DE10133663A1 - Verfahren zum Entfernen eines Resistrests und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines solchen Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Entfernen eines Resistrests und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines solchen VerfahrensInfo
- Publication number
- DE10133663A1 DE10133663A1 DE2001133663 DE10133663A DE10133663A1 DE 10133663 A1 DE10133663 A1 DE 10133663A1 DE 2001133663 DE2001133663 DE 2001133663 DE 10133663 A DE10133663 A DE 10133663A DE 10133663 A1 DE10133663 A1 DE 10133663A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- resist
- forming
- insulating film
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft das Gebiet der Wasserwaschverfahren für ein Substrat und insbesondere ein Verfahren zum Entfernen eines Resistrests nach Entfernen des Resists. In dem Verfahren wird eine Prozeßfolge (100, 150) mit einer Entfernerbehandlung mit einem Entferner auf Fluorgrundlage (101, 105) kurzzeitig ausgeführt, so daß sich eine Halbleitervorrichtung nicht verschlechtert, wobei diese Folge (100, 150) wenigstens zweimal wiederholt wird. Somit wird es möglich, ein Verfahren zum Entfernen eines Resistrests zu schaffen, das keine nachteiligen Wirkungen auf eine Halbleitervorrichtung wie etwa Aussparungen in einem Zwischenschicht-Isolierfilm, Vorsprünge in einem Kontaktloch und eine Rauhigkeit auf der Verdrahtung hat.
Description
Die Erfindung betrifft das Gebiet der Wasserwaschverfahren
für ein Substrat und insbesondere ein Verfahren zum Entfernen
eines Resistrests nach Entfernen des Resists.
Mit den feiner werdenden Strukturen von Halbleitervorrichtun
gen gibt es ständig wachsende Forderungen nach Hochleistungs
verfahren zum Entfernen eines Resistrests im Halbleiterher
stellungsprozeß. Mit anderen Worten, es gibt Forderungen nach
Verfahren, mit denen lediglich der Resistrest vollständig
entfernt wird, ohne daß sich die Verfahren nachteilig auf die
Bestandteile einer Halbleitervorrichtung wie etwa Drähte und
Zwischenschicht-Isolierfilme auswirken.
In bezug auf ein Verfahren zum Entfernen eines solchen Resi
strests ist gegenwärtig ein Verfahren unter Verwendung eines
Entferners auf Fluor-Grundlage, der Ammoniumfluorid usw. ent
hält, weithin bekannt.
Um den Resistrest vollständig zu entfernen, muß in dem oben
erwähnten Verfahren unter Verwendung des Entferners auf
Fluor-Grundlage aber die Verarbeitungszeit verlängert werden,
wobei die verlängerte Verarbeitungszeit zum Verbessern der
Entfernungseigenschaft wegen der Neigung des Entferner auf
Fluor-Grundlage zum Korrodieren von Oxidfilmen und zum Verur
sachen einer Oberflächenrauhigkeit auf den Elektroden aber zu
Problemen einer Verringerung der Filmdicke eines Zwischen
schicht-Isolierfilms als Bestandteil einer Halbleitervorrich
tung führt, während die Kontaktlöcher vergrößert werden, wo
bei diese Probleme zu einer Verschlechterung der Eigenschaf
ten der Halbleitervorrichtung führen. Falls beispielsweise
bei Anwendung eines USG-Films (eines Films aus undotiertem
Silikatglas) als Zwischenschicht-Isolierfilm der obenerwähnte
Entferner auf Fluorbasis 10 Minuten lang angewendet wird, um
den aus der Bildung von Kontaktlöchern herrührenden Resist
rest darin zu entfernen, wächst jedes Kontaktloch um etwa
30 nm, was zur Verringerung des Integrationsgrads und zur
Verschlechterung der Zuverlässigkeit führt.
Außerdem wird der Zwischenschicht-Isolierfilm in vielen Fäl
len durch Stapeln verschiedenartiger Oxidfilme ausgebildet,
wobei beim Ausbilden von Kontaktlöchern in einem solchen Zwi
schenschicht-Isolierfilm ein weiteres Problem entsteht, daß
in dem Kontaktloch wegen Unterschieden in bezug auf den Be
trag des Abtrags in den Oxidfilmen durch den Entferner auf
Fluorgrundlage Stufendifferenzen ausgebildet werden, die we
gen fehlender Ausbildung von Verdrahtungsmaterialien usw. zu
Leerräumen und folglich zur Verschlechterung der Zuverlässig
keit der elektrischen Charakteristiken und der Verdrahtung
führen.
Wenn die Elemente in Zukunft feiner werden, wird es immer
schwieriger, die Verdrahtung und die Kontaktlöcher so zu be
arbeiten, wie sie entworfen wurden. Aus diesem Grund ist in
dem Trockenätzprozeß in den Ätzbedingungen eine bessere Ab
scheidungseigenschaft erforderlich, wobei unter diesen Bedin
gungen ausgebildete Resistreste härter als zuvor werden, was
zu einer weiter verlängerten Verarbeitungszeit unter Verwen
dung des Entferners auf Fluorgrundlage führt und die obener
wähnten Probleme verschärft.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests zu schaffen, mit dem die Ei
genschaft des Entfernens des Resistrests verbessert werden
kann, während der Abtrag in Oxidfilmen wie etwa in dem Zwi
schenschicht-Isolierfilm verringert und die Oberflächenrau
higkeit auf den Elektroden minimiert wird, und das somit die
obenerwähnten Probleme nicht besitzt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Entfernen
eines Resistrests nach Anspruch 1 oder 2 bzw. durch ein Her
stellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem
der Ansprüche 6, 8, 10 und 12. Weiterbildungen der Erfindung
sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einem Merkmal schafft die Erfindung ein Herstellungs
verfahren für eine Halbleitervorrichtung, in dem das obener
wähnte Verfahren zum Entfernen eines Resistrests verwendet
wird.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests eine Vorkehrung, in der eine
Prozeßfolge, die einen Prozeß für eine Entfernungsbehandlung
auf einem Substrat unter Verwendung eines Entferners auf Flu
orgrundlage umfaßt, wenigstens zweimal nacheinander wieder
holt wird.
Da in diesem Aspekt der Erfindung die Prozeßfolge mit einer
Behandlung unter Verwendung eines Entferners auf Fluor-Grund
lage wenigstens zweimal wiederholt wird, können Resistreste
entfernt werden, ohne daß dies zu einer Verschlechterung des
Substrats führt.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests eine Vorkehrung, in der eine
Prozeßfolge, die Prozesse für eine Entfernungsbehandlung auf
einem Substrat unter Verwendung eines Entferners auf Fluor
grundlage, für das Waschen des mit dem Entferner behandelten
Halbleitersubstrats mit Wasser und für eine Trocknungsbehand
lung an dem Substrat nach der Wasserwaschbehandlung umfaßt,
zweimal nacheinander wiederholt wird.
Da die Prozeßfolge in diesem Aspekt der Erfindung eine Be
handlung mit einem Entferner auf Fluor-Grundlage umfaßt, wäh
rend eine Wasserwaschbehandlung oder einer Trocknungsbehand
lung wenigstens zweimal wiederholt wird, können Resistreste
ausreichend entfernt werden, ohne daß dies zu irgendeiner
Verschlechterung des Substrats führt.
Gemäß einem dritten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests eine Vorkehrung, in der zwi
schen dem Entfernungsbehandlungsprozess und dem Wasserwaschbe
handlungsprozeß ferner ein Spülprozeß vorgesehen ist.
In diesem Aspekt kann die Eigenschaft der Entfernung des Re
sistrests ebenfalls verbessert werden.
Gemäß einem vierten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests eine Vorkehrung, in der der
Entferner auf Fluorgrundlage Ammoniumfluorid ist.
In diesem Aspekt kann der Resistrest effizienter entfernt
werden.
Gemäß einem fünften Aspekt der Erfindung umfaßt ein Verfahren
zum Entfernen eines Resistrests eine Vorkehrung, in der die
Entfernungsbehandlungsprozesse der jeweiligen Prozeßfolgen
auf eine Gesamtzeit von 10 Minuten eingestellt sind.
In diesem Aspekt können Resistreste entfernt werden, wobei
die Verschlechterung der Bestandteile einer Halbleitervor
richtung vorzugsweise auf einen spezifizierten Wert gesteuert
werden kann.
Gemäß einem sechsten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die folgenden
Schritte: Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms auf
einem Halbleitersubstrat; Ausbilden eines ersten leitenden
Films auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm; Ausbilden eines
zweiten leitenden Films auf dem ersten leitenden Film mit
einem eingelagerten dielektrischen Film; Ausbilden eines Re
sistfilms auf dem zweiten leitenden Film; Ausbilden einer
Kondensatorelektrode durch aufeinanderfolgendes Ätzen des
zweiten leitenden Films, des dielektrischen Films und des
ersten leitenden Films, wobei der Resistfilm als Maske ver
wendet wird; und Entfernen des Resistfilms, wobei der nach
Entfernen des Resists verbleibende Resistrest unter Verwen
dung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests gemäß dem
zweiten Aspekt der Erfindung entfernt wird.
