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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kristallisieren von Silicium.
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Aktuell
werden verschiedene Typen von Flachtafeldisplays entwickelt, die
besonders flach und leicht sind und geringen Energieverbrauch aufweisen.
Unter den verschiedenen Typen von Flachtafeldisplays sind Flüssigkristalldisplays
(LCDs) dafür bekannt,
dass sie für
hervorragende Farbwiedergabe sorgen.
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Im
Allgemeinen verfügen
LCDs über
zwei einander zugewandte Substrate, die auf den einander zugewandten
Flächen
Elektroden tragen, und ein Flüssigkristallmaterial,
das in den zwischen den zwei Substraten gebildeten Raum eingefüllt ist.
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Ein
LCD erzeugt Bilder durch Manipulieren von Flüssigkristallmolekülen des
Flüssigkristallmaterials
durch ein elektrisches Feld, das durch an die Elektroden angelegte
Spannungen erzeugt wird, um die Lichttransmission durch das Flüssigkristallmaterial
zu variieren.
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Das
untere Substrat eines LCD verfügt über Dünnschichttransistoren
(TFTs), von denen jeder mit einer aktiven Schicht versehen ist,
die im Allgemeinen aus amorphem Silicium (a-Si:H) besteht. Da amorphes Silicium
bei relativ niedrigen Temperaturen auf einem Glas mit niedrigem
Schmelzpunkt als Dünnfilm
abgeschieden werden kann, wird es allgemein zum Herstellen von Schaltbauteilen
von LCD-Tafeln verwendet. Jedoch beeinträchtigen Dünnfilme aus amorphem Silicium
die elektrischen Eigenschaften und die Zuverlässigkeit der Schaltbauteile
von LCD-Tafeln. Demgemäß ist es
schwierig, Dünnfilme
aus amorphem Silicium bei großen LCD-Schirmen
zu verwenden.
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Für kommerzielle
Anwendung von LCDs, wie sie in Laptop-Computern und großen, wandmontierbaren
Fernsehgeräten
verwendet werden, wird eine Pixelansteuervorrichtung mit verbesserten
elektrischen Eigenschaften benötigt,
wie hoher Beweglichkeit im elektrischen Feld (30 cm2/Vs), guten
Eigenschaften im Hochfrequenzbetrieb sowie niedrigem Leckstrom.
Um diese elektrischen Eigenschaften zu verbessern, ist polykristallines
Silicium (d. h. Polysilicium) hoher Qualität erforderlich. Die elektrischen
Eigenschaften von Polysiliciumdünnfilmen
hängen
von der Korngröße ab. Zum
Beispiel wird durch Erhöhen der
Korngröße die Beweglichkeit
im elektrischen Feld erhöht.
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In
WO-A-97/45827 und KO-A-2001-0004129 sind verschiedene Verfahren
zum Kristallisieren von Silicium zu einkristallinem Silicium offenbart,
wobei Techniken mit sequenzieller Lateralerstarrung (SLS = Sequential
Lateral Solidification) angegeben sind, gemäß denen massive einkristalline
Siliciumstrukturen dadurch erzeugt werden, dass unter Verwendung von
Lasern als Energiequellen für
ein Lateralwachstum von Siliciumkristallen gesorgt wird. Die SLS-Technik
wurde auf Grundlage der Tatsache entwickelt, dass Siliciumkörner entlang
einer Richtung normal zu einer Grenzfläche zwischen flüssigem und festem
Silicium wachsen. Bei der SLS-Technik wird ein Dünnfilm aus amorphem Silicium
dadurch kristallisiert, dass dafür
gesorgt wird, dass Siliciumkörner lateral
dadurch zu vorbestimmten Längen
wachsen, dass Laserstrahlintensitäten und Lagerstrahl-Projektionsbereiche
geeignet eingestellt werden.
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Die 1 ist eine schematische
Ansicht einer Vorrichtung zum Kristallisieren von Silicium unter Verwendung
einer SLS-Technik
gemäß der einschlägigen Technik.
Gemäß der 1 verfügt eine SLS-Vorrichtung 100 über einen
Lasergenerator 111 zum Erzeugen eines Laserstrahls 112,
eine Konvergenzlinse 113 zum Konvergieren des vom Lasergenerator 111 abgestrahlten
Laserstrahls 112, eine Maske 114 zum Aufteilen
des Laserstrahls in mehrere Abschnitte und zum Projizieren der Teilabschnitte auf
eine Tafel 116, sowie eine Skalierungslinse 115 zum
Verkleinern des die Maske 114 durchlaufenden Laserstrahls 112 gemäß einem
vorbestimmten Maßstab.
