DE10139086A1 - Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird - Google Patents
Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wirdInfo
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Abstract
Ein Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstücks, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, von dem elastischen Adsorptionskissen, welches unzählbare Poren in der Oberfläche aufweist und eine Adsorptionskraft erzeugt, wenn ein negativer Druck bzw. Unterdruck durch die gedrückten bzw. gequetschten Poren durch eine durch Elastizität erzeugte Rückstellkraft und Adhäsion erzeugt wird, welches den Schritt eines Trennens des plattenartigen Werkstückes von dem elastischen Adsorptionskissen in einem Zustand umfaßt, in welchem Luft in den Poren durch ein Erwärmen bzw. Erhitzen des elastischen Adsorptionskissens auf eine vorbestimmte Temperatur aufgeweitet bzw. expandiert wird.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Trennen
eines plattenartigen Werkstückes, wie eines Halbleiterwafers oder einer Halb
leiterscheibe, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen
gehalten wird, von dem elastischen Adsorptionskissen, welches unzählige Poren
in der Oberfläche aufweist und eine Adsorptionskraft erzeugt, wenn ein negativer
Druck bzw. Unterdruck durch die gedrückten bzw. gequetschten Poren durch eine
durch Elastizität erzeugte Rückstellkraft und Adhäsion erzeugt wird.
In dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung wird eine
Schaltung bzw. ein Schaltkreis, wie beispielsweise ein IC oder LSI, in einer
großen Anzahl von Flächen bzw. Bereichen ausgebildet, welche in einer Gitter
form auf der Oberfläche eines im wesentlichen scheibenförmigen Halbleiterwafers
angeordnet sind, und jede Fläche, welche den Schaltkreis darin ausgebildet
aufweist, wird entlang vorbestimmter Schneidlinien geschnitten bzw. vereinzelt,
um einen Halbleiterchip zu erzeugen bzw. herzustellen. Um die Wärme
abstrahlungseigenschaft des Halbleiterchips bzw. -bausteins zu verbessern, wird
die Dicke des Halbleiterchips in wünschenswerter Weise so gering wie möglich
gemacht. Um das Verringern der Größe von tragbaren Telefonen bzw. Handys,
Smartcards bzw. Karten mit Mikroprozessor und Speicherchip, Personal
Computern und dgl. zu ermöglichen, in welchen eine große Anzahl von
Halbleiterchips verwendet wird, wird der Halbleiterchip in wünschenswerter Weise
bzw. bevorzugt so dünn wie möglich ausgebildet. Zu diesem Zweck wird, bevor
der Halbleiterwafer bzw. die Halbleiterscheibe in Chips unterteilt wird, die
Rückseite des Halbleiterwafers auf eine vorbestimmte Dicke geschliffen. Als eine
Technologie, welche zu einem weiteren Reduzieren der Dicke des zu
unterteilenden Halbleiterchips fähig ist, wurde auch ein "Vorvereinzeln" genanntes
Verfahren entwickelt, welches ein Ausbilden von Schneid- bzw. Vereinze
lungsrillen, welche eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, auf der Oberfläche des
Halbleiterwafers vor dem Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers und ein
Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers umfaßt, bis die Vereinzelungsrillen
freigelegt werden, um den Halbleiterwafer in Halbleiterchips zu unterteilen.
Der Halbleiterwafer oder die Halbleiterchips, welche, wie oben beschrieben,
dünn ausgebildet sind, werden leicht aufgrund einer reduzierten Starrheit bzw.
Festigkeit gebrochen und es muß daher eine besondere Sorgfalt bei der Hand
habung derselben in dem Verarbeitungsschritt angewandt werden. Die
Anmelderin hat in den japanischen, veröffentlichten Patentanmeldungen
25881/2000 und 158334/2000 (JP-A 2000-25881 und JP-A 2000-158334) eine
Schale bzw. einen Träger vorgeschlagen, welche(r) ein elastisches Adsorptions
kissen bzw. eine elastische Adsorptionsunterlage mit unzähligen Poren in der
Oberfläche für ein Halten eines plattenartigen Werkstückes durch Adsorption
umfaßt, wobei von einem negativen Druck bzw. Unterdruck Verwendung gemacht
wird, welcher, wenn die Poren gedrückt bzw. gequetscht werden, durch eine durch
Elastizität erzeugte Rückstellkraft und Adhäsion erzeugt wird, um zu ermöglichen,
daß ein dünnes, plattenartiges Werkstück, welches eine geringe Starrheit bzw.
