DE10084995B4 - Verfahren und Vorrichtung zum Bilden einer Struktur unterhalb einer Bondmetallisierung - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Bilden einer Struktur unterhalb einer Bondmetallisierung Download PDF

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Abstract

Verfahren, welches umfaßt:
a) Bilden eines Kontaktpad (45; 75; 110; 210) auf einem Substrat (40; 70; 100; 200),
b) Bilden einer Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220) auf dem Substrat (40; 70; 100; 200), wobei das Kontaktpad (45; 75; 110; 210) durch eine Öffnung der Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220) freigelegt ist,
c) Bilden einer Schicht (55; 90; 130; 235) über dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210), die ein hitzebeständiges Material aufweist, und
d) Bilden einer Hydridschicht (60; 85; 135; 240) aus einem Teil des hitzebeständigen Materials.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein die elektronische Montagetechnik, und im besonderen die Bildung von hitzebeständigen bzw. schwerschmelzenden Hydridfilmen oder -schichten unterhalb von Bondmetallisierungsstrukturen.
  • Hintergrund
  • Ein Verfahren zum Verbinden von Bondpads (Bondkontaktstellen) eines integrierten Schaltungschips mit einem Gehäuse besteht im Bilden eines Metallbondhügels (z.B. Zinn-Blei-(Sn-Pb)-Lötbondhügel) auf jedem Pad und Löten des Substrats an ein Gehäuse. IBM nennt seine Version dieser Technologie "controlled collapse chip connection (C4)".
  • Verbesserungen auf dem Gebiet der Bondmetallisierung umfassen den Einbau einer Schicht unterhalb einer Bondmetallisierung, sog. UBM (under bump metallisation) Schicht, auf einem Chip. Eine UBM-Schicht fungiert als Barriere, welche verhindert, daß Elemente zwischen einem Kontaktpad auf einem Substrat und dem Bondhügel diffundieren, welche einen Chip mit Bondhügeln und dessen Gehäusesubstrat verbinden. Zusätzlich verbessert eine UBM-Schicht die Haftung zwischen dem Bondhügel und dem Pad auf einem Substrat. Ferner kann eine UBM-Schicht als Benetzungsschicht fungieren, welche verbesserte Chipverbindungseigenschaften zwischen einem Lötbondhügel und der UBM-Schicht gewährleistet. Diese Vorteile gehören zu einer UBM-Schicht, welche eine Zweischicht-Struktur A/B-C aufweist, wobei A beispielsweise ein schwerschmelzendes Metall ist, wie etwa Gold oder Nickel, und B-C eine Binärmetallegierung ist, wie etwa Titan/Wolfram (Ti/W), oder eine Dreischicht-Struktur A/B/C aufweist, wobei A ein nicht-schwerschmelzendes Metall ist, und B und C schwerschmelzende Metalle sind.
  • Schwerschmelzende Metalle und deren Nitride, wie etwa Titan (Ti) und Titannitrid (TiN), sind als haftungsunterstützende und Diffusionsbarrieren-Schichten in der UBM-Technik weit verbreitet. Eine schwerschmelzende Metallnitridschicht, wie etwa TiN, kann durch Abscheiden von TiN durch physikalisches Sputtern oder einer Gasphasenabscheidung oder thermische Behandlung bzw. Ausheizen von schwerschmelzendem Metall in einer N2 oder NH3 Umgebung bei Temperaturen bis zu 700°C gebildet werden. Jedoch kann eine Hochtemperaturbehandlung am Ende des Prozesses zu erheblichen ausfallbedingten Fehlern führen, insbesondere bei Chips, welche Kupfer-basierte Zwischenverbindungen verwenden.
  • Es gibt mehrere weitere Nachteile bei den bekannten Prozessen. Ein Problem besteht darin, daß eine Interdiffusion von Elementen zwischen einem Bondhügel und einem Pad auftritt, wenn ein im Gehäuse gekapselter Chip bei einer höheren Temperatur betrieben wird. Dies bewirkt, daß die UBM-Schicht mit Zinn (Sn), welches im Lötmittel enthalten ist, zu intermetallischen Verbindungen reagiert, welche mechanisch und elektrisch für Chipverbindungen schädlich sind. Die Grenzschichtreaktion an der Bond/UBM-Grenzschicht kann zu einer Delamination der UBM-Schicht auf einem Pad führen, was zu einer Chipfehlfunktion führt. Ferner kann ein durch Elektromigration (EM) verursachter Ausfall an der Bond/UBM-Grenzfläche bei der Verwendung bekannter Methoden auftreten, weil sich "Hohlräume" in Nähe der Grenzschicht der Lötbondhügelmaterialien, wie etwa Zinn-Blei (Sn-Pb), und der UBM-Materialien bilden, wenn ein hoher Strom an einem Bondhügel bei 100°C anliegt. Es ist daher wünschenswert, das Verfahren zum Bilden von UBM-Schichten zu vereinfachen und allgemein die Effizienz von UBM-Schichten zu verbessern.
