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Die
Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Dualmodus-Sender, wie
beispielsweise einen Sender für
einen seriellen Bus.
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Es
gibt wenigstens zwei Signalisiertechniken, die zum Übermitteln
von Datenbits über
einen seriellen Bus verwendet werden können. Gemäß 1 verwendet
eine Asymmetrischer-Spannungsmodus-Signalisierung
genannte Technik Veränderungen
einer Spannung auf einer Leitung eines seriellen Busses, um Datenbits
anzuzeigen. Bei einem Beispiel dieser Art des Signalisierens könnte ein Spannungssignal 10 auf
der seriellen Busleitung zwischen einem (VMAX genannten)
hohen Spannungspegel zum Anzeigen einer logischen "Eins" und einem (VMIN genannten) tiefen Spannungspegel zum
Anzeigen einer logischen "Null" schwingen. Infolge
der mit der Spannungsmodus-Signalisierung verbundenen Einfachheit
der Schaltung wird diese Art des Signalisierens üblicherweise für Bitraten
kleiner als 50 Megabit/Sekunde (Mb/s) verwendet.
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Für höhere Bitraten
(Bitraten größer als
50 Mb/s) kann eine Differenz-Strommodus-Signalisierung genannte
Signalisiertechnik verwendet werden. Üblicherweise ist die Differenz-Strommodus-Signalisierung
mit einer besseren Signalintegrität, einem geringeren Schaltrauschen
und einer geringeren Verlustleistung verbunden. Bezugnehmend auf 2 variieren
bei der Differenz-Strommodus-Signalisierung zwei Stromsignale 14 und 16 (auf
zwei verschiedenen Leitungen eines seriellen Busses bereitgestellt)
zwischen einem (IMAX genannten) Maximumstrompegel
und einem (IMIN genannten) Minimumstrompegel,
um Bitdaten anzuzeigen. Auf diese Weise zeigen die Stromsignale 14 und 16 eine
logische "Eins" an, wenn das Stromsignal 16 einen
IMAX-Strompegel aufweist und das Stromsignal 14 einen IMIN-Strompegel aufweist. Die Stromsi gnale 14 und 16 zeigen
eine logische "Null" an, wenn das Stromsignal 14 einen
IMAX-Strompegel aufweist und das Stromsignal 16 einen
IMIN-Strompegel aufweist.
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Eine
serielle Buseinrichtung enthält üblicherweise
einen Sender und einen Empfänger,
um mit jeder seriellen Busdatenleitung zu kommunizieren und verwendet
beispielsweise die Asymmetrischer-Spannungsmodus- oder die Differenz-Strommodus-Signalisiertechnik.
Beispielsweise verwendet der Universelle-Serielle-Bus (USB)-Standard
die Asymmetrischer-Spannungsmodus-Signalisiertechnik und der USB-2.0-Standard
verwendet die Differenz-Strommodus-Signalisiertechnik. Der USB-Standard ist in der
Universal Serial Bus Specification, Revision 1.0, veröffentlicht
im Januar 1996, beschrieben. Der USB-2.0-Standard ist auf der Internetseite www.usb.org/developers/index.html
beschrieben. Um die zwei verschiedenen seriellen Busstandards in
Einklang zu bringen, könnte
die serielle Buseinrichtung zwei Sender enthalten: einen Sender
für die Asymmetrischer-Spannungsmodus-Signalisierung und
einen weiteren Sender für
die Differenz-Strommodus-Signalisierung. Bedauerlicherweise könnten zwei
Sender (anstelle eines Senders) für jede serielle Busdatenleitung
den Platzbedarf der seriellen Buseinrichtung erheblich vergrößern. Außerdem könnte die
Leistung von Hochgeschwindigkeitsübertragungen aufgrund der Zusatzkapazitäten beeinflußt werden,
die infolge der Anwesenheit der zwei Sender an einem Ausgang der
seriellen Buseinrichtung vorhanden sind.
