DE10152095A1 - Blank-Chip-Träger und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Blank-Chip-Trägers - Google Patents

Blank-Chip-Träger und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Blank-Chip-Trägers

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Abstract

Ein Blank-Chip-Träger zum Halten eines Blank-Chips schließt ein Blank-Chip-Träger-Grundelement, eine Bump-Elektrode, die oberhalb einer Hauptoberfläche des Blank-Chip-Träger-Grundelements lokalisiert ist und welche mit einer Anschlussflächenelektrode des Blank-Chips zu verbinden ist, eine Blank-Chip-Trägerelektrode, die auf einer Rückseite des Blank-Chip-Träger-Grundelements gebildet ist und welche einen Aussparungsbereich aufweist, sowie eine Verdrahtung, die die Bump-Elektrode mit der Blank-Chip-Trägerelektrode verbindet, ein.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Blank-Chip-Träger (Träger eines blanken bzw. ungekapselten Chips), welcher bei einem elektrischen Test von Halbleiter-Blank-Chips verwendet wird, sowie insbesondere auf eine elektrische Verbindung des Blank-Chip-Trägers.
Wenn ein Halbleiter-Blank-Chip (nachfolgend einfach als ein "Blank-Chip" bzw. "ungekapselter Chip" bezeichnet), der aus einem Halbleiterwafer geschnitten wurde, so als ein Produkt transportiert werden soll, muss der Blank-Chip elektrische Tests (auch als elektrische Messungen bezeichnet) unter Verwendung eines Halbleitertestsystems wie einem IC-Test,er oder einem Einbrenn- bzw. Anfälligkeitssystem (Testbetrieb bei erhöhter Temperatur) durchlaufen.
Dabei wird ein Blank-Chip-Träger verwendet zum Aufsetzen des oben beschriebenen Blank-Chips auf einen IC-Sockel einer Testkarte, die in dem IC-Tester verwendet wird, oder auf eine Einbrenn- bzw. Anfälligkeitstestkarte, die in dem Einbrenn- bzw. Anfälligkeitssystem verwendet wird. Das heißt, der Träger für den Blank-Chip, welcher den Blank-Chip hält, wird auf dem IC-Sockel zum Ausführen unterschiedlicher elektrischer Tests aufgesetzt.
Ein herkömmlicher Träger für Blank-Chips wird unten stehend beschrieben.
Fig. 6 ist eine Schnittansicht zum Erläutern eines herkömmlichen Trägers eines Blank-Chips.
Wie in Fig. 6 gezeigt umfasst der Träger des Blank-Chips ein Grundelement zum Tragen des Blank-Chips 1 (nachfolgend einfach als Grundelement bezeichnet), eine Anschlusselektrode 3 zum elektrischen Verbinden des Grundelements 1 mit einer Elektrodenanschlussfläche 21 eines Blank-Chips 2. Ferner umfasst der Träger des Blank-Chips einen Blankchipträgerdeckel 6 zum Fixieren des Blank-Chips 2 auf dem Grundelement 1, einen Isolierfilm 7 zum elektrischen Isolieren des Blank-Chips 2 gegenüber einer Verdrahtung 9, einer Blank-Chip-Trägerelektrode 8 zum Verbinden des Trägers des Blank-Chips mit einem äußeren IC-Sockel sowie die Verdrahtung 9 zum Verbinden der Blank-Chip-Trägerelektrode 8 mit der Anschlusselektrode 3.
Die Blank-Chip-Trägerelektrode 8 und die Verdrahtung 9 sind hier in einer Einheit aus einem elektrisch leitfähigen Film gebildet. Mit anderen Worten wird ein elektrisch leitfähiger Film als eine Blank-Chip-Trägerelektrode in dem oben beschriebenen, herkömmlichen Träger des Blank-Chips verwendet.
Der elektrisch leitfähige Film weist jedoch das Problem auf, dass die mechanische Festigkeit gering ist und dass eine Deformierung wie ein Verziehen oder ein Verbiegen leicht auftritt. Deshalb gibt es ein Problem, dass ein defekter Kontakt zwischen der Blank-Chip-Trägerelektrode 8 und einem Verbindungsterminal (z. B. einem Kontaktteil, das später beschrieben wird) des mit der Elektrode 8 verbundenen IC- Sockels auftritt.
