DE102006043133B4 - Anschlusspad zu einem Kontaktieren eines Bauelements und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Carsten Dr. Ahrens
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Abstract

Anschlusspad auf einem Substrat (100), mit folgenden Merkmalen:
einer ersten Metallstruktur (110), die eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und einem Anschlussbereich (120) herstellt; und
einer zweiten Metallstruktur (130), die an dem Anschlussbereich (120) angeordnet ist,
eine Keimschicht (190), die die zweite Metallstruktur (130) auf der dem Substrat (100) zugewandten Seite begrenzt,
wobei sich die erste Metallstruktur (110) innerhalb des Anschlussbereiches (120) zumindest über einen Teil des Anschlussbereiches (120) zwischen dem Substrat (100) und der zweiten Metallstruktur (130) erstreckt, um die zweite Metallstruktur (130) zu kontaktieren, wobei die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist und wobei die zweite Metallstruktur (130) eine starre Platte zum Drahtbonden bildet.

Description

  • Hintergrund
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Anschlusspad zu einem Kontaktieren eines Bauelements und insbesondere auf eine Konstruktion eines Anschlusspads für ein dickes top-Metall.
  • Ein Anschlusspad (oder einfach Pad) bzw. eine Anschlussstruktur dient einer elektrischen Kontaktierung beispielsweise über einen Drahtkontakt eines elektrischen Bauelements auf einer prozessierten Scheibe bzw. eines Chips. Ein entsprechender Prozess wird auch als Wire-Bonden, Bondprozess, Drahtbonden oder einfach nur Bonden bezeichnet. Die Anforderungen an die oberste Metalllage bestehen im Allgemeinen in einer hohen Stromtragfähigkeit und einem geringen Widerstand. Um diese Anforderungen zu erfüllen ist neben der geeigneten Materialwahl in erster Linie die Dicke der Leitbahn entscheidend. Da die letzte Leitbahnebene und das Pad aus Kostengründen meist in derselben Ebene realisiert werden, besitzt die Pad-Metallisierung ebenfalls die Dicke, die für die Leitbahnen erforderlich ist. Für das Bonden auf dem Pad können sich bei Überschreiten einer kritischen Metallisierungsdicke Schwierigkeiten ergeben, wenn die Metallisierung aus einem weichen Metall besteht (z. B. Al, AlCu oder AlSiCu).
  • Bei umfangreichen Untersuchungen zum Wire-bonden wurde festgestellt, dass Passivierungsrisse bei den Anschlusspads entstehen bzw. dass eine dicke oberste Aluminiumschicht so weich ist, dass sie sich beim Wire-bonden verformt. Um das zu vermeiden, müsste die Kraft, mit der ein Bonddraht auf dem Anschlusspad verschweißt wird, verringert oder abgesenkt werden. Dies hat jedoch zur Folge, dass keine tragfähige Verbindung zwischen Draht und Anschlusspad mehr erzielt wird und dieser Ausfallmechanismus wird „Non Stick an Pad” (NSOP) genannt.
  • Ein Nachteil von Passivierungsrissen besteht in einer reduzierten Robustheit gegen Feuchte. Bei den sehr kleinen Gehäusen, die bei Einzelhalbleiter eingesetzt werden, ist eine solche Qualitätsverschlechterung nicht tolerabel.
  • Das technische Problem besteht also in einem Fehlen eines Prozessfensters für die Drahtbondung auf dicken Schichten, wie sie beispielsweise bei der Verwendung von Aluminium auftreten und die sich beim Bondprozess verformen.
  • Bei der Verwendung von Gold trat dieses Problem nicht zutage, da bei Gold die Elektromigration keine wesentliche Rolle spielt und demzufolge entsprechend dünnere Schichtdicken für die oberste Metalllage verwendet werden können. Auf 8-Zoll-Scheiben ist ein Au-Lift-Off-Prozess jedoch nicht mehr stabil zu fertigen, da u. a. mit ihm nicht nur die Anschlusspads erzeugt werden, sondern auch Transistorfinger angeschlossen werden. Es muss also nicht nur eine Grobstruktur der Anschlusspads erzeugt werden, sondern auch eine feine Strukturierung für Anschlüsse der Transistorfinger gewährleistet sein. Demzufolge ist es wichtig, dass Verformungen, wie sie beispielsweise durch Elektromigration entstehen, ausgeschlossen werden. Dies ist eben nur über eine Vergrößerung der Schichtdicke zu erreichen, die wiederum zu dem oben genannten Problem mit der Drahtbondung führt.
  • Im Stand der Technik finden sich folgende Gegenstände. US 2006/0 091 536 A1 offenbart eine Bond-Pad-Struktur mit einer Zwischenschicht, die zum Spannungsabbau zwischen den unterschiedlichen Pad-Materialien dient, wobei die oberste Metallschicht des Anschlusspads vorzugsweise Aluminium-basiert ist und der darunterliegende Anschlusskontakt für ein Bauelement Kupfer bzw. eine Kupferlegierung aufweist. US 6 313 537 B1 offenbart ein Halbleiter-Device mit einem Anschlusspad, das durch eine Schichtstruktur gebildet ist. Im Unterschied dazu offenbart GB 2 406 707 A ein Device, bei dem zwischen den beiden Metallstrukturen eine Zwischenschicht ausgebildet ist. WO 03/075 340 A2 offenbart ein Verfahren, um eine Metall-zu-Metall-Kontakt bei einem Drahtbonden an einer Oberfläche zu erhalten und US 2004/0 135 267 A1 offenbart ein Halbleiter-Bauelement mit einem Anschlusspad, welches aus zwei Metallstrukturen gebildet wird. Die obere Metallstruktur ist beispielsweise aus Aluminium gebildet und die untere Metallstruktur ist beispielsweise aus Kupfer gebildet. US 2005/0 001 324 A1 offenbart ein Korrosionsbeständiges Kupfer-Bond-Pad, wobei das Kupfer-Bond-Pad durch eine Schichtfolge beispielsweise gegen Korrosion geschützt wird.