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Aus
der
US 6005414 A ist
ein Bus-Sender bekannt, der im Strom-Modus oder im Spannungs-Modus
zu betreiben ist. Bei dem Bus-Sender ist für jeden der Modi eine separat
schaltbare Schaltung ausgebildet.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, einen Sender bereitzustellen, welcher den
Einsatz mit verschiedenen Busstandards bei geringer Platzanforderung
ermöglicht.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
einen Bus-Sender nach Anspruch 1 sowie ein Computersystem nach Anspruch
9.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung enthält
ein serieller Bus-Sender eine Ausgangsstufe und eine mit der Ausgangsstufe
gekoppelte Schaltung, um die Ausgangsstufe entweder in einen Stromsignalisiersendemodus
oder einen Spannungssignalisiersendemodus zu versetzen. Die Ausgangsstufe
weist eine erste Stufe zum Liefern eines nahezu konstanten Stroms
in dem Stromsignalisiersendemodus und zum Erzeugen einer Widerstandslast
in dem Spannungssignalisiersendemodus auf und eine mit der ersten
Stufe gekoppelte Komplementärschaltstufe,
welche den nahezu konstanten Strom in dem Stromsignalisiersendemodus
zum Erzeugen eines Stromsignals verwendet, welches Bits eines digitalen
Signals anzeigt, und welche die Widerstandslast in dem Spannungssignalisiersendemodus
zum Erzeugen eines Spannungssignals verwendet, welches die Bits
anzeigt.
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Vorteile
und andere Merkmale der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung,
den Zeichnungen und den Ansprüchen
ersichtlich.
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1 veranschaulicht
eine bekannte Asymmetrischer-Spannungsmodus-Signalisiertechnik.
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2 veranschaulicht
eine bekannte Differenz-Strommodus-Signalisiertechnik.
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3 zeigt
eine schematische Darstellung eines Senders gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
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Die 4, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 zeigen
Signalverläufe
des Senders gemäß 3.
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11 zeigt
eine detailliertere schematische Darstellung des Senders gemäß 3 entsprechend einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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12 zeigt
eine schematische Darstellung einer Ausgangsstufe des Senders, wenn
der Sender in einem Spannungsi gnalisiermodus betrieben wird, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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13 zeigt
eine den Betrieb der Ausgangsstufe des Senders veranschaulichende
schematische Darstellung, wenn der Sender in einem Differenz-Stromsignalisiermodus
betrieben wird.
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14 zeigt
eine schematische Darstellung eines Computersystems gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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Gemäß 3 verfügt ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel 30 eines
Dual-Modus-Senders eines seriellen Busses über zwei Modi: einen Strommodus,
in welchem der Sender 30 unter Verwendung des Differenz-Strommodus-Signalisierens mit
einer seriellen Busdatenleitung kommunizieren kann, und einen Spannungssignalisiermodus,
in welchem der Sender 30 unter Verwendung des Asymmetrischer-Spannungsmodus-Signalisie-
rens mit der seriellen Busdatenleitung kommunizieren kann. Um dies
zu erreichen, enthält
der Sender 30 eine Ausgangsstufe 32, welche zwei
Ausgangsanschlüsse 150 und 152 aufweist.
Wenn der Sender 30 in den Strommodus versetzt wird, liefern
die Ausgangsanschlüsse 150 und 152 (IXO und IXOB genannte
(siehe 4)) Stromsignale, die differentiell Bits eines
digitalen Signals anzeigen. Wenn der Sender 30 in den Spannungsmodus
versetzt wird, ist der Ausgangsanschluß 152 mit Masse gekoppelt
und der Anschluß 150 liefert
ein (TXO genanntes (siehe 5))
Spannungssignal, welches Bits eines digitalen Signals anzeigt.
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Insbesondere
enthält
bei einigen Ausführungsbeispielen
der Sender 30 eine Steuerschaltung 34, welche
die Ausgangsstufe 32 derart konfiguriert, daß sie entweder
die IXO- und IXOB-Stromsignale
(in dem Strommodus) oder das TXOB-Spannungssignal (in
dem Spannungsmodus) liefert, wie es nachfolgend beschrieben wird.
