DE10147226A1

DE10147226A1 - Markenanordnung, Wafer mit mindestens einer Markenanordnung und ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer Markenanordnung

Info

Publication number: DE10147226A1
Application number: DE10147226A
Authority: DE
Inventors: Hans-Georg Froehlich; Uwe-Paul Schroeder
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2001-09-14
Publication date: 2003-04-10
Also published as: US6750554B2; US20030052421A1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Markenanordnung zur Ausrichtung und/oder Bestimmung der relativen Lage eines Substrates (20) und/oder von Schichten auf dem Substrat (20) bei einer lithographischen Belichtung, insbesondere bei einem Wafer bei der Herstellung von DRAMs, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil einer Marke (1, 2) über einem strukturierten Hintergrund (11) zur Erhöhung eines Kontrastunterschiedes zwischen Marke (1, 2) und dem Substrat (20) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft auch einen Wafer mit einer solchen Markenanordnung und ein Verfahren zur Herstellung der Markenanordnung. Damit wird eine effiziente und einfache Ausrichtung von Schichten und/oder des Substrates ermöglicht.

Description

Die Erfindung betrifft eine Markenanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, einen Wafer nach Anspruch 13 mit mindestens einer Markenanordnung und ein Verfahren zur Herstellung einer Markenanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 14.
Bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen werden Strukturen in verschiedenen Ebenen gebildet, die nacheinander auf einem Substrat aufgebracht und dann jeweils durch weitere Bearbeitungsschritte verändert werden. Diese Bearbeitungsschritte umfassen z. B. Abscheideschritte, Fotomaskierschritte, Lackentwicklungs- und Lackstrukturierungsschritte.
Durch die immer kleiner werdenden Abmessungen der Strukturen ist es notwendig, sequentiell aufgebrachte Schichten exakt aufeinander auszurichten, da ansonsten die Funktion der Halbleiter-Bauelemente nicht gewährleistet ist.
Die Herstellung der Strukturen erfolgt mit einem Belichtungstool, wobei die Belichtung auf einen photosensitiven Lack (Photoresist) einwirkt, der auf das Substrat (z. B. Wafer) aufgebracht wird. Dieses Substrat wird in das Belichtungstool geladen. Anhand von Justiermarken (Alignmentmarks) auf dem Substrat erkennt das Belichtungstool definierte Positionen. Das Substrat wird aufgrund der mit den Justiermarken ermittelten Werte ausgerichtet und belichtet. Durch die Belichtung werden Strukturveränderungen im Photolack erzeugt, die in nachfolgenden Bearbeitungsschritten in eine Struktur im Halbleiter-Bauelement übertragen werden.
Mittels spezieller Messmarken im Photolack wird ermittelt, ob die Ausrichtung der Schichten mit hinreichend großer Deckungsgenauigkeit ausgeführt wurde. Ist die Deckungsungenauigkeit nicht ausreichend, so kann die Lackschicht wieder entfernt werden. Es findet dann eine neue Belichtung mit einer neuen Ausrichtung des Substrates statt (Rework).
Eine Möglichkeit, die Lage der Marken zu erkennen, besteht in einer optischen Auswertung. Dazu wird monochromatisches oder weißes Licht auf das Substrat gestrahlt und das reflektierte Licht z. B. durch eine Bilderkennung ausgewertet. Die Effizienz der Auswertung hängt dabei von den Kontrastunterschieden im Bild ab. Der Kontrast ist dabei als das Verhältnis der Differenz der maximalen und der minimalen Intensität zur Summe der maximalen und minimalen Intensität definiert.
Üblicherweise werden die Kontrastunterschiede auf dem Substrat durch Stufenhöhen oder unterschiedliches Reflexionsvermögen von Markenstruktur und Umgebung erzeugt.
Diese Kontrastunterschiede reichen aber häufig nicht aus, um eine Auswertung und damit eine gute Ausrichtung oder Prüfung des Substrates zu ermöglichen.
Auch kann durch eine ungünstige Abfolge der Bearbeitungsschritte, z. B. ein zuvor durchgeführter CMP- Schritt, der Kontrastunterschied zwischen Marke und Umgebung verschlechtert werden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Markenanordnung, einen Wafer mit einer Markenanordnung und ein Verfahren zur Herstellung einer Markenanordnung zu schaffen, so dass eine Ausrichtung von Schichten und/oder des Substrats in einfacher und effizienter Weise möglich ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Markenanordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Dadurch, dass mindestens ein Teil einer Marke über einem strukturierten Hintergrund angeordnet ist, wird der Kontrast der Marke gegenüber dem Substrat verbessert.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Markenanordnung ist eine erste Marke, insbesondere als Justiermarke oder Teil einer Messmarke in einer ersten Schicht über dem strukturierten Hintergrund angeordnet. Eine Justiermarke dient dazu, das Substrat bei einer Belichtung in einem Belichtungstool auszurichten. Die erste Marke kann aber als Teil einer Messmarke dazu dienen, mit später aufgebrachten Marken zusammen, eine relative Ausrichtung von Schichten zueinander zu ermöglichen. In jedem Fall erlaubt der verbesserte Kontrast dabei eine bessere Erkennung der Lage des Substrates bzw. der Schichten auf dem Substrat.