  • Zusammenfassung
  • Gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anschlusspad auf einem Substrat eine erste Metallstruktur, die eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und einem Anschlussbereich herstellt, eine zweite Metallstruktur, die an dem Anschlussbereich angeordnet ist und eine Keimschicht, die die zweite Metallstruktur auf der dem Substrat zugewandten Seite begrenzt. Die erste Metallstruktur erstreckt sich innerhalb des Anschlussbereiches zumindest über einen Teil des Anschlussbereiches zwischen dem Substrat und der zweiten Metallstruktur, um die zweite Metallstruktur zu kontaktieren, wobei die zweite Metallstruktur härter als die erste Metallstruktur ist, und wobei die zweite Metallstruktur eine starre Platte zum Drahtbonden bildet.
  • Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anschlusspad auf einem Substrat eine erste Metallstruktur, die in einem Anschlussbereich zumindest eine Ausnehmung aufweist und eine Passivierungsschicht, die die erste Metallstruktur bedeckt und in zumindest dem Anschlussbereich eine Öffnung aufweist und eine zweite Metallstruktur, die in dem Anschlussbereich angeordnet ist, um eine starre Platte für ein Drahtbonden bereitzustellen. Die erste Metallstruktur ist innerhalb des Anschlussbereiches zwischen der zweiten Metallstruktur und dem Substrat angeordnet, so dass die Passivierungsschicht die erste Metallstruktur von der zweiten Metallstruktur bis auf die Öffnung trennt und die erste Metallstruktur durch die Öffnung die zweite Metallstruktur kontaktiert. Im Weiteren ist die Ausnehmung durch die zweite Metallstruktur aufgefüllt, um eine bei dem Drahtbonden aufgewendete Kraft auf das Substrat abzuleiten, wobei die zweite Metallstruktur härter als die erste Metallstruktur ist.
  • Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfasst ein Anschlusspad auf einem Substrat eine erste Metallstruktur, eine Passivierungsschicht, die die erste Metallstruktur bedeckt und zumindest in einem Anschlussbereich eine Öffnung aufweist, eine zweite Metallstruktur, die an dem Anschlussbereich angeordnet ist, eine Keimschicht, die die zweite Metallstruktur auf der dem Substrat zugewandten Seite begrenzt, und eine elektrisch leitfähigen Schutzschicht aufweist. Die erste Metallstruktur ist innerhalb des Anschlussbereiches zwischen der zweiten Metallstruktur und dem Substrat angeordnet, so dass die Passivierungsschicht die erste Metallstruktur von der zweiten Metallstruktur bis auf die Öffnung trennt und die erste Metallstruktur durch die Öffnung die zweite Metallstruktur kontaktiert. Die elektrisch leitfähige Schutzschicht bedeckt die zweite Metallstruktur und die zweite Metallstruktur ist härter als die erste Metallstruktur, wobei die zweite Metallstruktur eine starre Platte zum Drahtbonden bildet.
  • Gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfasst diese ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlusspads mit einem Abscheiden einer ersten Metallstruktur auf dem Substrat, so dass eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und einem Anschlussbereich hergestellt wird und ein Abschei den einer zweiten Metallstruktur an dem Anschlussbereich, so dass die zweite Metallstruktur die erste Metallstruktur kontaktiert und eine starre Platte zum Drahtbonden bildet. Ferner umfasst das Verfahren ein Aufbringen einer Keimschicht, die die zweite Metallstruktur auf der dem Substrat zugewandten Seite begrenzt, wobei die zweite Metallstruktur härter als die erste Metallstruktur ist.
  • Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung umfasst diese ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlusspads auf einem Substrat mit einem Abscheiden einer ersten Metallstruktur, die in einem Anschlussbereich zumindest eine Ausnehmung aufweist und eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und dem Anschlussbereich herstellt, ein Abscheiden einer Passivierungsschicht, die zumindest in einem Anschlussbereich eine Öffnung aufweist und ein Abscheiden einer zweiten Metallstruktur an dem Anschlussbereich, so dass die zweite Metallstruktur und die erste Metallstruktur durch die Öffnung kontaktiert werden und die Ausnehmung durch die zweite Metallstruktur aufgefüllt wird, um eine bei einem Drahtbonden aufgewendete Kraft auf das Substrat abzuleiten, wobei die zweite Metallstruktur härter als die erste Metallstruktur ist, so dass die zweite Metallstruktur eine starre Platte für das Drahtbonden bereitstellt.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht durch einen Anschlusspad mit seitlichem Überhang;
  • 2 eine Querschnittsansicht durch einen Anschlusspad ohne seitlichem Überhang;
  • 3a bis 3e Querschnittsansichten von Anschlusspads mit zumindest einer Ausnehmung in einer ersten Metallstruktur;
  • 4a bis 4d Querschnittsansichten von Anschlusspads ohne Ausnehmungen in der ersten Metallstruktur;
  • 5a und 5b Querschnittsansichten von Anschlusspads mit seitlicher Bondregion und ohne Ausnehmungen in der ersten Metallstruktur; und
  • 6 einen schematischen Prozessablauf zur Herstellung eines Anschlusspads mit seitlichem Überhang;
  • Bevor im Folgenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert werden, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente in den Figuren mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind und dass eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Zur Lösung des technischen Problems, d. h. einer Drahtbondung auf einer dicken oberen Schicht (wie beispielsweise aus Aluminium) zu gewährleisten, könnte man alternativ versuchen, eine weitere Metallebene aufzubringen und in diese zusätzliche Metallebene Pads mit einer dünneren Aluminium- oder Goldlage zu erzeugen. Ein Nachteil wäre jedoch ein stark erhöhter Prozessierungsaufwand und das Problem, nach der dicken Metalllage noch einmal planarisieren zu müssen. Außerdem besteht ein Nachteil dünnerer Aluminiumschichten als oberste Metalllage in einer reduzierten Stromtragfähigkeit und erhöhten Schichtwiderständen, die die elektrische Performance von Produkte herabsetzt.
  • Gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist die Drahtbondung möglich, wenn die relativ weiche oberste Metalllage durch eine harte Schicht abgedeckt wird und so eine Verformung beim Drahtbonden unterbunden wird. Die harte Schicht wird nicht über den gesamten Chip, sondern nur in einem Anschlussbereich (Padbereich) aufgebracht. Dabei wird eine Kraft, die beim Bonden benötigt wird, um eine tragfähige Verbindung zwischen Draht und Pad zu erzeugen, entweder verteilt oder auf einen stabilen Untergrund (Substrat) abgeleitet. Es zeigt sich, dass eine mögliche starre Platte (harte Schicht) die Situation zwar verbessert, das Problem im Allgemeinen jedoch nicht löst. Besser ist es, eine starre Platte auf die unter der Metallisierung liegende Isolation abzustützen oder als eine weitere Möglichkeit die weiche oberste Metalllage in einem Bondbereich daneben ganz zu entfernen. Somit liegt der Bondbereich seitlich neben der obersten Metalllage.
  • Die harte Schicht kann beispielsweise eine ca. 4.000 nm dicke Kupferschicht und eine anschließende in einem pattern-plating Prozess erzeugte sogenannte electroless NiP/Pd/Au-Abscheidung aufweisen. Erfindungsgemäß wird somit eine weiche Padmetallisierung durch Anbringen einer harten und leitfähigen Schicht sowie durch Anwenden eines geeigneten Pad-Designs so stabilisiert, dass vertikale und laterale Kräfte im weiteren Fertigungsprozess vom Chip ohne Beschädigung des Schichtsystems aufgenommen werden können.
  • Ein Vorteil der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung liegt darin, dass im Vergleich zu der oben erwähnten weiteren Metallisierungsebene ein entsprechendes Herstellungsverfahren kostengünstiger ist. Über die Lösung des mechanischen Problems hinaus, bietet die vorliegende Erfindung folgende Vorteile. Zum einen wird die Korrosionsgefahr von Anschlusspads (z. B. aus Aluminium) bei langem Sägen unter Wasserspülung (Sägewasser) vermieden, wie sie beispielsweise schon bei 6-Zoll-Scheiben bekannt ist. Außerdem wird eine Unverträglichkeit (z. B. Purpurpest) bei der Verbindung von Golddrähten auf Aluminiumflächen vermieden, die vor allem bei hohen Temperaturen auftritt. Es wird somit möglich, die Vorteile einer kostengünstigen dicken Metallisierung mit den Vorteilen einer mechanischen stabilen Padkonstruktion zu verbinden.
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Anschlusspad mit einer seitlichen Überlappung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Auf einem Substrat 100 ist eine erste Metallstruktur 110 und in einem Anschlussbereich 120 eine zweite Metallstruktur 130 aufgebracht. In dem Anschlussbereich 120 weist die erste Metallstruktur 110 beispielweise zwei Ausnehmungen 1601 und 1602 , die zumindest teilweise durch die zweite Metallstruktur 130 gefüllt sind, auf. Die erste Metallstruktur 110 und das Substrat 100 weisen eine Passivierungsschicht 140 mit drei Öffnungen 1501 , 1502 und 1503 im Anschlussbereich 120 auf. Die zweite Metallstruktur 130 mit einer Schutzschicht 170 ist an dem Anschlussbereich 120 derart auf die Passivierungsschicht 140 aufgebracht, dass die Schutzschicht 170 die zweite Metallstruktur 130 auf der dem Substrat 100 abgewandten Seite schützt. Bei diesem Ausführungsbeispiel überragt die zweite Metallstruktur 130 die erste Metallstruktur 110 seitlich um einen Überhang 180 und bildet eine seitliche Stütze zu dem Substrat 100 mit der Passivierungsschicht 140. Es ist vorteilhaft vor dem Aufbringen der zweiten Metallstruktur 130 auf der Passivierungsschicht 170 eine Seed- oder Keimschicht 190 auf den Anschlussbereich 120 aufzubringen, um ein vorteilhaftes Wachstum (z. B. im Hinblick auf eine definierte Gitterstruktur) bzw. eine Haftung der zweiten Metallstruktur 130 zu unterstützen.
  • Die erste Metallstruktur 110 stellt dabei die weiche oberste Metalllage wie beispielsweise im Falle einer dicken Aluminiumschicht dar und ist beispielsweise eine Verdrahtungsebene des Chips in dem das Anschlusspad von 1 implementiert ist. Die zweite Metallstruktur 130 mit der Schutzschicht 170 stellt stattdessen die oben erwähnte harte Schicht dar. Die Ausnehmungen 160 als auch der Überhang 180 stellen sicher, dass eine Kraft, die beim Wire-bonden auf dem Anschlusspad ausgeübt wird, auf das Substrat 100 abgeleitet wird. Dadurch wird eine Verformung der ersten Metallstruktur 110 bzw. eine Rissbildung in der Passivierung 140 verhindert. Damit die Ausnehmungen 1601 und 1602 als Stütze für die zweite Metallstruktur 130 dienen können, ist es wichtig, dass sie ausreichend mit Material der zweiten Metallstruktur 130 aufgefüllt sind. Außerdem weist der Überhang 180 eine ausreichende Stärke auf, so dass auch er die beim Bonden aufgewandte Kraft zumindest teilweise ableiten kann. Im Weiteren ist es wichtig, dass die Ausnehmungen 160 eine Mindestdicke aufweisen, z. B. von ca. 2–4 μm für eine beispielhafte minimale Padweite von 16 μm.
  • Die Öffnungen 1501 , 1502 , 1503 in der Passivierungsschicht 140 dienen einer elektrischen Kontaktierung der zweiten Metallstruktur 130 mit der ersten Metallstruktur 110. Die Passivierungsschicht 140 als auch die Schutzschicht 170 schützen die erste Metallstruktur 110 und die zweite Metallstruktur 130 und verhindern insbesondere eine Korrosion bzw. andere unerwünschte chemische Reaktionen dieser beiden Metallstrukturen. Vorteilhafterweise weist die Schutzschicht 170 ein Material auf, welches das Drahtbonden an den Anschlusspads erleichtert bzw. Unverträglichkeiten zwischen den Materialen des Bonddrahts und des Anschlusspads vermeidet.