Außer
der Steuerschaltung 34 und der Ausgangsstufe 32 weist
der Sender 30 eine N-Pegelumsetzerschaltung 36 und
eine P-Pegelumsetzerschaltung 38 auf, Schaltungen, welche (DIN und DING genannte)
Signale empfangen, die differentiell die logischen Zustände von über den
seriellen Bus zu übertragenden
Bits anzeigen und die Ausgangsstufe 32 ansteuernde Signale
erzeugen. Auf diese Weise erzeugt die P-Pegelumsetzerschaltung 38 in
Abhängigkeit
von den empfangenen DIN- und DINB-Signalen
PI (siehe 7) und PIB (siehe 8) genannte
Signale. Die P-Pegelumsetzerschaltung 38 erzeugt das PI-Signal
durch Invertieren und Pegelverschieben des DIN-Signals
derart, daß das
PI-Signal eine annähernd
zwischen einer VPB genannten Betriebsspannung
und Masse variierende Vorspannung aufweist. Ähnlich erzeugt die P-Pegelumsetzerschaltung 38 das
PIB-Signal durch Invertieren und Pegelverschieben des DINB-Signals,
um dieselbe Vorspannung, wie bei dem PI-Signal zu erzeugen. Infolge
dieser Anordnung erzeugt die P-Pegelumsetzerschaltung 38 eine
zum Ansteuern von pMOSFETs der Ausgangsstufe 32 geeignete
Vorspannung (der PIB- und PI-Signale), wie es nachfolgend beschrieben
ist. Zum Beispiel könnte
der VPB-Spannungspegel ungefähr 3,3 Volt
betragen. Wie es nachfolgend beschrieben ist, werden die Signale
PI und PIB zum Ansteuern zweier übereinstimmender
p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
(pMOSFETs) verwendet, welche an verschiedenen Seiten eines die Ausgangsstufe 32 bildenden
Differenzverstärkers
angeordnet sind.
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Die
N-Pegelumsetzerschaltung 36 erzeugt NI und NIB genannte
Signale. Während
des Spannungsmodus erzeugt die N-Pegelumsetzerschaltung 36 das
NI-Signal (siehe 9) durch Invertieren und Pegelverschieben
des DIN-Signals derart, daß das NI-Signal
eine ungefähr
zwischen einer (VCCC genannten) Betriebsspannung
und Masse variierende Vorspannung aufweist. Ähnlich erzeugt die N-Pegelumsetzerschaltung 36 während des
Spannungsmodus das NIB-Signal (siehe 10) durch
Invertieren und Pegelverschieben des DINB-Signals,
um dieselbe Vorspannung wie bei dem NIB-Signal zu erzeugen. Wie
es nachfolgend beschrieben wird, werden die NI- und NIB-Signale
für das
Ansteuern zweier übereinstimmender
n-Kanal-Metall-Oxid- Halbleiter-Feldeffekttransistoren
(nMOSFETs) verwendet, welche an verschiedenen Seiten des die Ausgangsstufe 32 bildenden
Differenzverstärkers
angeordnet sind. Bei einem Beispiel könnte die Vccc-Spannung ungefähr 1,8 Volt
betragen, um eine Vorspannung von ungefähr 0,9 Volt für jedes
der NI- und NIB-Signale
bereitzustellen.
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In
dem Strommodus sind die NI- und NIB-Signale nicht invertierte Darstellungen
der DIN- und DINB-Signale.
Stattdessen bewirkt die Steuerschaltung 34, daß die N-Pegelumsetzerschaltung 36 die NI-
und NIB-Signale für
die Dauer des Strommodus beibehält,
wodurch die Ausgangsstufe 32 zu einem Differenz-Stromsignalisier-Sender
konfiguriert wird, wie es nachfolgend beschrieben ist.
