DE102004024886A1 - Photoaktiver Schichtstapel und Verfahren zum Aufbringen des photoaktiven Schichtstapels auf ein Substrat - Google Patents

Photoaktiver Schichtstapel und Verfahren zum Aufbringen des photoaktiven Schichtstapels auf ein Substrat Download PDF

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Abstract

Es wird ein aus zwei Schichten, einer stickstofffreien Antireflektionsschicht (1) und einer chemisch verstärkten Resistschicht (2), bestehender photoaktiver Schichtstapel (6) auf einem Substrat (3) für eine Übertragung von Strukturen auf einer Photomaske in das Substrat (3) bei einer Belichtungswellenlänge von 193 nm zur Verfügung gestellt. Die Antireflektionsschicht (1) wird mit einem PECVD-Verfahren als eine nicht stöchiometrische SixOy-Schicht auf das Substrat (3) abgeschieden. Die Prozessbedingungen werden so gewählt, dass die Antireflektionsschicht (1) eine inaktive Oberfläche (4) aufweist. Aufgrund der inaktiven Oberfläche werden Scumming- und Footing-Effekte vermieden und die Resistschicht kann direkt auf die Oberfläche (4) der Antireflektionsschicht (1) aufgebracht werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines photoaktiven Schichtstapels auf ein Substrat für eine Übertragung von Strukturen auf einer Photomaske in das Substrat.
  • Mikroelektronische Bauteile, wie beispielsweise DRAM (dynamic random access memory)-Speicherzellen weisen strukturierte Schichten aus unterschiedlichen Substraten, wie Metalle, Dielektrika oder Halbleitermaterial, die auf einem Halbleiterwafer angeordnet sind, auf. Zur Strukturierung der Schichten kann beispielsweise ein photolithographisches Verfahren angewendet werden. Dabei wird eine auf das zu strukturierende Substrat aufgebrachte, auch als Resist bezeichnete lichtempfindliche Polymerschicht mittels einer Photomaske, die die in das Substrat zu übertragenden Strukturen aufweist, und einer lithographischen Abbildungsvorrichtung, abschnittsweise einer Lichtstrahlung ausgesetzt. Bei einem Positivresist wird das Resistmaterial durch die Einwirkung des Lichtes in der Weise verändert, dass das Resistmaterial an den belichteten Stellen mit einer geeigneten Entwicklerflüssigkeit entfernt werden kann.
  • Nach der Entwicklung des Resists sind die Strukturen von der Photomaske in die Resistschicht in Form von Öffnungen übertragen worden. Das Übertragen der Strukturen von der Resistschicht in das Substrat erfolgt durch einen Ätzschritt. Die Resistschicht hat dann die Funktion einer Ätzmaske. An den Stellen, an denen die Resistschicht durch die Entwicklerflüssigkeit entfernt wurde, liegt das Substrat frei und kann beätzt werden.
  • Bei einem Negativresist wird der belichtete Abschnitt für ein Lösungsmittel unlöslich gemacht, während die unbelichteten Abschnitte durch das Lösungsmittel entfernt werden.
  • Die Funktionsweise handelsüblicher Resistmaterialien basiert auf Polymerketten an denen Schutzmoleküle angehängt sind, die die Polymerketten unlöslich gegenüber einer Entwicklerflüssigkeit machen. Durch Einwirkung von Licht werden diese Schutzmoleküle zerstört oder abgespalten und das Polymer wird an den Stellen, an denen die Schutzmoleküle zerstört bzw. nicht mehr vorhanden sind, löslich.
  • Der Wunsch nach immer höheren Integrationsdichten und eine damit einhergehende Verkleinerung der Strukturen machen es notwendig, dass Abbildungen von Strukturen auf der Photomaske auf die Resistschicht mit immer kürzeren Belichtungswellenlängen unterhalb von 248 Nanometern vorgenommen werden. Bei kürzeren Wellenlängen verliert der oben beschriebene Resist jedoch seine Transparenz. Das bedeutet, dass nicht mehr jedes Lichtquant auf ein Schutzmolekül trifft und dieses zerstört, sondern das Lichtquanten von den Polymerketten absorbiert werden. Dies hat zur Folge, dass der Resist um vollständig löslich zu sein, eine längere Belichtungszeit bzw. eine höhere Belichtungsdosis benötigt.