  • 2 zeigt eine Querschnittsansicht durch ein Anschlusspad, welches im Unterschied zu 1 keinen Überhang 180 aufweist. Wie bei 1 ist aber auch hier auf dem Substrat 100 die erste Metallstruktur 110 mit den Ausnehmungen 160 in dem Anschlussbereich 120 abgeschieden. Die Passivierungsschicht 140 schützt die erste Metallstruktur 110 und ist über die Öffnungen 150 mit der zweiten Metallstruktur 130 elektrisch verbunden. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite Metallstruktur 130 mit einer Schutzschicht 170 versehen.
  • Es ist ersichtlich, dass bei diesem Ausführungsbeispiel der Anschlussbereich 120 die erste Metallstruktur 110 nicht seitlich überragt und somit keinen Überhang 180 aufweist. Aufgrund des Fehlens des Überhangs 180 ist es wichtig, dass die Passivierungsschicht 140 die erste Metallstruktur 110 auch seitlich schützt und es ist weiterhin vorteilhaft vor dem Aufbringen der zweiten Metallstruktur 130 auf die Passivierungsschicht 140 eine Seed- oder Keimschicht 190 auf den Anschlussbereich 120 aufzubringen, um wieder ein vorteilhaftes Wachstum bzw. eine Haftung der zweiten Metallstruktur 130 zu unterstützen.
  • Da bei diesem Ausführungsbeispiel der Überhang 180 fehlt, wird die Kraft beim Bonden ausschließlich durch die mit der zweiten Metallstruktur 130 aufgefüllten Ausnehmungen 160 auf das Substrat 100 geleitet. Dazu ist es wichtig, dass die Ausnehmungen 160 ausreichend dimensioniert sind, z. B. eine Mindestweite von ca. 3–4 μm für eine beispielhafte minimale Padweite von 16 μm erreichen.
  • In 3a–3e sind weitere Ausführungsbeispiele für Anschlusspads gezeigt, welche im Vergleich zu den Ausführungsbeispielen aus 1 und 2 eine andere Weite für die Ausnehmungen 160 aufweisen und/oder die Öffnungen 150 anderes gestaltet sind.
  • 3a zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Anschlusspad, welches eine große Ausnehmung 160 aufweist, die jedoch breiter ausgestaltet ist als die beiden Ausnehmungen 1601 und 1602 aus 1. Wie in 1 ist auch hier auf dem Substrat 100 die erste Metallstruktur 110 mit der großen Ausnehmung 160 abgeschieden und die erste Metallstruktur 110 als auch das Substrat 100 weisen die Passivierungsschicht 140 auf. Die zweite Metallstruktur 130 mit der Schutzschicht 170 ist in dem Anschlussbereich 120 auf die erste Metallstruktur 110 mit der großen Ausnehmung 160 derart aufgebracht, dass die Schutzschicht 170 die zweite Metallstruktur 130 von der dem Substrat abgewandten Seite her schützt. Im Gegensatz zu dem in 1 beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Passivierungsschicht 140 hier an einem Boden 310 als auch an einem Oberflächenbereich 320 der großen Ausnehmung 160 entfernt, so dass eine Restpassivierungsschicht 140a in einem Wandbereich der großen Ausnehmung 160 bestehen bleibt. Außerdem weist dieses Ausführungsbeispiel ebenfalls die Keimschicht 190 auf, die als Grundlage für die zweite Metallstruktur 130 dient. Analog dem Ausführungsbeispiel von 1, weist dieses Ausführungsbeispiel den Überhang 180 der zweiten Metallstruktur 130 über die erste Metallstruktur 110 auf. Beispielsweise kann die große Ausnehmung 160 eine Weite von ca. 33 μm aufweisen.
  • 3b zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem im Vergleich zu dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel die Öffnungen 150 wie bei dem Ausführungsbeispiel aus 3a verändert sind. Demnach wird die Passivierungsschicht 140 an dem Boden 310 und dem Oberflächenbereich 320 entfernt und in den Ausnehmungen 1601 und 1602 verbleibt nur die Restpassivierungsschicht 140a. Da alle weiteren Strukturen dem Ausführungsbeispiel aus 1 entsprechen, wird auf eine erneute Beschreibung der Strukturen und deren Eigenschaften hier verzichtet und es wird auf die Erläuterungen zu 1 verwiesen.
  • 3c zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel aus 2 ebenfalls die Öffnungen 150 derart verändert wurden wie es bei dem Ausführungsbeispiel aus 3b beschrieben wurde. Dieses Ausführungsbeispiel weist also keinen Überhang 180 auf, die Passivierungsschicht 140 ist jedoch in den Ausnehmungen 1601 und 1602 an dem Boden 310 als auch an dem Oberflächenbereich 320 entfernt und bildet in einem Wandbereich die Restpassivierungsschicht 140a. Wie bei dem Ausführungsbeispiel aus 3b wird auch hier auf eine auf eine erneute Beschreibung bereits beschriebener Strukturen und Eigenschaften hier verzichtet (siehe Beschreibung zu 2).
  • Die Ausführungsbeispiele aus 3b und 3c weisen jeweils zwei Ausnehmungen 160 auf, die beispielsweise eine Weite von ca. 3–4 μm haben.
  • In 3d und 3e sind zwei Ausführungsbeispiele gezeigt, die sich von denen in 3b und 3c gezeigten nur dadurch unterscheiden, dass die Weite der Ausnehmungen 160 deutlich verringert wurde und beispielsweise nur noch ca. 1,5 μm beträgt. Dies stellt gleichzeitig ein Minimum dar, welches eine praktikable Herstellung noch erlaubt. Das Ausführungsbeispiel, welches in 3d gezeigt ist, hat ähnlich dem Ausführungsbeispiel aus 3b einen Überhang 180, wohingegen das Ausführungsbeispiel aus 3e ähnlich dem Ausführungsbeispiel aus 3c keinen Überhang aufweist. Auf eine erneute Beschreibung bereits erwähnter Strukturen und Eigenschaften wird auch hier verzichtet.
  • 4a–4d zeigen weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, die keine Ausnehmungen 160 in der ersten Metallstruktur 110 aufweisen.