Auch ist es vorteilhaft, wenn eine zweite Marke als Messmarke oder Teil einer Messmarke in einer zweiten Schicht, insbesondere einer Photolackschicht über dem strukturierten Hintergrund angeordnet ist, wobei die zweite Marke so angeordnet ist, dass die Ausrichtung der zweiten Schicht zur ersten Schicht quantitativ erfassbar ist. Damit kann nach einer Belichtung erfasst werden, ob diese korrekt vorgenommen wurde.

Eine vorteilhafte Markenanordnung liegt auch vor, wenn die erste Marke als Justiermarke ausgebildet ist, die zusammen mit der zweiten Marke eine Messmarke bildet. Damit wird die Justiermarke doppelt verwendet, so dass das Anbringen eines ersten Teiles einer Messmarke entfällt.

Zur Erhöhung des Kontrastes ist es vorteilhaft, wenn der strukturierte Hintergrund unterhalb der gesamten Ausdehnung mindestens einer der Marken angeordnet ist.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Markenanordnung, weist der strukturierte Hintergrund ein regelmäßiges, insbesondere linienförmiges oder gitterförmiges Muster auf. Solche Muster sind relativ leicht herstellbar und die Marken heben sich vor diesem strukturierten Hintergrund gut ab.

Vorteilhaft ist es, wenn der strukturierte Hintergrund mindestens ein Element aufweist, dessen Reflektivität sich von des Substrates unterscheidet. Unterschiede in der Reflektivität ermöglichen eine effiziente Auswertung durch eine Lichtbestrahlung des Substrates. Auch ist es vorteilhaft, wenn der strukturierte Hintergrund mindestens eine Erhöhung aus einer Oxidschicht, einkristallinem Silizium, Poly-Silizium, Aluminium und/oder Kupfer aufweist, da sich auch diese Elemente gut bei einer Bestrahlung nachweisen lassen.

Mit Vorteil weist eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Markenanordnung einen strukturierten Hintergrund mit mindestens einer Vertiefung, insbesondere einen Trench, einen Deep-Trench und/oder eine Vielzahl von Löchern auf. Auch durch eine Veränderung der Absorption durch Vertiefungen kann die Effizienz Detektion der Marken verbessert werden.

Dabei ist es auch vorteilhaft, wenn sich das Muster des strukturierten Hintergrundes parallel zu einer Achse, insbesondere der Längsachse einer der Marken und/oder senkrecht zur Längsachse der Marke erstreckt.

Ferner ist es vorteilhaft, wenn die Abmessungen der einzelnen Elemente des strukturierten Hintergrundes unterhalb der Auflösungsgrenze eines Messapparates für die Erfassung der Marken liegen.

Für eine effiziente Herstellung der Halbleiter-Bauelemente ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Marke in einer Schicht unterhalb der gerade zu bearbeitenden Schicht angeordnet ist.

Die Aufgabe wird auch durch einen Wafer aus Halbleitermaterial mit einer erfindungsgemäßen Markenanordnung gelöst nach Anspruch 12, insbesondere zur Herstellung von DRAMs gelöst.