In diesem Aspekt der Erfindung wird der Kondensator unter
Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests
ausgebildet, in dem die Prozeßfolge mit einer Behandlung mit
Entferner auf Fluor-Grundlage und einer Wasserwaschbehandlung
oder einer Trocknungsbehandlung wenigstens zweimal wiederholt
wird; somit kann eine Halbleitervorrichtung mit hoher Zuver
lässigkeit geschaffen werden, die frei von Resistresten ist.
Gemäß einem siebenten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Her
stellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung eine Vor
kehrung, in der der erste und der zweite leitende Film wenig
stens ein aus der folgenden Gruppe ausgewähltes Material ent
halten: Polysilicium, Titannitrid, Wolfram, Wolframnitrid,
Tantalnitrid, Ruthenium, Platin und eine Platin-Iridium-Le
gierung, während der dielektrische Film wenigstens ein aus
der folgenden Gruppe ausgewähltes Material enthält: Silicium
dioxid, Siliciumoxinitrid, Siliciumnitrid, Tantaloxid, BST
und PZT.
In diesem Aspekt kann eine Halbleitervorrichtung mit höherer
Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Gemäß einem achten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die folgenden
Schritte: Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms mit
einem Kontaktloch auf einem Halbleitersubstrat, wobei das
Kontaktloch das Halbleitersubstrat erreicht; Ausbilden eines
Metallstopfens in dem Kontaktloch; Ausbilden eines leitenden
Films auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm und auf dem Me
tallstopfen; Ausbilden eines Resistfilms auf dem leitenden
Film in der Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberflä
che des Metallstopfens bedeckt; Ausbilden einer Verdrahtung
durch Ätzen des leitenden Films, wobei der Resistfilm als
Maske verwendet wird; und Entfernen des Resistfilms, wobei
der nach Entfernen des Resists verbleibende Resistrest unter
Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests
gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung entfernt wird.
In diesem Aspekt der Erfindung wird die Verdrahtung mit einem
darin eingelagerten Metallstopfen unter Verwendung des Ver
fahrens zum Entfernen eines Resistrests ausgebildet, in dem
die Prozeßfolge mit einer Behandlung mit einem Entferner auf
Fluor-Grundlage und einer Wasserwaschbehandlung oder einer
Trocknungsbehandlung wenigstens zweimal wiederholt wird; so
mit kann eine Halbleitervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit
geschaffen werden, die von Resistresten frei ist.
Gemäß einem neunten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung eine Vorkeh
rung, in der der Metallstopfen Wolfram oder Polysilicium ent
hält, während die Verdrahtung eine Aluminiumlegierung oder
Wolfram enthält.
In diesem Aspekt kann eine Halbleitervorrichtung mit höherer
Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Gemäß einem zehnten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die folgenden
Schritte: Ausbilden einer Verdrahtung auf einem Halbleiter
substrat; Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms auf
dem Halbleitersubstrat und auf der Verdrahtung; Ausbilden
eines Resistfilms auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm in der
Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberfläche der Ver
drahtung mit einem Öffnungsabschnitt davon bedeckt; Ausbilden
eines Kontaktlochs, das die Oberfläche der Verdrahtung er
reicht, unter Verwendung des Resistfilms als Maske; und Ent
fernen des Resistfilms, wobei der nach Entfernen des Resists
verbleibende Resistrest unter Verwendung des Verfahrens zum
Entfernen eines Resistrests gemäß dem zweiten Aspekt der Er
findung entfernt wird.
In diesem Aspekt der Erfindung wird die Kontaktstruktur auf
der Verdrahtung unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen
eines Resistrests ausgebildet, in dem die Prozeßfolge mit
einer Behandlung mit einem Entferner auf Fluor-Grundlage und
einer Wasserwaschbehandlung oder einer Trocknungsbehandlung
wenigstens zweimal wiederholt wird; somit kann eine Halblei
tervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Gemäß einem elften Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung eine Vorkeh
rung, in der die Verdrahtung eine Aluminiumlegierung oder
Kupfer enthält.
In diesem Aspekt kann eine Halbleitervorrichtung mit höherer
Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Gemäß einem zwölften Aspekt der Erfindung umfaßt ein Herstel
lungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung die folgenden
Schritte: Ausbilden eines Gate-Isolierfilms auf einem Halb
leitersubstrat; Ausbilden eines Metallfilms auf dem Gate-Iso
lierfilm; Ausbilden eines Isolierfilms auf dem Metallfilm;
Ausbilden eines Resistfilms auf dem Isolierfilm; Ausbilden
einer Metall-Gate-Elektrode durch Ätzen des Isolierfilms und
des Metallfilms unter Verwendung des Resistfilms als Maske;
Entfernen des Resistfilms; und Ausbilden einer leitenden
Schicht durch Ionenimplantation in das Halbleitersubstrat
unter Verwendung des Isolierfilms und des Metallfilms als
Masken, wobei der nach Entfernen des Resists oder nach der
Ioneninjektion verbleibende Resistrest unter Verwendung des
Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests gemäß dem zweiten
Aspekt der Erfindung entfernt wird.
In diesem Aspekt der Erfindung wird die Metall-Gate-Elektrode
unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resist
rests ausgebildet, in dem die Prozeßfolge mit einer Behand
lung mit einem Entferner auf Fluor-Grundlage und einer Was
serwaschbehandlung oder einer Trocknungsbehandlung wenigstens
zweimal wiederholt wird; somit kann eine Halbleitervorrich
tung mit hoher Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Gemäß einem dreizehnten Aspekt der Erfindung umfaßt ein Her
stellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung eine Vor
kehrung, in der der Metallfilm ein leitender Einschicht- oder
Mehrschichtfilm ist, der ein Metallmaterial enthält, das aus
der Gruppe ausgewählt ist, die Wolfram, Wolframnitrid, Titan
und Titannitrid enthält.
In diesem Aspekt kann eine Halbleitervorrichtung mit höherer
Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung
anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1A, 1B Konzeptionszeichnungen einer Prozeßfolge für
Resistrestbehandlungen gemäß einer ersten be
vorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2A-6 Querschnittsansichten eines Herstellungspro
zesses einer Halbleitervorrichtung gemäß der
ersten bevorzugten Ausführungsform;
Fig. 7A-7C Konzeptionszeichnungen einer Prozeßfolge für
Resistrestbehandlungen unter Verwendung von
Behandlungssystemen gemäß der ersten bevorzug
ten Ausführungsform;
Fig. 8A, 8B Konzeptionszeichnungen einer Prozeßfolge für
Resistrestbehandlungen gemäß einer zweiten be
vorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 9A-9D Konzeptionszeichnungen einer Prozeßfolge für
Resistrestbehandlungen unter Verwendung der
Behandlungssysteme gemäß der zweiten bevorzug
ten Ausführungsform;
Fig. 10A-12B Querschnittsansichten eines Herstellungspro
zesses einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
dritten bevorzugten Ausführungsform der Erfin
dung;
Fig. 13A-16B Querschnittsansichten des Herstellungsprozes
ses einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
vierten bevorzugten Ausführungsform der Erfin
dung; und
Fig. 17A-18B Querschnittsansichten eines Herstellungspro
zesses einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
fünften bevorzugten Ausführungsform der Erfin
dung.
Die Fig. 1A und 1B zeigen eine Prozeßfolge eines Verfahrens
zum Entfernen eines Resistrests gemäß der ersten bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung.
In den folgenden Figuren sind diejenigen Teile, die die glei
chen Funktionen besitzen, mit den gleichen Bezugszeichen be
zeichnet, wobei ihre Beschreibung in einigen Fällen weggelas
sen wird.
Fig. 1A zeigt eine Prozeßfolge 100 als Grundeinheit für das
Restentfernungsverfahren in der vorliegenden bevorzugten Aus
führungsform mit einer Folge aufeinanderfolgender Prozesse
einschließlich eines Entfernerprozesses 101 unter Verwendung
eines Entferners auf Fluorgrundlage, eines Wasserwaschprozes
ses 102 mit Reinwasser und einer Trocknungsbehandlung 103.
Wie in Fig. 1B gezeigt ist, besteht ein Merkmal der vorlie
genden bevorzugten Ausführungsform darin, daß die Prozeßfol
gen 100a, 100b und 100c, die für die Entfernerbehandlung in
der obenerwähnten Prozeßfolge 100 jeweils eine verkürzte Be
handlungszeit aufweisen, aufeinanderfolgend wiederholt wer
den.
Mit anderen Worten, die Behandlungszeit unter Verwendung des
Entferners auf Fluorgrundlage in einer Prozeßfolge wird ver
kürzt, um die nachteiligen Auswirkungen auf die Bestandteile
einer Halbleitervorrichtung zu unterdrücken, während die Ver
ringerung der Entfernungseigenschaft wegen der verkürzten
Entfernungsbehandlungszeit durch Wiederholen der Prozeßfolge
ausgeglichen wird.
Die Behandlungszeit unter Verwendung des Entferners jeder
Prozeßfolge und die Anzahl der wiederholten Prozesse werden
in der Weise gewählt, daß ihre nachteiligen Wirkungen auf die
Bestandteile einer Halbleitervorrichtung auf einen spezifi
zierten Wert begrenzt werden, obgleich der Resistrest ausrei
chend entfernt wird.
Nachfolgend wird ein spezifisches Beispiel erläutert, in dem
das obenerwähnte Verfahren zum Entfernen eines Resistrests
auf einen Prozeß zum Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolier
films mit einem Kondensator und einem Kontaktloch, das den
Kondensator einer Halbleitervorrichtung erreicht, angewendet
wird.