  • 4a zeigt ein Ausführungsbeispiel mit Überhang 180, bei dem die erste Metallstruktur 110 auf einem Substrat 100 abgeschieden ist und wo die erste Metallstruktur 110 als auch das Substrat 100 die Passivierungsschicht 140 mit den Öffnungen 150 in dem Anschlussbereich 120 aufweist. Die zweite Metallstruktur 130 mit der Schutzschicht 170 ist auf die Passivierungsschicht 140 mit Öffnungen 150 derart aufgebracht, dass in dem Anschlussbereich 120 sich die Öffnungen 150 befinden. Gleichzeitig weist die zweite Metallstruktur 130 einen Überhang 180 auf, um den sich die zweite Metallstruktur 130 über die erste Metallstruktur 110 seitlich erstreckt und einen seitlichen Abschluss und eine seitliche Stütze auf das darunter befindliche Substrat bildet. Ebenso wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen weist auch dieses Ausführungsbeispiel eine Keimschicht 190 auf, die als eine Grundlage für die zweite Metallstruktur 130 dient.
  • 4b zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches sich von dem. in 4a gezeigten nur dahingehend unterscheidet, dass die zweite Metallstruktur 130 keinen Überhang 180 bildet, d. h. dass die zweite Metallstruktur 130 seitlich wesentlich bündig mit der ersten Metallstruktur 110 abschließt.
  • 4c zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches sich von dem in 4a gezeigten nur dadurch unterscheidet, dass die Passivierungsschicht 140 vollständig im Bereich der Öffnungen 150 entfernt wurde. Ebenso wie das Ausführungsbeispiel aus 4a weist auch das Ausführungsbeispiel aus 4c eine Überhang 180 auf.
  • In der gleichen Weise unterscheidet sich das Ausführungsbeispiel aus 4d von dem Ausführungsbeispiel aus 4b nur dadurch, dass ebenfalls im Bereich der Öffnungen 150 die Passivierungsschicht 140 vollständig entfernt wurde. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel aus 4c weist dieses Ausführungsbeispiel keinen Überhang 180 auf. Auf eine erneute Beschreibung bereits erwähnter Strukturen und Eigenschaften wird auch hier verzichtet.
  • Die Ausführungsbeispiele aus 5a und 5b weisen als wesentlichen Unterschied zu allen bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen eine seitliche Verschiebung des Anschlussbereiches 120 auf. Damit ergibt sich seitlich neben der ersten Metallstruktur 110 als Teil des Anschlussbereiches 120 ein Bondbereich 510, der zum Bonden bestimmt ist. Da die erste Metallstruktur 110 eine weiche Schichtlage darstellt, ist es vorteilhaft, wenn im Bondbereich 510 keine erste Metallstruktur 110 vorhanden ist. Somit kann die beim Bonden aufgewandte Kraft direkt auf das Substrat 100 abgeleitet werden.
  • In 5a ist ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem auf dem Substrat 100 eine erste Metallstruktur 110 abgeschieden ist, wobei die erste Metallstruktur 110 als auch das Substrat 100 die Passivierungsschicht 140 aufweisen. Die zweite Metallstruktur 130 ist in dem Anschlussbereich 120 abgeschieden, wobei der Anschlussbereich 120 teilweise die erste Metallstruktur und den seitlich verschobenen Bondbereich 510 einschließt. Als Abschluss weist die zweite Metallstruktur 130 eine Schutzschicht 170 auf und als Grundlage wieder die Keimschicht 190. In dem Bereich zwischen der ersten Metallstruktur 110 und der zweiten Metallstruktur 130 weist die Passivierungsschicht 140 eine Öffnung 150 und zwischen der zweiten Metallstruktur 130 und dem Substrat 100 Öffnungen 530 auf. Die Öffnung 150 dient dabei der elektrischen Kontaktierung der ersten Metallstruktur 110 und der zweiten Metallstruktur 130. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist als Teil des Anschlussbereiches 120 der Bondbereich 510 seitlich neben der ersten Metallstruktur 110 gelegen und befindet sich im Wesentlichen oberhalb der Öffnungen 530.
  • 5b zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches sich von dem in 5a gezeigten nur dadurch unterscheidet, dass die Passivierungsschicht 140 in dem Bereich 530 keine Öffnungen 530 aufweist und auf eine erneute Beschreibung bereits erwähnter Strukturen und Eigenschaften wird auch hier verzichtet.
  • 6 zeigt einen schematischen Prozessablauf zur Herstellung eines Anschlusspads mit einem Überhang 180. Die Querschnittsansichten umfassen dabei nicht den gesamten Anschlussbereich 120, sondern nur einen Randbereich der ersten Metallstruktur 110. Bei dem Prozessablauf wird auf das Substrat 100 die erste Metallstruktur 110 und anschließend die Passivierungsschicht 140 aufgebracht. Die Passivierungsschicht 140 dient als Schutz sowohl für die erste Metallstruktur 110 als auch für das Substrat 100, d. h. die Passivierungsschicht erstreckt sich auch auf eine Substratregion, die nicht von der ersten Metallstruktur bedeckt ist.
  • Die Passivierungsschicht 140 wird einem Bereich einer Öffnung 605 von der ersten Metallstruktur 110 entfernt und anschließend wird eine Keimschicht 190 auf die Öffnung 605 und die Passivierungsschicht 140 abgeschieden. In dem folgenden Schritt wird auf die Keimschicht 190 die zweite Metallstruktur 130 erzeugt, wobei eine Opferschicht 610 eine äußere Begrenzung 615 markiert. Die Opferschicht 610 fixiert dabei einen seitlichen Überhang 620 für die zweite Metallstruktur 130 über die erste Metallstruktur 110. Nach dem Erzeugen der zweiten Metallstruktur 130 wird die Opferschicht 610 als auch ein Teil 630 des seitlichen Überhangs 620 entfernt. Gleichzeitig wird in diesem Schritt auch die Keimschicht 190 in dem Teil 630 entfernt. Dieser Prozessschritt kann beispielsweise einen Nass-Ätz-Prozess aufweisen.