Die Aufgabe wird auch durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. Dabei wird zuerst ein strukturierter Hintergrund auf oder im einem Substrat, insbesondere einem Halbleitermaterial hergestellt und anschließend zumindest ein Teil einer Marke über dem strukturierten Hintergrund angeordnet. Dies dient der Erzeugung eines erhöhten Kontrastunterschiedes zwischen Marke und Substrat.

Dabei ist es vorteilhaft, eine erste Marke, insbesondere als Justiermarke oder Teil einer Messmarke in einer ersten Schicht über dem strukturierten Hintergrund angeordnet wird. Bevorzugt wird auch eine zweite Marke als Messmarke oder Teil einer Messmarke in einer zweiten Schicht, insbesondere einer Photolackschicht über dem strukturierten Hintergrund angeordnet.

Eine besonders wirksame Verbesserung der Kontrastunterschiede ergibt sich, wenn der strukturierte Hintergrund als regelmäßiges, insbesondere ein linienförmiges oder gitterförmiges Muster auf und/oder in das Substrat eingebracht wird. Dabei ist es von Vorteil, wenn mindestens ein Element des strukturierten Hintergrundes auf das Substrat aufgebracht wird, dessen Reflektivität sich von der des Substrates unterscheidet. Auch ist es vorteilhaft, wenn für den strukturierten Hintergrund mindestens eine Erhöhung aus einer Oxidschicht, einkristallinem Silizium, Poly-Silizium, Aluminium und/oder Kupfer auf das Substrat aufgebracht wird. Vorteilhafterweise wird für den strukturierten Hintergrund mindestens eine Vertiefung, insbesondere ein Trench, ein Deep-Trench und/oder eine Vielzahl von Löchern in das Substrat eingebracht.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht durch einen Wafer mit einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Markenanordnung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Markenanordnung mit darunter liegenden Vertiefungen quer zur Längsachse einer ersten Marke;
Fig. 3 eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform der erfindungsgemäße Markenanordnung mit darunter liegenden Vertiefungen parallel zur Längsachse der ersten Marke;
Fig. 4 eine schematische Draufsicht auf eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Markenanordnung mit darunterliegenden Vertiefungen in Gitterform;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht durch einen Wafer mit einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Markenanordnung mit einer ersten und zweiten Marke;
Fig. 6a-c eine schematische Draufsicht auf drei Herstellungsschritte der Ausführungsform nach Fig. 5.
Fig. 7a, b Ergebnis einer Messung des Kontrastes einer Markenanordnung mit und ohne strukturiertem Hintergrund.
In Fig. 1 ist eine Querschnittsvergrößerung eines Teils einer Waferoberfläche dargestellt. Solche Wafer werden insbesondere bei der Herstellung von DRAMs eingesetzt. Für dieses Ausführungsbeispiel wird ein Wafer aus Silizium als Substrat 20 verwendet, wobei in alternativen Ausführungsformen auch andere Materialien als Substrat in Frage kommen.
In dem Substrat 20 werden durch eine Vielzahl von Bearbeitungsschritten in an sich bekannter Weise Halbleiter- Bauelemente hergestellt.
Für die Belichtungsschritte bei der Herstellung der Halbleiter-Bauelemente ist es notwendig, dass das Substrat 20 (also hier der Wafer) in einem hier nicht dargestellten Belichtungstool genau ausgerichtet wird.
Dazu dient hier eine Markenanordnung mit mindestens einer erste Marken 1, auch Justiermarke genannt.