Als Gegenmaßnahme für dieses Problem ist in dem Träger des Blank-Chips, welcher in der japanischen Patent-Offenlegungs­ schrift Nr. 10-213626 offenbart ist, eine Blank-Chip-Träger­ elektrode direkt auf dem Grundelement gebildet. Gemäß diesem Träger des Blank-Chips wird die Stabilität des Kontakts zwischen dem Verbindungsterminal des IC-Sockels und der Blank-Chip-Trägerelektrode beibehalten, ohne durch Deformierung wie einem Verziehen oder Verbiegen beeinträchtigt zu werden.
Die Beschreibung offenbart ebenso, dass eine Anschluss­ elektrode, die ähnlich ist zu einer, die in Halbleiter­ vorrichtungen einer BGA-Struktur verwendet wird, auf der Blank-Chip-Trägerelektrode gebildet wird, um einem Einbrennsockel für BGA zu entsprechen.
In dem oben beschriebenen Stand der Technik ist jedoch nichts in Bezug auf die Struktur der in dem Träger des Blank-Chips verwendeten Elektroden geplant worden. Herkömmlicherweise ist eine Anschlussflächen- bzw. Pad-Elektrode, eine Anschluss- bzw. Bump-Elektrode oder dergleichen als Blank-Chip-Träger­ elektrode verwendet worden. Mit anderen Worten ist eine gut bekannte Elektrode, die in Halbleitervorrichtungen verwendet wurde, einfach als die Blank-Chip-Trägerelektrode verwendet worden.
In den vergangenen Jahren ist, wenn die elektrischen Tests ausgeführt wurden, ein starker elektrischer und mechanischer Kontakt zwischen IC-Sockel und dem Träger des Blank-Chips erforderlich gewesen.
Ein starker elektrischer und mechanischer Kontakt kann jedoch mit der Struktur der herkömmlichen Blank-Chip-Trägerelektrode nicht erzielt werden.
Die Erfindung wurde zur Lösung der vorstehend bezeichneten Probleme geplant, und eine allgemeine Aufgabe der Erfindung ist es, einen neuen und nützlichen Blank-Chip-Träger zur Verfügung zu stellen sowie ein neues und nützliches Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
Eine speziellere Aufgabe der Erfindung ist es, einen Blank-Chip-Träger bereitzustellen, welcher sehr gute Charakteristika des elektrischen und mechanischen Kontakts aufweist.
Die Aufgabe der Erfindung wird erzielt durch den folgenden Blank-Chip-Träger und das folgende Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
Gemäß einem ersten Gegenstand der Erfindung umfasst der Blank-Chip-Träger zum Halten eines Blank-Chips: Ein Grundelement; eine erste Elektrode, die auf einer Hauptoberfläche des Grundelements gebildet ist und welche mit dem Blank-Chip verbunden ist; eine zweite Elektrode, die auf einer Rückseite des Grundelements gebildet ist und welche einen Aussparungsbereich aufweist; und eine Verdrahtung, welche die erste Elektrode mit der zweiten Elektrode verbindet.
Gemäß einem zweiten Gegenstand der Erfindung umfasst der Blank-Chip-Träger zum Halten eines Blank-Chips: ein Grundelement; eine erste Elektrode, die auf einer Hauptoberfläche des Grundelements gebildet ist und welche mit dem Blank-Chip verbunden ist; eine zweite Elektrode, die auf einer Rückseite des Grundelements gebildet ist und welche einen rauhen Oberflächenbereich aufweist; und eine Verdrahtung, welche die erste Elektrode mit der zweiten Elektrode verbindet.
Gemäß einem dritten Gegenstand der Erfindung umfasst das Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung einen Schritt des Ausführens eines elektrischen Tests eines Blank- Chips unter Verwendung des Blank-Chip-Trägers gemäß dem ersten und zweiten Gegenstand der Erfindung.
Andere Aufgaben und weitere Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung beim Lesen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung eines Blank-Chip-Trägers gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form der in Fig. 1 gezeigten Blank-Chip-Trägerelektrode;
Fig. 3 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer vierten Ausführungsform der Vorliegenden Erfindung; und
Fig. 6 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung eines herkömmlichen Blank-Chip-Trägers.