  • In einem letzten Schritt wird die Schutzschicht 170 auf der zweiten Metallstruktur 130 abgeschieden. Die Schutzschicht 170 kann beispielsweise eine Schichtfolge aus einer ersten Schicht 172, einer zweiten Schicht 174 und einer dritten Schicht 176 aufweisen. Beispielhafte Materialien sind dabei für die erste Schicht 172 NiP (Nickel-Phosphor), für die zweite Schicht 174 Pd (Palladium) und für die dritte Schicht 176 Au (Gold) mit einer Schichtdicke 640 für die Schutzschicht 170 von beispielsweise 1,3 μm. Außerdem weist der seitliche Überhang 620 eine Weite von beispielsweise 6 μm und der Teil 630 eine Weite von beispielsweise 2–4 μm auf. Die erwähnten Schichtmaterialien sind nur Beispiele und bei weiteren Ausführungsbeispiele können andere Materialien oder andere Schichtdicken genommen werden, wobei vorzugsweise die Auswahl derart getroffen wird, dass die Materialien zueinander möglichst verträglich sind und eine gute Haftung gewährleisten.
  • Als mögliche Materialien für die erste Metallstruktur 110 kommen beispielsweise Aluminium bzw. eine Aluminiumverbindung in Betracht und die zweite Metallstruktur 130 weist beispielsweise Kupfer auf. Die Keimschicht 190 kann beispielsweise TiW (Titan-Wolfram) aufweisen und die zweite Metallstruktur 130 kann auf die Keimschicht 190 durch einen Pattern-Plating-Prozess erzeugt werden. Die Schutzschicht 170 kann beispielsweise durch eine sogenannte electroless Ab scheidung erzeugt werden und die oben erwähnten Materialien (NiP/Pd/Au) aufweisen.
  • Beispiele für mögliche Schichtdicken können wie folgt angegeben werden. Die erste Metallstruktur 110, die beispielsweise AlCu aufweist, kann eine beispielhafte Schichtdicke von ca. 3,2 μm aufweisen, die zweite Metallstruktur 130 kann eine Schichtdicke von vorzugsweise etwa 4 μm aufweisen und die Passivierungsschicht 140 eine Schichtdicke von 0,9–1,4 μm (vorzugsweise 300 nm Plasmaoxid und 800 nm Plasmanitrid) aufweisen. Das Anschlusspad kann beispielsweise eine Größe von ca. 65 μm aufweisen und für den Überhang 180 kann eine untere Grenze von beispielsweise ca. 2 μm angegeben werden und eine minimale Breite des Anschlusspads beträgt beispielsweise ca. 16 μm. Die Ausnehmungen 160 kann eine minimale Ausdehnung aufweisen, die beispielsweise im Bereich von 1,3–4 μm liegt. Die Ausführungsbeispiele aus 3d und 3e weisen für die Ausnehmungen 160 die minimale Größe von ca. 1,5 μm auf und die Ausführungsbeispiele aus 1, 2, 3b und 3c weisen für die Ausnehmungen 160 eine beispielhafte Ausdehnung von ca. 3–4 μm auf. Das Ausführungsbeispiel aus 3a weist jedoch eine deutlich größere Ausnehmung 160 auf, die beispielsweise 33 μm betragen kann.
  • Weitere Ausführungsbeispiele können noch weitere Ausnehmungen 160 bzw. eine Kombination der beschriebenen Ausführungsbeispiele beinhalten. Aber nicht nur die Anzahl, sondern auch die Größen der Ausnehmungen 160 und/oder der Öffnungen 150 können variiert werden.
  • Ein Vorteil der Ausführungsbeispiele aus 4a, 4b, 4c und 4d ist, dass sie einen niedrigen Widerstandswert aufweisen und darüber hinaus eine niedrige Elektromigration zeigen. Die Ausführungsbeispiele aus 5a und 5b sind dahin gehend vorteilhaft, dass in dem Bondbereich 510 keine erste Metallstruktur 110 vorhanden ist und demzufolge die erforderliche Härte für das Wire-bonden durch die zweite Metallstruktur 130 sichergestellt werden kann und die erste Metallstruktur 110 nicht angegriffen wird. Alle Ausführungsbeispiele, die einen Überhang 180 aufweisen, d. h. die Ausführungsbeispiele aus 1, 3a, 3b, 3d, 4a, 4c, 5a und 5b, zeigen im Allgemeinen eine höhere mechanische Stabilität, da ein Teil des Drucks seitlich der ersten Metallstruktur 110 abgeleitet wird.
  • Beim Design der drei im Wesentlichen beteiligten Schichten (harte Schicht oder zweite Metallstruktur 130, weiche Metallisierung oder erste Metallstruktur 110, Passivierung oder Passivierungsschicht 140) ergeben sich mehrere sinnvolle Varianten, die den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen entsprechen und auch miteinander kombiniert werden können.
    • 1. Bezüglich des Größenverhältnisses der weichen Metallisierung (ersten Metallstruktur 110) und der harten Schicht (zweiten Metallstruktur 130):
    • a) die erste Metallstruktur 110 ist im Anschlussbereich 120 größer als die zweite Metallstruktur 130 (wie z. B. in 2);
    • b) die erste Metallstruktur 110 ist im Anschlussbereich 120 kleiner als die zweite Metallstruktur 130 (wie z. B. in 1);
    • c) die erste Metallstruktur 110 ist im Anschlussbereich 120 komplett ausgespart (wie z. B. in 5a).
    • 2. Bezüglich der Strukturierung der Passivierungsschicht 140 im Anschlussbereich 120:
    • a) durchgehend geöffnet (wie z. B. in 4c);
    • b) nur bereichsweise geöffnet, z. B. in einer gitterförmigen bzw. siebförmigen Struktur (wie z. B in 4a).
    • 3. Bezüglich der Strukturierung der ersten Metallstruktur 110:
    • a) nicht unterbrochen (d. h. keine Ausnehmungen 160 wie z. B. in 4a);
    • b) durch Löcher unterbrochen (d. h. mit Ausnehmungen 160 wie z. B. in 1).
  • Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel lässt sich wie folgt zusammenfassen.
  • Als oberste Metallisierungslage (erste Metallstruktur 110) wird beispielsweise AlCu in einer Schichtdicke von 3,2 μm verwendet. Sie kann in verschiedenen Varianten strukturiert werden (siehe Figuren) und weist vorzugsweise 3–4 μm große Löcher (oder Ausnehmungen 160) auf.