Festigkeit aufweist, leicht getragen werden kann.
Wenn das plattenartige Werkstück, welches durch Adsorption auf der
Schale bzw. dem Träger gehalten ist, welche(r) ein elastisches Adsorptionskissen
umfaßt, von dem elastischen Adsorptionskissen zu trennen ist, nachdem es zu
dem vorbestimmten Bearbeitungsschritt getragen wurde, wird ein negativer Druck
bzw. Unterdruck in den Poren, welche in der Oberfläche des elastischen
Adsorptionskissens ausgebildet sind, durch eine Zufuhr von Luft zu dem ela
stischen Adsorptionskissen reduziert, wodurch das plattenartige Werkstück von
dem elastischen Adsorptionspad bzw. -kissen getrennt wird. In dem obigen
Verfahren einer Zufuhr von Luft zu dem elastischen Adsorptionskissen ist es
jedoch schwierig, Luft zu allen Poren zuzuführen, welche in großer Anzahl bzw.
unzählbar in der Oberfläche des elastischen Adsorptionskissens ausgebildet sind,
und eine beträchtliche Saugkraft kann oft in dem elastischen Adsorptionskissen
verbleiben. In diesem Fall ist, wenn das plattenartige Werkstück sehr dünn ist und
eine geringe Festigkeit, wie ein Halbleiterwafer oder ein Halbleiterchip, aufweist,
es wahrscheinlich bzw. möglich, daß es einen Schaden bei dem Zeitpunkt einer
Trennung von dem elastischen Adsorptionskissen erleidet.
Es ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch Adsorption an
einem elastischen Adsorptionskissen bzw. einer elastischen Adsorptionsunterlage
gehalten ist, zur Verfügung zu stellen, welches fähig ist, leicht ein plattenartiges
Werkstück zu trennen, welches durch Adsorption an einem elastischen
Adsorptionskissen gehalten ist.
Um das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein
Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, von dem ela
stischen Adsorptionskissen zur Verfügung gestellt, welches unzählige Poren in der
Oberfläche aufweist und eine Adsorptionskraft erzeugt, wenn ein negativer Druck
bzw. Unterdruck durch die gedrückten bzw. gequetschten Poren durch eine durch
Elastizität erzeugte Rückstellkraft und Adhäsion erzeugt wird, welches den Schritt
eines Trennens des plattenartigen Werkstückes von dem elastischen
Adsorptionskissen in einem Zustand umfaßt, in welchem Luft in den Poren durch
ein Erwärmen bzw. Erhitzen des elastischen Adsorptionskissens auf eine
vorbestimmte Temperatur aufgeweitet bzw. expandiert wird.
Das obige, elastische Adsorptionskissen wird an einem Substrat montiert
bzw. festgelegt und das Substrat wird auf einem Heiztisch angeordnet, um das
elastische Adsorptionskissen über das Substrat zu erwärmen bzw. zu erhitzen.
Alternativ wird das obige, elastische Adsorptionskissen an dem Substrat fest
gelegt bzw. angeordnet und das Substrat wird mit einem Heizelement versehen,
um das elastische Adsorptionskissen durch Wärme bzw. Hitze zu erwärmen,
welche durch das Heizelement erzeugt wird. Weiter alternativ wird eines aus
einem heißen Gas, einer heißen Flüssigkeit und Infrarotstrahlung zu dem obigen,
elastischen Adsorptionskissen zugeführt, um das elastische Adsorptionskissen zu
erwärmen. Die Heiztemperatur des elastischen Adsorptionskissens beträgt
erwünschterweise 40°C bis 60°C.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Halteschale bzw. eines Hal
teträgers für ein plattenartiges Werkstück, welche(r) ein elastisches Adsorp
tionskissen umfaßt;
Fig. 2 ist eine perspektivische Explosionsansicht der ausbildenden Glieder
bzw. Bestandteile der Halteschale des plattenartigen Werkstückes, welche in Fig.
