DE10107150A1

DE10107150A1 - Verfahren zum Freilegen von polykristallinen Bereichen auf beschädigten oder strukturell entarteten Oxidinseln in einem Halbleitersubstrat

Info

Publication number: DE10107150A1
Application number: DE2001107150
Authority: DE
Inventors: Albert Birner; Kristin Schupke; Anett Moll; Frank Jakubowski
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-02-15
Filing date: 2001-02-15
Publication date: 2002-09-26
Anticipated expiration: 2021-02-16
Also published as: DE10107150C2

Abstract

Die Erfindung schafft ein Ätzverfahren, bei welchem Versetzungen freigelegt werden, derart, daß eine umgebende Epitaxieschicht deutlich schneller geätzt wird als die Versetzung selbst, wodurch in einer Epitaxieschicht eingebaute Versetzungen bis auf eine darunterliegende Verursacherschicht freigelegt werden können und anschließend mit vorhandenen Produktions- und Analysewerkzeugen einer Produktionslinie analysiert werden können, wobei zur Analyse insbesondere sogenannte Defektdichtegeräte zum Einsatz kommen. Weiterhin kann eine relative Position von Versetzungen für eine große Anzahl von Versetzungen bestimmt werden, wobei eine Struktur einer darunterliegenden Schicht effizient und schnell erfaßt wird. Das erfindungsgemäße Verfahren setzt vorzugsweise stark verdünnte und relativ ungiftige Materialien als Ätzlösungen ein.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erkennen von Versetzungen, und betrifft insbesondere ein Verfahren zum Erkennen von Versetzungen, welche in epitaktisch aufgewachse nen Schichten auftreten, und betrifft weiterhin eine Prüfvor richtung zur Durchführung des Verfahrens.

Epitaktisch aufgewachsene Schichten - nachfolgend kurz als Epitaxieschichten bezeichnet - spielen eine bedeutende Rolle in der Mikroelektronik, insbesondere bei Halbleiter- Herstellungsprozessen. Die Erzeugung und der Aufbau von Epi taxieschichten sind beispielsweise in: "Dietrich Widmann, Hermann Mader und Hans Friedrich: Technologie hochintegrier ter Schaltungen, Springer-Verlag (1996)" beschrieben.

Unter Epitaxie wird hierbei das monokristalline Aufwachsen einer Schicht auf einem monokristallinen Substrat verstanden, wobei das breiteste Anwendungsfeld durch Silizium- Epitaxieschichten auf monokristallinen Siliziumscheiben er öffnet wird.

Eine weitere Technik ist die SOS-Technik (SOS = Silicon-On- Sapphire), bei der eine monokristalline Siliziumschicht auf einem isolierenden, monokristallinen Saphirsubstrat aufgebon det wird. Epitaxieschichten sind hervorragend dazu geeignet, einen dreidimensionalen Schichtaufbau zu realisieren, wobei jede Einzelschicht individuell strukturiert werden kann.

Beispielsweise kann bei einem DRAM-Herstellungsprozeß durch die Einbringung einer Epitaxieschicht zwischen DTs (Deep Trenches) und der Schicht der Auswahltransistoren eine Ent koppelung dieser Strukturen hinsichtlich ihrer lateralen Po sitionierung erreicht werden.

Auswahltransistoren und DTs können teilweise übereinanderge schoben realisiert werden, wodurch weniger Substratfläche verbraucht wird und eine Speicherzelle kompakter und billiger realisiert werden kann. Ein Problem bei der Aufbringung von Epitaxieschichten auf Substraten besteht darin, daß beim Auf wachsen von Epitaxieschichten eine geschlossene einkristalli ne Siliziumfläche durch Fehler in einer oder mehreren Gitter ebenen gestört werden kann.