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Der
Lasergenerator 111 strahlt einen Rohlaserstrahl 112 ab,
der in seiner Intensität
eingestellt wird, während
er einen Abschwächer
(nicht dargestellt) durchläuft,
und der dann durch die Konvergenzlinse 113 auf die Maske 114 gestrahlt
wird. Die Tafel 116 ist mit amorphem Silicium beschichtet,
und sie ist entsprechend der Maske 114 auf einem XY-Tisch 117 angeordnet.
Dabei wird zum Kristallisieren der gesamten Fläche des Substrats 116 ein Verfahren
verwendet, gemäß dem das
kristallisierte Gebiet dadurch allmählich vergrößert wird, dass der XY-Tisch 117 minimal
verstellt wird. Demgemäß wird die
Maske 114 in Laserstrahl-Transmissionsbereiche 114a ,
die Transmission des Laserstrahls 112 durchlassen, und
Laserstrahl-Ausblendbereiche 114b, die den Laserstrahl 112 absorbieren,
unterteilt. Der Abstand zwischen den Transmissionsbereichen 114a (d.
h. die Weite jedes Ausblendbereichs 114) bestimmt die Lateralwachstumslänge der
Körner.
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Zu
einem Verfahren zum Kristallisieren von Silicium unter Verwendung
dieser SLS-Vorrichtung gehört
das Herstellen von kristallinem Silicium unter Verwendung von amorphem
Silicium, das auf einer Puffer/Isolier-Schicht (nicht dargestellt)
abgeschieden wurde, wobei die Pufferschicht auf dem Substrat 116 ausgebildet
ist. Die Schicht aus amorphem Silicium wird z. B. durch chemische
Dampfabscheidung (CVD) auf dem Substrat 116 abgeschieden,
wodurch eine große
Menge an Wasserstoff in ihr enthalten sein kann. Da der in ihr enthaltene
Wasserstoff durch Wärme
im Allgemeinen aus dem Dünnfilm
ausdiffundiert, sollte die Schicht aus amorphem Silicium einen Wasserstoffentfernungsprozess
durch Wärmebehandlung
erfahren. D. h., dass dann, wenn Wasserstoff nicht vorab aus der
Schicht aus amorphem Silicium entfernt wird, sich die kristallisierte
Schicht durch eine schnelle Volumenvergrößerung des Wasserstoffgases
in ihr während
des Kristallisationsprozesses ablösen kann.
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Außerdem kann
ein Kristallisationsprozess unter Verwendung eines Lasers nicht
die ganze Siliciumfläche
auf einmal kristallisieren. Da z. B. die Breite des Laserstrahls 112 und
die Größe der Maske 114 eingeschränkt sind,
muss die Maske 114 häufig neu
ausgerichtet werden, und der Kristallisationsprozess muss jedesmal
wiederholt werden, wenn die Maske 114 neu ausgerichtet
wurde, um eine große Schirmtafel
zu kristallisieren. Demgemäß wird eine Fläche, die
unter Verwendung der Fläche
der Maske 114 kristallisiert wird, als Blockeinheit bezeichnet, wobei
die Kristallisation von Einheitsblöcken durch wiederholtes Aufstrahlen
des Laserstrahls realisiert wird.
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Die 2 zeigt ein Diagramm zur
Kristallisation von Silicium gemäß der einschlägigen Technik. In
der 2 repräsentiert
ein erster Bereich im Diagramm einen Teilschmelzbereich, in dem
nur ein Oberflächenanteil
des Siliciums schmilzt, wobei kleine Körner gebildet werden. Ein zweiter
Bereich repräsentiert
einen Bereich mit nahezu vollständigem Schmelzen,
in dem größere Körner als
im ersten Bereich erzeugt werden können. Jedoch ist es schwierig,
Körner
gleichmäßiger Abmessungen
zu erzielen. Ein dritter Bereich repräsentiert einen Bereich mit vollständigem Schmelzen,
bei dem das amorphe Silicium vollständig geschmolzen wird und durch
homogene Keimbildung feine Körner
erzeugt werden.
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Gemäß der einschlägigen Technik
wird das Kristallisieren von Silicium unter Verwendung der SLS-Technik
innerhalb des Bereichs mit vollständigem Schmelzen (d. h. im
dritten Bereich) ausgeführt, in
dem amorphes Silicium durch Laserkristallisation vollständig geschmolzen
wird.
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Die 3 ist eine schematische
Draufsicht einer Maske zum Kristallisieren von Silicium unter Verwendung
der bekannten SLS-Technik. Gemäß der 3 verfügt die Maske 114 über strukturierte Transmissions-
und Ausblendbereiche 114a und 114b, wobei jeder
der Transmissionsbereiche 114a durch einen Längsschlitz
gebildet ist, der sich entlang einer ersten Richtung erstreckt.