Die Fig. 2A bis 5 sind Querschnittsansichten von Prozessen
zum Ausbilden des Zwischenschicht-Isolierfilms mit einem Kon
densator und einem Kontaktloch, das den Kondensator einer
Halbleitervorrichtung erreicht.
Wie zunächst in Fig. 2A gezeigt ist, werden auf einen Zwi
schenschicht-Isolierfilm 2, der einen Siliciumdioxidfilm
(SiO2) enthält, der ein nicht gezeigtes Halbleiterelement
enthält, aufeinanderfolgend ein erster leitender Film 3a, der
Polysilicium enthält, ein dielektrischer Film 5a, der einen
Siliciumoxinitridfilm (SiON) enthält, und ein zweiter leiten
der Film 7a, der Polysilicium enthält, ausgebildet.
Neben Polysilicium können die jeweiligen leitenden Filme Ti
tannitrid (TiN), Wolfram (W), Wolframnitrid (WN), Tantalni
trid (TaN), Ruthenium (Ru), Platin (Pt) und eine Platin-Iri
dium-Legierung (PT/Ir-Legierung) enthalten. Außerdem können
in bezug auf den dielektrischen Film neben dem obenerwähnten
Oxinitridfilm die folgenden Materialien verwendet werden:
Siliciumdioxid, Siliciumnitrid (SiN), Tantaloxid (Ta2O5), Ba riumstrontiumtitanat (BST), Bleizirkonattitanat (PZT) usw.
Siliciumdioxid, Siliciumnitrid (SiN), Tantaloxid (Ta2O5), Ba riumstrontiumtitanat (BST), Bleizirkonattitanat (PZT) usw.
Wie in Fig. 2B gezeigt ist, werden nach Ausbilden eines Re
sistfilms 9 mit einem Muster des Kondensators auf dem zweiten
leitenden Film 7a der zweite leitende Film 7a, der dielektri
sche Film 5a und der erste leitende Film 3a durch anisotropes
Trockenätzen unter Verwendung von Chlorgasplasma (Cl2-Plasma)
mit dem als Maske dienenden Resistfilm 9 geätzt, so daß ein
Kondensator 8 mit einer Schichtstruktur mit einer unteren
Kondensatorelektrode 7, einem Kondensatorisolierfilm 5 und
einer oberen Kondensatorelektrode 3 ausgebildet wird.
Wie in Fig. 3A gezeigt ist, wird nachfolgend der unnötige
Resistfilm 9 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt. Gleichzeitig bleiben die Re
sistreste 11a, 11b und 11c auf den Seitenflächen und auf der
Oberfläche des Kondensators 8 und auf der Oberfläche des Zwi
schenschicht-Isolierfilms 2 zurück. Es wird angenommen, daß
diese Resistreste durch Verbindungen von Ätzgas mit dem Re
sistfilm oder mit Komponenten des leitenden Films, die wäh
rend des Trockenätzprozesses gemischt werden, gebildet wer
den.
Die Resistreste werden hier unter Verwendung des obenerwähn
ten Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests entfernt.
Die Fig. 7A-7C zeigen eine Prozeßfolge, in der ein für das
Entfernungsverfahren geeignetes Behandlungssystem verwendet
wird.
Fig. 7A zeigt ein Einzelwaferverarbeitungs-Sprühentferner-
Behandlungssystem 300, während Fig. 7B ein Einzelwaferverar
beitungs-Wasserwasch-Behandlungssystem 310 und Fig. 7C ein
Einzelwaferverarbeitungs-Trocknungsbehandlungssystem 400
zeigt. Außerdem enthalten sowohl das Sprühentferner-Behand
lungssystem 300 als auch das Wasserwasch-Behandlungssystem
310 einen Tisch 302, auf dem ein Halbleitersubstrat 1 ange
ordnet wird, sowie eine Sprühdüse 301 zur Abgabe eines Ent
ferners auf Fluorgrundlage bzw. eine Sprühdüse 311 zur Abgabe
von Reinwasser, so daß die Behandlung dadurch ausgeführt
wird, daß die Sprühdüse 301 bzw. 311 die Behandlungslösungen
abgibt, während sich der Tisch 302 dreht.
Unter Verwendung dieser Behandlungssysteme wird die Behand
lung zunächst gemäß der in Fig. 1B gezeigten Prozeßfolge 100a
ausgeführt.
Zunächst wird eine Entfernerbehandlung 101a ausgeführt. In
der Entfernerbehandlung 101a wird ein Halbleitersubstrat 1
mit darauf verbliebenen Resistresten mit dem Entfernerbehand
lungssystem 300 aus Fig. 7A dadurch behandelt, daß der Ent
ferner während des Drehens des Tisches 302 mit dem darauf
angeordneten Halbleitersubstrat 1 während einer vorgegebenen
Zeitdauer von beispielsweise 3 Minuten und 20 Sekunden aus
der Sprühdüse 301 auf den Tisch abgegeben wird. In bezug auf
den Entferner wird als Entferner auf Fluorgrundlage eine Am
moniumfluoridlösung verwendet.
Nachfolgend folgt auf die obenerwähnte Entfernerbehandlung
die Wasserwaschbehandlung 102.
Unter Verwendung des Wasserwasch-Behandlungssystems 310 aus
Fig. 7B wird während einer vorgegebenen Zeitdauer von bei
spielsweise 2 Minuten und 20 Sekunden von der Düse 311 Rein
wasser abgegeben, während sich der Tisch 302 mit dem darauf
angeordneten Halbleitersubstrat 1 dreht.
Nachfolgend wird die Trocknungsbehandlung 103 ausgeführt.
Unter Verwendung des Trocknungsbehandlungssystems 400 aus
Fig. 7C wird das Halbleitersubstrat 1 während einer vorgege
benen Zeitdauer von beispielsweise 7 Minuten und 15 Sekunden
in einer Stickstoffatmosphäre (N2-Atmosphäre) bei 23°C ge
trocknet.
Somit ist die erste Prozeßfolge 100a abgeschlossen.
Nachfolgend folgt auf die Prozeßfolge 100a die zweite Prozeß
folge, die gemäß der Prozeßfolge 100b aus Fig. 1B ausgeführt
wird. Die Prozeßfolge 100b wird unter den gleichen Bedingun
gen wie die Prozeßfolge 100a ausgeführt.
Schließlich folgt auf die Prozeßfolge 100b die dritte Prozeß
folge 100c, die unter den gleichen Bedingungen wie die Pro
zeßfolgen 100a oder 100b ausgeführt wird; somit ist der Rest
entfernungsprozeß schließlich abgeschlossen.
Wie in Fig. 3B gezeigt ist, wird folglich ein sauberer Kon
densator 8 ohne Reste ausgebildet, der frei von Aussparungen
in dem Zwischenschicht-Isolierfilm 2 und von einer Oberflä
chenrauhigkeit auf der Kondensatorelektrode 8 ist.
Wie in Fig. 4A gezeigt ist, wird nachfolgend auf dem Zwi
schenschicht-Isolierfilm 2 ein Zwischenschicht-Isolierfilm
13, der Siliciumdioxid enthält, in der Weise ausgebildet, daß
er den Kondensator 8 bedeckt, worauf nach Ausbilden eines
Resistfilms 15 mit einem Muster eines Kontaktlochs darauf mit
dem als Maske dienenden Resistfilm 15 ein Kontaktloch 17 aus
gebildet wird, das den Kondensator 8 erreicht.
Wie in Fig. 4B gezeigt ist, wird nachfolgend der unnötige
Resistfilm 15 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt.
Gleichzeitig verbleiben die Resistreste 19a, 19b und 19c auf
der Seitenfläche und auf der Unterseite des Kontaktlochs 17
und auf der Oberfläche des Zwischenschicht-Isolierfilms 13.
Die Resistreste werden hier unter Verwendung der in den
Fig. 7A bis 7C gezeigten Behandlungssysteme gemäß der in
Fig. 1B gezeigten Entfernungsprozeßfolge unter den gleichen
Behandlungsbedingungen wie oben beschrieben entfernt.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, kann mit dieser Vorkehrung in dem
Zwischenschicht-Isolierfilm 13 und in den Vorsprüngen in dem
Kontaktloch 17 eine saubere Kontaktlochstruktur ohne Re
sistreste ausgebildet werden, die frei von Aussparungen ist.
Die obenerwähnten Beispiele haben sich hier mit einem Fall
beschäftigt, in dem ein Einschicht-Zwischenschicht-Isolier
film 13 verwendet wird; wie in Fig. 6 gezeigt ist, können
aber beispielsweise selbst im Fall einer Zweischicht-Film
struktur mit einem BPTEOS-Film (Bor-Phosphor-Tetraethyl-Or
thosilikat-Film) 13b und einem NSG-Film 13a Resistreste na
hezu entfernt werden, ohne daß dies zu Unterschieden in bezug
auf den Betrag des Abtrags wegen der Abhängigkeit des Entfer
ners auf Fluor-Grundlage von den unterschiedlichen Arten der
Filme führt. Somit kann die Einbettungseigenschaft des lei
tenden Films usw. in dem Kontaktloch 17 verbessert werden.
Die gleichen Wirkungen können unabhängig von den Art der
Filme selbst im Fall einer Mehrschicht-Filmstruktur mit nicht
weniger als drei Schichten erhalten werden.