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Gemäß 11 weist
die Ausgangsstufe 32 einen Differenzverstärker auf,
der entweder als ein Transkonduktanzverstärker (in dem Strommodus) oder
als ein Spannungsverstärker
(in dem Spannungsmodus) fungieren kann. Die Ausgangsstufe 32 weist
einen pMOSFET 137 auf, der im Spannungsmodus als eine lineare
Last des Differenzverstärkers und
im Strommodus als eine annähernd
konstante Stromquelle des Differenzverstärkers fungiert. Der Source-Anschluß des pMOSFET 137 ist
mit einer (VCCP genannten) positiven Betriebsspannung
gekoppelt, und der Drain-Anschluß des pMOSFET 137 ist mit
einem Knoten 139 gekoppelt, der den Strom von dem Drain-Anschluß des pMOSFET 137 empfängt und
den Strom für
beide Seiten des Differenzverstärkers
liefert.
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Eine
Seite des Differenzverstärkers
weist einen pMOSFET 130 auf, der das PI-Signal an seinem Gate-Anschluß empfängt und
einem nMOSFET 132, der das NI-Signal an seinem Gate-Anschluß empfängt. Der
Source-Anschluß des
pMOSFET 130 ist mit dem Knoten 139 gekoppelt,
und der Drain-Anschluß des
pMOSFET 130 ist mit dem Drain-Anschluß des nMOSFET 132 gekoppelt.
Der Source-Anschluß des
nMOSFET 132 ist mit einer aktiven Last gekoppelt, die beispielsweise
aus zwei nMOSFETs 134 und 135 bestehen könnte, deren Drain-Source-Pfade
paral lel zwischen dem Source-Anschluß des nMOSFET 132 und
einer (VSS genannten) negativen Betriebsspannung
eingekoppelt sind. Die Gate- und Drain-Anschlüsse des nMOSFET 134 sind
miteinander gekoppelt, und der Gate-Anschluß des nMOSFET 135 empfängt eine
VB genannte Vorspannung.
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Die
andere Seite des Differenzverstärkers weist
einen pMOSFET 136 und einen nMOSFET 138 auf, die
bei einigen Ausführungsbeispielen
dieselben Geometrieverhältnisse,
wie der pMOSFET 130 beziehungsweise der nMOSFET 132 aufweisen.
Der pMOSFET 136 empfängt
das PIB-Signal an seinem Gate-Anschluß, und der nMOSFET 138 empfängt das
NIB-Signal an seinem Gate-Anschluß. Der Source-Anschluß des pMOSFET 136 ist
mit dem Knoten 139 gekoppelt, und der Drain-Anschluß des pMOSFET 136 ist
mit dem Drain-Anschluß des
nMOSFET 138 gekoppelt. Der Source-Anschluß des nMOSFET 138 ist
mit einer aktiven Last gekoppelt, die beispielsweise aus zwei nMOSFETs 140 und 141 bestehen könnte, deren
Drain-Source-Pfade parallel zwischen dem Source-Anschluß des nMOSFET 138 und
einer (VSS genannten) negativen Betriebsspannung
eingekoppelt sind. Die Gate- und Drain-Anschlüsse des nMOSFET 140 sind
miteinander gekoppelt, und der Gate-Anschluß des nMOSFET 141 empfängt die VB-Vorspannung. Die Ausgangsanschlüsse 150 und 152 werden
durch die Drain-Anschlüsse
der pMOSFETs 130 bzw. 136 gebildet.
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Gemäß 12 arbeitet
die Ausgangsstufe 32 in dem Spannungsmodus auf folgende
Weise. Infolge der Gate-Source-Spannung
des pMOSFET 137 (siehe 11) arbeitet
der pMOSFET 137 während des
Spannungsmodus in seinem linearen Widerstandsbereich und fungiert
im wesentlichen als Widerstand 160 (siehe 12).