  • Aus JP 07 283220 A ist ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktstruktur der eingangs beschreibenen Art bekannt. Es wird eine Titan-Kontaktzwischenschicht in Kombination mit einer Barrierenschicht bestehend aus einer TiN-, TiO2-, TiC- oder TiW-Verbindung vorgeschlagen. Diese Barrierenschicht soll durch Einfangen bzw. Blockieren einer Wasserstoffdiffusion verhindern, daß bei einer am fertigen Bauelement durchgeführten Ausheizprozedur in einer Wasserstoffatmosphäre eine Wasserstoffversprödung von Titan auftritt. Die Kontaktzwischenschicht der bekannten Kontaktstruktur besteht aber ausschließlich aus der Titanschicht und einer der vorgenannten Titanverbindungsschichten.
  • Die aus US 5 656 858 A bekannte Kontaktstruktur ist mit derjenigen aus dem vorgenannten Dokument vergleichbar. Die Kontaktzwischenschicht zwischen einem Bondhügel und einer Kontaktpadschicht besteht aus einer Titannitridschicht und einer darüberliegenden Titanschicht. Dabei ist die Anwesenheit der Titannitridschicht sowie eine entsprechend dünne Titanschicht vorgesehen, um eine Degeneration der Titanschicht während eines späteren Ausheizprozesses des Bauelements zu verhindern.
  • Verschiedene Ausheilverfahren von Bauelementen in Wasserstoff- und Stickstoffatmosphären sind in der JP 07 226 403 A beschrieben.
  • Kurzfassung der Erfindung
  • Nach einem ersten Aspekt betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren nach dem Gegenstand des unabhängigen Anspruches 1. Ein weiterer Aspekt richtet sich auf eine Vorrichtung nach dem Gegenstand des unabhängigen Anspruches 9. Weitere Aspekte und Ausführungsbeispiele ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der nachfolgenden Beschreibung und der Zeichnung.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnung
  • Die Erfindung ist beispielhaft dargestellt und nicht auf die Figuren der beigefügten Zeichnung beschränkt, in welcher gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente kennzeichnen. Ferner sind die Elemente nicht im Maßstab dargestellt.
  • 1a zeigt eine Querschnittsansicht von einem Pad und einer Passivierungsschicht auf einem Substrat.
  • 1b zeigt eine Querschnittsansicht des Elements gemäß
  • 1a mit einer Schicht unterhalb der Bondmetallisierung (under bump metallisation layer), welche auf einem Pad (Kontaktpad) abgeschieden ist.
  • 1c zeigt eine Querschnittsansicht des Elements gemäß 1b, bei einer schnellen thermischen Behandlung in Wasserstoffumgebung.
  • 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei welchem eine schwerschmelzende Hydridschicht in Nähe der Bondhügel ausgebildet ist.
  • 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei welchem eine schwerschmelzende Schicht zwischen dem Bondhügel und dem Pad ausgebildet ist.
  • 4a zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei welchem Mehrfachschichten eines schwerschmelzenden und nicht-schwerschmelzenden Materials zwischen dem Pad und dem Bondhügel gebildet sind.
  • 4b zeigt die Struktur gemäß 4a nach einer thermischen Behandlung zum Bilden einer schwerschmelzenden Hydridschicht.
  • 5 ist ein Flußdiagramm, welches einen Prozeß zum Bilden einer schwerschmelzenden Hydridschicht unter Verwendung einer Kammer zur schnellen thermischen Behandlung veranschaulicht.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Verfahren zum Bilden einer UBM-Struktur, welche eine hitzebeständige bzw. schwerschmelzende Hydridschicht umfaßt, werden offenbart. In der nachfolgenden Beschreibung werden eine Vielzahl von spezifischen Details, wie etwa Schichtdicken, Abfolgen, Zeiten, Temperaturen, etc., angegeben, um ein umfassenderes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu geben. Es ist jedoch für den Fachmann offensichtlich, daß die vorliegende Erfindung auch ohne Verwendung dieser spezfischen Details ausgeführt werden kann. Andererseits wurden wohlbekannte Verfahren und Prozeßtechnologien nicht im Detail beschrieben, um die Klarheit der vorliegenden Erfindung nicht in unnötiger Weise zu beeinträchtigen.