  • Anschließend wird eine Passivierungsschicht 140 aufgebracht, die vorzugsweise 300 nm Plasmaoxid und 800 nm Plasmanitrid aufweist. Die Passivierungsschicht 140 wird gemäß den gezeigten Varianten strukturiert und ist vorzugsweise mit 3–4 μm große Löcher (oder Öffnungen 150) dort versehen, wo im Anschlussbereich 120 die oberste Metallisierungsschicht (erste Metallstruktur 110) stehen geblieben ist.
  • Anschließend wird beispielsweise eine Seed-Lager (Keimschicht 190) aufgebracht, die vorzugsweise TiW aufweist und so strukturiert ist, dass anschließend die harte Schicht (zweite Metallstruktur 130) gemäß der Varianten, die mit Hilfe der Figuren beschrieben wurden, aufgewachsen werden kann und vorzugsweise größer als die erste Metallstruktur 110 (d. h. beispielsweise der AlCu-Schicht) im Anschlussbereich 120 ist.
  • Anschließend wird beispielsweise in einem sogenannten Pattern-Plating-Verfahren die zweite Metallstruktur 130 (die beispielsweise eine Kupferschicht aufweist) aufgewachsen. Eine bevorzugte Schichtdicke beträgt dabei etwa 4 μm.
  • Anschließend werden auf der zweiten Metallstruktur 130, die beispielsweise eine Kupferschicht aufweist, drei Metalllagen als Schutzschicht 170 z. B. in einem stromlosen Galvanikprozess abgeschieden. Die Schutzschicht 170 kann beispielsweise folgende Materialien aufweisen: NiP (erste Schicht 172) gefolgt von Pd (zweite Schicht 174) und einer Au-Schicht (dritte Schicht 176), wobei die Au-Schicht zur Passivierung dient. Bevorzugte Schichtdicken der drei Schichten liegen zwischen 50 nm und 800 nm.
    • 100
    Substrat
    110
    erste Metallstruktur
    120
    Anschlussbereich
    130
    zweite Metallstruktur
    140
    Passivierungsschicht
    140a
    seitlicher Teil der Passivierungsschicht
    150, 1502, 1502 ...
    Öffnungen in der Passivierungsschicht
    160, 1602, 1602 ...
    Ausnehmungen in der ersten Metallstruktur
    170
    Schutzschicht
    172
    ein erster Teil der Schutzschicht
    174
    ein zweiter Teil der Schutzschicht
    176
    ein dritter Teil der Schutzschicht
    180
    Überhang der zweiten Metallstruktur über die erste Metallstruktur
    190
    Keimschicht
    310
    ein Boden der Ausnehmung
    320
    eine Oberfläche der Ausnehmung
    330
    ein Wandbereich der Ausnehmung
    510
    Bondbereich
    605
    ein Teilbereich einer Öffnung der Passivierungsschicht
    610
    eine Opferschicht
    615
    äußere Begrenzung
    620
    ein erster seitlicher Überhang
    630
    ein Entfernungsbereich
    640
    eine Dicke der Schutzschicht

Claims (30)

  1. Anschlusspad auf einem Substrat (100), mit folgenden Merkmalen: einer ersten Metallstruktur (110), die eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und einem Anschlussbereich (120) herstellt; und einer zweiten Metallstruktur (130), die an dem Anschlussbereich (120) angeordnet ist, eine Keimschicht (190), die die zweite Metallstruktur (130) auf der dem Substrat (100) zugewandten Seite begrenzt, wobei sich die erste Metallstruktur (110) innerhalb des Anschlussbereiches (120) zumindest über einen Teil des Anschlussbereiches (120) zwischen dem Substrat (100) und der zweiten Metallstruktur (130) erstreckt, um die zweite Metallstruktur (130) zu kontaktieren, wobei die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist und wobei die zweite Metallstruktur (130) eine starre Platte zum Drahtbonden bildet.
  2. Anschlusspad gemäß Anspruch 1, welches ferner eine Passivierungsschicht (140) aufweist, die die erste Metallstruktur (110) bedeckt und zumindest in dem Anschlussbereich (120) eine Öffnung (150) aufweist, durch die die erste Metallstruktur (110) und die zweite Metallstruktur (130) kontaktiert sind.
  3. Anschlusspad gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, welches ferner eine elektrisch leitfähige Schutzschicht (170), die die zweite Metallstruktur (130) bedeckt, aufweist.
  4. Anschlusspad gemäß Anspruch 3, bei dem die elektrisch leitfähige Schutzschicht (170) eine Schichtfolge, die eine Goldschicht (176) aufweist, umfasst.
  5. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Anschlussbereich (120) einen Bondbereich (510) aufweist, wobei der Bondbereich (510) seitlich neben der ersten Metallstruktur (110) angeordnet ist und einem elektrischen Kontaktieren des Anschlussbereiches (120) dient.
  6. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem die Passivierungsschicht (140) weitere Öffnungen (150) aufweist.
  7. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die erste Metallstruktur (110) Aluminium und/oder die zweite Metallstruktur (130) Kupfer aufweist.
  8. Anschlusspad auf einem Substrat (100), mit folgenden Merkmalen: einer ersten Metallstruktur (110), die in einem Anschlussbereich (120) zumindest eine Ausnehmung (160) aufweist; einer Passivierungsschicht (140), die die erste Metallstruktur (110) bedeckt und zumindest in dem Anschlussbereich (120) eine Öffnung (150) aufweist; und einer zweiten Metallstruktur (130), die in dem Anschlussbereich (120) angeordnet ist, um eine starre Platte für ein Drahtbonden bereitzustellen, wobei die erste Metallstruktur (110) innerhalb des Anschlussbereiches (120) zwischen der zweiten Metallstruktur (130) und dem Substrat (100) angeordnet ist, so dass die Passivierungsschicht (140) die erste Metallstruktur (110) von der zweiten Metallstruktur (130) bis auf die Öffnung (150) trennt und die erste Metallstruktur durch die Öffnung (150) die zweite Metallstruktur (130) kontaktiert, und so dass die Ausnehmung (160) durch die zweite Metallstruktur (130) aufgefüllt ist, um eine bei dem Drahtbonden aufgewendete Kraft auf das Substrat (100) abzuleiten, wobei die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist.
  9. Anschlusspad gemäß Anspruch 8, bei dem die erste Metallstruktur (110) eine elektrische Verbindung zu einem Bauelement herstellt.