Zur Erhöhung des Kontrastunterschiedes wird in der dargestellten Ausführungsform der Erfindung eine Justiermarke 1 über regelmäßig angeordneten Vertiefungen 11 angeordnet. Die Vertiefungen 11, die hier als Deep-Trenches ausgeführt sind, bilden somit den strukturierten Hintergrund 11 der Justiermarken 1. In alternativen Ausführungsformen weist der strukturierte Hintergrund 11 ein Feld von Löchern (z. B. contact holes) auf.
Bei einer Bestrahlung mit Licht, weisen die Vertiefungen 11 ein deutlich anderes Reflexionsverhalten als das umgebende Substrat 20 auf, was zu dem erhöhten Kontrastunterschied beiträgt. Ein hier nicht dargestelltes optisches System zur Ausrichtung einer Belichtungseinheit kann anhand der Justiermarken 1 erkennen. Beispiele für eine solche Abtastung der Justiermarken werden in Fig. 7 dargestellt.
Grundsätzlich kann die erste Marke 1 aber nicht nur eine Justiermarke, sondern auch ein Teil einer Messmarke sein. In diesem Fall wird das Zusammenwirken von Teilen der Messmarken in unterschiedlichen Schichten dazu verwendet, die Schichten untereinander auszurichten (siehe Fig. 6).
In Fig. 1 ist oberhalb einer ersten Schicht 31, in der die Justiermarke 1 angeordnet ist (hier ist die erste Schicht die Justiermarkenebene) eine zweite Schicht 32 aus Photolack angeordnet, in der eine zweite Marke angeordnet werden kann (siehe Fig. 5).
Die in Fig. 1 und auch den folgenden Figuren dargestellten Ansichten sind nicht maßstäblich. Typische Abmessungen der Breite der Justiermarken 1 sind 4 µm, der Abstand der Justiermarken 1 zueinander beträgt typischerweise 20 µm. Die Deep-Trenches haben hier eine Breite von 1 µm und sind in einem regelmäßigen Abstand von 1 µm zueinander angeordnet.
Die Justiermarken 1 sind in der hier dargestellten Ausführungsform aus TEOS (Tetraethylorthosilikat) hergestellt. Grundsätzlich sind aber auch andere Materialien geeignet. Auch sind in alternativen Ausführungsformen der erfindungsgemäße Justiermarken 1 im Zusammenhang mit anderen Materialien, wie z. B. III-V Halbleiter verwendbar.
Die Kontrastverbesserung einer erfindungsgemäßen Justiermarke 1 gegenüber dem Hintergrund ist dabei grundsätzlich unabhängig von dem gewählten Material.
In Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht auf drei Justiermarken 1 dargestellt, die über Deep-Trenches als Vertiefungen 11 angeordnet sind. Die Längsachsen 3 der Justiermarken 1 stehen dabei quer zu den Deep-Trenches 11.
In Fig. 3 wird im wesentlichen die gleiche Konfiguration wie in Fig. 2 dargestellt, nur dass die Längsachsen 3 der Justiermarken 1 hier parallel zu den Deep-Trenches 11 angeordnet sind.
In beiden Fällen entsprechen die Abmessungen der Justiermarken 1 und der Deep-Trenches 11 den oben gemachten Angaben.
Etwas andere Abmessungen liegen in dem in Fig. 4 dargestellten Fall vor. Hier sind die Justiermarken 1 über Deep-Trenches 11 in einer Gitterstruktur angeordnet. Die Gitterstruktur weist dabei Quadrate von 400 nm Seitenlänge auf. Im Gegensatz zu Fig. 1-3 sind die Deep-Trenches 11 aus Gründen der Darstellung hell, das Halbleitermaterial 20 dunkel dargestellt.
In Fig. 5 ist eine Schnittansicht mit einer Markenanordnung analog zu Fig. 1 dargestellt, bei der zusätzlich zur ersten Marke 1 eine zweite Marke 2 angeordnet ist.
Die erste Marke 1 ist hier als ein erster Teil einer mehrschichtigen Messmarke aufzufassen.
Die zweite Marke 2 ist als zweiter Teil der Messmarke oberhalb der ersten Schicht 31 in der zweiten Schicht 32 (Photolackschicht) angeordnet. In der Fig. 5 ist die Photolackschicht selbst bereits weggeätzt, so dass nur noch Lackstege der zweiten Marke 2 vorhanden sind. Alternativ können auch Lackgräben eingebracht werden.