Im Folgenden werden die Prinzipien und Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Die Elemente und Schritte, die bei einigen Zeichnungen übereinstimmen, werden mit den selben Bezugszeichen angegeben und wiederholte Beschreibungen darüber mögen weggelassen werden.
Erste Ausführungsform
Fig. 1 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung eines Blank-Chip-Trägers gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 1 repräsentiert Bezugszeichen 1 ein Blank-Chip-Träger-Grundelement (nachfolgend einfach als "Grundelement" bezeichnet), 2 repräsentiert einen Blank-Chip, 21 repräsentiert eine Anschlussflächenelektrode, 3 repräsentiert eine Anschluss- bzw. Bump-Elektrode, 4 repräsentiert eine Blank-Chip-Trägerelektrode, 41 repräsentiert einen konisch ausgesparten Bereich, 5 repräsentiert eine Verdrahtung, 6 repräsentiert einen Blank-Chip-Träger-Deckel und 7 repräsentiert einen Isolierfilm.
Das Grundelement 1 ist so angepasst, dass es den Blank-Chip 2 hält, und ist aus einem Verdrahtungssubstrat eines isolierenden Harzes oder dergleichen ähnlich zu einer Einbrenn-Karte bzw. einer Testkarte gebildet.
Der Blank-Chip 2 ist eine auf dem Grundelement 1 gehaltene Halbleitervorrichtung und durchläuft elektrische Tests durch ein Halbleitertestsystem (nicht gezeigt). Der Blank-Chip 2 besitzt ebenso eine Vielzahl von Anschlussflächenelektroden 21 zur Verbindung mit den Anschluss- bzw. Bump-Elektroden 3.
Die Bump-Elektrode 3 ist auf einer Spitze der durch den Isolierfilm 7 hindurch angeordneten Verdrahtung 5 gebildet und ist oberhalb des Isolierfilms 7 lokalisiert. Eine Vielzahl von Bump-Elektroden 3 sind mit einer Vielzahl von Anschlussflächenelektroden 21 des Blank-Chips 2 verbunden. Die Bump-Elektroden 3 sind ebenso mit der Blank-Chip- Trägerelektrode 4 durch die Verdrahtung 5 elektrisch verbunden.
Die Blank-Chip-Trägerelektrode 4, welche später genauer beschrieben werden wird, ist auf der Rückseite des Grundelements 1 gebildet und besitzt einen ausgesparten Bereich 41. Die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 ist ebenso elektrisch und mechanisch mit einem Kontaktelement des IC- Sockels (später beschrieben) verbunden. Die Blank-Chip- Trägerelektrode 4 ist ebenso elektrisch mit der Bump-Elektrode 3 durch die Verdrahtung 5 verbunden.
Die Verdrahtung 5 ist so angepasst, dass sie die Bump-Elektrode 3 mit der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 verbindet. Die Verdrahtung 5 schließt eine Verdrahtung 51, die in dem Grundelement 1 in horizontaler Richtung vorgesehen ist, eine Verdrahtung 52 zum Verbinden der Verdrahtung 51 mit der Bump-Elektrode 3, eine Verdrahtung 53 zum Verbinden der Verdrahtung 51 mit der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 sowie andere Bump-Elektroden und Verdrahtungen (nicht gezeigt) ein.
Die Verdrahtung 5 ist im Wesentlichen im Inneren des Grundelements 1 gebildet. Die Verdrahtung 52 der Verdrahtung 5 führt durch den Isolierfilm 7. Die Spitze der Verdrahtung 52 ist oberhalb des Isolierfilms 7 lokalisiert.
Die Verdrahtung 5 auf der linken Seite der Fig. 1 ist ebenso mit einer anderen Bump-Elektrode 3 (nicht gezeigt) verbunden, und diese Bump-Elektrode 3 ist mit einer anderen Anschlussflächenelektrode 21 (nicht gezeigt) des Blank-Chips 2 verbunden.
Der Deckel 6 ist so angepasst, dass der Blank-Chip aus der oberen Richtung der Fig. 1 nach unten gedrückt wird zum Fixieren des Blank-Chips 2 auf dem Grundteil 1.
Der Isolierfilm 7 ist zwischen der Hauptoberfläche des Grundelements 1 und der Bodenoberfläche des Blank-Chips 2 angeordnet und isoliert den Blank-Chip 2 elektrisch gegenüber dem Grundelement 1.