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein UBM-Material, welches hitzbeständige bzw. schwerschmelzende Metalle aufweist, die aus einer Gruppe umfassend Hafnium (hf), Niobium (Nb), Titan (Ti), Vanadium (V), Zirconium (Zr) oder jede Kombination davon ausgewählt ist, die auf einem Kontaktpad abgeschieden sind, welches auf einem Substrat gebildet ist. In einer Ausführungsform kann die UBM-Schicht eine Dicke im Bereich von ungefähr 100 nm bis 500 nm aufweisen. Diese Metalle können mit einer Vielzahl von anderen Komponenten kombiniert werden, um eine physikalische und chemische Stabilität zu gewährleisten, wie etwa Kupfer (Cu) und Nickel (Ni), um eine Kupfer-Nickel-Titan (Cu/Ni/Ti) Schichtenstruktur zu bilden.
  • Die 1a bis 1c zeigen ein Ausführungsbeispiel wonach eine schwerschmelzende Hydridschicht nach der vorliegenden Erfindung gebildet wird. 1a zeigt ein Substrat 40 mit einem Pad (Kontaktstelle) 45 und einer Passivierungsschicht 50. In diesem Ausführungsbeispiel umfaßt das Pad 45 Aluminium (Al), aber auch andere Materialien, wie etwa Kupfer, können verwendet werden. Das Pad 45 ist auf dem Substrat 40 (z.B. Halbleitersubstrat) nach einer Vielzahl von Verfahren strukturiert, die im Stand der Technik bekannt sind. Die Passivierungsschicht 50 ist beispielsweise ein Siliziumdioxid (SiO2) oder ein Polyimid, aber auch andere ähnliche Materialien können verwendet werden. 1b zeigt eine UBM (under bump metallisation) Schicht 55, welche gleichmäßig auf dem Pad 45 und der Passivierungsschicht 50 abgeschieden ist. Die Abscheidung der UBM-Schicht 55 kann durch eine Mehrzahl von Methoden erfolgen, wie etwa physikalische Gasphasenabscheidung (z.B. Sputtern oder Aufdampfen), chemische Gasphasenabscheidung, oder andere ähnliche Methoden. In diesem Beispiel weist die UBM-Schicht 55 ein Metall oder eine Metallegierung auf, welche wenigstens ein schwerschmelzendes Metall umfaßt. Zusätzlich kann die UBM-Schicht eine Einzelschicht aus schwerschmelzendem Metall oder einer schwerschmelzenden Metallegierung oder Mehrfachschichten aufweisen.
  • Nach der Abscheidung der UBM-Schicht 55 erfährt das Substrat 40 eine thermische Behandlung in einem schnellen thermischen Prozeß unter Verwendung von Umgebungswasserstoff. 1c zeigt das Substrat 40, welches ein solches Ausheizen in einer Wasserstoffumgebung erfährt. Die thermische Behandlung kann in Vorrichtungen durchgeführt werden, welche ein schnelles und gleichmäßiges Heizen durchführen können, wie etwa ein schneller thermischer Prozessor. Bei einer schnellen thermischen Behandlung kann die Temperatur im Bereich von ungefähr 300°C bis ungefähr 500°C liegen. Ein geeigneter Temperaturbereich für die thermische Wasserstoffbehandlung ist 350° bis 450°C. Das Ausheizen im Wasserstoff führt zur Bildung von einer schwerschmelzenden Hydridschicht 60 aus einem Teil des Materials der UBM-Schicht 55. Die schwerschmelzende Hydridschicht 60 kann eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 50 nm haben. Nach der thermischen Behandlung kann ein Bondhügel, wie etwa ein Sn-Pb Lötbondhügel, auf der schwerschmelzenden Hydridschicht 60 im Bereich zum Pad 45 gemäß den im Stand der Technik bekannten Prozessen gebildet werden.