  • Chemisch verstärkte Resists wurden entwickelt, um eine vollständige Löslichkeit des Resists bei einer nichtverlängerten Belichtungszeit zu erhalten. Der chemisch verstärkte Resist enthält neben den Polymerketten mit den Schutzmolekülen noch sogenannte Photosäuregeneratoren. Der Photosäuregenerator ist ein Molekül, das beim Auftreffen eines Lichtquantes ein positiv geladenes Wasserstoffion, auch Proton genannt, freisetzt. Trifft das Wasserstoffion auf ein Schutzmolekül, so werden unter Wärmeeinfluss zwei Wasserstoffionen gebildet und die Schutzgruppe entfernt. Diese zwei Wasserstoffionen reagieren mit weiteren Schutzgruppen und erzeugen weitere Wasserstoffionen, wodurch die Wirkung eines einzigen Lichtquantes verstärkt wird. Der durch die als Säure wirkenden positiv geladenen Wasserstoff H+-Ionen hervorgerufene Verstärkungseffekt kann durch das Einwirken von basisch wirkenden Funktionalitäten, die die Säure neutralisieren, gestört werden.
  • Lichtwellen, die durch die Resistschicht propagieren, können an der Grenzfläche zum unter der Resistschicht liegenden Substrat reflektiert werden. Die sich durch Reflektion ausbildenden stehenden Wellen in der Resistschicht wirken sich störend bei der Strukturübertragung in das Substrat aus. Um Rückreflektionen zu vermeiden, wird eine dielektrische Antireflektionsschicht auf das Substrat und auf die Antireflektionsschicht die Resistschicht aufgebracht.
  • Die üblicherweise mittels einer Gasphasenabscheidung in einer CVD (Chemical Vapour Deposition)-Anlage aufgebrachte dielektrische Antireflektionsschicht besteht im allgemeinen aus einer nicht stöchiometrischen Verbindung aus Silizium, Sauerstoff, Stickstoff und eventuell Wasserstoff. Wird die Resistschicht nun direkt auf die dielektrische Antireflektionsschicht aufgetragen, so kann es an einer Grenzfläche zwischen dielektrischer Antireflektionsschicht und Resistschicht zu einem Einfangen von Protonen in der Resistschicht durch NHx- und OH-Funktionalitäten an einer Oberfläche der Antireflektionsschicht kommen. In einem Bereich der Resistschicht nahe der Grenzfläche kann es durch das Einfangen der Protonen zu einer Verarmung an Säure kommen. Das hat zur Folge, dass in den Bereichen der Resistschicht, wo die Säure durch das Einfangen von Protonen neutralisiert wird, die Resistschicht bei der Entwicklung nicht mehr vollständig entfernt werden kann. Es bleiben Reste der Resistschicht nach der Entwicklung übrig. Diese Reste führen zu Effekten, die als Scumming und Footing bezeichnet werden.
  • In der 1 sind die beiden Effekte veranschaulicht. Die 1a zeigt einen Schichtstapel 6, bei dem auf dem Substrat 3 die dielektrische Antireflektionsschicht 1 und auf der Antireflektionsschicht die Resistschicht 2 aufgebracht sind. An einer Oberfläche 4 der Antireflektionsschicht 1 sind die NHx- und OH-Funktionalitäten durch kleine Kreise mit einem Minuszeichen veranschaulicht. In der Resistschicht 2 sind die durch Lichteinwirkung induzierten säurebildenden Protonen durch eingekreiste Pluszeichen dargestellt. Der Pfeil an den Funktionalitäten deutet freie Valenzen an. In der Nähe der Oberfläche 4 werden also Protonen neutralisiert, was zu einer Säureverarmung in dem Bereich führt.