1 gezeigt ist;
Fig. 3 ist eine vergrößerte Schnittansicht des elastischen Adsorptionskis
sens, welches die Halteschals des plattenartigen Werkstückes darstellt bzw.
ausbildet, welche in Fig. 1 gezeigt ist;
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Zustand eines plat
tenartigen Werkstückes zeigt, welches durch Adsorption an der Halteschale für
das plattenartige Werkstück gehalten wird, welche in Fig. 1 gezeigt ist;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Heiztisch als Heiz
mittel bzw. -einrichtung zum Durchführen des Trennverfahrens der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 6 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer anderen Ausfüh
rungsform der Halteschale für das plattenartige Werkstück für ein Durchführen
des Trennverfahrens der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Zustand des plat
tenartigen Werkstückes zeigt, welches durch Adsorption an der Halteschale für
das plattenartige Werkstück gehalten ist, welche in Fig. 6 gezeigt ist.
Bevorzugte Ausführungsformen des Verfahrens zum Trennen eines plat
tenartigen Werkstückes, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorp
tionskissen gehalten wird, gemäß der vorliegenden Erfindung werden im Detail
unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichnungen nachfolgend be
schrieben.
Eine Halteschale bzw. ein Halteträger 2 für ein plattenartiges Werkstück,
welche(r) ein elastisches Adsorptionskissen bzw. eine elastische Adsorptions
unterlage für ein Halten eines plattenartigen Werkstückes, wie beispielsweise
eines Halbleiterwafers bzw. einer Halbleiterscheibe oder dgl., umfaßt, wird zuerst
unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 beschrieben.
Die Halteschale 2 für das plattenartige Werkstück in der illustrierten Aus
führungsform besteht aus einem scheibenartigen Substrat 3 und einem schei
benartigen, elastischen Adsorptionskissen 4, welches auf der oberen Oberfläche
des Substrats 3 montiert bzw. festgelegt ist. Das Substrat 3 ist aus einem harten
Material, wie beispielsweise Aluminium oder synthetischem Harz, gebildet, weist
eine Dicke von etwa 1 mm auf und ist derart konstruiert, daß es sich nicht leicht
biegt. Eine Vielzahl von Durchtrittslöchern 31, welche von der oberen Oberfläche
zu der unteren Oberfläche hindurchtreten, sind in dem derart ausgebildeten
Substrat 3 ausgebildet. Obwohl das Substrat 3 kreisförmig (scheibenartig) in der
illustrierten Ausführungsform ausgebildet ist, ist das Substrat 3 bevorzugt bzw.
erwünscht in Übereinstimmung mit der Form eines plattenartigen Werkstückes
ausgebildet, welches durch Adsorption darauf zuhalten ist.
Das obige, elastische Adsorptionskissen 4 ist aus einem Material, welches
eine Elastizität, wie beispielsweise synthetisches Harz, beispielsweise Al
kylbenzolsulfonsäure, aufweist, in Übereinstimmung mit der Form des Substrats 3
ausgebildet. Unzählige Poren 41 sind zumindest in der Oberfläche 40 des derart
gebildeten, elastischen Adsorptionskissens 4 ausgebildet, wie dies in der
vergrößerten Ansicht von Fig. 3 gezeigt ist. Durchtrittslöcher 42, welche eine
Breite von einzigen zehn Mikrometern aufweisen und von der oberen Oberfläche
zu der unteren Oberfläche hindurchtreten, sind zwischen benachbarten Poren 41
des elastischen Adsorptionskissens 4 ausgebildet, so daß Luft durch die Durch
trittslöcher 42 hindurchtreten kann. Die Dicke des elastischen Adsorptionskissens
4 wird unter Berücksichtigung der Eigenschaften eines Werkstückes bestimmt,
wobei sie vorzugsweise etwa 0,5 mm beträgt. Das elastische Adsorptionskissen 4
ist beispielsweise von Dars bond Co., Ltd. erhältlich.