  • Die Erfindung umfaßt verschiedene Konfigurationen für die UBM-Schicht. Beispielsweise weist in einem Ausführungsbeispiel eine Binärschicht (A-B) Legierungen auf, wobei A ein nicht-schwerschmelzendes Metall ist, wie etwa Gold oder Nickel, und B ein schwerschmelzendes Metall ist, wie etwa die hier erwähnten im Bereich von 1 bis 10 Gewichtsprozent (wt%). In einem anderen Ausführungsbeispiel wird eine Doppelschichtstruktur A/B gebildet, wobei A (nicht-schwerschmelzendes Metall) auf der Seite des Pad und B (schwerschmelzendes Metall) auf der Seite des Bondhügels liegt. In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist eine Zweischichtstruktur B/A gebildet, wobei B an der Padseite liegt. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird eine Dreielementstruktur A-B/C gebildet, welche zwei unterschiedliche Arten von schwerschmelzenden Metallen B und C, wie etwa Niobium (Nb), Titan (Ti), Tantalum (Ta), Vanadium (V) oder Zirconium (Zr), enthält. Eine UBM-Struktur mit einer schwerschmelzenden Metallschicht nach diesem Ausführungsbeispiel weist eine Dicke von ungefähr im Bereich von 100 nm bis ungefähr 500 nm auf. Dabei ist A ein nicht-schwerschmelzendes Metall mit einer Dicke von ungefähr im Bereich von 10 nm bis 200 nm. In jedem der obigen Beispiele kann die schwerschmelzende Hydridstruktur durch eine thermische Behandlung der Binärschicht, Doppelschicht oder Mehrfachschicht in einer H2-Umgebung gebildet werden.
  • 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, wonach ein Querschnitt eines Substrats 70 mit einem Pad 75, einer Passivierungsschicht 80 und einer UBM-Schicht 90, welche eine Doppelschicht aus einer nicht-schwerschmelzenden Metallschicht 92, wie etwa Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu), auf einer schwerschmelzenden Metallschicht 85 aufweist, dargestellt ist. Die Dicke der Schicht 92 ist im Bereich von 50 nm bis 100 nm. Gemäß der Erfindung wird diese Struktur einer thermische Behandlung in einem schnellen thermischen Prozessor mit Umgebungswasserstoff (H2) ausgesetzt. Ein geeigneter Temperaturbereich für die thermische Behandlung ist ungefähr 300°C bis ungefähr 550°C. Zusätzlich beträgt eine geeignete Zeitperiode für diesen Prozeß eine Minute bis fünf Minuten. Nach der schnellen thermischen Behandlung ist ein Teil der schwerschmelzenden Metallschicht in eine schwerschmelzende Hydridschicht 85 umgewandelt. Die schwerschmelzende Hydridschicht 85 ist im wesentlichen in einem selbstjustierenden Prozeß gebildet worden, ohne irgendwelche neuen Materialien zu verändern oder hinzuzufügen. Die schwerschmelzende Hydridschicht 85 hat eine Dicke bevorzugt im Bereich von ungefähr 10 nm bis 55 nm und ist gleichmäßig, was durch die UBM-Dicke und den schnellen thermischen Prozeß gesteuert wird. Ein Bondhügel 95 ist auf der UBM-Schicht 90 gebildet.
  • 3 zeigt ein Substrat 100 mit einem Pad 110 und einer Passivierungsschicht 120. In diesem Ausführungsbeispiel weist die UBM-Schicht 130 ein schwerschmelzendes Metall in einer Binärlegierung (A1-XBX) auf. Dabei ist A ein nicht-schwerschmelzendes Metall. B ist ein schwerschmelzendes Metall. In diesem Ausführungsbeispiel ist X in einem Bereich von 0,05 bis 0,5 gewählt. Bei einer thermischen Behandlung in einer H2-Umgebung (wobei die Temperatur im Bereich von 350°C bis 550°C liegt) wird ein schwerschmelzender Hydridabschnitt 135 gebildet. Ein Bondhügel 140 ist auf der UBM-Schicht 130 gebildet.
  • 4a zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens der vorliegenden Erfindung, bei welchem das Substrat 200 eine UBM-Schicht 235 bestehend aus einer nicht-schwerschmelzenden Metallschicht 250 und einer Metallschicht 230 aufweist, welche eine Binärlegierung aus einem nicht-schwerschmelzenden Metall und einem schwerschmelzenden Metall ist. Die Struktur wird einer thermische Behandlung in einer H2-Umgebung ausgesetzt, um ein schwerschmelzendes Hydrid zu bilden. 4b zeigt die Struktur von 4a nach der thermische Behandlung, welche nunmehr die nicht-schwerschmelzende Metallschicht 250, eine schwerschmelzende Hydridschicht 240 und eine nicht-schwerschmelzende Metallschicht 245 aufweist. In diesem Ausführungsbeispiel wird eine Dreischichtstruktur gebildet, wobei ein Teil der Binärverbindung die schwerschmelzende Hydridschicht bildet. Diese Struktur kann als eine Kombination der zwei vorhergehenden Strukturen, die in den 2 und 3 erwähnt sind, angesehen werden.