  • Der durch die Säureverarmung hervorgerufene als Footing bezeichnete Effekt ist in der 1b dargestellt. Zu sehen ist die auf der Antireflektionsschicht 1 angeordnete Resistschicht 2, nach der Entwicklung. Ausgebildet sind zwei Linien 2a und ein Spalt 2b. Wie es der Figur zu entnehmen ist, weisen die Linien 2a im Bereich der Oberfläche 4 eine Verbreiterung auf. Diese Verbreiterung wird durch eine nicht vollständige Resistentwicklung aufgrund von Säureverarmung in dem Bereich verursacht. Die Verbreiterung der Linien wird auch als Footing bezeichnet. Die gestrichelte Linie unterhalb der Verbreiterungen deutet an, wie die Resistschicht 2 ohne den Footing-Effekt entwickelt werden müsste.
  • In der 1c ist der als Scumming bezeichnete Effekt veranschaulicht. Zu sehen ist die entwickelte Resistschicht 2 mit einer Linie 2a. Der Bereich rechts und links der Linie 2a ist bis auf die als Hügel und Täler angedeuteten Bereiche entfernt. Die Hügel und Täler werden genau wie beim Footing- Effekt durch Resistreste verursacht, die aufgrund einer unvollständigen Lackentwicklung, hervorgerufen durch Säureneutralisation, entstehen.
  • Footing- und Scumming-Effekte verhindern eine korrekte Übertragung der Strukturen in die Antireflektionsschicht, die bei dem Ätzschritt zur Strukturübertragung in das Substrat auch als Hartmaske verwendet wird.
  • SiON(H)-Schichten werden als Antireflektionsschichten eingesetzt, da sich optische Eigenschaften, wie Reflektion und Absorption durch den Siliziumgehalt der Schicht und durch die Schichtdicke einstellen lassen. Der Siliziumgehalt kann durch eine Variation der Gasflüsse in der CVD-Anlage eingestellt werden. Aufgrund einer höheren Ätzselektivität zum Substrat im Vergleich zur Resistschicht werden SiON-Schichten auch als Hartmaske bei einem Ätzprozess eingesetzt.
  • Zur Vermeidung der durch die Resistreste hervorgerufenen Scumming- und Footing-Effekte, die sich mit einer zunehmenden Verkleinerung der Strukturen bei der Strukturübertragung sehr nachteilig auswirken, können die an der Oberfläche der SiON-Antireflektionsschicht aktiven, die genannten Effekte hervorrufenden NH2- oder OH-Funktionalitäten durch eine Plasmabehandlung teilweise inaktiviert werden. Verschiedene Plasmabehandlungen zeigen zwar Verbesserungen, aber keine vollständige Vermeidung der genannten Effekte.
  • Daher wird herkömmlicherweise eine zusätzliche Barrierenschicht zur Vermeidung einer negativen Wechselwirkung zwischen Antireflektionsschicht und Resistschicht aufgebracht. Da durch die Plasmabehandlung die Oberfläche der Antireflektionsschicht polarisiert wird und dies zu einer schlechten Haftung von der auf die Oberfläche aufzubringenden Schicht führt, wird eine Behandlung mit einem Hexamethyldisilazan (HMDS) Haftvermittler durchgeführt. Der Haftvermittler verringert die Polarität der Oberfläche und ermöglicht dadurch das Aufbringen von weiteren Schichten.
  • Wie es der 2 zu entnehmen ist, weist ein herkömmlicher Schichtstapel 6 für eine Übertragung von Strukturen auf der Photomaske in das Substrat 3 mindestens drei Schichten auf. In der 2 ist das Substrat 3 dargestellt, auf das die stickstoffhaltige Antireflektionsschicht 1 abgeschieden wird. Auf der Antireflektionsschicht 1 befindet sich die dargestellte Barrierenschicht 5, die eine Wechselwirkung zwischen stickstoffhaltiger Antireflektionsschicht 1 und Resistschicht 2, die auf der Barrierenschicht aufgebracht ist, verhindern soll.
