DE102004019609B3 - Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierung auf einem Träger (10), die eine erste und wenigstens eine zweite Metallisierungsschicht (2) aufweist, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte umfasst:
- Aufbringen einer ersten Metallisierungsschicht (1) zumindest abschnittsweise auf den Träger (10),
- Aufbringen einer ersten Maskenschicht (21) zumindest abschittsweise auf der ersten Metallisierungsschicht (1),
- Strukturieren der ersten Maskenschicht (21),
- Aufbringen einer zweiten Metallisierungsschicht (2) auf der ersten Metallisierungsschicht (1) und der strukturierten Maskenschicht (21),
- zumindest abschnittsweises Entfernen der zweiten Metallisierungsschicht (2) oberhalb der strukturierten ersten Maskenschicht (21) und Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (1) unter Verwendung der strukturierten ersten Maskenschicht (21).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierung mit mindestens zwei Metallisierungsschichten auf einem Träger, insbesondere einem Halbleiterkörper.
  • Derartige Verfahren werden beispielsweise bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen eingesetzt, wenn diese zur inneren Verschaltung mit einer Leiterbahnstruktur oder zur äußeren Kontaktierung mit einer Metallisierung versehen werden sollen.
  • Bei herkömmlichen Verfahren wird dabei zunächst eine erste Metallisierungsschicht auf dem Träger abgeschieden und strukturiert, d.h. in bestimmten Bereichen ganz oder teilweise entfernt.
  • Auf der so strukturierten ersten Metallisierungsschicht wird anschließend eine Oxidschicht abgeschieden, die als Ätzbarriere für eine nasschemische Ätzung oder als elektrische Isolierung der ersten Metallisierungsschicht verwendet wird.
  • Vor dem Abscheiden einer weiteren Metallisierungsschicht muss die Oxidschicht noch an bestimmten Stellen zur Herstellung elektrisch leitender Verbindungen geöffnet werden, was separate, sowohl fototechnische als auch ätztechnische Verfahrensschritte erfordert. Derartige separate Verfahrensschritte sind allerdings relativ kostenintensiv.
  • Aus der US 6,518,154 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bekannt, das wenigstens zwei metallisierte Gate-Elektroden unterschiedlicher Zusammensetzung aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Träger, eine metallische Deckschicht, eine Maskenschicht sowie eine zweite metallische Deckschicht. Dabei wird die erste Deckschicht unter Verwendung der Maskenschicht dadurch strukturiert, dass sie in ihren nicht von der Maskenschicht bedeckten Bereichen mit der zweiten Deckschicht in Folge einer Wärmebehandlung eine Legierung eingeht.
    •
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierung zur Verfügung zu stellen, bei dem die Anzahl der erforderlichen Verfahrensschritte bei gleichen Anforderungen an die Strukturfeinheit gegenüber dem Stand der Technik reduziert ist.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine auf einem Träger angeordnete, strukturierte Metallisierung hergestellt. Diese strukturierte Metallisierung umfasst eine erste und wenigstens eine zweite Metallisierungsschicht. Dabei umfasst das Verfahren folgende Verfahrensschritte:
    Auf einen Träger, der beispielsweise als Wafer oder als Halbleiterkörper ausgebildet sein kann, wird zunächst zumindest abschnittweise eine erste Metallisierungsschicht, beispielsweise aus Aluminium, auf den Träger aufgebracht. Danach wird eine erste Maskenschicht zumindest abschnittsweise auf die bevorzugt noch unstrukturierte erste Metallisierungsschicht aufgebracht.
  • Nach dem Strukturieren dieser ersten Maskenschicht, das beispielsweise durch einen fototechnischen Verfahrensschritt gefolgt von einem ätztechnischen Verfahrensschritt erfolgen kann, wird eine zweite Metallisierungsschicht auf der ersten Metallisierungsschicht sowie der ebenfalls strukturierten Maskenschicht aufgebracht.