Eine wesentlichen Fehlerquelle besteht in der Form von Ver setzungen, die zu einem defektbehafteten Kristallaufbau füh ren, was beispielsweise dazu führen kann, daß eine <100<- Kristallrichtung, die senkrecht auf die Waferoberfläche aus gerichtet ist, ganz oder teilweise verkippt ist. Eine derar tige Verkippung im Kristallaufbau hat im wesentlichen eine Versetzung als Ursache, wobei sowohl Volumen- als auch Flä chenbereiche mit einer "falschen" Orientierung vorhanden sein können, d. h. mit einer Orientierung, die nicht dem <100<- Kristallaufbau entspricht.

Um eine Prozeßlinie zur Herstellung mikrotechnischer, insbe sondere mikroelektronischer Komponenten zu optimieren, müssen sogenannte Wafer, d. h. Substrateinrichtungen mit aufgebrach ten mikrotechnischen/mikroelektronischen Komponenten fortlau fend oder stichprobenweise getestet werden.

Herkömmliche Produktionslinien sind mit vielfältigen Produk tionstools, insbesondere auch zum Testen von Wafern ausges tattet. Derartige Testverfahren umfassen beispielsweise opti sche Verfahren, welche Strukturen im Bereich 100-200 nm Kan tenlänge bezüglich ihrer Verteilungsdichte erkennen können. Derartige Defektdichtegeräte arbeiten mit Laserstrahlscan nern, wobei über den Streuprozeß an der Oberfläche des zu un tersuchenden Wafers festgestellt wird, ob strukturelle Defek te im allgemeinen bzw. strukturell dekorierte Versetzungen im besonderen aufgetreten sind. Bei einem herkömmlichen selektiven Epitaxieprozeß wird eine Siliziumschicht abgeschieden, wobei als Substrat ein einkristalliner Silizium-Wafer dient.

Eine derartige Mikrostrukturierungstechnologie auf der Basis von Silizium ist beispielsweise in "Silicon microstructuring Technology, Materials Science and Engineering, R17 (1996) Seiten 1-55" von Walter Lang beschrieben. Hierbei geht es darum, Sensoren, Aktoren und Mikrosysteme durch eine mikro technische Bearbeitung von Silizium herzustellen, wobei die Strukturen typischerweise dreidimensional sind. Somit kommt einer defektfreien Mikrostrukturierung von Silizium auch vor dem Hintergrund einer Realisierung von mikroelektromechani schen Systemen (MEMS = Micro Electro Mechanical Systems) oder mikro-optoelektromechanischen Systemen (MOEMS = Micro Opto Electro Mechanical Systems) eine große Bedeutung zu. Um Ver setzungen zu erkennen, müssen diese mittels geeigneter Ätz verfahren sichtbar gemacht werden.

Fig. 2 zeigt eine Anordnung zum Erkennen bzw. zum Sichtbarma chen von Versetzungen nach dem Stand der Technik.

Auf einem Substrat 102 befindet sich eine Epitaxieschicht 101, in die an einer mittigen Position eine Versetzung einge baut ist. Eine unter der Epitaxieschicht vergrabene Struktur enthält vergrabene Oxidinseln 201, von welchen in dem in Fig. 2 gezeigten Beispiel drei Stück durch gestrichelte Ovale ver anschaulicht sind. Diese Oxidinseln fungieren als Isolatorde ckel für darunterliegende Gräben ("Deep Trenches"), wobei an den Stellen, an denen diese Oxiddeckel beschädigt oder struk turell entartet sind, eine Epitaxieschicht nicht wie ge wünscht monokristallin, sondern polykristallin bzw. mit ein gebauten Versetzungen aufwächst.

Die daraus resultierenden Versetzungen müssen während eines Herstellungsprozesses von Wafern erkannt werden, was nach dem Stand der Technik dadurch geschieht, daß die Epitaxieschicht 101 teilweise mittels eines Ätzverfahrens abgetragen wird.

Durch das nach dem Stand der Technik eingesetzte Ätzverfahren werden hierbei allerdings die Versetzungen stärker geätzt (d. h. stärker abgetragen), als die umgebende Epitaxieschicht 101, wodurch spezifische Ätzgruben 202 entstehen, welche in die Epitaxieschicht 101 hineinzeigen.