Das elastische Kissen 4, welches wie oben beschrieben ausgebildet ist,
wird an der oberen Oberfläche des obigen Substrats 3 durch Verwendung eines
geeigneten Klebemittels festgelegt, um die Halteschale 2 für das plattenartige
Werkstück auszubilden, welche aus dem Substrat 3 und dem elastischen Kissen
bzw. der elastischen Unterlage 4 besteht, welche miteinander verbunden sind. Die
Halteschale 2 für das plattenartige Werkstück, welche wie oben beschrieben
ausgebildet ist, arbeitet in einer derartigen Weise, daß, wenn ein plattenartiges
Werkstück W, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer oder dgl., auf der oberen
Oberfläche des elastischen Adsorptionskissens 4 angeordnet wird, wie dies in Fig.
4 gezeigt ist, und ein negativer Druck bzw. Unterdruck durch die Durchtrittslöcher
31, welche in dem Substrat 3 ausgebildet sind, durch geeignete Unterdruckmittel
eingebracht wird, der negative Druck bzw. Unterdruck auf das plattenartige
Werkstück W, welches auf der oberen Oberfläche des elastischen
Adsorptionskissens 4 angeordnet ist, durch die Durchtrittslöcher 42 wirkt, welche
in dem elastischen Adsorptionskissen 4 ausgebildet sind, um das plattenartige
Werkstück W das elastische Adsorptionskissen 4 adsorbieren zu lassen. An
diesem Punkt wird das elastische Adsorptionskissen 4 komprimiert und die Poren
41, welche in der Oberfläche 40 ausgebildet sind, werden gedrückt bzw.
gequetscht. Daraus resultierend wird ein negativer Druck bzw. Unterdruck in den
Poren 41 durch eine Rückstellkraft, welche durch Elastizität erzeugt wird, und
Adhäsion bzw. Anhaftung des elastischen Adsorptionskissens 4 erzeugt, selbst
wenn das Einbringen des Unterdrucks durch die Durchtrittslöcher 31, welche in
dem Substrat 3 der Halteschale 2 des plattenartigen Werkstückes ausgebildet
sind, gelöst bzw. unterbrochen wird. Derart dient dieser negative Druck bzw.
Unterdruck als eine Saugkraft, um die Adsorption des plattenartigen Werkstückes
W aufrecht zu erhalten. Um das plattenartige Werkstück W durch Adsorption an
dem elastischen Adsorptionskissen 4 der Halteschale 2 des plattenartigen
Werkstückes zu halten, wird, nachdem das plattenartige Werkstück W auf dem
elastischen Adsorptionskissen 4 angeordnet wurde, das plattenartige Werkstück
W beaufschlagt bzw. gedrückt, um die obigen Poren 41 zu drücken bzw. zu
quetschen, wodurch es möglich gemacht wird, eine Adsorptionskraft in dem
elastischen Adsorptionskissen 4 zu erzeugen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 5 wird nachfolgend eine Beschreibung einer
Ausführungsform des Verfahrens des Trennens eines plattenartigen Werkstückes
W von der Halteschale 2 für das plattenartige Werkstück gegeben, nachdem das
plattenartige Werkstück W, welches an der Halteschale 2 für das plattenartige
Werkstück durch Adsorption gehalten wird, welche das elastische
Adsorptionskissen 4 umfaßt, zu dem vorbestimmten Verfahrensschritt getragen
wird, wie dies oben beschrieben ist.
In der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform wird ein Heiz- bzw. Wärmetisch
5 vorbereitet. Dieser Heiztisch 5 umfaßt einen Wärme- bzw. Heizabschnitt 50,
welcher aus einem isolierenden Material, wie beispielsweise Keramik, ausgebildet
ist, und einen Heizdraht 51, welcher in dem Heizabschnitt 50 eingebettet ist, und
der Heizdraht 51 ist mit einer Leistungsquelle (nicht gezeigt) über einen Verbin
dungsanschluß bzw. -kontakt 52 verbunden. Das Substrat 3 der Halteschale 2 für
das plattenartige Werkstück, welche das plattenartige Werkstück W durch
Adsorption hält, wird auf der oberen Oberfläche des Heiztisches 5 angeordnet,
welcher wie oben beschrieben ausgebildet ist, und der Heizdraht 51 wird durch
den Verbindungsanschluß 52 mit Energie versorgt. Als ein Resultat wird die obere
Oberfläche des Heiztisches 5 erwärmt bzw. erhitzt, um das elastische Ad
sorptionskissen 4 über das Substrat 3 der Halteschale 2 für das plattenartige
Werkstück zu erwärmen bzw. zu erhitzen. Wenn das elastische Adsorptionskissen
4 erwärmt bzw. erhitzt wird, expandiert in den Poren 41 verbleibende Luft,
wodurch der in allen Poren 41 erzeugte, negative Druck bzw. Unterdruck
aufgehoben wird. Daher kann das plattenartige Werkstück W, welches auf der
oberen Oberfläche des elastischen Adsorptionskissens 4 der Halteschale 2 für
das plattenartige Werkstück gehalten wird, leicht von dem elastischen
Adsorptionskissen 4 getrennt werden. Die Heiztemperatur des elastischen
Adsorptionskissens 4 ist ausreichend, wenn sie erlaubt, daß in den Poren 41
verbleibende Luft in einem derartigen Ausmaß expandiert, daß der obengenannte
Unterdruck aufgehoben wird. Entsprechend in der vorliegenden Erfindung
durchgeführten Experimenten beträgt sie vorzugsweise 40°C bis 60°C, welches
nicht die Qualität eines Halbleiterwafers oder Halbleiterchips als das plattenartige
Werkstück W beeinträchtigt.
Eine andere Ausführungsform des Verfahrens zum Trennen des platten
artigen Werkstückes W, welches durch Adsorption an der Halteschale 2 für das
plattenartige Werkstück gehalten wird, welche das obengenannte, elastische
Adsorptionskissen 4 umfaßt, wird unter Bezugnahme auf Fig. 6 und Fig. 7 be
schrieben.
In der in Fig. 6 und Fig. 7 gezeigten Ausführungsform ist eine Halteschale
2a für ein plattenartiges Werkstück mit Heizmitteln bzw. -einrichtungen versehen.
D. h., die Halteschale 2a für das plattenartige Werkstück, welche aus einem
Substrat 3a und einem elastischen Adsorptionskissen 4a besteht, welches auf der
oberen Oberfläche des Substrats 3a festgelegt bzw. montiert ist, ist derart
ausgebildet, daß ein Heizdraht 51a in dem Substrat 3a eingebettet und mit einer
Leistungsquelle (nicht gezeigt) über einen Verbindungsanschluß bzw. -kontakt
52a verbunden ist. Daher kann, wenn das plattenartige Werkstück W, wie
beispielsweise ein Halbleiterchip, welcher durch ein Unterteilen eines Halb
leiterwafers ausgebildet wird, welcher durch Adsorption an dem elastischen
Adsorptionskissen 4a gehalten ist, wie dies in Fig. 7 gezeigt ist, von dem ela
stischen Adsorptionskissen 4a zu trennen ist, das elastische Adsorptionskissen 4a
über das Substrat 3a durch ein Versorgen des Heizdrahts 51a durch den
Verbindungsanschluß 52a erwärmt bzw. erhitzt werden. Als ein Resultat ex
pandiert in den Poren 41 des elastischen Adsorptionskissens 4a verbleibende
Luft, wodurch es möglich gemacht wird, den in den Poren 41 erzeugten Unter
druck aufzuheben und das plattenartige Werkstück W von dem elastischen Ad
sorptionskissen 4a leicht zu trennen. Um den Heizdraht 51a in dem Substrat 3a
der Halteschale 2a für das plattenartige Werkstück, welche in Fig. 6 und Fig. 7
gezeigt ist, einzubetten, ist das Substrat 3a bevorzugt bzw. erwünschterweise aus
einem isolierenden Material, wie beispielsweise einem Keramikmaterial, ausgebil
det und muß dicker als dasjenige der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform
ausgebildet sein.
Eine Beschreibung wird nachfolgend für noch eine andere Ausführungs
form des Verfahrens eines Erwärmens bzw. Erhitzens des elastischen Adsorp
tionskissens 4 in der vorliegenden Erfindung gegeben.
In der in Fig. 5 und Fig. 6 gezeigten Ausführungsform wird der Heizdraht,
welcher Wärme bzw. Hitze durch Versorgung mit Energie erzeugt, als ein Mittel
zum Erwärmen bzw. Erhitzen des elastischen Adsorptionskissens 4 verwendet,
welches durch Adsorption das plattenartige Werkstück W hält. Ein heißes Gas
oder eine heiße Flüssigkeit, welche(s) auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt
bzw. erhitzt ist, kann als ein anderes Heizmittel verwendet werden oder In
frarotstrahlung kann auch verwendet werden, um das elastische Absorptions
kissen 4 zu erwärmen bzw. zu erhitzen.
Da das Verfahren zum Trennen des plattenartigen Werkstückes, welches
durch Adsorption an dem elastischen Adsorptionskissen gehalten ist, gemäß der
vorliegenden Erfindung wie oben beschrieben ausgebildet ist, werden die fol
gende Funktion und der folgende Effekt erhalten.
D. h., gemäß der vorliegenden Erfindung wird, wenn das plattenartige
Werkstück, welches durch Adsorption an dem elastischen Adsorptionskissen
gehalten wird, von dem elastischen Adsorptionskissen zu trennen ist, es von dem
elastischen Adsorptionskissen in einem Zustand getrennt, wo Luft, welche in den
Poren verbleibt, welche in der Oberfläche des elastischen Adsorptionskissens
ausgebildet sind, durch ein Erwärmen bzw. Erhitzen des elastischen Adsorp
tionskissens auf eine vorbestimmte Temperatur expandiert bzw. aufgeweitet wird.
Daher kann ein negativer Druck bzw. Unterdruck, welcher in den Poren erzeugt
wird, aufgehoben werden, wodurch es möglich gemacht wird, das plattenartige
Werkstück leicht von dem elastischen Adsorptionskissen zu trennen. Da das
plattenartige Werkstück von dem elastischen Adsorptionskissen leicht getrennt
werden kann, wird es zum Zeitpunkt der Trennung bzw. Entfernung nicht
beschädigt.
Claims (7)
1. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes (W), welches
durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen bzw. -block (4, 4a)
gehalten wird, von dem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a), welches unzählige
bzw. zahlreiche Poren (41) in der Oberfläche aufweist und eine Adsorptionskraft
erzeugt, wenn ein negativer Druck bzw. Unterdruck durch die gedrückten bzw.
gequetschten Poren (41) durch eine durch Elastizität und Adhäsion erzeugte
Rückstellkraft erzeugt wird, welches den Schritt eines Trennens des plattenartigen
Werkstückes (W) von dem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a) in einem Zustand
umfaßt, in welchem Luft in den Poren (41) durch ein Erwärmen bzw. Erhitzen des
elastischen Adsorptionskissens (4, 4a) auf eine vorbestimmte Temperatur aufge
weitet bzw. expandiert wird.
2. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach Anspruch 1,
worin das elastische Adsorptionskissen (4) an einem Substrat (3) angeordnet bzw.
festgelegt wird und das Substrat (3) auf einem Heiztisch (5) angeordnet wird, um das
elastische Adsorptionskissen (4) über das Substrat (3) zu erwärmen bzw. zu
erhitzen.
3. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach Anspruch 1
oder 2, worin das elastische Adsorptionskissen (4a) an einem Substrat (3a) an
geordnet bzw. festgelegt wird und das Substrat (3a) mit einem Heizelement (51a)
versehen wird, um das elastische Adsorptionskissen (4a) durch Hitze bzw. Wärme
zu erhitzen, welche durch das Heizelement (51a) erzeugt wird.
4. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, worin eines von einem heißen Gas, einer heißen
Flüssigkeit und Infrarotstrahlung zu dem elastischen Adsorptionskissen (4, 4a)
zugeführt wird, um das elastische Adsorptionskissen (4, 4a) zu erhitzen bzw. zu
erwärmen.
5. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, worin die Erwärmungs- bzw. Aufheiztemperatur des
elastischen Adsorptionskissens (4, 4a) 40°C bis 60°C beträgt.
6. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, worin das plattenartige Werkstück (W) ein
Halbleiterwafer bzw. eine Halbleiterscheibe ist.
7. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch
Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird, nach einem der
vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, worin das plattenartige Werkstück (W) ein
Halbleiterchip bzw. -baustein ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-258945 | 2000-08-29 | ||
| JP2000258945A JP2002066911A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 弾性吸着パッドに吸着保持された板状物の剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10139086A1 true DE10139086A1 (de) | 2002-04-25 |
| DE10139086B4 DE10139086B4 (de) | 2010-05-06 |
Family
ID=18747181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10139086A Expired - Lifetime DE10139086B4 (de) | 2000-08-29 | 2001-08-16 | Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Werkstückes, welches durch Adsorption an einem elastischen Adsorptionskissen gehalten wird |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6594890B2 (de) |
| JP (1) | JP2002066911A (de) |
| DE (1) | DE10139086B4 (de) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003234794A1 (en) | 2002-05-13 | 2003-11-11 | Jsr Corporation | Composition and method for temporarily fixing solid |
| US8176503B2 (en) | 2004-01-27 | 2012-05-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Device driver selection |
| US7051848B2 (en) | 2004-08-03 | 2006-05-30 | Akebono Corporation (North America) | Temperature specific mechanism retaining brake pads in a caliper assembly during shipping |
| US20070217119A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | David Johnson | Apparatus and Method for Carrying Substrates |
| JP2010194685A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 作業台 |
| JP5355165B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2013-11-27 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 保持シート |
| KR101485073B1 (ko) | 2010-09-15 | 2015-01-22 | 주식회사 엘지화학 | 지지 패드용 폴리우레탄 수지 조성물 및 이를 이용한 폴리우레탄 지지 패드 |
| US9924897B1 (en) * | 2014-06-12 | 2018-03-27 | Masimo Corporation | Heated reprocessing of physiological sensors |
| JP6605946B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | チップ収容トレイからチップをピックアップする方法 |
| JP6993099B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-01-13 | 株式会社岡本工作機械製作所 | チャック装置 |
| JP7166730B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP7171140B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-15 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3024373B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2000-03-21 | 信越半導体株式会社 | シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具 |
| JP3566430B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2004-09-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP3084669B2 (ja) | 1996-10-17 | 2000-09-04 | 日本ダースボンド株式会社 | 研磨製品の製造方法 |
| JP2000025881A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 搬送トレイ |
| JP2000071170A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Nitta Ind Corp | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法 |
| JP2000158334A (ja) | 1998-11-30 | 2000-06-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 作業用トレー及び研削方法 |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000258945A patent/JP2002066911A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-15 US US09/928,985 patent/US6594890B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-16 DE DE10139086A patent/DE10139086B4/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10139086B4 (de) | 2010-05-06 |
| US6594890B2 (en) | 2003-07-22 |
| JP2002066911A (ja) | 2002-03-05 |
| US20020023340A1 (en) | 2002-02-28 |
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| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R071 | Expiry of right |