  • Anschließend wird die zweite Metallisierungsschicht zumindest abschnittsweise oberhalb der strukturierten ersten Maskenschicht entfernt. Damit ist die strukturierte erste Maskenschicht in diesem Bereich an der Oberfläche angeordnet und wird nachfolgend zum Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht, beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens, verwendet.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, die zweite Metallisierungsschicht vor der ersten Metallisierungsschicht zu strukturieren.
  • Die verschiedenen bei dem erfindungsgemäßen Verfahren angewandten Strukturierungsschritte erfolgen vorzugsweise unter Verwendung einer Maske, die oberhalb der jeweils zu strukturierenden Schicht angeordnet ist und die bevorzugt mittels eines fototechnischen Verfahrens erzeugt wurde. Die Entfernung der nicht von einer Maske bedeckten Bereiche einer zu strukturierenden Schicht erfolgt bevorzugt durch ein Ätzverfahren. Hierbei lässt sich zwischen nass- und trockenchemischen Ätzverfahren unterscheiden.
  • Für die nasschemischen Ätzverfahren wird ein flüssiges Ätzmittel verwendet, welches das zu strukturierende Material in den nicht von der Maske bedeckten Bereichen entfernt, die Maske jedoch unverändert lässt. Allerdings wird dabei das zu strukturierende Material auch im Randbereich unterhalb der Maske entfernt, da das flüssige Ätzmittel ausgehend von der Maskenöffnung in lateraler Richtung auch ein Stück weit in den Bereich unterhalb der Maske eindringen kann.
  • Bei den trockenchemischen Ätzverfahren wird ein Plasmagas mit Teilchen verwendet, die durch die von der Maske freigelassenen Bereiche hindurchtreten und mit dem Material der zu strukturierenden Schicht reagieren. Abhängig vom Grad der Anisotropie des für das trockenchemische Verfahren verwendeten Plasmagases erfolgt die Entfernung des zu strukturierenden Materials mehr oder weniger gerichtet. Je höher die Anisotropie ist, desto einheitlicher ist die Bewegungsrichtung der ätzenden Teilchen des Plasmagases. Als trockenchemisches Ätzverfahren eignet sich beispielsweise das unter RIE bekannte Reaktive Ionen-Ätzen (RIE = Reactive Ion Etching).
  • Damit nur das zu strukturierende Material von den ätzenden Chemikalien abgetragen wird, müssen die Chemikalien insbeson dere an die zu strukturierenden Materialien angepasst werden. Entsprechend muss das Material der für den jeweiligen Strukturierungsschritt verwendeten Masken so gewählt sein, dass sie von den in diesem Strukturierungsschritt verwendeten ätzenden Chemikalien nicht beeinträchtigt werden.
  • In bestimmten Fällen kann es vorteilhaft sein, vor dem Aufbringen der zweiten Metallisierungsschicht wenigstens eine Zwischenschicht auf die erste Metallisierungsschicht und die strukturierte erste Maskenschicht aufzubringen.
  • Dabei ist bevorzugt eine Zwischenschicht als Ätzstoppschicht ausgebildet. Besonders bevorzugt ist die letzte vor dem Aufbringen der zweiten Metallisierungsschicht aufgebrachte Zwischenschicht als Ätzstoppschicht ausgebildet, die so gewählt ist, dass sie von der für die Entfernung der zweiten Metallisierungsschicht vorgesehenen ätzenden Flüssigkeit nicht beeinträchtigt wird, jedoch mittels eines trockenchemischen Ätzvorgangs entfernt werden kann. Damit ist es möglich, zunächst die zweite Metallisierungsschicht mittels der ätzenden Flüssigkeit bis zur Ätzstoppschicht zu entfernen, und anschließend die Ätzstoppschicht sowie die darunter angeordnete erste Metallisierungsschicht mittels eines oder mehrerer trockenchemischer Ätzschritte zu entfernen bzw. zu strukturieren. Hieraus ergibt sich insbesondere dann ein Vorteil, wenn die zweite Metallisierungsschicht eine große Dicke aufweist, da das ätztechnische Strukturieren mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens wesentlich einfacher und vor allem schneller möglich ist als mittels eines trockenchemischen Ätzverfahrens.