Die Breite d des Transmissionsbereichs 114a ist so konzipiert,
dass sie weniger als das Doppelte der Maximallänge von Körnern ist, wie sie bei einem
ersten Prozess mit Einstrahlung eines Laserstrahls wachsen. Wenn
der erste Laserstrahl durch die Maske 114 gestrahlt wird, wachsen
Körner
lateral ausgehend von beiden Grenzen des ge schmolzenen amorphen
Siliciums innerhalb der Schmelzbereiche der Schicht aus amorphem
Silicium, entsprechend den Transmissionsbereichen 114a der
Maske 114, bis Grenzen der lateral gewachsenen Körner in
der Mittellinie einer Flüssigphase
aufeinander treffen.
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Während des
Kristallisationsprozesses durchläuft
das Strahlmuster die Maske 114, und es wird durch eine
Skalierungslinse 115 (in der 1) verkleinert,
die entlang einer X-Richtung
verstellt wird. Demgemäß läuft der
Kristallisationsprozess ab, während
sich das Lasermuster mit der Einheit einiger 100 μm (d. h.
mit der Länge
eines durch die Skalierungslinse 115 verkleinerten Musters)
bewegt.
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Die 4A bis 4D sind Schnittansichten zum Veranschaulichen
der bekannten SLS-Technik. Unter Bezugnahme auf diese Figuren wird
ein SLS-Polysilicium-Kristallisationsverfahren mit zwei Schüssen beschrieben,
bei dem auf der Maske drei Transmissionsmuster (-bereiche) definiert
sind. Bei diesem Verfahren werden Bereiche der Schicht aus amorphem Silicium,
die den Transmissionsbereichen entsprechen, durch doppeltes Einstrahlen
des Laserstrahls kristallisiert. Außerdem wird der Kristallisationsprozess
fortschreitend entlang der Längsrichtung
eines Substrats ausgeführt.
Wenn die Kristallisation entlang der Längsrichtung des Substrats abgeschlossen ist,
wird das Lasermuster minimal entlang der Breitenrichtung verstellt,
und dann wird es erneut entlang der Längsrichtung verstellt, um dadurch
den Kristallisationsprozess für
den gewünschten
Bereich abzuschließen.
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Gemäß der 4A wird die Maske 114 (in der 3) als Erstes entsprechend
dem Substrat positioniert, und der erste Laserstrahl wird eingestrahlt, um
den Kristallisationsprozess für
die auf dem Substrat abgeschiedene Schicht aus amorphem Silicium ablaufen
zu -lassen. Der eingestrahlte La serstrahl wird in mehrere Abschnitte
aufgeteilt, während
er die mehreren in der Maske 114 ausgebildeten Schlitze 114a (in
der 3) durchläuft. Demgemäß werden Bereiche
der Schicht aus amorphem Silicium, die den Schlitzen 114a entsprechen,
durch die Teilabschnitte des ersten Laserstrahls verflüssigt. In
diesem Fall wird die Laserintensität so eingestellt, dass sie
dem Bereich des vollständigen
Schmelzens entspricht, in dem die Schicht aus amorphem Silicium
vollständig aufgeschmolzen
werden kann.
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Wenn
die Einstrahlung des Laserstrahls abgeschlossen ist, sind Siliciumkörner lateral
an der Grenze zwischen dem Bereich aus festem amorphem Silicium
und demjenigen mit verflüssigtem
Silicium gewachsen. Die Breite des die Maske durchdringenden Lasermusters
wird so eingestellt, dass sie kleiner als das Doppelte der Länge der
gewachsenen Körner
ist, und die kristallisierten Bereiche entsprechen den Transmissionsbereichen 114a (in
der 2) der Maske. Demgemäß verfügt jeder
der kristallisierten Bereiche A1, A2 und A3 über eine Länge, die mit derjenigen übereinstimmt,
die die Transmissionsbereiche 114a aufweisen. Außerdem verbleiben Bereiche
der Schicht aus amorphem Silicium, die den Ausblendbereichen 114b (in
der 2) der Maske entsprechen,
als Bereiche 167 aus amorphem Silicium.
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Demgemäß wachsen
Körner 166a und 166b quer
ausgehend von den Grenzen zwischen dem verflüssigten Silicium und dem festen
Silicium innerhalb der kristallisierten Bereiche A1, A2 und A3,
wodurch eine Korngrenze gebildet ist, wie es in den 4A bis 4D dargestellt
ist.