Außerdem wird in der obenerwähnten Operation zum Entfernen
eines Resistrests als Behandlungssystem das Einzelwaferverar
beitungs-Sprühbehandlungssystem verwendet; es kann aber auch
ein Stapel-Sprühbehandlungssystem verwendet werden, das die
Behandlung auf mehreren Halbleitersubstraten gleichzeitig
ausführen kann.
Außerdem wird die Wasserwaschbehandlung in den obenerwähnten
Beispielen unmittelbar nach der Entfernerbehandlung ausge
führt; vorzugsweise wird die Wasserwaschbehandlung aber bei
einem Minimum an Restentferner ausgeführt und aus diesem
Grund ein sogenannter Abschüttelprozeß ausgeführt, in dem
durch Drehen des Tischs mit hoher Geschwindigkeit nach der in
Fig. 7A gezeigten Entfernerbehandlung der Restentferner ent
fernt wird, so daß die Reste wirksamer entfernt werden.
In dem Verfahren zum Entfernen eines Resistrests der ersten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Prozeß
folge mit einer Entfernungsbehandlung unter Verwendung eines
Entferners auf Fluorgrundlage wie oben beschrieben kurzzeitig
ausgeführt, so daß sie sich nicht nachteilig auf die Bestand
teile einer Halbleitervorrichtung auswirkt, während diese
Folge wenigstens zweimal wiederholt wird, um die Resistreste
zu entfernen; somit können die Resistreste ausreichend ent
fernt werden, während die nachteiligen Auswirkungen auf die
Bestandteile der Halbleitervorrichtung minimiert werden.
Außerdem kann das Restentfernungsverfahren auch auf den Kon
densatorausbildungsprozeß angewendet werden, so daß eine
Halbleitervorrichtung mit einem Kondensator mit hoher Zuver
lässigkeit erhalten werden kann.
Die folgende Beschreibung diskutiert ein Verfahren zum Ent
fernen eines Resistrests gemäß der zweiten bevorzugten Aus
führungsform der Erfindung in bezug auf einen Fall, in dem
ein Kondensator in der gleichen Weise wie in der ersten be
vorzugten Ausführungsform ausgebildet wird.
Zunächst zeigen die Fig. 8A und 8B eine Prozeßfolge eines
Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests gemäß der zweiten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 8A zeigt eine Prozeßfolge 150 als Grundeinheit für das
Restentfernungsverfahren mit einer Folge aufeinanderfolgender
Prozesse einschließlich eines Entfernerprozesses 151 unter
Verwendung eines Entferners auf Fluorgrundlage, eines Spül
prozesses 152 mit einem Lösungsgemisch aus IPA (Isopropylal
kohol) und Wasser, eines Wasserwaschprozesses 153 mit Rein
wasser und einer Trocknungsbehandlung 154.
Wie in Fig. 8B gezeigt ist, weist die vorliegende bevorzugte
Ausführungsform das Merkmal auf, daß die Prozeßfolgen 150a
und 150b, die in der obenbeschriebenen Prozeßfolge 150 je
weils eine verkürzte Behandlungszeit für die Entfernerbehand
lung aufweisen, in der gleichen Weise wie in der ersten be
vorzugten Ausführungsform nacheinander wiederholt werden.
Nachfolgend wird ein spezifisches Beispiel erläutert, in dem
die in Fig. 3A gezeigten Resistreste entfernt werden.
Die Fig. 9A bis 9D zeigen eine Prozeßfolge, in der ein für
das Entfernungsverfahren geeignetes Behandlungssystem verwen
det wird.
Fig. 9A zeigt ein Tauch-Entfernerbehandlungssystem 500 eines
Stapelsystems, während Fig. 9B ein Tauch-Spülbehandlungssy
stem 510 eines Stapelsystems, Fig. 9C ein Tauch-Wasserwasch-
Behandlungssystem 520 eines Stapelsystems und Fig. 9D ein
Trocknungsbehandlungssystem 450 zeigt.
Außerdem zeigen die Fig. 9A bis 9C einen Tauchbehälter 501
zur Aufnahme einer Behandlungslösung, während die Fig. 9A bis
9D außerdem einen Halter 502 zur Aufnahme eines Halbleiter
substrats 1 zeigen.
Die Behandlung wird zunächst gemäß der Prozeßfolge 150a aus
Fig. 8B ausgeführt.
Zunächst wird eine Entfernerbehandlung 151a ausgeführt. In
der Entfernerbehandlung 151a werden mehrere Halbleitersub
strate 1 mit darauf verbliebenen Resistresten (beispielsweise
für jedes Los) auf den Halter 502 gesetzt und während einer
vorgegebenen Zeitdauer von beispielsweise 3 Minuten und 20
Sekunden in den mit einem Entferner auf Fluorgrundlage des in
Fig. 9A gezeigten Entfernerbehandlungssystems 500 gefüllten
Tauchbehälter 501 getaucht. Gleichzeitig können die somit
getauchten Halbleitersubstrate yertikal und seitlich ge
schwenkt werden, so daß der Entferner ihre Oberflächen voll
ständig erreicht.
Als Entferner auf Fluorgrundlage wird hier eine Ammoniumfluo
ridlösung verwendet.
Auf den obenerwähnten Entfernerprozeß 151a folgt nachfolgend
der Spülprozeß 152. In der gleichen Weise wie im Entferner
prozeß 151a werden auch in diesem Fall die mehreren Halblei
tersubstrate unter Verwendung des Spülbehandlungssystems 510
während einer vorgegebenen Zeitdauer von beispielsweise 2
Minuten und 20 Sekunden in den mit einer Spüllösung gefüllten
Tauchbehälter getaucht, wobei diese vertikal und seitlich ge
schwenkt werden können. Als Spüllösung wird diesmal ein durch
Mischen von IPA und Wasser im Volumenverhältnis von 4 : 1
gebildetes Lösungsgemisch verwendet.
Nachfolgend folgt auf den obenerwähnten Spülprozeß der Was
serwaschprozeß 153. In der gleichen Weise wie im Entferner
prozeß und im Spülprozeß werden die mehreren Halbleitersub
strate unter Verwendung des Spülbehandlungssystems 520 wäh
rend einer vorgegebenen Zeitdauer von beispielsweise 2 Minu
ten und 20 Sekunden in einen mit Reinwasser gefüllten Tauch
behälter getaucht, wobei diese vertikal und seitlich ge
schwenkt werden können.
Schließlich wird die Trocknungsbehandlung 154 ausgeführt. Die
dem Wasserwaschprozeß ausgesetzten Halbleitersubstrate werden
unter Verwendung des Trocknungsbehandlungssystems 450 während
einer vorgegebenen Zeitdauer von beispielsweise 7 Minuten und
15 Sekunden in einer Stickstoffatmosphäre bei 23°C getrock
net.
Somit ist die erste Prozeßfolge 150a abgeschlossen.
Nach der Prozeßfolge 150a wird nachfolgend gemäß der in
Fig. 8B gezeigten Prozeßfolge 150b die zweite Prozeßfolge
ausgeführt. Die Prozeßfolge 150b wird in der gleichen Weise
wie die jeweiligen Prozesse der Prozeßfolge 150a ausgeführt.
Schließlich wird unter den gleichen Bedingungen wie in der
Prozeßfolge 150a oder 150b die dritte Prozeßfolge 150c ausge
führt, womit die Restentfernungsprozesse schließlich abge
schlossen sind.
Wie in Fig. 3B gezeigt ist, kann somit in dem Zwischen
schicht-Isolierfilm 1 ein sauberer Kondensator ohne Reste
ausgebildet werden, der frei von Aussparungen usw. ist.
Nachfolgend wird nach den gleichen Prozessen wie in der er
sten bevorzugten Ausführungsform und nach dem Verfahren zum
Entfernen eines Resistrests eine wie in Fig. 6 gezeigte Kon
taktlochstruktur erhalten, die die Oberfläche des Kondensa
tors erreicht.
Wie oben beschrieben wurde, wird in dem Verfahren zum Entfer
nen eines Resistrests der zweiten bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung die Prozeßfolge mit einer Entfernungsbehandlung
mit einem Entferner auf Fluorgrundlage kurzzeitig ausgeführt,
so daß sie sich nicht nachteilig auf die Bestandteile einer
Halbleitervorrichtung auswirkt, wobei diese Folge wenigstens
zweimal wiederholt wird, um die Resistreste zu entfernen;
somit können die Resistreste ausreichend entfernt werden,
während die nachteiligen Auswirkungen auf die Bestandteile
der Halbleitervorrichtung minimiert werden können. Da diese
Prozesse als Stapelprozeß vorgesehen sind, kann außerdem der
Durchsatz erhöht werden.
Außerdem kann das Restentfernungsverfahren auch auf den Kon
densatorausbildungsprozeß angewendet werden, so daß ein Kon
densator mit hoher Zuverlässigkeit und eine Halbleitervor
richtung mit einer Kontaktlochstruktur, die diesen Kondensa
tor mit hoher Zuverlässigkeit erreicht, erhalten werden kön
nen.
In der folgenden Beschreibung wird die dritte bevorzugte Aus
führungsform der Erfindung diskutiert.