Die aus den nMOSFETs 134 und 135 gebildete aktive
Last kann ebenfalls als Widerstand 162 dargestellt werden,
und die aus den nMOSFETs 140 und 141 gebildete
aktive Last kann als Widerstand 164 dargestellt werden.
Infolge dieser Anordnung liefert der Ausgangsanschluß 150 die
ungefähr
zwischen den VCCP- und VSS-Spannungspegeln schwingende
TXO-Spannung, um logische "Eins"- bzw. logische "Null"-Bits anzuzeigen, wie
es in 5 dargestellt ist.
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Während des
Strommodus stellen die NI- und NIB-Signale logische "Eins"-Signale dar, was
zur Folge hat, daß die
nMOSFETs 132 und 138 in ihren linearen Widerstandsbereichen
arbeiten, d.h. Bereichen, in denen die Drain-Source-Spannungen der nMOSFETs 132 und 138 ungefähr null
Volt betragen. Gemäß 13 können folglich
während
des Strommodus die nMOSFETs 132 und 138 im wesentlichen als
Kurzschlüsse
derart dargestellt werden, so daß die Drain-Anschlüsse der
pMOSFETs 130 und 136 direkt mit den die aktive
Last der nMOSFETs darstellenden Widerständen 162 und 164 gekoppelt
sind. Weil die nMOSFETs 132 und 138 während des Strommodus
in ihren linearen Widerstandsbereichen arbeiten, liegt an dem Drain-Anschluß des pMOSFET 137 (siehe 11)
eine geringere Spannung an als an dem Drain-Anschluß während des
Spannungsmodus. Infolge dieser geringeren Spannung arbeitet der
pMOSFET 137 im Strommodus nicht in seinem linearen Widerstandsbereich,
sondern der pMOSFET 137 arbeitet während des Strommodus in seinem
Sättigungsbereich.
Ein Ergebnis dieser Anordnung ist, daß der pMOSFET 137 während des Strommodus
im wesentlichen eine nahezu konstante Stromquelle 170 (siehe 13)
darstellt.
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Auf
diese Weise liefert die Stromquelle 170 einen nahezu konstanten
(I1 genannten) Strom, der in Abhängigkeit
von den PI- und PIB-Signalen entweder zu dem Ausgangsanschluß 150 (um
das IXO-Stromsignals auf "Hoch" zu pulsen) oder
zu dem Ausgangsanschluß 152 (um
das IXO-Stromsignals auf "Hoch" zu pulsen) weitergeleitet
wird. Die PI- und PIB-Signale sind derart komplementär zueinander, das
immer eines der beiden IXO- und IXOB-Signale ein "Hoch" gegenüber dem
anderen Signal aufweist, um das Differenzstrom-Signalisieren durchzuführen.
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Neben
den anderen Merkmalen des Senders 30 kann die N-Pegelumsetzerschaltung 36 einen Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS)-Inverter
einschließen,
der aus einem pMOSFET 110 und einem nMOSFET 112 besteht.
Auf diese Weise empfangen die Gate-Anschlüsse des pMOSFET 110 und des
nMOSFET 112 das DIN-Signal und
liefern die Drain-Anschlüsse
des pMOSFET 110 und des nMOSFET 112 das NI-Signal.
Die N-Pegelumsetzerschaltung 36 weist außerdem einen
weiteren, aus einem pMOSFET 114 und einem nMOSFET 116 bestehenden
CMOS-Inverter auf. Die Gate-Anschlüsse des pMOSFET 114 und
des nMOSFET 116 empfangen das DINB-Signal,
und die Drain-Anschlüsse
des nMOSFET 116 und des pMOSFET 114 liefern das NIB-Signal.
Die oben beschriebenen CMOS-Inverter werden selektiv über einen
nMOSFET 118 und einen pMOSFET 108 freigegeben.
Auf diese Weise ist der Drain-Source-Pfad des nMOSFET 118 zwischen
den Source-Anschlüssen
der nMOSFETs 112 und 116 und Masse eingekoppelt.