  • Mit dem aus drei Schichten bestehenden Schichtstapel, der die Schichtenfolge Antireflektionsschicht, Barrierenschicht und chemisch verstärkte Resistschicht aufweist, ist es nur schwer möglich, die optischen Eigenschaften der einzelnen Schichten genau aufeinander abzustimmen. Weiterhin treten noch immer schädigende Wechselwirkungen von basisch wirkenden NHx- und OH-Funktionalitäten, die durch die Barrierenschicht auf die Resistschicht einwirken, auf. Ein weiterer wesentlicher Nachteil besteht darin, dass das Aufbringen eines aus vielen Schichten bestehenden Schichtstapels eine aufwändigere Prozessierung erfordert, als das Aufbringen eines Schichtstapels, der eine geringere Anzahl von Schichten aufweist.
  • Um die trotz der Barrierenschicht auftretenden Wechselwirkungen zwischen basischen NHx-Funktionalitäten und der Resistischicht zu vermeiden, wurden stickstofffreie Antireflektionsschichten vorgeschlagen. Aber auch bei diesen Antireflektionsschichten bildeten sich Scumming- und Footing-Effekte in der entwickelten Resistschicht aus. Hervorgerufen werden diese Effekte durch OH-Funktionalitäten, die sich an die Oberfläche der Antireflektionsschichten beispielsweise durch Wasseradsorption anlagern, mit der Resistschicht wechselwirken und die Säuren neutralisieren.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein vereinfachtes Verfahren zum Aufbringen eines photoaktiven Schichtstapels auf ein Substrat zur Verfügung zu stellen, bei dem eine gegenüber herkömmlichen Schichtstapeln verbesserte Strukturausbildung in einer Resistschicht auch bei Belichtungswellenlängen unterhalb von 248 Nanometern erfolgt. Von der Aufgabe wird weiterhin ein mit dem Verfahren hergestellter Schichtstapel umfasst.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch einen photoaktiven Schichtstapel gemäß Patentanspruch 11. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
  • Es wird ein Verfahren zum Aufbringen eines photoaktiven Schichtstapels auf ein Substrat für eine Übertragung von Strukturen auf einer Photomaske in das Substrat zur Verfügung gestellt. Zur Durchführung des Verfahrens wird das Substrat, das beispielsweise ein Halbleiterwafer, oder eine auf den Halbleiterwafer aufgebrachte Schicht sein kann, bereitgestellt. Auf das Substrat wird eine stickstofffreie dielektrische Antireflektionsschicht aufgebracht, wobei erfindungsgemäß Prozessbedingungen zum Aufbringen der Antireflektionsschicht in der Weise vorgesehen werden, dass die Antireflektionsschicht durch eine nicht stöchiometrische Silanoxidschicht SixOy mit einer Oberfläche mit einer genügend geringen Oberflächenaktivität zum erfolgreichen Ausführen eines folgenden Verfahrensschrittes ausgebildet wird. Bei dem folgenden Ver fahrensschritt wird erfindungsgemäß eine photoaktive Resistschicht auf die Oberfläche der Antireflektionsschicht aufgebracht.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die Prozessbedingungen zum Abscheiden der Antireflektionsschicht so eingestellt, dass die Oberfläche der Antireflektionsschicht eine genügend geringe Oberflächenaktivität aufweist. Unter der geringen Oberflächenaktivität wird hier verstanden, dass sich im Vergleich zu herkömmlichen Oberflächen nur wenige freie Valenzen ausbilden, an die sich beispielsweise basisch wirkende OH-Funktionalitäten anlagern, die dann eine Strukturentwicklung in der Resistschicht stören.
  • Da sich nur noch wenige wasserstoffhaltige Adsorbate an der Oberfläche bilden, kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auf weitere Behandlungen der Oberfläche zum Absättigen der wasserstofftragenden Adsorbate, beispielsweise mit Lachgas oder mit einem sauerstoffhaltigen Plasma, verzichtet werden. Die Behandlung mit Sauerstoff hat eine Polarisierung der Oberfläche zur Folge. Eine polarisierte Oberfläche weist eine schlechte Haftung für die aufzubringende photoaktive Resistschicht oder für andere Schichten auf. Aus diesem Grunde wird herkömmlicherweise eine Behandlung mit einem Haftvermittler durchgeführt, der die Oberfläche wieder entpolarisiert. Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Behandlung zur Inaktivierung der Oberfläche nicht mehr nötig ist, kann auch auf die Behandlung mit dem Haftvermittler verzichtet werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden dadurch Prozessschritte eingespart und damit das gesamte Verfahren vereinfacht.