Somit ist sind die erste Marke 1, die zweite Marke 2 (diese bilden zusammen die Messmarke) über dem strukturierten Hintergrund 11 angeordnet, was zur Verbesserung des Kontrastunterschiedes beiträgt.
In Fig. 5 sind die erste Schicht (31) und die zweite Schicht (32) direkt übereinander angeordnet. Alternativ können zwischen den Schichten 31, 32, in denen die Marken 1, 2 liegen, eine oder mehrere Schichten liegen, wenn diese hinreichend transparent sind.
Die Funktion der mehrteiligen Messmarke 1, 2 wird anhand der Fig. 6a-c dargestellt, die gleichzeitig Verfahrensschritte Herstellung einer erfindungsgemäßen Markenanordnung angibt.
In Fig. 6a ist ein Ausschnitt aus einem Substrat dargestellt, in das gitterförmig ein Material 11 als strukturierter Hintergrund aufgebracht ist, das ein anderes Reflexionsverhalten als das Substrat aufweist. Dies sind im vorliegenden Fall leichte Erhöhungen aus Silizium. Alternativ können auch andere strukturierbare Materialien zum Einsatz kommen.
In Fig. 6b ist dargestellt, wie eine erste Marke 1 über dem strukturierten Hintergrund angeordnet wird. Diese erste Marke 1 ist in Fig. 5 ein Teil einer Messmarke.
Alternativ kann auch eine bereits vorhandene Justiermarke (anhand der Justiermarken kann das Belichtungstool das Substrat korrekt ausrichten) als Teil der Messmarke dienen.
In Fig. 6c ist dann der Fall nach der Belichtung dargestellt, bei dem eine zweite Marke 2 in der zweiten Schicht (siehe Fig. 5) oberhalb des strukturierten Hintergrundes angeordnet ist. Die zweite Marke 2 wird hier durch Lackstege gebildet, die nach der Belichtung und der Entfernung der Photolackschicht übrig bleiben. Durch Messung von Abständen zwischen der ersten Marke 1 und der zweiten Marke 2 ist es möglich, quantitativ zu bestimmen, wie die Belichtung erfolgt ist.
Die Fig. 7a, b zeigen das Ergebnis von Reflexionsmessungen von Justiermarken 1 auf einem Substrat.
In Fig. 7a ist eine Standard Marke auf einem unstrukturierten Substrat angeordnet. Die Kontrastunterschiede zwischen den Justiermarken 1 (hier bestehend aus sechs Elementen) und dem Hintergrund sind klein, was durch die kleinen, relativ breiten (d. h. unscharfen) Peaks zum Ausdruck kommt. Die vier senkrechten Linien gehen durch den Schwerpunkt der durch die Flanken der Peaks gebildet werden. Eine Mittelung über die ermittelten Schwerpunkte ergibt dann die Position der gesamten Justiermarke 1.
Demgegenüber zeigt in Fig. 7b das Messergebnis für die Justiermarke über einem strukturierten Hintergrund. Der strukturierte Hintergrund wird hier durch eine regelmäßige Anordnung von Deep-Trenches gebildet. Die sechs Elemente der Justiermarke 1 erzeugen hier deutlichere Peaks (z. B. bessere Flanken), so dass eine Positionsbestimmung der Justiermarke 1 besser erfolgen kann.
Ein quantitativer Vergleich zeigt, dass eine Markenanordnung mit einer Justiermarke 1 über einem mit Deep-Trenches strukturierten Hintergrund einen um 50% verbesserten Kontrast gegenüber einem unstrukturierten Substrat aufweist.
Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von der erfindungsgemäßen Markenanordnung, einem Wafer mit der Markenanordnung oder dem Verfahren zur Herstellung der Markenanordnung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen. Bezugszeichenliste 1 Erste Marke (z. B. Justiermarke, erster Teil einer Messmarke)
2 Zweite Marke (z. B. zweiter Teil einer Messmarke)
3 Längsachse der Marke
11 strukturierter Hintergrund (Vertiefung, Erhöhung etc.)
20 Halbleitermaterial
31 Erste Schicht (z. B. Justiermarkenebene)
32 Zweite Schicht