  • Andererseits lässt sich mit einem trockenchemischen Ätzverfahren, insbesondere wenn dieses eine hohe Anisotropie aufweist, eine wesentlich höhere Strukturfeinheit erreichen als mit einem nasschemischen Ätzverfahren.
  • Die nasschemischen Ätzverfahren eigenen sich also besonders zur Strukturierung von Metallisierungsschichten, die eine große Dicke beispielsweise zur Erzielung einer hohen Stromtragfähigkeit aufweisen, während dünne Metallisierungsschichten, wie sie z.B. überwiegend zur Herstellung von Steuerleitungen zwischen verschiedenen Chipkomponenten vorgesehen sind, bevorzugt mit trockenchemischen Ätzverfahren hoher Anisotropie strukturiert werden.
  • Die Ätzstoppschicht kann sowohl elektrisch leitend als auch elektrisch isolierend ausgebildet sein, je nachdem, ob die erste und zweite Metallisierungsschicht mittels der Ätzstoppschicht leitend miteinander verbunden werden sollen oder nicht.
  • Anstelle der Ätzstoppschicht oder zusätzlich zu einer Ätzstoppschicht kann, ebenfalls zwischen der ersten und zweiten Metallisierungsschicht, zumindest bereichsweise eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht werden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand der beigefügten Figuren näher erläutert. In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung. Es zeigen:
  • 1a–r die Herstellung einer strukturierten Metallisierung auf einem Träger mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem zunächst die zweite Metallisierungsschicht mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens und dann die erste Metallisierungsschicht mittels eines trockenchemischen Ätzverfahrens strukturiert werden, und
  • 2a–g ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierungsschicht gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren, bei dem die Struk turierung der ersten und der zweiten Metallisierungsschicht mittels eines einzigen Ätzvorgangs erfolgt.
    •
  • 1a zeigt einen Träger 10, der als Halbleiterkörper, insbesondere als Wafer, ausgebildet sein kann. Darauf wird, wie in 1b dargestellt, eine erste Metallisierungsschicht 1, bevorzugt aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, aufgebracht. Dies geschieht beispielsweise mittels eines CVD (CVD = chemical vapor deposition) oder bevorzugt eines PVD (PVD = physical vapor deposition) Prozesses, in dem Teilchen des abzuscheidenden Materials aus der Gasphase chemisch oder physikalisch auf dem Halbleiterkörper abgeschieden werden.
  • Auf die vorzugsweise noch unstrukturierte erste Metallisierungsschicht 1 wird gemäß 1c eine als Hartmaske ausgebildete erste Maskenschicht 21, z.B. mittels eines PECVD-Prozesses (PECVD = plasma enhanced chemical deposition), aufgebracht. Die Hartmaske wird während eines späteren Ätzschrittes verwendet, um die darunter angeordnete erste Metallisierungsschicht 1 zu strukturieren.
  • Die Wahl des für die Hartmaske verwendeten Materials hängt von verschiedenen Parametern wie beispielsweise dem Material und der Dicke der zu ätzenden ersten Metallisierungsschicht 1, dem vorgesehenen Ätzverfahren oder die erforderlichen Prozessparameter wie Temperatur bei der Herstellung einer Hartmaske aus dem betreffenden Material. Metalle wie z.B. Wolfram können ebenso eingesetzt werden wie Isolatoren.
  • Bevorzugt eignet sich beispielsweise eine Schicht aus einem Silizium-Oxid (SiOx), die z.B. durch eine Abscheidung von Silan (SiH4) hergestellt ist, aus einem Silizium-Oxid-Nitrid (SiON) oder aus einer Kombination derartiger Schichten. Die Dicke der ersten Maskenschicht 21 hängt insbesondere von der Dicke der zu ätzenden ersten Metallisierungsschicht 1 und dem vorgesehenen Ätzverfahren ab.