  • Auf die Oberfläche der dielektrischen Antireflektionsschicht kann nun direkt die photoaktive Resistschicht aufgebracht werden. Daraus ergibt sich ein aus zwei Schichten bestehender photoaktiver Schichtstapel, der gegenüber herkömmlichen aus drei Schichten bestehenden photoaktiven Schichtstapeln für lithographische Abbildungsprozesse mit Wellenlängen unterhalb von 248 Nanometer mehrere Vorteile aufweist. Wie sich gezeigt hat, treten bei dem erfindungsgemäß aufgebrachten Schichtstapel aufgrund der geringen Oberflächenaktivität der Antireflektionsschicht keine Scumming- und Footing-Effekte bei der Strukturausbildung in der Resistschicht mehr auf. Ein bei herkömmlich aufgebrachten Antireflektionsschichten beobachteter Alterungseffekt, also eine Änderung der Eigenschaften der Antireflektionsschicht mit der Zeit, der die weitere Prozessierung erschwert, wurde bei der erfindungsgemäß aufgebrachten Antireflektionsschicht nicht mehr beobachtet. Ein Verfahren, bei dem zur Ausbildung eines photoaktiven Schichtstapels nur zwei Schichten aufgebracht werden, ist im Vergleich zu einem Verfahren, bei dem drei Schichten aufgebracht werden, weniger aufwändig. Das Prozessfenster für einen lithographischen Abbildungsprozess mit Wellenlängen unterhalb von 248 Nanometer wird gegenüber dem herkömmlichen aus drei Schichten bestehenden photoaktiven Schichtstapel vergrößert. Die optischen Eigenschaften von zwei Schichten lassen sich leichter aufeinander abstimmen, als die optischen Eigenschaften von drei Schichten. Beispielsweise können der Brechungsindex n und die mit dem Brechungsindex verknüpfte Dielektrizitätskonstante k direkt zwischen den beiden Schichten angeglichen werden.
  • Vorzugsweise wird zur Ausbildung der photoaktiven Resistschicht eine chemisch verstärkte Resistschicht aufgebracht. Mit der chemisch verstärkten Resistschicht kann der photoaktive Schichtstapel beispielsweise für eine 193 Nanometer Lithographie zur Ausbildung von Strukturen im Bereich von 90 Nanometern angewendet werden.
  • In vorteilhafter Weise wird die Antireflektionsschicht in einer PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)-Anlage unter Ausschluss von stickstoffhaltigen Gasen abgeschieden. Das Abscheiden in einer PECVD-Anlage stellt eine plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung dar. Werden die gasförmigen Reaktionskomponenten bei einer CVD-Abscheidung in einem Plasma angeregt, so spricht man von einer PECVD-Abscheidung.
  • Vorteilhafterweise wird zur Abscheidung der Antireflektionsschicht als eine Gaskomposition in der PECVD-Anlage ein sauerstoffhaltiges Gas, ein Silangas und ein Edelgas, vorgesehen.
  • Vorzugsweise wird als das sauerstoffhaltige Gas ein CO2-Gas und als das Edelgas Helium vorgesehen.
  • Zum Zünden des Plasmas in der PECVD-Anlage wird vorzugsweise eine Hochfrequenzleistung mit 13,56 MHz im Bereich von 50 bis 125 Watt eingekoppelt.
  • Der Kammerdruck in der PECVD-Anlage wird vorzugsweise mit einem Wert zwischen 5 und 7 Torr vorgesehen.
  • In vorteilhafter Weise werden Werte für Gasflüsse in die PECVD-Anlage aus folgenden Wertebereichen vorgesehen: Der Gasfluss von Silan in einem Bereich zwischen 10 und 25 sccm (Standardkubikzentimeter pro Minute), der Gasfluss von CO2 in einem Bereich zwischen 250 bis 500 sccm und von Helium in einem Bereich zwischen 2000 und 3000 sccm.
  • Der Abstand zwischen dem mit der Antireflektionsschicht zu beschichtenden Substrat und der Gasverteilungseinheit kann zwischen 7,62 bis 15,24 millimeter variieren.