  10. Anschlusspad gemäß Anspruch 8 oder Anspruch 9, das ferner eine elektrisch leitfähige Schutzschicht (170), die die zweite Metallstruktur (130) bedeckt, aufweist.
  11. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, die ferner eine Keimschicht (190), die die zweite Metallstruktur (130) auf der dem Substrat (100) zugewandten Seite begrenzt, aufweist.
  12. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem die Passivierungsschicht (140) weitere Öffnungen (150) aufweist.
  13. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem die zweite Metallstruktur (130) seitlich die erste Metallstruktur (110) zumindest teilweise umschließt.
  14. Anschlusspad auf einem Substrat (100), mit folgenden Merkmalen: einer ersten Metallstruktur (110); einer Passivierungsschicht (140), die die erste Metallstruktur (110) bedeckt und zumindest in einem Anschlussbereich (120) eine Öffnung (150) aufweist; einer zweiten Metallstruktur (130), die an dem Anschlussbereich (120) angeordnet ist; eine Keimschicht (190), die die zweite Metallstruktur (130) auf der dem Substrat (100) zugewandten Seite begrenzt; und einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht (170), wobei die erste Metallstruktur (110) innerhalb des Anschlussbereiches (120) zwischen der zweiten Metallstruktur (130) und dem Substrat (100) angeordnet ist, so dass die Passivierungsschicht (140) die erste Metallstruktur (110) von der zweiten Metallstruktur (130) bis auf die Öffnung (150) trennt und die erste Metallstruktur (110) durch die Öffnung (150) die zweite Metallstruktur (130) kontaktiert, und wobei die elektrisch leitfähige Schutzschicht (170) die zweite Metallstruktur (130) bedeckt, und die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist und wobei die zweite Metallstruktur (130) eine starre Platte zum Drahtbonden bildet.
  15. Anschlusspad gemäß Anspruch 14, bei dem die elektrisch leitfähige Schutzschicht (170) eine Schichtfolge, die eine Goldschicht (176) aufweist, umfasst.
  16. Anschlusspad gemäß Anspruch 14 oder Anspruch 15, bei dem die leitfähige Schutzschicht (170) eine Schichtfolge Nickel-Phosphor/Palladium/Gold aufweist.
  17. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem die zweite Metallstruktur (130) Kupfer aufweist.
  18. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17, bei dem die erste Metallstruktur (110) Aluminium aufweist.
  19. Anschlusspad gemäß einem der Ansprüche 14 bis 18, bei dem die erste Metallstruktur (110) eine Schichtdicke von größer als 0.5 μm aufweist.
  20. Verfahren zur Herstellung eines Anschlusspads, mit: Aufbringen einer ersten Metallstruktur (110) auf das Substrat (100), so dass eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und einem Anschlussbereich (120) hergestellt wird; Aufbringen einer zweiten Metallstruktur (130) an dem Anschlussbereich (120), so dass die zweite Metallstruktur (130) die erste Metallstruktur (110) kontaktiert und eine starre Platte zum Drahtbonden bildet; und Aufbringen einer Keimschicht (190), die die zweite Metallstruktur (130) auf der dem Substrat (100) zugewandten Seite begrenzt; und wobei die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist.
  21. Verfahren gemäß Anspruch 20, welches ferner einen Schritt des Abscheidens einer Passivierungsschicht (140), die die erste Metallstruktur (110) bedeckt und zumindest in einem Anschlussbereich (120) eine Öffnung (150) aufweist, vor dem Aufbringen der zweiten Metallstruktur (130) umfasst.
  22. Verfahren gemäß Anspruch 20 oder Anspruch 21, welches ferner einen Schritt eines Aufbringens einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht (170) auf die zweite Metallstruktur (130) umfasst.
  23. Verfahren gemäß Anspruch 22, bei dem der Schritt des Aufbringens der elektrisch leitfähigen Schutzschicht (170) ein Aufbringen von aufeinander folgenden Schichten umfasst.
  24. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 20 bis 23, bei dem der Schritt des Abscheidens einer ersten Metallstruktur (110) derart ausgeführt wird, dass die erste Metallstruktur (110) eine Schichtdicke von mehr als 0.5 μm aufweist.
  25. Verfahren zur Herstellung eines Anschlusspads auf einem Substrat (100) mit folgenden Schritten: Abscheiden einer ersten Metallstruktur (110), die in einem Anschlussbereich (120) zumindest eine Ausnehmung (160) aufweist und eine elektrische Verbindung zwischen einem Bauelement und dem Anschlussbereich (120) herstellt; Abscheiden einer Passivierungsschicht (140), die zumindest in einem Anschlussbereich (120) eine Öffnung (150) aufweist; und Abscheiden einer zweiten Metallstruktur (130) an dem Anschlussbereich (120), so dass die zweite Metallstruktur (130) und die erste Metallstruktur (110) durch die Öffnung (150) kontaktiert werden und die Ausnehmung (160) durch die zweite Metallstruktur (130) aufgefüllt wird, um eine bei einem Drahtbonden aufgewendete Kraft auf das Substrat (100) abzuleiten, und wobei die zweite Metallstruktur (130) härter als die erste Metallstruktur (110) ist, so dass die zweite Metallstruktur (130) eine starre Platte für das Drahtbonden bereitstellt.
  26. Verfahren gemäß Anspruch 25, welches ferner einen Schritt des Abscheidens einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht (170), die die zweite leitfähige Struktur (130) bedeckt, umfasst.
  27. Verfahren gemäß Anspruch 25 oder Anspruch 26, bei dem der Schritt des Abscheidens der zweiten Metallstruktur (130) einen Schritt des Strukturierens der zweiten Metallstruktur (130) umfasst.
  28. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 25 bis 27, welches ferner einen Schritt des Abscheidens einer Keimschicht (190) umfasst.
  29. Verfahren gemäß Anspruch 27 oder Anspruch 28, bei dem der Schritt des Strukturierens einen Ätzprozess umfasst.
  30. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 29, bei dem der Schritt des Abscheidens der elektrisch leitfähigen Schutzschicht (170) einen stromlosen Prozess umfasst.
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