In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wird das
obenerwähnte Verfahren zum Entfernen eines Resistrests auf
einen Herstellungsprozeß für eine Halbleitervorrichtung mit
einer Verdrahtungsstruktur unter Verwendung eines darin ein
gelagerten Metallstopfens angewendet.
Die Fig. 10A bis 12B sind Querschnittsansichten eines Teils
der Verdrahtung einer Halbleitervorrichtung während des Pro
zesses. Die folgende Erläuterung wird mit Bezug auf diese
Figuren gegeben.
Wie in Fig. 10A gezeigt ist, wird zunächst auf einem Silici
umsubstrat 21, das eine leitende Schicht enthält, ein Zwi
schenschicht-Isolierfilm 23 ausgebildet, der Siliciumdioxid
enthält, wobei nach Ausbilden eines Resistfilms 25 mit einem
Muster eines Kontaktlochs auf dieser Schicht der Zwischen
schicht-Isolierfilm 23 mit dem als Maske dienenden Resistfilm
25 trockengeätzt wird, so daß beispielsweise ein Kontaktloch
27 ausgebildet wird, das eine in dem Siliciumsubstrat 21 aus
gebildete nicht gezeigte leitende Schicht erreicht.
Wie in Fig. 10B gezeigt ist, wird nachfolgend unnötiger Re
sistfilm 25 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt.
Gleichzeitig verbleiben Resistreste 29a, 29b und 29c an der
Seitenfläche und an der Unterseite des Kontaktlochs 27 sowie
auf der Oberfläche des Zwischenschicht-Isolierfilms 23.
Die Resistreste werden hier unter den gleichen Behandlungsbe
dingungen wie in der ersten bevorzugten Ausführungsform gemäß
der in Fig. 1B gezeigten Entfernungsprozeßfolge unter Verwen
dung der in den Fig. 7A bis 7c gezeigten Behandlungssysteme
entfernt.
Mit dieser Vorkehrung kann eine saubere Kontaktlochstruktur
ohne Resistreste ausgebildet werden, die frei von Aussparun
gen in dem Zwischenschicht-Isolierfilm 23 und von Vorsprüngen
in dem Kontaktloch 27 ist.
Selbst wenn der obenerwähnte Zwischenschicht-Isolierfilm 23
eine Mehrschichtstruktur, beispielsweise eine Dreischicht
struktur, die von oben her aufgebrachtes Plasma-
TEOS/SOG/Plasma-TEOS enthält, besitzt, können hier Resistre
ste nahezu vollständig entfernt werden, ohne daß dies zu Un
terschieden in bezug auf den Betrag des Abtrags wegen der
Abhängigkeit des Entferners auf Fluor-Grundlage von den un
terschiedlichen Arten der Filme führt. Damit wird es möglich,
die Einbettungseigenschaft des später beschriebenen Me
tallstopfens usw. in das Kontaktloch 27 in der gleichen Weise
wie in der ersten bevorzugten Ausführungsform zu verbessern.
Wie in Fig. 10C gezeigt ist, wird nachfolgend nach Ausbilden
einer Barrierenschicht 31 mit einer Schichtstruktur aus
TiN/Ti auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm 23 einschließlich
des Innern des Kontaktlochs 27 in dem Kontaktloch 27 ein Me
tallstopfen 33 ausgebildet, der Wolfram enthält.
Wie in Fig. 11A gezeigt ist, werden nachfolgend auf der Bar
rierenschicht 31 und auf dem Metallstopfen 33 ein leitender
Film 34, der eine Aluminiumlegierung enthält, und ein Antire
flexionsfilm 35, der Titannitrid enthält, aufeinanderfolgend
ausgebildet, während weiter ein Resistfilm 37 mit einem Ver
drahtungsmuster in der Weise ausgebildet wird, daß er den
Metallstopfen 33 bedeckt.
Wie in Fig. 11B gezeigt ist, werden nachfolgend aufeinander
folgend der Antireflexionsfilm 35, der leitende Film 34 und
die Barrierenschicht 31 einem Trockenätzprozeß unter Verwen
dung eines Gasplasmagemischs aus CHF3/Ar/Cl2/BCl3 mit dem als
Maske dienenden Resistfilm 37 unterworfen, so daß die Alumi
niumverdrahtung 36 ausgebildet wird, die die Barrierenschicht
31, den leitenden Film 34 und den Antireflexionsfilm 35 ent
hält.
Wie in Fig. 12A gezeigt ist, wird daraufhin der unnötige Re
sistfilm 37 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt. Zu diesem Zeitpunkt verbleiben
die Resistreste 39a, 39b und 39c auf den Seitenflächen und
auf der Oberfläche der Aluminiumverdrahtung 36 sowie auf der
Oberfläche des Zwischenschicht-Isolierfilms 23.
Die Resistreste werden hier gemäß der in Fig. 1B gezeigten
Entfernungsprozeßfolge in der gleichen Weise wie in der er
sten bevorzugten Ausführungsform unter Verwendung der in den
Fig. 7A bis 7C gezeigten Behandlungssysteme entfernt.
Zunächst werden gemäß der Prozeßfolge 100a aus Fig. 1B die
Entfernerbehandlung, die Wasserwaschbehandlung und die Trock
nungsbehandlung aufeinanderfolgend ausgeführt. Die Behand
lungszeiten werden in diesem Fall auf 3 Minuten und 20 Sekun
den, 2 Minuten und 20 Sekunden bzw. 7 Minuten und 15 Sekunden
eingestellt.
Nachfolgend wird nach der ersten Prozeßfolge 100a unter den
gleichen Behandlungsbedingungen die zweite Prozeßfolge 100b
ausgeführt.
Schließlich wird nach der zweiten Prozeßfolge 100b wieder die
dritte Prozeßfolge 100c unter den gleichen Behandlungsbedin
gungen ausgeführt, womit die Entfernungsprozesse schließlich
abgeschlossen sind.
Als Entferner wird hier Ammoniumfluorid, d. h. ein Entferner
aus Fluorgrundlage, verwendet, während in der Wasserwaschbe
handlung Reinwasser verwendet wird. Außerdem wird die Trock
nungsbehandlung in einer Stickstoffatmosphäre bei 23°C aus
geführt.
Wie in Fig. 12B gezeigt ist, kann mit dieser Vorkehrung eine
saubere Aluminiumverdrahtungsstruktur ohne Reste geschaffen
werden, die frei von Aussparungen in dem Zwischenschicht-Iso
lierfilm 23 und von der Oberflächenrauhigkeit auf der Ober
fläche der Aluminiumverdrahtung 36 ist.
In den obenerwähnten Beispielen wurde hier ein Fall gezeigt,
in dem der Metallstopfen 33 Wolfram enthält, während der lei
tende Film 34 eine Aluminiumlegierung enthält; der Me
tallstopfen 33 kann aber Polysilicium enthalten, während der
leitende Film 34 Wolfram enthalten kann. Im Fall des leiten
den Films 34 aus Wolfram wird in dem Trockenätzprozeß ein
Gasplasmagemisch aus SF6/Cl2 verwendet.
Wie oben beschrieben wurde, wird die Prozeßfolge mit einer
Entfernungsbehandlung unter Verwendung eines Entferners auf
Fluorgrundlage in dem Verfahren zum Entfernen eines Resi
strests der dritten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
kurzzeitig ausgeführt, so daß sie sich nicht nachteilig auf
die Bestandteile einer Halbleitervorrichtung auswirkt, wobei
diese Folge wenigstens zweimal wiederholt wird, um die Re
sistreste zu entfernen; somit können die Resistreste ausrei
chend entfernt werden, während in dem Zwischenschicht-Iso
lierfilm auftretende Aussparungen usw. minimiert werden. So
mit kann eine Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtungs
struktur mit hoher Zuverlässigkeit geschaffen werden.
Die folgende Beschreibung diskutiert die vierte bevorzugte
Ausführungsform der Erfindung.
In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wird das Ver
fahren zum Entfernen eines Resistrests gemäß der ersten be
vorzugten Ausführungsform auf einen Prozeß zum Ausbilden ei
ner Verdrahtungskontaktlochstruktur angewendet, in dem das
Kontaktloch, das die Verdrahtung erreicht, ausgebildet wird.
Die folgende Erläuterung wird mit Bezug auf die Fig. 13A bis
16B gegeben, die Querschnittsansichten während des Prozesses
zeigen.
Wie in Fig. 13A gezeigt ist, wird auf einem Zwischenschicht-
Isolierfilm 2 zunächst eine Aluminiumverdrahtung 46 ausgebil
det, die eine Barrierenschicht 41, die Titannitrid/Titan ent
hält, einen leitenden Film 43, der eine Aluminiumlegierung
enthält, und einen Antireflexionsfilm 45, der Titannitrid
enthält, umfaßt.
Wie in Fig. 13B gezeigt ist, wird nachfolgend auf dem Zwi
schenschicht-Isolierfilm 2 ein Zwischenschicht-Isolierfilm 47
in der Weise ausgebildet, daß er die Aluminiumverdrahtung 46
bedeckt. Nach Ausbilden eines Resistfilms 49 mit einem Kon
taktlochmuster darauf wird der Zwischenschicht-Isolierfilm 47
einem Trockenätzprozeß mit einem Gasplasmagemisch aus
C4F8/Ar/O2 ausgesetzt, wobei dieser Film als Maske dient, so
daß ein Kontaktloch 51 ausgebildet wird, das die Aluminium
verdrahtung 46 erreicht.