  • In vorteilhafter Weise wird nach einem Entfernen der photoaktiven Resistschicht zur erneuten Herstellung der geringen Oberflächenaktivität für ein erneutes Aufbringen einer photoaktiven Resistschicht auf die Oberfläche, die Oberfläche durch einen reduktiven Prozessschritt in ihren ursprünglichen Zustand zurückversetzt.
  • Treten bei der Abbildung von Strukturen auf die photoaktive Resistschicht Fehler auf, so wird üblicherweise die Resistschicht mit Hilfe einer nasschemischen Behandlung mit einer sogenannten Piranha-Lösung (Schwefelsäure/Wasserstoffperoxid) entfernt. Möglich ist auch eine Veraschung der Resistschicht in einem Sauerstoffplasma.
  • Nachdem die belichtete Resistschicht entfernt ist, wird eine neue Resistschicht aufgebracht und belichtet. Es zeigte sich, dass bei dem herkömmlichen Prozess bei der erneuten Belichtung der neuen Resistschicht eine erhöhte Rauhigkeit der Strukturwände auftrat. Dieses Phänomen ist bei der nasschemischen Anwendung stärker ausgeprägt. Weiterhin zeigte sich, dass ein Aufbringen der neuen Resistschicht ohne eine vorhergehende Behandlung der Antireflektionsschicht mit dem Haftvermittler HMDS nicht mehr möglich ist. Die neue Resistschicht haftet nur noch mit einer HMDS-Vorbehandlung zur Verringerung der Polarität der Oberfläche.
  • Eine mögliche Ursache für diese Effekte ist eine Änderung der Eigenschaften der Oberfläche der stickstofffreien Antireflektionsschicht durch den Einfluss von Sauerstoff auf die Oberfläche bei der Entfernung der Resistschicht.
  • Durch die Einführung des erfindungsgemäßen reduktiven Schrittes nach dem Entfernen der belichteten ersten Resistschicht wird die durch Oxidation veränderte Oberfläche der stickstofffreien Antireflektionsschicht in ihren ursprünglichen Zustand zurückversetzt. Die oxidative Passivierung der Oberfläche wird rückgängig gemacht.
  • Es konnte gezeigt werden, dass die Einführung des reduktiven Schrittes nach dem standardmäßigen Entfernen der belichteten ersten Resistschicht eine lithographische Performance bei erneuter Resistbeschichtung und Belichtung bewirkt, die vergleichbar zu der lithographischen Performance der ersten Resistschicht ist. Das bedeutet, dass eine mögliche Rauhigkeit der Strukturwände in der neuen Resistschicht sich nicht von der Rauhigkeit der Strukturwände in der belichteten ersten Resistschicht unterscheiden.
  • Auch eine Dosisverschiebung bei der Belichtung der neuen Resistschicht, die nach dem herkömmlichen Entfernen der belichteten ersten Resistschicht ohne reduktiven Schritt beobachtet wurde, wird durch den reduktiven Schritt rückgängig gemacht. Es hat sich gezeigt, dass mit der reduktiven Behandlung die Haftung der photoaktiven Resistschicht auf der stickstofffreien Antireflektionsschicht entscheidend verbessert wird.
  • Vorzugsweise wird der reduktive Prozessschritt mittels einer Behandlung der Oberfläche mit verdünnter Flusssäure durchgeführt. Der das zu strukturierende Substrat aufweisende Halbleiterwafer kann beispielsweise in einfacher Weise in ein Bad aus Flusssäure getaucht werden.