Beispielsweise laufen die Ätzgruben 202 spitz in Richtung des Substrats 102, wodurch eine Versetzung lediglich angedeutet werden kann.

Ein weiteres Verfahren beruht auf dem Einsatz eines fokus sierten Ionenstrahls (FIB = Focussed Ion Beam) zur gezielten Abtragung der Epitaxieschicht 101, um die Versetzungsursache zu untersuchen.

Es ist somit ein Nachteil herkömmlicher Verfahren zum Erken nen von Versetzungen, daß Ursachen von Versetzungen im Ver borgenen bleiben, da Versetzungen in einer Epitaxieschicht schneller geätzt werden als die umgebende Epitaxieschicht ge ätzt wird.

Ein weiterer Nachteil von Verfahren zur Untersuchung von Ver setzungen nach dem Stand der Technik besteht darin, daß eine Analyse von Versetzungen nur bei geringen Defektdichten er möglicht wird, da REM-Analysen an gebrochenen Proben notwen dig sind.

Noch ein weiterer Nachteil herkömmlicher Verfahren besteht darin, daß eine Topologie einer Ätzgrube verwischt wird, wo durch eine genaue Lokalisierung einer Versetzungsursache ver hindert wird.

Noch ein weiterer Nachteil herkömmlicher Verfahren zum Erken nen von Versetzungen besteht darin, daß herkömmliche Verfah ren langsam, insbesondere seriell arbeiten, und es somit aus schließen, daß eine rasche, statistisch fundierte Übersicht über Defektquellen gegeben wird, da insbesondere die hier relevanten Verfahren in einer Produktionslinie während eines Herstellungsprozesses von mikrotechnischen Strukturen durch- geführt werden müssen; d. h. in wünschenswerter Weise werden in-situ-Verfahren in Echtzeit zum Einsatz gebracht.

Noch ein weiterer Nachteil herkömmlicher Verfahren besteht in der notwendigen Verwendung der Ätzlösung, die beispielsweise aus wässrigem Chrom-VI-Oxid und Flußsäure in unterschiedli chen Zusammensetzungen und gelegentlicher Beimischung weite rer Additive besteht, wodurch diese Verfahren außerhalb von Reinräumen durchgeführt werden müssen, da eine Chromverunrei nigung bei beispielsweise Halbleiterprozessen durch Verwen dung von Chrom-VI-Oxid befürchtet wird.

Noch ein weiterer Nachteil von Verfahren, die herkömmliche Ätzlösungen verwenden, besteht darin, daß Chrom-VI-Oxid eine schädliche, krebserregende, mutagene wie auch reproduktions toxische Substanz ist, welche in Produktionslinien nicht oder nur unter großem sicherheitstechnischen Aufwand eingesetzt werden kann.

Der wesentliche Nachteil herkömmlicher Verfahren zum Erkennen von Versetzungen besteht darin, daß Markierungen, welche mit dem herkömmlichen Verfahren an vorhandenen Versetzungen ange bracht werden, prinzipiell keinen Zusammenhang mit Ursachen für eine Entstehung von Versetzungen bereitstellen können.

Es ist somit eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Erkennen von Versetzungen und eine Prüfvorrich tung zur Durchführung des Verfahrens bereitzustellen, durch welche Versetzungsursachen erkennbar werden, wobei vorhandene Produktionswerkzeuge für eine Defektdichteerkennung genutzt werden sollen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Erkennen von Ver setzungen nach Anspruch 1 und eine Prüfvorrichtung zur Durch führung des Verfahrens nach Anspruch 12 gelöst.

VORTEILE DER ERFINDUNG

Kern der Erfindung ist ein alkalisches Ätzverfahren, bei wel chem Versetzungen freigelegt werden, derart, daß eine umge bende Epitaxieschicht deutlich schneller geätzt wird als die Versetzung selbst.

