic modules |
KR20180077781A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 에이치피프린팅코리아 주식회사 | 화상독취장치 및 화상독취방법 |
US20180311762A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Substrate cutting control and inspection |
DE102018129832B4 (de) * | 2017-12-04 | 2020-08-27 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Mikroskopsystem und Verfahren zur mikroskopischen Abbildung |
IL264937B (en) * | 2018-02-25 | 2022-09-01 | Orbotech Ltd | Range differences for self-focusing in optical imaging systems |
CN109557074A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-04-02 | 华东师范大学 | 一种拉曼高光谱图像的采集方法 |
US11340284B2 (en) * | 2019-07-23 | 2022-05-24 | Kla Corporation | Combined transmitted and reflected light imaging of internal cracks in semiconductor devices |
CN111564382A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-08-21 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆检测装置及检测方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3447128A1 (de) * | 1984-12-22 | 1986-06-26 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Durchlicht- und/oder auflichtmikroskop |
DE3511571C1 (de) * | 1985-03-12 | 1986-09-25 | C. Reichert Optische Werke Ag, Wien | Infrarotmikroskop |
EP0455857A1 (de) * | 1990-05-11 | 1991-11-13 | Diffracto Limited | Verbesserte Verfahren und Vorrichtung zur retroreflektiven Oberflächeninspektion und Verzerrungsmessung |
DE19903486A1 (de) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Leica Microsystems | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Untersuchung von strukturierten Oberflächen von Objekten |
DE10019486A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Siemens Ag | Anordnung zur Inspektion von Objektoberflächen |
US20030202178A1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-10-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor wafer inspection apparatus |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5524566Y2 (de) * | 1975-10-28 | 1980-06-12 | ||
JPH0360055U (de) * | 1989-10-17 | 1991-06-13 | ||
EP0459489B1 (de) * | 1990-05-30 | 1997-01-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Verfahren zum Lesen einer optischen Abbildung einer untersuchten Oberfläche und dafür einsetzbare Bildleseeinrichtung |
EP0770848A1 (de) * | 1991-05-14 | 1997-05-02 | Kabushiki Kaisha Topcon | Projektionsinspektionsapparat |
JPH0714898A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法 |
JPH11264935A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Jeol Ltd | 顕微赤外装置 |
US6587193B1 (en) * | 1999-05-11 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Inspection systems performing two-dimensional imaging with line light spot |
US6734962B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-05-11 | Chemimage Corporation | Near infrared chemical imaging microscope |
JP4481397B2 (ja) | 1999-09-07 | 2010-06-16 | オリンパス株式会社 | 光学装置及び顕微鏡 |
US20010030744A1 (en) * | 1999-12-27 | 2001-10-18 | Og Technologies, Inc. | Method of simultaneously applying multiple illumination schemes for simultaneous image acquisition in an imaging system |
JP2002075815A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Sony Corp | パターン検査装置及びこれを用いた露光装置制御システム |
-
2004
- 2004-06-16 DE DE102004029212A patent/DE102004029212B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-23 EP EP05745043A patent/EP1756645A1/de not_active Withdrawn
- 2005-05-23 JP JP2007515921A patent/JP2008502929A/ja active Pending
- 2005-05-23 CN CN200580017989.6A patent/CN101019061A/zh active Pending
- 2005-05-23 US US11/568,949 patent/US8154718B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-23 WO PCT/EP2005/052351 patent/WO2005124422A1/de not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3447128A1 (de) * | 1984-12-22 | 1986-06-26 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Durchlicht- und/oder auflichtmikroskop |
DE3511571C1 (de) * | 1985-03-12 | 1986-09-25 | C. Reichert Optische Werke Ag, Wien | Infrarotmikroskop |
EP0455857A1 (de) * | 1990-05-11 | 1991-11-13 | Diffracto Limited | Verbesserte Verfahren und Vorrichtung zur retroreflektiven Oberflächeninspektion und Verzerrungsmessung |
DE19903486A1 (de) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Leica Microsystems | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Untersuchung von strukturierten Oberflächen von Objekten |
DE10019486A1 (de) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Siemens Ag | Anordnung zur Inspektion von Objektoberflächen |
US20030202178A1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-10-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor wafer inspection apparatus |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1855103A3 (de) * | 2006-05-08 | 2009-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Bildprüfvorrichtung und die Bildprüfvorrichtung verwendendes Bildprüfverfahren |
NO338042B1 (no) * | 2006-05-08 | 2016-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | Bildeinspeksjonsanordning og bildeinspeksjonsfremgangsmåte som anvender bildeinspeksjonsanordningen. |
DE102007006525A1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
DE102007006525B4 (de) * | 2007-02-06 | 2009-05-14 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von Defekten |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1756645A1 (de) | 2007-02-28 |
WO2005124422A1 (de) | 2005-12-29 |
DE102004029212B4 (de) | 2006-07-13 |
JP2008502929A (ja) | 2008-01-31 |
US20070247618A1 (en) | 2007-10-25 |
US8154718B2 (en) | 2012-04-10 |
CN101019061A (zh) | 2007-08-15 |
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