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Der
Source-Drain-Pfad des pMOSFET 108 ist zwischen einer (die
Vccc-Betriebsspannung liefernden) Betriebsspannungsleitung 101 und
den Source-Anschlüssen
der pMOSFETs 110 und 114 eingekoppelt. Die N-Pegelumsetzerschaltung 36 wird durch
das Erzeugen eines (an dem Gate-Anschluß des pMOSFET 108 empfangenen)
ENBN-Signals und Empfangen eines LS-Signals an dem Gate-Anschluß des nMOSFET 118 freigegeben,
wenn der Sender 30 eingeschaltet wird. Das ENBN-Signal
wird nach dem Einschalten des Senders 30 erzeugt und das
LS-Signal wird zum Steuern des Sendermodus verwendet, wie es nachfolgend
beschrieben ist. Die P-Pegelumsetzerschaltung 38 weist
einen aus einem pMOSFET 120 und einem nMOSFET 122 bestehenden
CMOS-Inverter auf, der das DIN-Signal an
deren Gate-Anschlüssen
empfängt.
Die Drain-Anschlüsse des
pMOSFET 120 und nMOSFET 122 liefern das PI-Signal.
Die P-Pegelumsetzerschaltung 38 weist außerdem einen
aus einem pMOSFET 124 und einem nMOSFET 126 bestehenden
CMOS-Inverter auf, der das DINB-Signal an deren Gate-Anschlüssen empfängt. Die
Drain-Anschlüsse
des pMOSFET 124 und des nMOSFET 126 liefern das
PIB-Signal. Die CMOS-Inverter der P-Pegelumsetzerschaltung 38 werden über einen
nMOSFET 128 freigegeben, dessen Drain- Source-Pfad zwischen den Source-Anschlüssen der
nMOSFETs 122 und 126 und Masse gekoppelt ist.
Der Gate-Anschluß des
nMOSFET 128 empfängt
ein ENP-Signal, das nach dem Einschalten zum Freigeben der P-Pegelumsetzerschaltung 38 erzeugt
wird.
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Der
Modus des Senders 30 wird über das LS-Signal gesteuert.
Auf diese Weise wird dann, wenn das LS-Signal deaktiviert ist, die
N-Pegelumsetzerschaltung 36 gesperrt und die Steuerschaltung 34 schaltet
die NI- und NIB-Signale auf "Hoch", um den Spannungssignalisiersendemodus
der Ausgangsstufe 32 zu aktivieren. Um dies zu erreichen, weist
die Steuerschaltung 34 einen nMOSFET 104 auf,
dessen Drain-Source-Pfad
in Reihe mit dem Source-Drain-Pfad eines pMOSFET 100 geschaltet ist.
Der Source-Anschluß des
nMOSFET 104 ist mit Masse gekoppelt, und der Source-Anschluß des pMOSFET 100 ist
mit der VCCC-Betriebsspannungsleitung 101 gekoppelt.
Der Drain-Anschluß des nMOSFET 104 ist
mit dem Drain-Anschluß des nMOSFET 112 gekoppelt.
Die Steuerschaltung 34 weist außerdem einen nMOSFET 106 auf,
dessen Drain-Source-Pfad
in Reihe mit dem Source-Drain-Pfad eines pMOSFET 102 geschaltet
ist. Der Source-Anschluß des
pMOSFET 102 ist mit der VCCC-Betriebsspannungsleitung 101 gekoppelt,
und der Source-Anschluß des
nMOSFET 106 ist mit Masse gekoppelt.
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Die
Gate-Anschlüsse
der nMOSFETs 104 und 106 empfangen das ENBN-Signal,
und die Gate-Anschlüsse
der pMOSFETs 100 und 102 empfangen das LS-Signal.