Als nächstes wird die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 beschrieben.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form der in Fig. 1 Blank-Chip-Trägerelektrode, das heißt die Form der Blank-Chip-Trägerelektrode in dem Blank-Chip-Träger gemäß einer ersten Ausführungsform.
In Fig. 2 repräsentiert die Bezugsziffer 11 einen Kontaktbereich (oder Kontaktkarte) des IC-Sockels, und 12 repräsentiert das Kontaktelement des IC-Sockels.
Wie in Fig. 1 und 2 gezeigt besitzt die Blank-Chip- Trägerelektrode 4 einen ausgesparten Bereich 41.
Der ausgesparte Bereich 41 wird gebildet durch kegelförmiges oder kegelstumpfförmiges Entfernen der Blank-Chip- Trägerelektrode. Somit besitzt die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 die Form einer umgekehrten Krone.
Der ausgenommene Bereich 41 ist in Fig. 2 nach unten zeigend gebildet. Dies dient dazu, das Kontaktelement 12 von unten (in Aufwärtsrichtung) zu verbinden.
Wie Fig. 2 gezeigt ist der ausgesparte Bereich 41 der Blank- Chip-Trägerelektrode 4 elektrisch und mechanisch mit dem Kontaktelement 12 verbunden, welcher auf dem Kontaktbereich 11 des IC-Sockels gebildet ist. Dadurch ist der einen Blank-Chip 2 haltenden Blank-Chip-Träger elektrisch mit dem Halbleitertestsystem durch den IC-Sockel verbunden und die elektrischen Tests werden ausgeführt.
Wie oben beschrieben ist in dem Blank-Chip-Träger gemäß der ersten Ausführungsform ein ausgesparter Bereich 41 in der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 gebildet, die mit dem IC-Sockel verbunden ist.
Durch die Anwendung dieses Blank-Chip-Trägers wird das Kontaktelement 12 des IC-Sockels an vielen Stellen mit dem ausgesparten Bereich 41 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 verbunden. Weil das Ende des Kontaktelements 12 in den ausgesparten Bereich 41 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 eingeführt ist, kann ebenso die Ausrichtungsgenauigkeit des Blank-Chip-Trägers auf dem IC-Sockel verbessert werden.
Deshalb kann der elektrische und mechanische Kontakt zwischen dem IC-Sockel und dem Blank-Chip-Träger verbessert werden. Dadurch können die elektrischen Tests der Halbleitervorrichtung (Blank-Chip) bei hoher Genauigkeit ausgeführt werden. Somit kann die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung, die die elektrischen Tests durchlaufen hat, verbessert werden.
Obgleich der ausgesparte Bereich 41 gebildet ist durch konisches bzw. kegelförmiges (oder kegelstumpfförmiges) Entfernen der Blank-Chip-Trägerelektrode 4, ist die Form des ausgesparten Bereiches in der ersten Ausführungsform nicht auf zirkular-konisch beschränkt. Zum Beispiel kann die Blank-Chip- Trägerelektrode 4 dreikantig-konisch, vierkantig-konisch oder halbkugelförmig ausgenommen bzw. entfernt sein. In diesen Fällen ist das Kontaktelement 12 mit dem ausgesparten Bereich 41 an vielen Stellen verbunden, und die oben beschriebene Wirkung kann erhalten werden.
Zweite Ausführungsform
Fig. 3 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Der Unterschied zwischen dem Blank-Chip-Träger der zweiten Ausführungsform und dem Blank-Chip-Träger gemäß der ersten Ausführungsform liegt in der Struktur der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Die nachfolgende Beschreibung beschränkt sich auf diesen Unterschied, das heißt der Form der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Wie in Fig. 3 gezeigt besitzt die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 in der zweiten Ausführungsform einen rauhen Oberflächenbereich 42. Der rauhe Oberflächenbereich 42 besitzt eine Vielzahl von Ausnehmungen.
Der rauhe Oberflächenbereich 42 ist zum Beispiel gebildet durch Anwendung von einer chemischen Behandlung oder durch Sandstrahlen.
Der rauhe Oberflächenbereich 42 ist nicht auf die in Fig. 3 gezeigte Form beschränkt, bei welcher Ausnehmungen gleichförmig gebildet sind, sondern die Ausnehmungen können ungleichmäßig gebildet sein.