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Als
Nächstes
wird der Kristallisationsprozess kontinuierlich entlang der X-Richtung
ausgeführt, während der
Tisch, auf dem das Substrat befestigt ist, um Einheiten einiger
100 um, die so lang wie die Länge
des Maskenmusters (Strahlmusters) sind, verstellt wird. Gemäß der 4B wird, wenn die erste Kristallisation
entlang der X-Richtung (d. h. der horizontalen Richtung) abgeschlossen
ist, die Maske 114 auf dem XY-Tisch 117 (in der 1) minimal entlang einer
Y-Richtung (d. h. der vertikalen Richtung) verstellt. Als Nächstes wird
eine zweite Lasereinstrahlung ausgehend vom Punkt gestartet, an
dem die erste Kristallisation entlang der X-Richtung beendet wurde.
Demgemäß wachsen
die Körner
des kristallisierten Siliciums, die durch die erste Lasereinstrahlung erzeugt
wurden, durch die zweite Lasereinstrahlung weiter. Zum Beispiel
wachsen die Körner
so weiter, dass sie eine Länge
aufweisen, die halb so groß wie der
Abstand k von der Korngrenze 166c des kristallisierten
Bereichs A1 bis zur Korngrenze des benachbarten kristallisierten
Bereichs A2 ist.
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Gemäß der 4C kann ein Polysilicium-Dünnfilm aus
den Körnern 168a und 168b vorbestimmter
Länge erzeugt
werden. Demgemäß wachsen,
innerhalb neuer kristallisierter Bereiche B1 und B2, Körner 168a und 168b vertikal
ausgehend von den Grenzen zwischen dem verflüssigten und dem festen Silicium.
Die Körner 168a und 168b wachsen weiter,
bis sie einander berühren,
wodurch eine neue Korngrenze 168c gebildet wird, wie es
in der 4D dargestellt
ist.
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Obwohl
das bekannte Verfahren zum Kristallisieren von amorphem Silicium
unter Verwendung der SLS-Technik innerhalb des Bereichs mit vollständigem Schmelzen,
wo also das amorphe Silicium vollständig aufgeschmolzen wird, ausgeführt wird, sind
in großen
Körnern
viele Defekte 169 (in der 4D)
enthalten. Diese Defekte 169 (in der 4D) werden durch einen zweiten Temperprozess mit
einem Excimerlaser (ELA = Excimer Laser Annealing) innerhalb des
Bereichs mit nahezu vollständigem
Schmelzen mit niedrigerer Energie als im Bereich mit vollständigem Schmelzen
ausgeheilt. Jedoch erhöht
das Verfahren unter Verwendung eines ersten Lasers mit hoher Energie
und dann eines Lasers mit niedriger Energie als zusätzlichem
Prozess die Gesamtverarbeitungszeit, und die Herstellausbeute nimmt
ab.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Kristallisieren
von Silicium unter Verwendung eines SLS-Verfahrens zu schaffen,
mit dem Körner
guter Qualität,
d. h. mit weniger internen Korndefekten, erzeugt werden können.
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Diese
Aufgabe ist durch das Verfahren gemäß dem beigefügten Anspruch
1 gelöst,
gemäß dem gleichzeitig
zwei verschiedene Laserstrahlenergien verwendet werden.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten
Ausführungsformen
näher erläutert.
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1 ist eine schematische
Ansicht einer Vorrichtung zum Kristallisieren von Silicium unter Verwendung
einer SLS-Technik
gemäß der einschlägigen Technik;
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2 ist ein Diagramm zur Kristallisation von
Silicium gemäß der einschlägigen Technik;
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3 ist eine schematische
Draufsicht einer Maske zum Kristallisieren von Silicium unter Verwendung
der bekannten SLS-Technik;
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4A bis 4D sind Schnittansichten zum Veranschaulichen
der bekannten SLS-Technik;
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5 ist eine schematische
Draufsicht einer beispielhaften Maske gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung;
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6A bis 6E sind Schnittansichten zum Veranschaulichen
eines beispielhaften Verfahrens zum Kristallisieren von Si licium
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung; und
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7 ist eine schematische
Draufsicht einer anderen beispielhaften Maske gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
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Gemäß der Erfindung
wird eine Einzelscantechnik dazu verwendet, einen gewünschten
Bereich einer Schicht aus amorphem Silicium mittels eines Laserstrahlscans
entlang einer ersten Richtung dadurch zu kristallieren, dass eine
Lasermaske in N+1 Blöcke
unterteilt wird, die um ein vorbestimmtes Intervall voneinander
beabstandet sind, und Muster eines Transmissionsbereichs und eines
Ausblendbereichs jedes der N+1 Teilblöcke verformt werden.