  • Auf diese erste Maskenschicht 21 wird bevorzugt mittels eines fototechnischen Verfahrens eine zweite Maskenschicht 22 aufgebracht, die beispielsweise aus einem auf die erste Maskenschicht 21 aufgeschleuderten Fotolack gebildet sein kann.
  • Bei dem fototechnischen Verfahren wird zunächst eine Fotolackschicht auf die erste Maskenschicht 21 aufgebracht. In einem Belichtungsvorgang wird eine vorgesehene Maskenstruktur auf die Fotolackschicht abgebildet. Anschließend werden die Bereiche der Fotolackschicht, die später die zweite Maskenschicht 22 bilden, fixiert, während die übrigen Bereiche entfernt werden. Damit ist die zweite Maskenschicht 22, wie in 1d dargestellt, strukturiert.
  • Anschließend wird die erste Maskenschicht 21 mittels eines Ätzvorgangs, bevorzugt mittels eines Trockenätzvorgangs nach dem RIE-Verfahren, strukturiert, wobei als Maske die zweite Maskenschicht 22 verwendet wird. Das Ergebnis dieses Verfahrensschrittes ist in 1e dargestellt. Anschließend wird die zweite Maskenschicht 22 verascht und damit entfernt.
  • Mit den bisherigen Schritten wurde, wie in 1f gezeigt, auf den Träger 10 eine erste Metallisierungsschicht 1 aufgebracht, die mit einer strukturierten ersten Maskenschicht 21 versehen ist.
  • Danach wird auf der ersten Metallisierungsschicht 1 und der darauf angeordneten strukturierten ersten Maskenschicht 21 eine Ätzstoppschicht 30 abgeschieden. Als Verfahren hierzu eignet sich beispielsweise einer der bereits erwähnten PVD-, CVD- oder PECVD-Prozesse. Das Ergebnis dieses Verfahrensschrittes ist in 1g dargestellt. Die Ätzstoppschicht 30 ist gegenüber dem flüssigen Ätzmittel, mit dem eine später aufgebrachte zweite Metallisierungsschicht strukturiert wer den soll, resistent, kann allerdings mittels eines trockenchemischen Ätzverfahrens strukturiert werden.
  • Auf die Ätzstoppschicht 30 wird eine zweite Metallisierungsschicht 2 aufgebracht, die bevorzugt aus Aluminium, einer Legierung davon oder aus dem Material der ersten Metallisierungsschicht 21 gebildet ist. Das Ergebnis dieses Schrittes ist in 1h gezeigt. In dem Beispiel ist die zweite Metallisierungsschicht 2 dicker ausgebildet als die erste Metallisierungsschicht 1.
  • Anschließend wird, bevorzugt mittels des bereits oben näher beschriebenen fototechnischen Verfahrens, eine dritte Maskenschicht 23 zumindest abschnittweise auf die zweite Metallisierungsschicht 2 aufgebracht. Das Ergebnis ist in 1i zu sehen.
  • Nachfolgend wird die zweite Metallisierungsschicht 2 mittels eines nasschemischen Ätzvorgangs in den Bereichen, die nicht von der dritten Maskenschicht 23 abgedeckt sind, entfernt, was im Ergebnis in 1k dargestellt ist. Unvermeidlich werden auch Bereiche der zweiten Metallisierungsschicht 2 entfernt, die unterhalb der dritten Maskenschicht 23 in deren Randbereich gelegen sind, da das nasschemische Ätzmittel in lateraler Richtung noch ein Stück weit unter die dritte Maskenschicht 23 eindringen kann.
  • Die Ätzstoppschicht 30 schützt die erste Metallisierungsschicht 1 vor dem zur Ätzung verwendeten flüssigen Ätzmittel.