  • Es wird ein photoaktiver Schichtstapel auf einem Substrat für eine Übertragung von Strukturen auf einer Photomaske in das Substrat zur Verfügung gestellt. Erfindungsgemäß weist der photoaktive Schichtstapel zwei Schichten, eine stickstofffreie dielektrische Antireflektionsschicht und eine chemisch verstärkte Resistschicht auf und ist mit dem erfindungsgemäßen Verfahren aufgebracht worden. Durch das erfindungsgemäße Aufbringen der Antireflektionsschicht werden die für eine Strukturausbildung in der Resistschicht störenden Scumming- und Footing-Effekte ohne ein Aufbringen einer zusätzlichen Barrierenschicht zwischen Antireflektionsschicht und Resistschicht, weitgehend vermieden. Mit dem photoaktiven Schichtstapel der nur aus zwei Schichten besteht, können die optischen Eigenschaften, die durch den Brechungsindex n und der mit dem Brechungsindex verknüpften Dielektrizitätskonstante k definiert sind, gut aufeinander abgestimmt werden. Das Prozessfenster für die lithographische Abbildung ist bei dem erfindungsgemäßen Schichtstapel im Vergleich zu herkömmlichen aus drei Schichten bestehenden Schichtstapeln erweitert. Der erfindungsgemäße Schichtstapel eignet sich besonders für die lithographische Abbildung von Strukturen mit einer Lichtwellenlänge von 193 Nanometern.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 Eine schematische Veranschaulichung von Scumming- und Footing-Effekt,
  • 2 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen Schichtstapels und
  • 3 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen Schichtstapels.
  • Die 1 und 2 sind in der Beschreibungseinleitung bereits erläutert worden.
    •
  • Die 3 zeigt einen erfindungsgemäßen Schichtstapel 6 für eine photolithographische Übertragung von Strukturen auf einer Photomaske in das Substrat 3. Zu sehen ist der Schichtstapel 6, der aus aus zwei Schichten besteht, einer stickstofffreien, dielektrischen Antireflektionsschicht 1 und einer chemisch verstärkten photoaktiven Resistschicht 2. Die Antireflektionsschicht 1 wurde in einer PECVD-Anlage unter Bedingungen abgeschieden bei denen sich eine nicht stöchiometrische Silanoxidschicht SixOy ausbildet. Diese Bedingungen werden durch einzustellende Parameter an der PECVD-Anlage, wie Druck, Leistung, Gasflüsse, erzeugt. Die Parameter sind so gewählt, dass eine Oberfläche 4 der nicht stöchiometrischen Silanoxidschicht mit einer geringen Oberflächenaktivität ausgebildet wird. Aufgrund der geringen Oberflächenaktivität lässt sich direkt auf die Oberfläche 4 der Antireflektionsschicht 1 die Resistschicht 2 aufbringen.
  • Der 3 sind das Substrat 3, die Antireflektionsschicht 1 mit der Oberfläche 4 und die Resistschicht 2 entnehmbar.
  • Um die Antireflektionsschicht 1 in der PECVD-Anlage abzuscheiden, können die Parameter beispielsweise folgendermaßen gewählt werden: Kammerdruck 6 Torr, eingekoppelte Hochfrequenzleistung bei einer Frequenz von 13,56 MHz, 100 W, Abstand zwischen Gasverteilungseinheit zu Substrat 9,906 millimeter, Silanfluss 21 sccm, Kohlendioxidfluss 500 sccm, Helium 2500 sccm.
  • Wird die Antireflektionsschicht 1 unter den genannten Bedingungen abgeschieden, so bildet sich die stickstofffreie Antireflektionsschicht 1 mit der genügend geringen Oberflächenaktivität zum erfolgreichen Aufbringen der Resistschicht 2 aus. Obwohl bei dem Schichtstapel 6 gemäß 3 auf eine Barrierenschicht 5, wie sie bei herkömmlichen Schichtstapeln 6 vor gesehen ist, verzichtet wurde, weist die Resistschicht 2 im erfindungsgemäßen Schichtstapel 6, aufgrund der geringen Oberflächenaktivität der Antireflektionsschicht, keine oder deutlich verringerte Scumming- und Footing-Effekte auf.