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Die
in der 5 schematisch
dargestellte Maske 270 verfügt über einen ersten Block C mit mehreren
Transmissionsmustern 272a, die um ein vorbestimmtes Intervall
voneinander getrennt sind, und einen zweiten Block D mit mehreren
Transmissionsmustern 272b, die den Transmissionsmustern 272a des
ersten Blocks C ähnlich
sind. Die Transmissionsmuster 272b des zweiten Blocks D
können
so konfiguriert sein, dass sie Ausblendbereichen 273a entsprechen,
die zwischen den Transmissionsmustern 272a des ersten Blocks
C angeordnet sind, und sie können
aus einem Aktivierungsbereich E mit mehreren kleinen Rechteckschlitzen
bestehen.
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Demgemäß kann unter
Verwendung der Maske 270 ein gewünschter Bereich einer Schicht aus
amorphem Silicium mittels der Transmissionsmuster 272a und 272b des
ersten und des zweiten Blocks C und D während der Einstrahlung eines
Laserstrahls mit einem Band hoher Energie vollständig geschmolzen werden. Demgemäß können Bereiche der
Schicht aus amorphem Silicium lateral kristallisiert werden, während aufgeschmolzene
Bereiche derselben erstarren können.
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Gemäß der 5 kann, wenn ein Tisch entlang
einer Längsrichtung
verstellt wird, ein Aktivierungsbereich E auf einem kristallisierten
Bereich positioniert werden, der durch den ersten Block C und den
zweiten Block D der Maske 270 erzeugt wurde. Wenn dann
ein Laserstrahl mit einem Band hoher Energie durch die Maske 270 gestrahlt
wird, kann er gebeugt werden, während
er die kleinen Rechteckschlitze 275 des Aktivierungsbereichs
E durchläuft, und
er kann in einen Laserstrahl mit einem Band niedriger Energie gewandelt
werden. Demgemäß können, wenn
die Maske 270 mit den Transmissionsmustern 272a und 272b über ein
Stück W/3
entlang der Längsrichtung
verstellt wird, die Transmissionsmuster 272b des zweiten
Blocks D über
dem amorphen Silicium positioniert werden, das dem Ausblendbereich 273a entspricht,
der zwischen den Transmissionsmustern 272a des ersten Blocks
C angeordnet ist. Wenn dann der Tisch erneut entlang der Längsrichtung
um die Länge
W/3 verstellt wird, kann der Aktivierungsbereich in der Maske 270 über dem Kristallisationsbereich
lokalisiert werden, wo der erste und der zweite Block C und D positioniert
waren. So kann durch Verstellen des Tischs entlang der Längsrichtung
und durch Ausführen
der Kristallisation entlang der Längsrichtung unter Verwendung
der Maske 270 die Kristallisation und die Umkristallisation
eines gewünschten
Bereichs durch einen einzelnen Verarbeitungsscan abgeschlossen werden.
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Gemäß der 5 sind die Breiten der Transmissionsmuster 272a und 272b so
konzipiert, dass sie höchstens
dem Doppelten der Maximallänge
von Körnern
entsprechen, wie sie beim Einstrahlen eines einzelnen Laserstrahls
wachsen. Die mehreren im Aktivierungsbereich E ausgebildeten kleinen
Rechteckschlitze 275 können
den Energiepegel des Laserstrahls von einem Band hoher Energie auf
ein Band niedriger Energie ändern,
so dass ein Laserstrahl mit niedriger Energiedichte auf das amorphe
Silicium gestrahlt werden kann. So kann es der Aktivierungsbereich
E ermöglichen,
dass das durch die Maske mit zwei Blöcken kristallisierte Polysilicium
umkristallisiert und aktiviert wird, um dadurch Defekte innerhalb der
Körner
auszuheilen.
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Anhand
der Schnittansichten der 6A bis 6E wird nun ein beispielhaftes
Verfahren zum Kristallisieren von Silicium gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung beschrieben. Auf einem Substrat 220 wird eine
Pufferschicht (nicht dargestellt) hergestellt, auf der dann gemäß der 6A ein Film 222 aus amorphem
Silicium abgeschieden wird, die daraufhin einer ersten Wärmebehandlung
unterzogen wird, um Wasserstoff zu entfernen. Als Nächstes wird
eine Maske 270 (gemäß der 5) über dem Substrat 220 positioniert
und mit der Schicht 222 aus amorphem Silicium ausgerichtet.