Der rauhe Oberflächenbereich 42 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 ist elektrisch und mechanisch mit dem Kontaktelement 12 des IC-Sockels verbunden. Dadurch ist der den Blank-Chip haltenden Blank-Chip-Träger durch den IC-Sockel mit dem Halbleitertestsystem verbunden, und die elektrischen Tests werden ausgeführt.
Wie oben beschrieben ist bei den Blank-Chip-Trägern gemäß der zweiten Ausführungsform ein rauher Oberflächenbereich 42 in der Oberfläche der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 gebildet.
Durch die Anwendung dieses Blank-Chip-Trägers ist das Kontaktelement 12 des IC-Sockels mit dem rauhen Oberflächenbereich 42 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 an vielen Stellen verbunden.
Deshalb kann der elektrische und mechanische Kontakt zwischen dem IC-Sockel und Blank-Chip-Träger verbessert werden, und die selbe Wirkung wie in der ersten Ausführungsform kann erhalten werden.
Dritte Ausführungsform
Fig. 4 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
Der Unterschied zwischen dem Blank-Chip-Träger gemäß der dritten Ausführungsform und dem Blank-Chip-Träger gemäß der ersten Ausführungsform liegt in der Struktur der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Die nachfolgende Beschreibung konzentriert sich auf diesen Unterschied, das heißt der Struktur der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 in der dritten Ausführungsform eine Elektrode vom Einstecktyp.
Mit anderen Worten besitzt die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 einen Aussparungsbereich 41, welcher ein offenes Loch darstellt.
Das offene Loch 43 ist in Fig. 4 nach unten gebildet, damit das Kontaktelement 12 von der Unterseite (in Aufwärtsrichtung) einzuführen ist. Deshalb entspricht der Durchmesser des offenen Lochs 43 der Form des Kontaktelements 12 des IC- Sockels.
Ferner ist das offene Loch 43 in der in Fig. 4 gezeigten Blank-Chip-Trägerelektrode 4 so gebildet, dass der Durchmesser am größten ist an der Oberfläche der Elektrode und mit zunehmender Tiefe kleiner wird.
Das Kontaktelement 12 des IC-Sockels wird in das offene Loch 43 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 eingeführt, wodurch das Kontaktelement 12 elektrisch und mechanisch mit der Blank- Chip-Trägerelektrode 4 verbunden ist. Dadurch ist der den Blank-Chip 2 haltenden Blank-Chip-Träger elektrisch durch den IC-Sockel mit dem Halbleitertestsystem verbunden, wonach die elektrischen Tests ausgeführt werden.
Wie oben beschrieben ist bei dem Blank-Chip-Träger gemäß der dritten Ausführungsform ein offenes Loch 43 in der Blank-Chip- Trägerelektrode 4 gebildet.
Durch die Anwendung dieses Blank-Chip-Trägers ist das Kontaktelement 12 des IC-Sockels in das offene Loch 43 insertiert, um an vielen Stellen in Kontakt zu stehen. Die Ausrichtungsgenauigkeit des Blank-Chip-Trägers auf dem IC- Sockel kann ebenso verbessert werden.
Deshalb der elektrische und mechanische Kontakt zwischen dem IC-Sockel und dem Blank-Chip-Träger verbessert werden, und dieselbe Wirkung wie in der ersten Ausführungsform kann erhalten werden.
Die innere Oberfläche des offenen Lochs 43 kann so bearbeitet werden, dass sie rauh ist (siehe die zweite Ausführungsform). In diesem Fall ist das Kontaktelement 12 ebenso mit der Blank- Chip-Trägerelektrode 4 an vielen Stellen verbunden, und die oben beschriebenen Wirkungen können erhalten werden.
Vierte Ausführungsform
Fig. 5 ist eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Form einer Blank-Chip-Trägerelektrode in einem Blank-Chip-Träger gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
Der Unterschied zwischen dem Blank-Chip-Träger gemäß der vierten Ausführungsform und dem Blank-Chip-Träger gemäß der ersten Ausführungsform liegt in der Struktur der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Die nachfolgende Beschreibung konzentriert sich auf diesen Unterschied, das heißt der Struktur der Blank-Chip- Trägerelektrode.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 in der vierten Ausführungsform eine Kombination der Blank-Chip- Trägerelektroden der oben beschriebenen ersten und zweiten Ausführungsform. Das heißt, die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 der vorliegenden Ausführungsform besitzt einen Aussparungsbereich 44, und der Aussparungsbereich 44 besitzt eine rauhe Oberfläche.