  • 5 zeigt ein Flußdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens der vorliegenden Erfindung. Im Schritt 300 wird ein Metallpad auf einem Substrat unter Verwendung bekannter Methoden strukturiert. Im Schritt 305 werden schwerschmelzende Metalle auf dem Pad und einer Passivierungsschicht, welche zuvor strukturiert wurden, auf dem Substrat abgeschieden. Eine Vielzahl von Methoden können verwendet werden, um die Schicht von schwerschmelzenden Metallen auf dem Pad und der Passivierungsschicht abzuscheiden. Beispielsweise kann eine physikalische Gasphasenabscheidung (z.B. Sputtern) oder Elektronenstrahl-Verdampfungstechniken verwendet werden. Im Schritt 310 wird das Substrat vom Schritt 300 in einen schnellen thermischen Prozessor eingeführt. Eine schnelle thermische Behandlung erfolgt in einer Wasserstoffumgebung im Schritt 320. In diesem Prozeßschritt liegt eine optimale Temperatur im Bereich von ungefähr 300°C bis 550°C und die Behandlungszeit liegt im Bereich von ungefähr 1 bis 5 Minuten. Im Schritt 330 wird eine schwerschmelzende Hydridschicht gebildet. Es wird jedoch darauf hingewiesen, daß auch schwerschmelzende Vielfach-Hydridschichten unter Verwendung derselben Verfahrensbedingungen gebildet werden können, welche für die Bildung einer schwerschmelzenden Einzelhydridschicht oben angegeben wurden. Im Schritt 340 wird eine Bondmetallisierung auf der UBM-Schicht entweder vor oder nach dem Strukturieren der UBM-Schicht durchgeführt.

Claims (16)

  1. Verfahren, welches umfaßt: a) Bilden eines Kontaktpad (45; 75; 110; 210) auf einem Substrat (40; 70; 100; 200), b) Bilden einer Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220) auf dem Substrat (40; 70; 100; 200), wobei das Kontaktpad (45; 75; 110; 210) durch eine Öffnung der Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220) freigelegt ist, c) Bilden einer Schicht (55; 90; 130; 235) über dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210), die ein hitzebeständiges Material aufweist, und d) Bilden einer Hydridschicht (60; 85; 135; 240) aus einem Teil des hitzebeständigen Materials.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) durch thermische Behandlung in einer Wasserstoffumgebung gebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem die Behandlungstemperatur in einem Bereich von ungefähr 300°C bis ungefähr 550°C liegt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die Schicht (55; 90; 130; 235) ein Material aufweist, welches aus einer Gruppe umfassend Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Titan (Ti), Vanadium (V), Zirconium (Zr) und jede Kombination davon ausgewählt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem ein Bondhügel auf der Schicht (55; 90; 130; 235) gebildet wird, wobei die Schicht (55; 90; 130; 235) mit dem Bondhügel und dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210) bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 350°C bis 550°C im wesentlichen nicht-reaktiv ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) eine Dicke von ungefähr 10 nm bis 50 nm aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem die thermische Behandlungszeit ungefähr im Bereich von 1 bis 5 Minuten liegt.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) an dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210) haftet.
  9. Vorrichtung umfassend: ein Substrat (40; 70; 100; 200), eine auf dem Substrat (40; 70; 100; 200) angeordnete Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220), ein auf dem Substrat (40; 70; 100; 200) angeordnetes Kontaktpad (45; 75; 110; 210), das durch eine Öffnung der Passivierungsschicht (50; 80; 120; 220) freigelegt ist, eine zwischen einer Bondmetallisierung (95; 140; 260) und dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210) angeordnete Schicht (55; 90; 130; 235), die ein hitzebeständiges Material aufweist, wobei eine Hydridschicht (60; 85; 135; 240) aus einem Teil des hitzebeständigen Materials gebildet ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) ein Material aufweist, welches aus der Gruppe umfassend Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Titan (Ti), Vanadium (V), Zirconium (Zr) oder jede Kombination davon ausgewählt ist.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) an dem Kontaktpad (45; 75; 110; 210) haftet.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) eine Dicke von ungefähr 10 nm bis 50 nm aufweist.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die Schicht (55; 90; 130; 235) ferner eine nicht-hitzebeständige Schicht umfaßt.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, bei welcher die nicht-hitzebeständige Schicht eine Dicke von 50 nm bis 100 nm aufweist.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die hitzebeständige Hydridschicht (60; 85; 135; 240) eine hitzebeständige Metallhydridschicht aufweist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 15, bei welcher die hitzebeständige Metallhydridschicht an einer Oberseite, einem mittleren Bereich oder einer Unterseite der zwischen der Bondmetallisierung und dem Kontaktpad angeordneten Schicht (55; 90; 130; 235) ausgebildet ist.
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