Anschließend
wird ein erster Laserstrahl auf das Substrat 220 gestrahlt,
damit den Transmissionsmustern 272a und 272b (gemäß der 5) entsprechende Strahlmuster
auf den Film 222 aus amorphem Silicium gestrahlt werden. Demgemäß können erste
Bereiche 286a und 286b, die mit dem ersten Laserstrahl
bestrahlt werden, vollständig
aufgeschmolzen werden. Wenn dann die Temperatur des Films 222 aus
amorphem Silicium fällt,
wachsen Körner
ausgehend von den beiden Grenzen der geschmolzenen Bereiche der
Schicht aus amorphem Silicium, wodurch ein erster Kornbereich 282a,
ein zweiter Kornbereich 282b und eine Korngrenze 284,
an der diese beiden aufeinander treffen, gebildet werden.
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Wie
es in der 6A dargestellt
ist, beginnen während
der Kristallisation des amorphen Siliciums innerhalb der Kornbereiche 282a und 282b Bereiche
des amorphen Siliciums, die vollständig aufgeschmolzen sind, zu
kristallisieren, wobei gelöste
Anteile des amorphen Siliciums beider Bereiche als Keime wirken.
Zum Beispiel können
die Körner 282a und 282b ausgehend
von der Ober- und der Unterseite, wie es aus der ersten vergrößerten Ansicht
der 6A erkennbar ist,
wachsen, und die Grenzen 284 zwischen ihnen können in
den mittleren Abschnitten eines Bereichs gebildet werden.
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Als
Ergebnis der ersten Einstrahlung des Laserstrahls werden eine erste
Kristallisationsbereichsgruppe C1 mit mehreren kristallisierten
Bereichen 286a, entsprechend den Transmissionsmustern 272a des
ersten Blocks C der Maske 270 (in der 5), sowie eine zweite Kristallisationsbereichsgruppe
D1 mit mehreren kristallisierten Bereichen 286b entsprechend
den Transmissionsmustern 272b des zweiten Blocks D der
Maske 270 gebildet. Demgemäß verfügen die ersten und die zweiten
kristallisierten Bereiche 286a und 286b über ähnliche
Flächen
und Formen. Dabei können,
wie es in der ersten vergrößerten Ansicht
der 6A dargestellt ist,
die großen
Körner 282a und 282b,
die lateral innerhalb des vollständig
aufgeschmolzenen Bereichs gewachsen sind, viele interne Defekte 286 zeigen.
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Wie
es in der 5 dargestellt
ist, können die
im Aktivierungsbereich E ausgebildeten kleinen Rechteckschlitze 275 den
sie durchlaufenden Laserstrahl beugen, so dass er geringe Energie
hat. Demgemäß wird,
wenn der Laserstrahl mit einem Band hoher Energie durch die Maske 270 gestrahlt
wird, der Film 222 aus amorphem Silicium (in der 6A), der dem Aktivierungsbereich
E der Maske 270 entspricht, innerhalb des nahezu aufgeschmolzenen
Bereichs kristallisiert. Im Ergebnis wird, hinsichtlich des ersten
Blocks C (in der 5),
die erste Kristallisationsbereichsgruppe C1 mit den mehreren kristallisierten
Bereichen 286a, entsprechend den Transmissionsmustern 272a des
ersten Blocks C der Maske 270 (in der 5), die zweite Kristallisationsbereichsgruppe
D1 mit den mehreren kristallisierten Bereichen 286b, entsprechend
den Transmissionsmustern 272b des zweiten Blocks D der
Maske 270, und eine dritte Kristallisationsbereichsgrup pe
E1 mit mehreren dritten kristallisierten Bereichen 286c gebildet.
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Außerdem können die
ersten und die zweiten kristallisierten Bereiche 286a und 286b ähnliche Formen
zeigen, und der Laserstrahl mit einem Band gleichmäßig hoher
Energie kann auf identische Flächen
im ersten und im zweiten kristallisierten Bereich 286a und 286b gestrahlt
werden. Darüber
hinaus kann der dritte kristallisierte Bereich 286c unter
Verwendung eines Temperprozesses mit einem Excimerlaser (ELA), der
einen vergleichsweise niedrigen Energiepegel aufweist, kristallisiert
werden.
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Wie
es in der ersten vergrößerten Ansicht der 6A dargestellt ist, verfügen der
erste und der zweite kristallisierte Bereich 286a und 286b innerhalb
des Bereichs, der vollständig
aufgeschmolzen war, über
lateral gewachsene Körner
großer
Abmessung. Jedoch kann eine Anzahl von Defekten 285 elektrische
Eigenschaften beeinträchtigen.