Es ist somit ein Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß in einer Epitaxieschicht eingebaute Versetzungen bis auf eine darunterliegende Verursacherschicht freigelegt werden können und anschließend mit vorhandenen Produktions- und Analyse werkzeugen einer Produktionslinie analysiert werden können, wobei zur Analyse insbesondere sogenannte Defektdichtegeräte zum Einsatz kommen.

Insbesondere werden als Analysewerkzeuge einer Produktionsli nie zum Erkennen der freigelegten Versetzungen Defektdichte geräte eingesetzt, die auf einer Abtastung der Oberfläche mittels Laser-Scannerverfahren beruhen. Hierbei werden Struk turen erkennbar, deren laterale Dimensionen im Bereich von 100-200 nm liegen. Bei laserbasierten Defektdichtegeräten findet ein Streuprozeß an der Oberfläche statt, der eine sta tistische Aussage über das Vorhandensein von Versetzungen er laubt, ohne daß einzelne Versetzungen in ihrer Größe selbst vermessen werden müssen.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar in, daß einer oder mehrere Versetzungsmarker in Form einer schwammartigen Struktur ein polykristallines Aufwachsen ver deutlichen bzw. in Form einer pyramidenstumpfförmigen Struk tur auf das Vorhandensein eingebauter Versetzungen hinweisen können.

Vorteilhafterweise ätzt das erfindungsgemäße Verfahren die Epitaxieschicht schneller als die Versetzungen, wodurch die Epitaxieschicht bis auf eine Grenzfläche zwischen der Epita xieschicht und dem Substratgrenzfläche herabgeätzt werden kann, ohne Residuen von Versetzungen zu entfernen.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar in, daß eine relative Position von Versetzungen für eine gro ße Anzahl von Versetzungen bestimmt werden kann.

Vorteilhafterweise kann eine Struktur einer darunterliegenden Schicht effizient und schnell bestimmt werden.

Vorteilhafterweise wird eine <100<-Richtung in einer Silizi um-Epitaxieschicht deutlich schneller als eine <110<- und ei ne <111<-Richtung geätzt wird.

Zweckmäßigerweise setzt das erfindungsgemäße Verfahren stark verdünnte und relativ ungiftige Materialien ein.

Noch ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß ein schnelles Untersuchungsverfahren für ein großes en semble von Versetzungen bereitgestellt wird.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es vorteilhafterwei se weiterhin möglich, eine systematische Aufklärung der Lage von Versetzungsstrukturen relativ zu möglichen Verursacher strukturen in Schichten bereitzustellen, die von der Epita xieschicht überwachsen wurden.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildun gen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstands der Erfin dung.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist als eine Ätzlösung eine Ammoniak-haltige Lösung vorgesehen, die als sogenannte "Ammonia(NH₄OH) Wet Bottle Etch" bereitgestellt wird.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vor liegenden Erfindung wird als Ätzlösung eine Lauge, wie bei spielsweise TMAH, KOH, NaOH, Cholin oder Ethylendiamin ver wendet.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vor liegenden Erfindung wird zum Bilden einer selektiven Epita xieschicht ein selektiver Epitaxieprozeß eingesetzt.

ZEICHNUNGEN

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er läutert.

In den Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 eine schematische Skizze einer im Rahmen des erfin dungsgemäßen Verfahrens zum Erkennen von Versetzun gen geätzten Epitaxieschicht mit freigelegten Oxid inseln und einem Versetzungsmarker; und

Fig. 2 ein herkömmliches Verfahren zum Erkennen von Ver setzungen.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Fig. 1 zeigt eine schematische Skizze einer im Rahmen des er findungsgemäßen Verfahrens zum Erkennen von Versetzungen ge ätzten Epitaxieschicht mit freigelegten Oxidinseln 103 und einem Versetzungsmarker 104. Darüber hinaus können prinzi piell zwei oder mehrere Versetzungsmarker 104 gebildet wer den. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist in den Figuren nur jeweils ein Versetzungsmarker 104 dargestellt. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Prozeß ist gezeigt, wie ein Versetzungsmarker 104 zur Identifikation und Lokalisierung von Verset zungen erhalten werden kann.

In dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung wurde zunächst eine Epitaxieschicht 101 auf ein Substrat 102 aufgewachsen. Hierbei ist eine <100<-Richtung beispielsweise einer Silizium-Epitaxieschicht senkrecht auf der Waferoberfläche ausgerichtet, die durch das Substrat 102 repräsentiert ist. Die Epitaxieschicht 101 wird typischerwei se bis zur Hälfte ihrer Höhe abgetragen bzw. bis zu ca. 100 nm oberhalb von Oxidinseln 103 geätzt.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden hier Ammonia-Hügelstrukturen betrachtet, die durch das erfindungsgemäße alkalische Ätzverfahren gebildet werden. In diesem alkalischen Ätzverfahren nach dem Ammonia-Prozeß (wet bottle process) wird eine <100<-Kristallorientierung von Si lizium schneller als fast alle anderen Kristallorientierungen von Silizium geätzt. Es entstehen Versetzungsbezogene erha bene Strukturen, wobei die entsprechenden Ammonia- Hügelstrukturen unterschiedliche geometrische Formen annehmen können.

Es sei darauf hingewiesen, dass zur Erkennung von Versetzun gen mittels geeigneter Defektdichtegeräte lediglich das Vor handensein einer oder mehrerer erhabener Strukturen, hier ei nes oder mehrere Vertreter der Ammonia-Hügelstrukturen, er forderlich ist, eine spezifizierte Form der erhabenen Struk tur oder der erhabenen Strukturen jedoch nicht vorausgesetzt werden muß.

Die freigelegten Oxidinseln 103 dienen als Isolatordeckel für eine darunterliegende Struktur tiefer Gräben ("Deep Tren ches").

Bei Beschädigungen dieses Oxiddeckels wächst bei diesem Bei spiel eine Epitaxieschicht polykristallin auf, was zu einer Entstehung von Versetzungsmarkern 104 führt, wenn das erfin dungsgemäße Verfahren eingesetzt wird. An Hand der entstande nen Versetzungsmarker 104 können Versetzungen der freigeleg ten Oxidinseln 103 mittels in einen Herstellungsprozeß, der in einer Produktionslinie abläuft, vorhandenen Produktions werkzeugen erkannt und lokalisiert werden. Prüfvorrichtungen zum Erkennen dieser Versetzungen stehen in Form von Defekt dichtegeräten bereit, die auf Laserstrahl-Scanner- Einrichtungen beruhen, wobei durch einen Streuprozeß von La serlicht an der exponierten Oberfläche am Ort von Verset zungsmarkern 104 eine erhöhte Streulichtdichte erzeugt wird.

Somit kann eine statistische Verteilung von Versetzungen er halten werden, wodurch eine systematische Aufklärung der Lage von Versetzungsstrukturen relativ zu möglichen Verursacher strukturen in derartigen Schichten, die von einer Epitaxie schicht überwachsen sind, ermöglicht wird.

Beispielhaft sei im folgenden ein Prozeß unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.

Ziel war hierbei das Erreichen einer Epitaxieschicht 101, die eine Dicke von 250 nm aufweist, wobei die Epitaxieschicht auf einer strukturierten Oberfläche eines Substrats 102 ("Wafero berfläche") vorliegt. Zu diesem Zweck wurden die folgenden Prozeßschritte unter den untenstehend bezeichneten Bedingun gen ausgeführt:

a) Entfernen eines auf der Oberfläche gebildeten, "na türlichen" Oxids mit einer Mischung aus Wasser und Flußsäure im Verhältnis Wasser: Flußsäure = 100 : 1, wobei die Eintauchzeit beim Naßätzprozeß 90 Sekunden betrug;
b) Freilegen von Versetzungsmarkern in einem Naßätzver fahren mittels einer wässrigen NH4OH-Lösung, wobei das Mischungsverhältnis bei dieser Lösung betrug: Wasser : NH4OH = 50 : 1 und eine Ätzzeit von 10 min ein gestellt wurde; und
c) Untersuchung des so behandelten Wafers mit einem De fektdichtegerät auf der Basis lichtstreuender Ver fahren, um Versetzungen zu erkennen und zu lokali sieren.