Infolge dieser Anordnung sind während
des Spannungssignalisiermodus die LS- und ENBN-Signale "Hoch",
ein Zustand, der alle Transistoren der Steuerschaltung 34 ausschaltet. Wenn
jedoch das LS-Signal auf "Hoch" geschaltet ist und
das ENBN-Signal "Tief" ist (zeigt das Einschalten des
Senders 30 an), schalten die pMOSFETs 100 und 102 die
Drain-Anschlüsse
der nMOSFETs 112 und 116 auf "Hoch",
ein Ereignis, das die NI- und NIB-Signale auf "Hoch" schaltet
und die Ausgangsstufe 32 in den Strommodus versetzt. Es
sei angemerkt, daß vor
dem Einschalten des Sen ders 30 der Zustand des ENBN-Signals
eine logische "Eins" ist und folglich
verursacht, daß die
NI- und NIB-Signale nahezu auf ein Masse-Potential geschaltet sind,
um die Ausgangsstufe 32 zu sperren.
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Bei
einigen Ausführungsbeispielen
könnte der
Sender 30 Bestandteil eines Computersystems 200 sein.
Auf diese Weise könnte
das Computersystem 200 einen Prozessor 202 (beispielsweise
einen Mikroprozessor) aufweisen, der mit einem lokalen Bus 204 gekoppelt
ist. Mit dem lokalen Bus 204 ist außerdem eine Nordbrücke oder
Speicher-Hub 206 gekoppelt, der die Schnittstelle zwischen
dem lokalen Bus 204 und einem mit einem Systemspeicher 210 gekoppelten
Speicherbus 208 bereitstellt. Der Speicher-Hub 206 stellt
außerdem
Schnittstellen, beispielsweise zu einem Beschleunigter-Graphikanschluß(AGP)-Bus 212 und
einer Hub-Verknüpfung (Zink) 218,
zur Verfügung.
Ein Graphikbeschleuniger 214 ist mit dem AGP-Bus 212 gekoppelt
und könnte eine
Anzeige 216 steuern. Der AGP ist detaillierter beschrieben
in der Accelerated Graphics Port Interface Specification, Revision
1.0, veröffentlicht
am 31. Juli 1996 von der Intel Corporation aus Santa Clara, Kalifornien.
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Die
Hub-Verknüpfung 218 ermöglicht das Kommunizieren
zwischen dem Speicher-Hub 206 und einem als Südbrücke fungierenden
Eingabe/Ausgabe(I/O)-Hub 220. Auf diese Weise könnte der
I/O-Hub 220 eine Schnittstelle zu einer I/O-Buserweiterung 222 und
einem Peripherie-Komponenten-Verbindungs(PCI)-Bus 224 bereitstellen.
Die PCI-Spezifikation ist von der PCI Special Interest Group, Portland,
Oregon 97214, erhältlich.
Der I/O-Hub 220 enthält
außerdem
eine serielle Busschnittstelle 230, um die Kommunikation
mit einem seriellen Bus 240 zu ermöglichen. Auf diese Weise weist
die serielle Schnittstelle 230 einen oder mehrere Sender 30 auf,
um mit verschiedenen Leitungen des seriellen Busses 240 zu
kommunizieren. Folglich könnte
der Prozessor 202 mittels der seriellen Busschnittstelle 230 Daten über den
seriellen Bus 240 übermitteln.
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Weitere
Ausführungsbeispiele
liegen im Schutzbereich der nachfolgenden Ansprüche. Beispielsweise könnten die
zwei CMOS-Inverter der N-Pegelumsetzerschaltung 36 und
der P-Pegelumsetzerschaltung 38 miteinander gekoppelt sein,
um Latch-Speicher zu bilden. Auf diese Weise könnten die Drain-Anschlüsse des
nMOSFET 116 und des pMOSFET 114 mit den Gate-Anschlüssen des nMOSFET 112 und
des pMOSFET 110 gekoppelt sein. Ähnlich könnten die Drain-Anschlüsse des nMOSFET 126 und
des PMOSEFET 124 mit den Gate-Anschlüssen des nMOSFET 122 und
des pMOSFET 120 gekoppelt sein. Es sind weitere Anordnungen
möglich.