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Gemäß der 6B verbleibt die Maske 270 (in
der 5) fixiert, und
der Tisch unter dem Substrat 220 wird um die Länge W/3
des ersten kristallisierten Bereichs 28Ga in der Längsrichtung
verstellt. Demgemäß werden
die mehreren Transmissionsmuster 272b des zweiten Blocks
D über
der ersten Kristallisationsbereichsgruppe C1 positioniert, die durch
die erste Einstrahlung des Laserstrahls kristallisiert wurde. Außerdem werden
die Rechteckschlitze 275 des Aktivierungsbereichs E der
Maske 270 über der
zweiten Kristallisationsbereichsgruppe D1 positioniert, die durch
die erste Einstrahlung des Laserstrahls teilweise kristallisierte.
Dann wird ein zweiter Laserstrahl durch die Maske 270 gestrahlt,
damit das amorphe Silicium, das den Transmissionsmustern 272a des
ersten Blocks C der Maske entspricht, vollständig aufgeschmolzen wird und
dann kristallisiert. Die Körner
des amorphen Siliciums, die durch die erste Einstrahlung des Laserstrahls,
entsprechend den Transmissionsmustern 272b des zweiten
Blocks D der Maske 270, die über der ersten Kristallisationsbereichsgruppe
C1 positioniert wurde, teilweise kristallisierten, können ausgehend
von den Grenzen weiter wachsen. Zum Beispiel können die Körner des neu kristallisierten
Bereichs, der durch die erste Einstrahlung des Laserstrahls erzeugt
wird, erneut als Körner
mit einer Länge
wachsen, die der Hälfte
des Abstands zwischen benachbarten Korngrenzen entspricht, an denen
die Körner
einander berühren.
Außerdem
kann der zweite kristallisierte Bereich 286b, der dem Aktivierungsbereich
E der Maske 270 (in der 5)
mit den Rechteckschlitzen 275 entspricht, durch einen Laserstrahl
mit einem Band niedriger Energie umkristallisiert oder aktiviert
werden, wodurch die Defekte 285 (in der 6A) ausgeheilt werden.
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Gemäß der 6C bildet die durch die
erste Einstrahlung des Laserstrahls erzeugte erste Kristallisationsbereichsgruppe
C1 eine Kristallisationsbereichsgruppe C2 mit Körnern guter Qualität sowie gleichzeitig
eine vierte Kristallisationsbereichsgruppe F1 mit einem vierten
kristallisierten Bereich 286d. Demgemäß erfahren die in der Kristallisationsbereichsgruppe
C2 erzeugten Körner 287a und 287b ein
Umkristallisieren um die Hälfte
des Abstands (1) zwischen der durch die erste Einstrahlung
des Laserstrahls erzeugten Korngrenze 284a und einer benachbarten
Korngrenze 284b, wodurch im mittleren Teil eine neue Korngrenze 287c erzeugt
wird. Außerdem
werden, wie es in einer zweiten vergrößerten Ansicht der 6C dargestellt ist, wenn
der ELA-Prozess des Einstrahlens eines zweiten Laserstrahls hinsichtlich
der zweiten Kristallisationsbereichsgruppe D2 ausgeführt wird,
die dem Aktivierungsbereich E der Maske 70 entspricht,
interne Körner
aktiviert und umkristallisiert, wodurch die Defekte 285 ausgeheilt
werden, wie es in einer ersten ver größerten Ansicht der 6C dargestellt ist.
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Gemäß der 6D werden, wenn der Tisch um
die Länge
W/3 der Transmissionsmuster 272a und 272b der
Maske 270 in der Längsrichtung
verstellt wird, die Transmissionsmuster 272a des ersten Blocks
C der Maske 270 über
einem neuen Bereich des Films aus amorphem Silicium positioniert,
und die Transmissionsmuster 272b des zweiten Blocks D werden über der
vierten Kristallisationsbereichsgruppe F1 positioniert, die durch
die zwei Einstrahlungen von Laserstrahlen kristallisiert wurde.
Außerdem
wird der Aktivierungsbereich E mit den mehreren kleinen Schlitzen 275 über der
Kristallisationsbereichsgruppe C2 positioniert, die vollständig kristallisiert
ist. Demgemäß wird,
wenn ein dritter Laserstrahl durch die Maske 270 gestrahlt
wird, das neue amorphe Silicium, das den Transmissionsmustern 272a des
ersten Blocks C der Maske 270 entspricht, kristallisiert, wodurch
eine fünfte
Kristallisationsbereichsgruppe G1 erzeugt wird.