  • Mittels eines nachfolgenden trockenchemischen Ätzverfahrens, beispielsweise eines RIE-Verfahrens, wird die Ätzstoppschicht 30 unter Verwendung der strukturierten dritten Maskenschicht 23 zumindest bereichsweise entfernt. Dabei bleibt die strukturierte erste Maskenschicht 21 erhalten, was im Ergebnis in 1l dargestellt ist.
  • Danach wird die erste Metallisierungsschicht 1 strukturiert, wobei die Strukturierung unter Verwendung der strukturierten ersten Maskenschicht 21 und der strukturierten dritten Maskenschicht 23 unter Anwendung eines Trockenätzverfahrens, z.B. eines RIE-Verfahrens, erfolgt. Das Ergebnis ist in 1m dargestellt.
  • Bei einem entsprechend eingestelltem RIE-Verfahren kann das zumindest bereichsweise Entfernen der Ätzstopschicht sowie das Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht auch in einem gemeinsamen Ätzschritt erfolgen.
  • Nach dem Entfernen der strukturierten dritten Maskenschicht 23 ist die Strukturierung der ersten und zweiten Metallisierungsschicht 1, 2 im Wesentlichen abgeschlossen. Das Resultat der bis dahin ausgeführten Verfahrensschritte ist in 1n dargestellt.
  • Anschließend kann noch zum Schutz gegen eine mechanische oder chemische Beschädigung eine in 1p dargestellte, geschlossene Passivierungsschicht 40 aufgebracht werden. Die Passivierungsschicht 40 kann auch aus mehreren Teilschichten 40a, 40b aufgebaut sein. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Passivierungsschicht 40 aus zwei Teilschichten 40a, 40b. Dabei wird zunächst die Teilschicht 40a und anschließend die Teilschicht 40b aufgebracht. Die Teilschicht 40a kann z. B. als Oxid-Teilschicht ausgebildet sein und als Haftvermittler für die beispielsweise als Nitrid-Teilschicht ausgebildete Teilschicht 40b dienen. Um einen möglichst vollständigen Schutz zu erreichen, wird die Passivierungsschicht 40 nicht nur auf der Oberseite sondern auch auf den Seitenwänden der nach der Herstellung der strukturierten Metallisierung vorliegenden Struktur abgeschieden. Die Abscheidung der Passivierungsschicht erfolgt beispielsweise in einem CVD- oder PECVD-Prozess, in dem bevorzugt zunächst ein Oxid, beispielsweise ein Silizium-Oxid, als Haftvermittler und anschließend ein Nitrid abgeschieden wird.
  • Um bestimmte Bereiche der strukturierten Metallisierung von außen elektrisch kontaktieren zu können, ist es erforderlich, die Passivierungsschicht 40 in diesen Bereichen zu öffnen. Dies erfolgt vorzugsweise mittels eines weiteren fototechnischen Verfahrensschrittes wie bereits oben näher beschrieben.
  • Dazu wird zunächst eine als Fotomaske ausgebildete vierte Maskenschicht 24 aufgebracht, die die Bereiche abdeckt, in denen die Passivierungsschicht 40 nicht geöffnet werden soll. 1q zeigt die strukturierte Metallisierung mit der aufgebrachten Passivierungsschicht 40 sowie der vierten Maskenschicht 24.
  • Unter Verwendung dieser vierten Maskenschicht 24 können die zur äußeren elektrischen Kontaktierung der strukturierten Metallisierung vorgesehenen Bereiche mittels eines Ätzverfahrens, vorzugsweise mittels eines anisotropen Trockenätzverfahrens, von der Passivierungsschicht befreit werden, um die in 1r gezeigte Anordnung zu erhalten. In diesen Bereichen ist es nun möglich, die strukturierte Metallisierung, beispielsweise mittels eines Bond- oder Lötverfahrens, nach außen zu kontaktieren.