Speziell ist der Aussparungsbereich 44 gebildet, indem die Blank-Chip-Trägerelektrode 4 kegelförmig oder kegelstumpfförmig entfernt ist, und die Oberfläche wird bearbeitet, um rauh zu sein, zum Beispiel durch chemische Behandlung oder Sandstrahlen. Somit besitzt der Aussparungsbereich 44 eine Stufenform.
Der Ausnehmungsbereich 44, welcher eine rauhe Oberfläche aufweist, ist in Fig. 5 ebenso nach unten ausgebildet, um mit dem Kontaktelement 12 von der Unterseite (in Aufwärtsrichtung) kontaktiert zu sein.
Der Ausnehmungsbereich 44 der Blank-Chip-Trägerelektrode 4 mit einer rauhen Oberfläche ist elektrisch und mechanisch mit dem Kontaktelement 12 verbunden, der auf dem Kontaktbereich 11 gebildet ist. Dadurch ist der den Blank-Chip 2 haltenden Blank-Chip-Träger elektrisch durch den IC-Sockel mit dem Halbleitertestsystem verbunden, wonach die elektrischen Tests ausgeführt werden.
Wie oben beschrieben ist bei dem Blank-Chip-Träger gemäß der vierten Ausführungsform ein Aussparungsbereich in der Blank- Chip-Trägerelektrode 4 gebildet, und die Oberfläche des Aussparungsbereichs wird bearbeitet, um rauh zu sein.
Durch die Anwendung dieses Blank-Chip-Trägers ist das Kontaktelement 12 des IC-Sockels mit der Blank-Chip- Trägerelektrode 4 an vielen Stellen verbunden.
Die Ausrichtungsgenauigkeit des Blank-Chip-Trägers auf dem IC- Sockel kann ebenso verbessert werden.
Deshalb ist der elektrische und mechanische Kontakt zwischen dem IC-Sockel und dem Blank-Chip-Träger verbessert, und der selbe Effekt wie in der ersten Ausführungsforn kann erhalten werden.
Diese Erfindung liefert, wenn sie beispielsweise auf die oben beschriebene Weise praktiziert wird, die folgenden Hauptwirkung:
Gemäß der Erfindung kann ein Blank-Chip-Träger mit sehr guten elektrischen und mechanischen Kontaktcharakteristika bereitgestellt werden.
Ferner können die elektrischen Tests des Blank-Chips unter Verwendung des Blank-Chip-Trägers der Erfindung die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung verbessern.
Darüber hinaus ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, sondern es können Veränderungen und Modifikationen gemacht werden, ohne sich vom Umfang der Erfindung zu entfernen.
Die vollständige Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2001-038640, eingereicht am 15. Februar 2001, die die Beschreibung, Ansprüche, Zeichnungen und die Zusammenfassung enthält, werden hier vollständig durch Bezugnahme eingeschlossen.

Claims (8)

1. Blank-Chip-Träger zum Halten eines Blank-Chips (2), umfassend:
ein Grundelement (1);
eine erste Elektrode (3), die oberhalb einer Hauptoberfläche des Grundelements (1) lokalisiert ist und welche mit dem Blank-Chip (2) verbunden werden soll;
eine zweite Elektrode (4), welche auf der Rückseite des Grundelements (1) gebildet ist und welche einen Aussparungsbereich (41, 42, 43) aufweist; und
eine Verdrahtung (5), die die erste Elektrode (3) mit der zweiten Elektrode (2) verbindet.
2. Blank-Chip-Träger gemäß Anspruch 1, wobei der Aussparungsbereich (41) der zweiten Elektrode (4) ein konisch entfernter Bereich ist.
3. Blank-Chip-Träger gemäß Anspruch 1, wobei der Aussparungsbereich (43) der zweiten Elektrode (4) ein offenes Loch darstellt.
4. Blank-Chip-Träger gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Aussparungsbereich (41, 42, 43) der zweiten Elektrode (4) eine rauhe Oberfläche aufweist.