Obwohl in den Figuren dieser Beschreibung Ausführungsbeispie le der vorliegenden Erfindung gezeigt sind, die einen einzel nen, durch das erfindungsgemäße Verfahren gebildeten Verset zungsmarker 104 veranschaulichen, ist klar erkennbar, daß zwei oder mehrere Versetzungsmarker 104 gebildet und analy siert werden können.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzug ter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizier bar.

Bezugszeichenliste

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten

101

Epitaxieschicht

102

Substrat

103

Freigelegte Oxidinseln

104

Versetzungsmarker

201

Vergrabene Oxidinseln

202

Ätzgrube

Claims

1. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen mit den Schritten:

a) Einbringen eines Substrats (102), das eine Epitaxie schicht (101) darauf beschichtet aufweist, in eine Prüfvorrichtung;
b) Ätzen der Epitaxieschicht (101) schneller als die Versetzungen in einer Ätzlösung;
c) Freilegen von Oxidinseln (103) durch das Ätzen;
d) Bilden von Versetzungsmarkern (104), die den freige legten Oxidinseln (103) zugeordnet sind;
e) Lokalisieren der Versetzungen mittels eines Defekt dichtegerätes in der Prüfvorrichtung;
f) Ausgeben einer Defektdichteverteilung als Ergebnis des Prüfprozesses; und
g) Ausbringen des geprüften Substrats (102), das eine teilweise geätzte Epitaxieschicht (101) darauf be schichtet aufweist, aus der Prüfvorrichtung.

2. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzverfahren ein alkalisches Ätzverfahren ist.

3. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder beiden der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzverfahren mit einer Ammoniakhaltigen Lösung oder mit Lau gen, wie TMAH, KOH, NaOH, Cholin oder Ethylendiamin, durchge führt wird.

4. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine pyramidenstumpfförmige Struktur durch einen oder mehrere Versetzungsmarker (104) in der Form einer schwammartigen Struktur verdeutlicht wird.

5. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein polykristallines Aufwachsen durch einen oder mehrere Ver setzungsmarker (104) in der Form einer schwammartigen Struk tur verdeutlicht wird.

6. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine relative Position von Versetzungen für eine große Anzahl von Versetzungen bestimmt wird.

7. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine <100<-Richtung schneller als eine <110<- und eine <111<- Richtung geätzt wird.

8. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Verteilungsdichte von einem Ensemble von Versetzungen bestimmt wird.

9. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Bilden einer selektiven Epitaxieschicht ein selektiver Epitaxieprozeß eingesetzt wird.

10. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine statistische Aussage über die Verteilung von Versetzun gen erhalten wird.

11. Verfahren zum Erkennen von Versetzungen nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine systematische Aufklärung der Lage von Versetzungsstruk turen relativ zu möglichen Verursacherstrukturen in derarti gen Schichten, die von einer Epitaxieschicht überwachsen sind, bereitgestellt wird.

12. Prüfvorrichtung zur Erkennung von Versetzungen mit:

a) einer Einrichtung zur Einbringung eines Substrats (102), das eine Epitaxieschicht (101) darauf be schichtet aufweist;
b) einer Ätzeinrichtung zur Ätzung der Epitaxieschicht (101) schneller als die Versetzungen, in einer Ätz lösung;
c) einer Lokalisierungseinrichtung zur Lokalisierung der Versetzungen;
d) einer Ausgabeeinrichtung zur Ausgabe einer Defekt dichteverteilung als Ergebnis des Prüfprozesses; und
e) einer Einrichtung zur Ausbringung des geprüften Sub strats (102).