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Gemäß der 6D wird die vierte Kristallisationsbereichsgruppe
F1, die dem zweiten Block D der Maske 270 entspricht, kristallisiert,
so dass in ihr erzeugte Körner
ausgehend von benachbarten Grenzen kontinuierlich wachsen, wodurch
eine Kristallisationsbereichsgruppe F2 mit vollständiger Kristallisation
gebildet wird, in der das amorphe Silicium vollständig kristallisiert
ist.
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Gemäß der 6E erfahren z. B. die Körner der
vierten Kristallisationsbereichsgruppe F1 eine Umkristallisation
in Körner
mit einer Länge,
die der Hälfte
der Länge
ausgehend von einem Bereich entspricht, in dem die Körner einen
Bereich benachbarter Grenzen berühren.
So wird die erste Kristallisationsbereichsgruppe C1, die dem Aktivierungsbereich E
der Maske 270 mit den mehreren Rechteckschlitzen entspricht,
kristallisiert (oder aktiviert), wodurch Defekte 285 (in
der
-
6C) großer Körner ausgeheilt werden, so
dass eine Kristallisationsbereichsgruppe C3 mit vollständiger Kristallisation
mit Körnern
guter Qualität erzeugt
wird, wie es in der 6E dargestellt
ist.
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Durch
Wiederholen der durch die 6A bis 6E veranschaulichten Prozesse
wird ein Polysilicium-Dünnfilm
mit Bereichen vollständiger
Kristallisation erhalten. Während
die Kristallisation zum Erzeugen des Polysilicium-Dünnfilms
durch Verstellen des Tischs ausgeführt werden kann, ist es auch
möglich, dies
durch Verstellen der Maske oder durch gleichzeitiges Verstellen
der Maske und des Tischs auszuführen.
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Anhand
der schematischen Draufsicht der 7 wird
nun eine andere beispielhafte Maske gemäß einer Ausführungsform
erläutert.
Mit der dort dargestellten Lasermaske 370 für einen
SLS-Prozess wird die Fläche
eines Laserstrahls in drei Bereiche eines ersten und eines zweiten
Blocks sowie eines Aktivierungsbereichs unterteilt. Zum Beispiel
verfügt
die Maske 370 über
einen ersten Block C mit mehreren Transmissionsmustern 372a,
die um ein vorbestimmtes Intervall gegeneinander entlang einer vertikalen
Richtung beabstandet sind, und einen zweiten Block D mit mehreren
Transmissionsmustern 372b, die den Transmissionsmustern 372a des
ersten Blocks C ähnlich
sind. Die Transmissionsmuster 372b des zweiten Blocks können innerhalb
eines zweiten Maskenblocks vorhanden ein, der Intervallen entspricht,
wie sie zwischen den Transmissionsmustern 372a des ersten
Blocks C vorhanden sind. Außerdem
verfügt
die Maske 370 über
einen Aktivierungsbereich E' mit
mehreren kleinen Schlitzen jeweils der Länge W/3, die entlang der Längsrichtung ausgebildet
sind. Der Aktivierungsbereich E' kann
einen Laserstrahl teilweise durchlassen, damit dieser mit niedrigem
Energiepegel auf einen Film aus amorphem Silicium gestrahlt wird.
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Gemäß dieser
Ausführungsform
verwendet das SLS-Kristallisationsverfahren die Anzahl N von Maskenblöcken. Wenn
z. B. N Maskenblöcke
verwendet werden, wird die Fläche
eines Laserstrahls entsprechend N+1 Maskenblöcken unterteilt, wobei der
Maskenblock N einem SLS-Kristallisationsbereich hoher Energiedichte
entspricht und der Maskenblock N+1 einen Aktivierungsbereich mit
niedriger Energiedichte bildet. Demgemäß wird zum Kristallisieren
von Silicium gemäß einer
SLS-Technik entsprechend der vorliegenden Ausführungsform eine Lasermaske
in N+1 Maskenblöcke
unterteilt, wobei der Maskenblock N+1 einen Laserstrahl teilweise durchlässt, wozu
er mehrere enge Schlitze aufweist, um dadurch die Energiedichte
des durchlaufenden Laserstrahls zu verringern. Demgemäß können ein Laserstrahl
mit hohem Energiepegel und ein solcher mit niedrigem Energiepegel
gleichzeitig während
eines einzelnen Lasertemperprozesses erzielt werden. Darüber hinaus
können
Defekte in einem kristallisierten Film, die durch den Laserstrahl
hoher Energie erzeugt wurden, durch den Laserstrahl niedriger Energie
aktiviert und ausgeheilt werden, wodurch ein Polysilicium-Dünnfilm guter
Qualität
erzeugt wird, ohne dass die Prozessausbeute verringert wäre.