Wie in Fig. 14A gezeigt ist, wird nachfolgend der unnötige
Resistfilm 49 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt. Zu diesem Zeitpunkt verbleiben
die Resistreste 52a, 52b und 52c auf der Seitenfläche und auf
der Unterseite des Kontaktlochs 51 sowie auf der Oberfläche
des Zwischenschicht-Isolierfilms 47.
Die Resistreste werden hier in der gleichen Weise wie in der
ersten bevorzugten Ausführungsform gemäß der in Fig. 1B ge
zeigten Entfernungsprozeßfolge unter Verwendung der in den
Fig. 7A bis 7C gezeigten Behandlungssysteme entfernt.
Zunächst werden gemäß der Prozeßfolge 100a aus Fig. 1B die
Entfernerbehandlung, die Wasserwaschbehandlung und die Trock
nungsbehandlung aufeinanderfolgend ausgeführt. Die Behand
lungszeiten betragen in diesem Fall 3 Minuten und 20 Sekun
den, 2 Minuten und 20 Sekunden bzw. 7 Minuten und 15 Sekun
den.
Nachfolgend wird nach der ersten Prozeßfolge 100a die zweite
Prozeßfolge 100b unter den gleichen Behandlungsbedingungen
ausgeführt.
Schließlich wird nach der zweiten Prozeßfolge 100b wieder die
dritte Prozeßfolge 100c unter den gleichen Behandlungsbedin
gungen ausgeführt, womit die Entfernungsprozesse schließlich
abgeschlossen sind.
Als Entferner wird hier Aluminiumfluorid, d. h. ein Entferner
auf Fluorgrundlage, verwendet, während in der Wasserwaschbe
handlung Reinwasser verwendet wird. Außerdem wird die Trock
nungsbehandlung in einer Stickstoffgasatmosphäre bei 23°C
ausgeführt.
Wie in Fig. 14B gezeigt ist, kann mit dieser Vorkehrung eine
saubere Kontaktlochstruktur einer Aluminiumverdrahtung ohne
Reste geschaffen werden, die frei von Aussparungen in dem
Zwischenschicht-Isolierfilm 47 und Vorsprüngen usw. in dem
Kontaktloch 51 ist.
Nachfolgend wird mit Bezug auf die Fig. 15A bis 16B, die
Querschnittsansichten während des Prozesses zeigen, ein zwei
tes abgewandeltes Beispiel der vorliegenden bevorzugten Aus
führungsform erläutert. Die obenerwähnte bevorzugte Ausfüh
rungsform zeigt eine Verbindungsstruktur, in der als Verdrah
tung eine Aluminiumverdrahtung verwendet wird; das vorlie
gende abgewandelte Beispiel bezieht sich dagegen auf ein Ver
fahren zum Entfernen eines Resistrests in dem Fall, daß ein
Kontaktloch in einer Kupferverdrahtung (Cu-Verdrahtung) aus
gebildet wird.
Wie in Fig. 15A gezeigt ist, wird auf einem Zwischenschicht-
Isolierfilm 2, der Siliciumdioxid enthält, zunächst ein
Kupferdiffusions-Schutzfilm 53 ausgebildet, der Siliciumni
trid (SiN) enthält, während auf diesem ein Zwischenschicht-
Isolierfilm 55 ausgebildet wird. Darauf wird in den Zwischen
schicht-Isolierfilm 55 die Kupferverdrahtung 59 eingebettet
und darin ausgebildet. Beiderseits der Seitenflächen der Kup
ferverdrahtung 59 werden hier die Barrierenschichten 57 aus
gebildet, die Tantalnitrid enthalten. Außerdem wird auf dem
Zwischenschicht-Isolierfilm 55 und auf der Kupferverdrahtung
59 ein Kupferdiffusions-Schutzfilm 61 ausgebildet.
Wie in Fig. 15B gezeigt ist, wird nachfolgend auf dem Kupfer
diffusions-Schutzfilm 61 ein Zwischenschicht-Isolierfilm 63
ausgebildet, der Siliciumdioxid enthält und einem darauf aus
gebildeten Resistfilm 65 mit einem Kontaktlochmuster als
Maske dient, wobei der Zwischenschicht-Isolierfilm 63 und der
Kupferdiffusions-Schutzfilm 61 einem Trockenätzprozeß unter
Verwendung eines Gasplasmagemischs aus C4F8/Ar/O2 ausgesetzt
werden, so daß ein Kontaktloch 67 ausgebildet wird, das die
Kupferverdrahtung 59 erreicht.
Wie in Fig. 16A gezeigt ist, wird nachfolgend unnötiger Re
sistfilm 65 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt. Zu diesem Zeitpunkt verbleiben
die Resistreste 69a, 69b und 69c auf der Seitenfläche und auf
der Unterseite des Kontaktlochs 67 sowie auf der Oberfläche
des Zwischenschicht-Isolierfilms 63.
Die Resistreste werden hier unter den gleichen Bedingungen
wie in dem obenerwähnten Beispiel gemäß der in Fig. 1B ge
zeigten Entfernungsprozeßfolge unter Verwendung der in den
Fig. 7A bis 7C gezeigten Behandlungssysteme entfernt.
Wie in Fig. 13B gezeigt ist, kann mit dieser Vorkehrung eine
saubere Kontaktlochstruktur einer Kupferverdrahtung ohne Re
ste geschaffen werden, die frei von Aussparungen in dem Zwi
schenschicht-Isolierfilm 63 und Vorsprüngen usw. in dem Kon
taktloch 67 ist.
Selbst wenn der obenerwähnte Zwischenschicht-Isolierfilm 63
im Querschnitt von oben her eine Zweischichtstruktur mit
USG/FLARE (fluoriertem Polyacrylenether; Film mit niedrigem
k) besitzt, können Resistreste nahezu vollständig entfernt
werden, ohne daß dies zu Unterschieden in bezug auf den Be
trag des Abtrags wegen der Abhängigkeit des Entferners auf
Fluor-Grundlage von den unterschiedlichen Arten der Filme
führt. FLARE ist ein Warenzeichen der Honeywell Inc.
Wie oben beschrieben wurde, wird die Prozeßfolge mit einer
Entfernungsbehandlung unter Verwendung eines Entferners auf
Fluorgrundlage in dem Verfahren zum Entfernen eines Resi
strests der vierten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
kurzzeitig ausgeführt, so daß sie sich nicht nachteilig auf
die Bestandteile einer Halbleitervorrichtung auswirkt, wobei
diese Folge wenigstens zweimal wiederholt wird, um die Resi
streste zu entfernen; somit können die Resistreste ausrei
chend entfernt werden, während in dem Zwischenschicht-Iso
lierfilm auftretende Aussparungen und Vorsprünge usw. in dem
Kontaktloch minimiert werden. Somit kann eine Halbleitervor
richtung mit einer Verdrahtungsstruktur mit dem Kontaktloch
mit hoher Zuverlässigkeit geschaffen werden.
In der folgenden Beschreibung wird die fünfte bevorzugte Aus
führungsform der Erfindung diskutiert.
In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wird das Ver
fahren zum Entfernen eines Resistrests der ersten bevorzugten
Ausführungsform auf einen Prozeß zum Ausbilden eines Metall-
Gate-Elektroden-Transistors einer Halbleitervorrichtung ange
wendet.
Die folgende Erläuterung wird mit Bezug auf die Fig. 17A bis
18B gegeben, die Querschnittsansichten während des Prozesses
zeigen.
Wie in Fig. 17A gezeigt ist, werden auf einem Siliciumsub
strat 21 zunächst aufeinanderfolgend ein Gate-Isolierfilm 71,
der Siliciumdioxid enthält, ein Polysiliciumfilm 73, ein
Wolframnitridfilm 75, ein Wolframfilm 77, ein Siliciumnitrid
film 79 und ein TEOS-Oxidfilm 81 ausgebildet, während auf dem
TEOS-Oxidfilm 81 ein Resistfilm 83 mit einem Gate-Elektroden
muster ausgebildet wird.
Wie in Fig. 17B gezeigt ist, wird nachfolgend der TEOS-Oxid
film 81 mit dem als Maske dienenden Resistfilm 73 trockenge
ätzt, während der Siliciumnitridfilm 79, der Wolframfilm 77,
der Wolframnitridfilm 75 und der Polysiliciumfilm 73 aufein
anderfolgend weiter trockengeätzt werden, so daß eine Metall-
Gate-Elektrode 78 ausgebildet wird, die den Wolframfilm 77,
den Wolframnitridfilm 75 und den Polysiliciumfilm 73 enthält.
Wie in Fig. 18A gezeigt ist, wird nachfolgend der unnötige
Resistfilm 83 durch einen Veraschungsprozeß unter Verwendung
von Sauerstoffplasma entfernt. Zu diesem Zeitpunkt verbleiben
Resistreste 85a, 85b und 85c auf den Seitenflächen und auf
der Oberfläche der Metall-Gate-Elektrode 78 sowie auf der
Oberfläche des Zwischenschicht-Isolierfilms 71.
Die Resistreste werden hier unter den gleichen Behandlungsbe
dingungen wie in der obenerwähnten ersten bevorzugten Ausfüh
rungsform gemäß der in Fig. 1B gezeigten Entfernungsprozeß
folge unter Verwendung der in den Fig. 7A bis 7C gezeigten
Behandlungssysteme entfernt.