  • Eine zweite Variante des vorgestellten Verfahrens wird nachfolgend anhand der 2a–2g erläutert. Die ersten Verfahrensschritte der zweiten Variante entsprechen anhand der 1a–1f erläuterten ersten Verfahrensschritten der ersten Variante.
  • Der wesentliche Unterschied zwischen beiden Varianten besteht darin, dass bei der ersten Variante zunächst die zweite Metallisierungsschicht 2 mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens und dann die erste Metallisierungsschicht 1 mittels eines trockenchemischen Ätzverfahrens geätzt wird, während bei der zweiten Variante sowohl die zweite 2 als auch die erste 1 Metallisierungsschicht mittels eines Trockenätzverfahrens geätzt werden.
  • Nach den anhand der 1a–1f beschriebenen Verfahrensschritten liegt eine Anordnung vor, bei der die auf dem Träger 10 angeordnete erste Metallisierungsschicht 1 mit einer strukturierten ersten Maskenschicht 21 versehen ist.
  • Anschließend wird bezugnehmend auf 2a die zweite Metallisierungsschicht 2 auf die erste Metallisierungsschicht 1 und die strukturierte erste Maskenschicht 21 aufgebracht. Die erste 1 und zweite 2 Metallisierungsschicht können aus gleichen oder unterschiedlichen Metallen bzw. Legierungen gebildet sein.
  • Danach wird eine strukturierte dritte Maskenschicht 23 auf die zweite Metallisierungsschicht 2 aufgebracht, was entsprechend zu dem bereits anhand von 1e erläuterten fototechnischen Verfahren erfolgen kann. Das Ergebnis dieses Verfahrensschrittes ist in 2b dargestellt.
  • Daran schließt sich ein vorzugsweise anisotropes Trockenätzverfahren an, bei dem die nicht von einer strukturierten Maskenschicht 21, 23 bedeckten Bereiche der zweiten bzw. ersten Metallisierungsschicht 2 bzw. 1 entfernt werden. Das Ergebnis ist in 2c gezeigt. Bei dem trockenchemischen Ätzverfahren kann zunächst die zweite und anschließend die erste Metallisierungsschicht 2 bzw. 1 mittels jeweils an deren Materialien angepasste Ätzmittel entfernt werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Ätzen der beiden Metallisierungsschichten 1, 2 in einem einzigen Ätzvorgang, wobei dann das verwendete Ätzmittel geeignet sein muss, beide Metallisierungsschichten 1, 2 zu entfernen. Dies kann beispielsweise durch Mischen der beiden jeweils an eine der Metallisierungsschichten 1, 2 angepasste Ätzmaterialien errecht werden.
  • Besonders bevorzugt sind die Metallisierungsschichten 1, 2 aus denselben Metallen bzw. Legierungen gebildet, so dass ein einziges geeignetes Ätzmittel verwendet werden kann.
  • Die folgenden anhand der 2d–2g dargestellten Verfahrensschritte entsprechen den anhand der 1n–1r bereits in Variante 1 erläuterten Verfahrensschritten.
  • Im Ergebnis unterscheiden sich die anhand der beiden Varianten erzeugten strukturierten Metallisierungen insbesondere durch zwei Merkmale:
    Bei der ersten Variante sind übereinanderliegende Bereiche der ersten und zweiten Metallisierungsschicht 1, 2 durch eine Ätzstoppschicht voneinander getrennt. Je nach Art der verwendeten Ätzstoppschicht 30 kann die Ätzstoppschicht 30 elektrisch leitend oder isolierend sein.
  • Im Gegensatz dazu sind bei der zweiten Variante die erste und zweite Metallisierungsschicht 1, 2 unmittelbar miteinander kontaktiert. Damit lässt sich eine in vertikaler Richtung durchgehende Metallisierung erreichen, deren Dicke der Summe der Dicken der ersten und der zweiten Metallisierungsschicht entspricht.