    • 1
    Antireflektionsschicht
    2
    Resistschicht
    2a
    Linie
    2b
    Spalt
    3
    Substrat
    4
    Oberfläche
    5
    Barrierenschicht
    6
    Schichtstapel

Claims (12)

  1. Verfahren zum Aufbringen eines photoaktiven Schichtstapels (6) auf ein Substrat (3) für eine Übertragung von Strukturen auf einer Fotomaske in das Substrat (3), umfassend die Schritte: a) Bereitstellen des Substrats (3), b) aufbringen einer stickstofffreien, dielektrischen Antireflektionsschicht (1) auf das Substrat (3), wobei Prozessbedingungen zum Aufbringen der Antireflektionsschicht (1) in der Weise vorgesehen werden, dass die Antireflektionsschicht (1) durch eine nicht stöchiometrische Silanoxidschicht SixOy mit einer Oberfläche (4) mit einer genügend geringen Oberflächenaktivität zum Ausführen von Schritt c) ausgebildet wird und c) aufbringen einer photoaktiven Resistschicht (2) auf die Oberfläche (4) der Antireflektionsschicht (1).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausbildung der photoaktiven Resistschicht (2), eine chemisch verstärkte Resistschicht (2) aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Antireflektionsschicht (1) in einer PECVD-Anlage unter Ausschluß von stickstoffhaltigen Gasen abgeschieden wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zur Abscheidung der Antireflektionsschicht (1) als eine Gaskomposition in der PECVD-Anlage ein sauerstoffhaltiges Gas, ein Silangas und ein Edelgas vorgesehen wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als das sauerstoffhaltige Gas ein CO2-Gas vorgesehen wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass als das Edelgas Helium vorgesehen wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in die PECVD-Anlage eine Hochfrequenzleistung mit 13,56 MHz im Bereich von 50 bis 125 Watt eingekoppelt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Druck in der PECVD-Anlage mit einem Wert zwischen 5 und 7 Torr vorgesehen wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass Werte für Gasflüsse in der PECVD-Anlage aus folgenden Wertebereichen vorgesehen werden: Der Gasfluß von Silan in einem Bereich zwischen 10 und 25 sccm, von CO2 in einem Bereich zwischen 250 bis 500 sccm und von He in einem Bereich zwischen 2000 und 3000 sccm.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach einem Entfernen der photoaktiven Resistschicht (2) zur erneuten Herstellung der geringen Oberflächenaktivität für ein erneutes Aufbringen einer photoaktiven Resistschicht (2) auf die Oberfläche (4), die Oberfläche (4) durch einen reduktiven Prozessschritt in ihren ursprünglichen Zustand zurückversetzt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der reduktive Prozessschritt mittels einer Behandlung der Oberfläche (4) mit verdünnter Flußsäure durchgeführt wird.
  12. Photoaktiver Schichtstapel (6) auf einem Substrat (3) für eine Übertragung von Strukturen auf einer Fotomaske in das Substrat (3), dadurch gekennzeichnet, dass der photoaktive Schichtstapel (6) zwei Schichten, eine stickstofffreie, dielektrische Antireflektionsschicht (1) und eine chemisch verstärkte Resistschicht (2) aufweist und mit einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 aufgebracht worden ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006046381A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Verringerung der Lackvergiftung während der Strukturierung verspannter stickstoffenthaltender Schichten in einem Halbleiterbauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040009676A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
US6720251B1 (en) * 2001-06-28 2004-04-13 Novellus Systems, Inc. Applications and methods of making nitrogen-free anti-reflective layers for semiconductor processing
US20040087139A1 (en) * 2002-11-04 2004-05-06 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6720251B1 (en) * 2001-06-28 2004-04-13 Novellus Systems, Inc. Applications and methods of making nitrogen-free anti-reflective layers for semiconductor processing
US20040009676A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
US20040087139A1 (en) * 2002-11-04 2004-05-06 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MOREAU,Wayne M.: Semiconductor Lithography, Principles Practices, and Materials. New York, Plenum Press, 1988, S.646-651. ISBN 0-306-42185-2 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006046381A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Verringerung der Lackvergiftung während der Strukturierung verspannter stickstoffenthaltender Schichten in einem Halbleiterbauelement
DE102006046381B4 (de) * 2006-09-29 2009-08-27 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Verringerung der "Lackvergiftung" während der Strukturierung verspannter stickstoffenthaltender Schichten in einem Halbleiterbauelement
US7871941B2 (en) 2006-09-29 2011-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method for reducing resist poisoning during patterning of stressed nitrogen-containing layers in a semiconductor device

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