Claims

1. Markenanordnung zur Ausrichtung und/oder Bestimmung der relativen Lage eines Substrates und/oder von Schichten auf dem Substrat bei einer lithographischen Belichtung, insbesondere bei einem Wafer bei der Herstellung von DRAMs, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil einer Marke (1, 2) über einem strukturierten Hintergrund (11) zur Erhöhung eines Kontrastunterschiedes zwischen Marke (1, 2) und dem Substrat (20) angeordnet ist.

2. Markenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Marke (1), insbesondere als Justiermarke oder Teil einer Messmarke in einer ersten Schicht (31) über dem strukturierten Hintergrund (11) angeordnet ist.

3. Markenanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Marke (2), insbesondere als Messmarke oder als Teil einer Messmarke in einer zweiten Schicht (32), insbesondere einer Photolackschicht über dem strukturierten Hintergrund (11) angeordnet ist, wobei die zweite Marke (2) so angeordnet ist, dass die Ausrichtung der zweiten Schicht (32) zur ersten Schicht (31) quantitativ erfassbar ist.

4. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Marke 1 als eine Justiermarke ausgebildet ist, die zusammen mit der zweiten Marke eine Messmarke bildet.

5. Markenanordnung nach mindestens einem der dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund (11) unterhalb der gesamten Ausdehnung mindestens einer der Marken (1, 2) angeordnet ist.

6. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund (11) ein regelmäßiges, insbesondere ein linienförmiges oder gitterförmiges Muster aufweist.

7. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund (11) mindestens ein Element aufweist, dessen Reflektivität sich von des Substrates (20) unterscheidet.

8. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund (11) mindestens eine Erhöhung aus einer Oxidschicht, einkristallinem Silizium, Poly-Silizium, Aluminium und/oder Kupfer aufweist.

9. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund mindestens eine Vertiefung (11), insbesondere einen Trench, einen Deep-Trench und/oder eine Vielzahl von Löchern aufweist.

10. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Muster des strukturierten Hintergrundes (11) sich parallel zu einer Achse, insbesondere der Längsachse (3) einer der Marken (1, 2) und/oder senkrecht zur Längsachse (3) der Marke (1, 2) erstreckt.

11. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abmessungen der einzelnen Elemente des strukturierten Hintergrundes (11) unterhalb der Auflösungsgrenze eines Messapparates für die Erfassung der Marken (1, 2) liegen.

12. Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Marke (1, 2) in einer Schicht unterhalb der gerade zu bearbeitenden Schicht angeordnet ist.

13. Wafer aus Halbleitermaterial, insbesondere zur Herstellung von DRAM mit einer Markenanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche.

14. Verfahren zur Herstellung mindestens einer Markenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zuerst ein strukturierter Hintergrund (11) auf oder im einem Substrat (20), insbesondere einem Halbleitermaterial hergestellt wird und anschließend zumindest ein Teil einer Marke (1, 2) über dem strukturierten Hintergrund (11) zur Erzeugung eines erhöhten Kontrastunterschiedes zwischen Marke (1, 2) und Substrat (20) angeordnet wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Marke (1), insbesondere als Justiermarke oder Teil einer Messmarke in einer ersten Schicht (31) über dem strukturierten Hintergrund (11) angeordnet wird.

16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Marke (2), insbesondere als Messmarke oder Teil einer Messmarke in einer zweiten Schicht (32) über dem strukturierten Hintergrund angeordnet wird.

17. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Hintergrund (11) als regelmäßiges, insbesondere ein linienförmiges oder gitterförmiges Muster auf und/oder in das Substrat (20) eingebracht wird.

18. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass für den strukturierten Hintergrund (11) mindestens ein Element auf das Substrat (20) aufgebracht wird, dessen Reflektivität sich von des Substrates (20) unterscheidet.

19. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass für den strukturierten Hintergrund (20) mindestens eine Erhöhung aus einer Oxidschicht, einkristallinem Silizium, Poly-Silizium, Aluminium und/oder Kupfer auf das Substrat aufgebracht wird.

20. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass für den strukturierten Hintergrund mindestens eine Vertiefung (11), insbesondere ein Trench, ein Deep-Trench und/oder eine Vielzahl von Löchern in das Substrat (20) eingebracht wird.