  • Der zweite Unterschied besteht darin, dass bei der zweiten Variante eine hohe Strukturfeinheit auch für die zweite Metallisierungsschicht 2 erreichbar ist, zumindest dann, wenn das zur zumindest bereichsweisen Entfernung der zweiten Metallisierungsschicht 2 verwendete Trockenätzverfahren stark anisotrop ist. Anders als bei dem anhand von 1k gezeigten nasschemischen Ätzvorgang der ersten Variante wird in diesem Fall die zweite Metallisierungsschicht 2 nicht auch in lateraler Richtung ein Stück weit unter der dritten Maskenschicht 23 weggeätzt.
  • Anhand der beiden dargestellten Ausführungsbeispiele wurde gezeigt, wie unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens eine aus zwei Metallisierungsschichten 1, 2 gebildete strukturierte Metallisierung erzeugt werden kann. In analoger Weise ist es jedoch auch möglich, eine strukturierte Metallisierung mit mehr als zwei Metallisierungsschichten herzustellen.
    • 1
    erste Metallisierungsschicht
    2
    zweite Metallisierungsschicht
    10
    Träger
    21
    erste Maskenschicht
    22
    zweite Maskenschicht
    23
    dritte Maskenschicht
    24
    vierte Maskenschicht
    30
    Zwischenschicht
    40
    Passivierungsschicht
    40a, 40b
    Teilschicht der Passivierungsschicht

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallisierung auf einem Träger (10), die eine erste und wenigstens eine zweite Metallisierungsschicht (2) aufweist, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte umfasst: – Aufbringen einer ersten Metallisierungsschicht (1) zumindest abschnittsweise auf den Träger (10), – Aufbringen einer ersten Maskenschicht (21) zumindest abschnittsweise auf der ersten Metallisierungsschicht (1), – Strukturieren der ersten Maskenschicht (21), – Aufbringen einer zweiten Metallisierungsschicht (2) auf der ersten Metallisierungsschicht (1) und der strukturierten Maskenschicht (21), – zumindest abschnittsweises Entfernen der zweiten Metallisierungsschicht (2) oberhalb der strukturierten ersten Maskenschicht (21), und – Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (1) unter Verwendung der strukturierten ersten Maskenschicht (21) mittels eines Ätzverfahrens.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem auf die erste Metallisierungsschicht (1) und die strukturierte erste Maskenschicht (21) vor dem Aufbringen der zweiten Metallisierungsschicht (2) wenigstens eine Zwischenschicht (30) aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Zwischenschicht (30) als Ätzstoppschicht oder als elektrisch isolierende Schicht (30) ausgebildet ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das zumindest abschnittsweise Entfernen der zweiten Metallisierungsschicht (2) und Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (1) folgende Verfahrensschritte umfasst: – Ätzen der zweiten Metallisierungsschicht (2) bis zu der Zwischenschicht (30), – zumindest abschnittweises Entfernen der Zwischenschicht (30) oberhalb der strukturierten ersten Maskenschicht (21), – Ätzen der ersten Metallisierungsschicht (1) unter Verwendung der strukturierten ersten Maskenschicht (21) als Maske.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das zumindest abschnittsweise Entfernen der Zwischenschicht (30) mittels eines Trockenätzverfahrens erfolgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die zweite Metallisierungsschicht (2) unmittelbar auf die erste Metallisierungsschicht (1) und die strukturierte Maskenschicht (21) aufgebracht wird und bei dem das zumindest abschnittsweise Entfernen der zweiten Metallisierungsschicht (2) und das Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (1) mittels eines einzigen Ätzvorgangs erfolgt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der einzige Ätzvorgang ein Trockenätzvorgang ist.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem auf die zweite Metallisierungsschicht (2) eine zweite strukturierte Maskenschicht (23) aufgebracht wird, die als Maske bei dem zumindest abschnittsweisen Entfernen der zweiten Metallisierungsschicht (2) dient.
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