5. Blank-Chip-Träger zum Halten eines Blank-Chips (2), umfassend
ein Grundelement (1);
eine erste Elektrode (3), welche oberhalb der Hauptoberfläche des Grundelements (1) lokalisiert ist und welche mit dem Blank-Chip (2) verbunden werden soll;
eine zweite Elektrode (4), welche auf einer Rückseite des Grundelements (1) gebildet ist und welche einen rauhen Oberflächenbereich (42, 44) besitzt; und
eine Verdrahtung (S), welche die ersten Elektrode (3) mit der zweiten Elektrode (4) verbindet.
6. Blank-Chip-Träger gemäß Anspruch 5, wobei der rauhe Oberflächenbereich (42) der zweiten Elektrode (4) eine Vielzahl von Aussparungsbereichen aufweist.
7. Blank-Chip-Träger gemäß Anspruch 5, wobei der rauhe Oberflächenbereich (44) der zweiten Elektrode (4) eine Stufenform aufweist.
8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, welches einen Schritt des Ausführens von elektrischen Tests eines Blank-Chips unter Verwendung eines Blank-Chip-Trägers gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7 umfasst.
DE10152095A 2001-02-15 2001-10-23 Blank-Chip-Träger und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Blank-Chip-Trägers Ceased DE10152095A1 (de)

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Publications (1)

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4955395B2 (ja) * 2004-09-06 2012-06-20 日本電気株式会社 テストキャリア
JP5616119B2 (ja) 2010-05-10 2014-10-29 株式会社アドバンテスト 試験用キャリア
JP2011237260A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Advantest Corp キャリア分解装置及びキャリア分解方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194931A (en) * 1989-06-13 1993-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Master slice semiconductor device
US5130779A (en) * 1990-06-19 1992-07-14 International Business Machines Corporation Solder mass having conductive encapsulating arrangement
US5163834A (en) * 1990-12-17 1992-11-17 International Business Machines Corporation High density connector
US5517752A (en) * 1992-05-13 1996-05-21 Fujitsu Limited Method of connecting a pressure-connector terminal of a device with a terminal electrode of a substrate
US5545589A (en) * 1993-01-28 1996-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device
US5767580A (en) * 1993-04-30 1998-06-16 Lsi Logic Corporation Systems having shaped, self-aligning micro-bump structures
US5592736A (en) * 1993-09-03 1997-01-14 Micron Technology, Inc. Fabricating an interconnect for testing unpackaged semiconductor dice having raised bond pads
US5691041A (en) * 1995-09-29 1997-11-25 International Business Machines Corporation Socket for semi-permanently connecting a solder ball grid array device using a dendrite interposer
JPH09161926A (ja) 1995-12-04 1997-06-20 Hitachi Ltd 半導体チップ用ソケット
US5759047A (en) * 1996-05-24 1998-06-02 International Business Machines Corporation Flexible circuitized interposer with apertured member and method for making same
JPH09320720A (ja) 1996-06-03 1997-12-12 Hitachi Ltd 接続装置
JPH10213626A (ja) 1997-01-29 1998-08-11 Hitachi Ltd ベアチップ用キャリア治具
US5962921A (en) * 1997-03-31 1999-10-05 Micron Technology, Inc. Interconnect having recessed contact members with penetrating blades for testing semiconductor dice and packages with contact bumps
US5931685A (en) * 1997-06-02 1999-08-03 Micron Technology, Inc. Interconnect for making temporary electrical connections with bumped semiconductor components
US6249135B1 (en) * 1997-09-19 2001-06-19 Fujitsu Limited Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage
US6137063A (en) * 1998-02-27 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Electrical interconnections
US6010340A (en) * 1998-03-04 2000-01-04 Internatinal Business Machines Corporation Solder column tip compliancy modification for use in a BGA socket connector
JP2000243899A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Rohm Co Ltd チップ・オン・チップ構造の半導体装置
KR100306842B1 (ko) * 1999-09-30 2001-11-02 윤종용 범프 패드에 오목 패턴이 형성된 재배치 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 그 제조방법
JP3459223B2 (ja) * 2000-04-19 2003-10-20 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6379982B1 (en) * 2000-08-17 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Wafer on wafer packaging and method of fabrication for full-wafer burn-in and testing

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