Wie in Fig. 18B gezeigt ist, kann mit dieser Vorkehrung eine
saubere Metall-Gate-Elektrode 78 ohne Resistreste geschaffen
werden, ohne daß der Zwischenschicht-Isolierfilm 71 geätzt
wird.
Anschließend wird mit der als Maske dienenden Metall-Gate-
Elektrode eine Ioneninjektion ausgeführt, so daß auf der
Oberfläche des Siliciumsubstrats eine vorgegebene Source 87a
und ein vorgegebener Drain 87b ausgebildet werden, womit ein
Metall-Gate-Transistor 90 fertiggestellt ist.
In dem obenerwähnten Beispiel wird die Behandlung zum Entfer
nen eines Resistrests hier nach Ausbilden der Gate-Elektrode
ausgeführt; mit den gleichen Entfernungswirkungen kann sie
aber nach Ausbilden der Source und des Drains durch Ionenin
jektion ausgeführt werden.
Außerdem sollen die Materialien und die Struktur der Metall-
Gate-Elektrode nicht durch das obenerwähnte Beispiel be
schränkt sein, wobei irgendwelche Materialien und irgendeine
Struktur verwendet werden können.
In dem obenbeschriebenen Verfahren zum Entfernen eines Resi
strests der fünften bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
wird die Prozeßfolge mit einer Entfernungsbehandlung unter
kurzzeitiger Verwendung eines Entferners auf Fluorgrundlage,
der sich nicht nachteilig auf die Bestandteile einer Halblei
tervorrichtung auswirkt, wenigstens zweimal wiederholt, um
die Resistreste zu entfernen; somit können die Resistreste
ausreichend entfernt werden, während verhindert wird, daß der
Gate-Isolierfilm geätzt wird. Somit kann eine Halbleitervor
richtung mit einem Transistor mit einer Metall-Gate-Elektrode
mit hoher Zuverlässigkeit geschaffen werden.
In den obenerwähnten Restentfernungsverfahren wurde ein Fall
erläutert, in dem die Gesamtzeitdauer der Entfernerbehandlun
gen der jeweiligen Prozeßfolgen auf 10 Minuten (3 Minuten und
20 Sekunden × 3) eingestellt ist bzw. die Gesamtzahl der Wie
derholungen der Prozeßfolge drei beträgt; die Zeitdauer für
die Entfernerbehandlung jeder Prozeßfolge, deren Gesamtzeit
dauer und die Anzahl der Wiederholungen der Prozeßfolge kön
nen vorzugsweise je nach den Eigenschaften, dem Haftgrad usw.
der von Unterschieden in dem Herstellungsprozeß der Halblei
tervorrichtung herrührenden Reste und nach den Elementgrößen
usw. bestimmt werden. Beispielsweise kann im Fall harter Re
ste die Zeitdauer der Entfernerbehandlung jeder Prozeßfolge
auf 2 Minuten und die Anzahl der Wiederholungen auf 5 einge
stellt werden. Außerdem brauchen die Zeitdauern der Entfer
nerbehandlung der jeweiligen Prozeßfolgen nicht notwendig
gleich eingestellt zu werden, sondern diese können verschie
den eingestellt werden, solange die Gesamtzeitdauer die glei
che ist.
Außerdem wird als Entferner auf Fluorgrundlage beispielsweise
Ammoniumfluorid verwendet; die Erfindung soll darauf aber
nicht beschränkt sein, wobei irgendeine Lösung verwendet wer
den kann, die eine Fluorverbindung enthält.
Außerdem haben die obenerwähnte dritte bis fünfte bevorzugte
Ausführungsform beispielhaft Fälle unter Verwendung eines
Einzelwaferverarbeitungs-Sprühbehandlungssystems gezeigt; in
der gleichen Weise wie in der zweiten bevorzugten Ausfüh
rungsform kann aber das Tauchbehandlungssystem eines Stapel
systems verwendet werden, wobei die gleichen Wirkungen er
zielt werden. In diesem Fall wird die wie in den Fig. 9A-9D
gezeigte Prozeßfolge ausgeführt.
Obgleich die Erfindung ausführlich gezeigt und beschrieben
wurde, ist die vorstehende Beschreibung in sämtlichen Aspek
ten erläuternd und nicht einschränkend. Es ist somit selbst
verständlich, daß zahlreiche weitere Abwandlungen und Ände
rungen konstruiert werden können, ohne vom Umfang der Erfin
dung abzuweichen.
Claims (13)
1. Verfahren zum Entfernen eines Resistrests, bei dem eine
Prozeßfolge, die den Schritt einer Entfernungsbehandlung auf
einem Substrat unter Verwendung eines Entferners auf Fluor
grundlage umfaßt, wenigstens zweimal nacheinander wiederholt
wird.
2. Verfahren zum Entfernen eines Resistrests mit einer
Prozeßfolge (100, 150) mit den folgenden Schritten:
Entfernungsbehandlung auf einem Substrat unter Verwendung eines Entferners auf Fluorgrundlage (101, 151);
Wasserwaschbehandlung des Halbleitersubstrats, das mit dem Entferner (102, 153) behandelt wurde; und
Trocknungsbehandlung (103, 154) an dem Substrat nach der Wasserwaschbehandlung (102, 153), wobei
die Prozeßfolge (100, 150) wenigstens zweimal nacheinan der wiederholt wird.
Entfernungsbehandlung auf einem Substrat unter Verwendung eines Entferners auf Fluorgrundlage (101, 151);
Wasserwaschbehandlung des Halbleitersubstrats, das mit dem Entferner (102, 153) behandelt wurde; und
Trocknungsbehandlung (103, 154) an dem Substrat nach der Wasserwaschbehandlung (102, 153), wobei
die Prozeßfolge (100, 150) wenigstens zweimal nacheinan der wiederholt wird.
3. Verfahren zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Entfernungsbe
handlungsprozeß (151) und dem Wasserwaschbehandlungsprozeß
(153) ein Spülprozeß (152) vorgesehen ist.
4. Verfahren zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2
oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Entferner auf Fluor
grundlage Ammoniumfluorid enthält.
5. Verfahren zum Entfernen eines Resistrests nach einem der
Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Entfer
nungsbehandlungsprozesse (101, 151) der jeweiligen Prozeßfol
gen (100, 150) auf eine Gesamtzeit von 10 Minuten eingestellt
sind.
6. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit
den folgenden Schritten:
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (2) auf ei nem Halbleitersubstrat;
Ausbilden eines ersten leitenden Films (3a) auf dem Zwi schenschicht-Isolierfilm (2);
Ausbilden eines zweiten leitenden Films (7a) auf dem er sten leitenden Film (3a) mit einem eingelagerten dielektri schen Film (5a);
Ausbilden eines Resistfilms (9) auf dem zweiten leitenden Film (7a);
Ausbilden eines Kondensators (8) durch aufeinanderfolgen des Ätzen des zweiten leitenden Films (7a), des dielektri schen Films (5a) und des ersten leitenden Films (3a), wobei der Resistfilm (9) als Maske verwendet wird; und
Entfernen des Resistfilms (9), wobei der nach Entfernen des Resists (9) verbleibende Re sistrest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (2) auf ei nem Halbleitersubstrat;
Ausbilden eines ersten leitenden Films (3a) auf dem Zwi schenschicht-Isolierfilm (2);
Ausbilden eines zweiten leitenden Films (7a) auf dem er sten leitenden Film (3a) mit einem eingelagerten dielektri schen Film (5a);
Ausbilden eines Resistfilms (9) auf dem zweiten leitenden Film (7a);
Ausbilden eines Kondensators (8) durch aufeinanderfolgen des Ätzen des zweiten leitenden Films (7a), des dielektri schen Films (5a) und des ersten leitenden Films (3a), wobei der Resistfilm (9) als Maske verwendet wird; und
Entfernen des Resistfilms (9), wobei der nach Entfernen des Resists (9) verbleibende Re sistrest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste und der zweite leitende Film (3a, 7a) wenig stens ein aus der folgenden Gruppe ausgewähltes Material ent halten: Polysilicium, Titannitrid, Wolfram, Wolframnitrid, Tantalnitrid, Ruthenium, Platin und eine Platin-Iridium-Le gierung,
der dielektrische Film (5a) wenigstens ein aus der folgenden Gruppe ausgewähltes Material enthält: Siliciumdio xid, Siliciumoxinitrid, Siliciumnitrid, Tantaloxid, BST und PZT.
der erste und der zweite leitende Film (3a, 7a) wenig stens ein aus der folgenden Gruppe ausgewähltes Material ent halten: Polysilicium, Titannitrid, Wolfram, Wolframnitrid, Tantalnitrid, Ruthenium, Platin und eine Platin-Iridium-Le gierung,
der dielektrische Film (5a) wenigstens ein aus der folgenden Gruppe ausgewähltes Material enthält: Siliciumdio xid, Siliciumoxinitrid, Siliciumnitrid, Tantaloxid, BST und PZT.
8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit
den folgenden Schritten:
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (23) mit einem Kontaktloch (27) auf einem Halbleitersubstrat (21), wobei das Kontaktloch (27) das Halbleitersubstrat erreicht;
Ausbilden eines Metallstopfens (33) in dem Kontaktloch (27);
Ausbilden eines leitenden Films (34) auf dem Zwischen schicht-Isolierfilm (23) und auf dem Metallstopfen (33);
Ausbilden eines Resistfilms (37) auf dem leitenden Film (34) in der Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberflä che des Metallstopfens (33) bedeckt;
Ausbilden einer Verdrahtung (36) durch Ätzen des leiten den Films (34), wobei der Resistfilm (37) als Maske dient;
und
Entfernen des Resistfilms (37), wobei der nach Entfernen des Resists (37) verbleibende Resi strest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (23) mit einem Kontaktloch (27) auf einem Halbleitersubstrat (21), wobei das Kontaktloch (27) das Halbleitersubstrat erreicht;
Ausbilden eines Metallstopfens (33) in dem Kontaktloch (27);
Ausbilden eines leitenden Films (34) auf dem Zwischen schicht-Isolierfilm (23) und auf dem Metallstopfen (33);
Ausbilden eines Resistfilms (37) auf dem leitenden Film (34) in der Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberflä che des Metallstopfens (33) bedeckt;
Ausbilden einer Verdrahtung (36) durch Ätzen des leiten den Films (34), wobei der Resistfilm (37) als Maske dient;
und
Entfernen des Resistfilms (37), wobei der nach Entfernen des Resists (37) verbleibende Resi strest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
der Metallstopfen (33) Wolfram oder Polysilicium enthält,
während die Verdrahtung (36) eine Aluminiumlegierung oder
Wolfram enthält. .
10. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit
den folgenden Schritten:
Ausbilden einer Verdrahtung (59) auf einem Halbleitersub strat;
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (6) auf dem Halbleitersubstrat und auf der Verdrahtung (59);
Ausbilden eines Resistfilms (65) auf dem Zwischenschicht- Tsolierfilm (6) in der Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberfläche der Verdrahtung (59) mit einem Öffnungsab schnitt davon bedeckt;
Ausbilden eines Kontaktlochs (67), das die Oberfläche der Verdrahtung (59) erreicht, unter Verwendung des Resistfilms (65) als Maske; und
Entfernen des Resistfilms (65), wobei der nach Entfernen des Resists (65) verbleibende Resi strest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
Ausbilden einer Verdrahtung (59) auf einem Halbleitersub strat;
Ausbilden eines Zwischenschicht-Isolierfilms (6) auf dem Halbleitersubstrat und auf der Verdrahtung (59);
Ausbilden eines Resistfilms (65) auf dem Zwischenschicht- Tsolierfilm (6) in der Weise, daß er wenigstens einen Teil der Oberfläche der Verdrahtung (59) mit einem Öffnungsab schnitt davon bedeckt;
Ausbilden eines Kontaktlochs (67), das die Oberfläche der Verdrahtung (59) erreicht, unter Verwendung des Resistfilms (65) als Maske; und
Entfernen des Resistfilms (65), wobei der nach Entfernen des Resists (65) verbleibende Resi strest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verdrahtung (59) eine Aluminiumlegierung oder Kupfer ent
hält.
12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit
den folgenden Schritten:
Ausbilden eines Gate-Isolierfilms (71) auf einem Halblei tersubstrat;
Ausbilden eines Metallfilms (73, 75, 77) auf dem Gate- Isolierfilm (71);
Ausbilden eines Isolierfilms (79, 81) auf dem Metallfilm (73, 75, 77);
Ausbilden eines Resistfilms (83) auf dem Isolierfilm (79, 81);
Ausbilden einer Metall-Gate-Elektrode (78) durch Ätzen des Isolierfilms (79, 81) und des Metallfilms (73, 75, 77) unter Verwendung des Resistfilms (83) als Maske;
Entfernen des Resistfilms (83); und
Ausbilden einer leitenden Schicht (87a, 87b) durch Ionenimplantation in das Halbleitersubstrat unter Verwendung des Isolierfilms (79, 81) und des Metallfilms (73, 75, 77) als Masken, wobei
der nach Entfernen des Resists (83) oder nach der Ioneninjektion verbleibende Resistrest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
Ausbilden eines Gate-Isolierfilms (71) auf einem Halblei tersubstrat;
Ausbilden eines Metallfilms (73, 75, 77) auf dem Gate- Isolierfilm (71);
Ausbilden eines Isolierfilms (79, 81) auf dem Metallfilm (73, 75, 77);
Ausbilden eines Resistfilms (83) auf dem Isolierfilm (79, 81);
Ausbilden einer Metall-Gate-Elektrode (78) durch Ätzen des Isolierfilms (79, 81) und des Metallfilms (73, 75, 77) unter Verwendung des Resistfilms (83) als Maske;
Entfernen des Resistfilms (83); und
Ausbilden einer leitenden Schicht (87a, 87b) durch Ionenimplantation in das Halbleitersubstrat unter Verwendung des Isolierfilms (79, 81) und des Metallfilms (73, 75, 77) als Masken, wobei
der nach Entfernen des Resists (83) oder nach der Ioneninjektion verbleibende Resistrest unter Verwendung des Verfahrens zum Entfernen eines Resistrests nach Anspruch 2 entfernt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
der Metallfilm (73, 75, 77) ein leitender Einschicht- oder
Mehrschichtfilm ist, der ein Metallmaterial enthält, das aus
der Gruppe ausgewählt ist, die Polysilicium, Wolfram, Wolf
ramnitrid, Titan und Titannitrid enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000350856A JP2002158206A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | レジスト残渣除去方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10133663A1 true DE10133663A1 (de) | 2002-06-06 |
Family
ID=18824012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001133663 Withdrawn DE10133663A1 (de) | 2000-11-17 | 2001-07-11 | Verfahren zum Entfernen eines Resistrests und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines solchen Verfahrens |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002158206A (de) |
KR (1) | KR20020038460A (de) |
DE (1) | DE10133663A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319151A (ja) | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | エッチング残渣除去方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006344642A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujikura Ltd | レジスト剥離工程における回路基板搬送装置、及び前記回路基板搬送装置を用いて製造した回路基板 |
EP2143135A1 (de) * | 2007-05-03 | 2010-01-13 | S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies | Verbesserter prozess zum herstellen gereinigter oberflächen aus verspanntem silizium |
JP5278469B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP6024164B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241131A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト残査の除去方法 |
KR19980068184A (ko) * | 1997-02-17 | 1998-10-15 | 김광호 | 반도체장치 제조공정의 포토레지스트 제거방법 |
KR19990039400A (ko) * | 1997-11-12 | 1999-06-05 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 세정액 및 이를 이용한 포토레지스트 및폴리머 제거방법 |
JP4224652B2 (ja) * | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
KR100297889B1 (ko) * | 1999-03-10 | 2001-09-26 | 황인길 | 금속 배선 패턴 형성시 포토레지스트 제거 방법 |
JP2001102369A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sony Corp | レジスト除去方法 |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000350856A patent/JP2002158206A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-11 DE DE2001133663 patent/DE10133663A1/de not_active Withdrawn
- 2001-07-20 KR KR1020010043639A patent/KR20020038460A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020038460A (ko) | 2002-05-23 |
JP2002158206A (ja) | 2002-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60012807T2 (de) | Plasma-Reinigungsverfahren für Öffnungen in Isolierschicht(en) niedriger Dielektrizitätskonstante über Kupferleitungs-IC-Strukturen | |
DE60031631T2 (de) | Verfahren zum Vermeiden von Kupfer-Kontamination der Seitenflächen eines Kontaktloches oder einer Doppel-Damaszenen-Struktur | |
DE4207916C2 (de) | Verbindungsstruktur einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung | |
DE19521389C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE19638684C2 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Kontaktloch | |
DE10014315B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterspeichers | |
DE10362148B4 (de) | Verfahren zur Herstellung der Bodenelektrode eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung | |
DE4319070A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102004037089A1 (de) | Technik zur Herstellung einer Passivierungsschicht vor dem Abscheiden einer Barrierenschicht in einer Kupfermetallisierungsschicht | |
DE4314360A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE10051583A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen | |
DE102014118991A1 (de) | Verbindungsstruktur für Halbleitervorrichtungen | |
DE10244570A1 (de) | Liner-Schicht mit geringer Stufenüberdeckung zur Verbesserung des Kontaktwiderstands bei W-Kontakten | |
EP1584103B1 (de) | Zweistufiges ätzverfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsanordnung, insbesondere mit kondensatoranordnung | |
DE102021111424A1 (de) | Speichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102011050953B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10231192A1 (de) | Verunreinigungssteuerung für Herstellungsverfahren eingebetteter ferroelektrischer Bauelemente | |
EP1069604A2 (de) | Verfahren zum Ätzen von Schichten auf einem Halbleitersubstrat | |
DE102018200665B4 (de) | Verfahren zum Reinigen einer Halbleitervorrichtung | |
US7629265B2 (en) | Cleaning method for use in semiconductor device fabrication | |
DE102017127668A1 (de) | Chemische Reinigung einer Halbleitervorrichtung | |
DE10133663A1 (de) | Verfahren zum Entfernen eines Resistrests und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines solchen Verfahrens | |
DE10344273B4 (de) | Verbesserter Kontakt für Speicherzellen | |
DE10255865B4 (de) | Verfahren zum Ätzen von Kontaktlöchern mit geringem Durchmesser | |
DE10121657A1 (de) | Mikroelektronische Struktur mit einer Wasserstoffbarrierenschicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |