DE10056543A1 - Nichtreziprokes Schaltkreiselement - Google Patents
Nichtreziprokes SchaltkreiselementInfo
- Publication number
- DE10056543A1 DE10056543A1 DE10056543A DE10056543A DE10056543A1 DE 10056543 A1 DE10056543 A1 DE 10056543A1 DE 10056543 A DE10056543 A DE 10056543A DE 10056543 A DE10056543 A DE 10056543A DE 10056543 A1 DE10056543 A1 DE 10056543A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit element
- magnetic component
- resonance
- magnetic
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
- H01F1/346—[(TO4) 3] with T= Si, Al, Fe, Ga
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
Abstract
Ein nichtreziprokes Schaltkreiselement weist ein magnetisches Bauteil und einen Magneten für das Anlegen eines Gleichstrommagnetfeldes an dem genannten magnetischen Bauteil auf, wobei das magnetische Bauteil eine ferromagnetische Haltwertsbreite für Resonanz von ca. 200 A/m oder weniger aufweist.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein nichtreziprokes Schalt
kreiselement und insbesondere auf ein nichtreziprokes Schalt
kreiselement, wie z. B. einen Zirkulator und einen Isolator,
zur Verwendung im Mikrowellenband.
Allgemein dienen Isolatoren mit konzentrierter Konstante,
welche bei mobilen Kommunikationsanwendungen, wie z. B. Zellu
lartelefonen, verwendet werden, dazu, Signale lediglich in
der Übertragungsrichtung zu übertragen, während das Signal in
der Gegenrichtung blockiert wird. In dem Maße, wie die Nach
frage nach kleineren und leichteren Mobilkommunikationsgerä
ten zunimmt, wird auch bei Isolatoren mit konzentrierter Kon
stante verlangt, daß sie kleiner und leichter sind.
Ein Problem liegt jedoch darin, daß bei einer Reduzierung der
Komponente in dem an sich bekannten Isolator mit konzentrier
ter Konstante die Eigenschaft der niedrigen Einfügedämpfung,
eine für die Isolatoren kritische Eigenschaft, verschlechtert
wird.
Dementsprechend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein
nicht reziprokes Schaltkreiselement zu liefern, das der Nachfrage
nach einem kleineren und leichteren Element gerecht
wird.
Ein erfindungsgemäßes nichtreziprokes Schaltkreiselement hat
ein magnetisches Bauteil und einen Magneten zum Anlegen eines
Gleichstrommagnetfeldes am magnetischen Bauteil. Das nicht
reziproke Schaltkreiselement ist dadurch gekennzeichnet, daß
die ferromagnetische Halbwertsbreite für Resonanz des magne
tischen Bauteils ca. 200 A/m oder weniger beträgt.
Bei dem nichtreziproken Schaltkreiselement nach der Erfindung
wird das magnetische Bauteil vorzugsweise aus einem Einkri
stallmaterial hergestellt, und weiter vorzugsweise aus einem
magnetischen Einkristall-Granatmaterial.
Da das nichtreziproke Schaltkreiselement nach der Erfindung
das magnetische Bauteil verwendet, dessen ferromagnetische
Halbwertsbreite für Resonanz ca. 200 A/m oder weniger be
trägt, können eine Reduzierung der Größe und des Gewichtes
und gleichzeitig die Aufrechterhaltung der Eigenschaft der
geringen Einfügedämpfung erreicht werden.
Weitere erfindungswesentliche Merkmale und Vorteile der Er
findung gehen aus der nachstehenden Beschreibung hervor, in
der mit Bezug auf die Zeichnungen Ausführungsbeispiele erläu
tert werden.
Fig. 1 zeigt eine Explosionszeichnung mit der Darstellung
eines Isolators mit konzentrierter Konstante, auf den
die Erfindung angewandt wird.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfin
dung detailliert unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläu
tert.
Fig. 1 ist eine Explosionszeichnung eines Isolators mit kon
zentrierter Konstante nach einem Merkmal der Erfindung. Ein
Isolator mit konzentrierter Konstante 10 weist ein oberes
Joch 12 und ein unteres Joch 14 auf. Zwischen dem oberen Joch
12 und dem unteren Joch 14 ist ein aus Harz bestehendes Ge
häuse 16 angeordnet. In dem Gehäuse 16 werden drei Kondensa
toren 18, ein Widerstand 20, ein magnetisches Granat 22 als
magnetisches Material und ein Permanentmagent 24 unterge
bracht. An der Oberfläche des magnetischen Granats 22 werden
drei zentrale Leiter 26, die elektrisch voneinander isoliert
sind, in der Weise angeordnet, daß sie jeweils einen Winkel
von 120° bilden. Von den drei zentralen Leitern 26 werden
zwei zentrale Leiter 26 mit jeweils zwei Kondensatoren 18 zum
Zwecke der Impedanzanpassung verbunden, wobei jeder der bei
den zentralen Leiter 26 mit einem der beiden Kondensatoren 18
verbunden ist, deren jeweils eines Ende der Eingangsanschluß
bzw. der Ausgangsanschluß ist. Das jeweils andere Ende ist
geerdet. Der verbleibende zentrale Leiter 26 wird mit einem
der Kondensatoren 18 und mit einem Widerstand 20 in der Weise
verbunden, daß der zentrale Leiter 26 als Isolator wirkt. Der
andere wird geerdet. Der in Fig. 1 gezeigte Isolator mit kon
zentrierter Konstante 10 wird in der Weise ausgeformt, daß er
Abmessungen von 1,6 mm × 1,6 mm × 0,6 mm aufweist.
Beispiel 1 verwendet als magnetisches Granat 22 in dem in
Fig. 1 gezeigten Isolator mit konzentrierter Konstante 10 ein
Plättchen von 0,5 mm Durchmesser und 0,2 mm Stärke, das aus
Einkristallmaterialien (Y3Fe5O12) ausgeschnitten wird, welche
verschiedene ferromagnetische Halbwertsbreiten für Resonanz
aufweisen. Die Einkristalle werden durch ein Schwebezonenver
fahren gezüchtet. Tabelle 1 zeigt in Beispiel 1 die Beziehung
zwischen der Halbwertsbreite der ferromagnetischen Resonanz
und der Einfügedämpfung bei 1 GHz.
Wie in Tabelle 1 gezeigt, weisen die Proben 1 bis 4, deren
ferromagnetische Halbwertsbreiten für Resonanz 200 A/m (ca.
2,50 e) oder weniger betragen, eine Einfügedämpfung von weni
ger als 2,0 dB auf und sind demzufolge für die Verwendung als
Isolatoren zu bevorzugen. Probe 5, deren ferromagnetische
Halbwertsbreite für Resonanz mehr als 200 A/m beträgt, hat
jedoch eine Einfügedämpfung von mehr als 2,0 dB und ist nicht
zur Verwendung als ein Isolator geeignet.
Es sollte vermerkt werden, daß die mit * versehene Probe
nicht innerhalb des Rahmens der Erfindung liegt. Die anderen
befinden sich im Rahmen der Erfindung.
Beispiel 2 verwendet als magnetisches Granat 22 in dem in
Fig. 1 gezeigten Isolator mit konzentrierter Konstant 10 ein
Plättchen von 0,5 mm Durchmesser und 0,2 mm Stärke, das aus
Einkristallmaterial (Y3Fe5O12) mit verschiedenen ferromagneti
schen Halbwertsbreiten für Resonanz ausgeschnitten wird. Die
Einkristalle werden durch die Flußmethode gezüchtet. Tabelle
2 zeigt in Beispiel 2 die Beziehung zwischen einer ferroma
gnetischen Halbwertsbreite für Resonanz und der Einfügedämp
fung bei 1 GHz.
Wie in Tabelle 2 gezeigt, haben die Proben 6 bis 8, deren
ferromagnetische Halbwertsbreiten für Resonanz 200 A/m oder
weniger betragen, auch dann die Einfügedämpfung von weniger
als 2 dB, wenn magnetische Granat-Einkristalle verwendet wer
den, die durch das Flußverfahren gezüchtet werden, und sie
sind demzufolge für die Verwendung als Isolatoren zu bevorzu
gen. Probe 9, deren ferromagnetische Halbwertsbreite für Re
sonanz mehr als 200 A/m beträgt, hat dagegen die Einfügedämp
fung von mehr als 2 dB und ist zur Verwendung als Isolator
nicht geeignet.
Es sollte angemerkt werden, daß die mit * versehene Probe
nicht innerhalb des Rahmens der Erfindung liegt. Die anderen
befinden sich im Rahmen der Erfindung.
Beispiel 3 verwendet als magnetisches Granat 22 im in Fig. 1
gezeigten Isolator mit konzentrierter Konstante 10 ein Plätt
chen, das einen Durchmesser von 0,5 mm, ein 0,1 mm starkes
magnetisches Einkristall-Granatmaterial und ein 0,1 mm star
kes amagnetisches Einkristall-Granatmaterial, das aus Einkri
stallmaterialien (Y3Fe5O12) ausgeschnitten wurde, welche ver
schiedene ferromagnetische Halbwertsbreiten für Resonanz ha
ben. Die Einkristalle werden durch die Flüssigkeitsphasen-
Aufwachsmethode gezüchtet. Tabelle 3 zeigt in Beispiel 3 die
Beziehung zwischen der ferromagnetischen Halbwertsbreite für
Resonanz und der Einfügedämpfung bei 1 GHz.
Wie in Tabelle 3 gezeigt, haben die Proben 10 bis 12, deren
ferromagnetische Halbwertsbreiten für Resonanz 200 A/m oder
weniger betragen, auch dann eine Einfügedämpfung von weniger
als 2 dB, wenn magnetische Granateinkristalle verwendet wer
den, die durch das Flüssigkeitsphasen-Aufwachsverfahren ge
züchtet werden, und sie sind demzufolge für die Verwendung
als Isolatoren zu bevorzugen. Probe 13, deren ferromagneti
sche Halbwertsbreite für Resonanz mehr als 200 A/m beträgt,
hat dagegen eine Einfügedämpfung von mehr als 2 dB und ist
zur Verwendung als Isolator nicht geeignet.
Es sollte angemerkt werden, daß die mit * versehene Probe
nicht innerhalb des Rahmens der Erfindung liegt. Die anderen
befinden sich im Rahmen der Erfindung.
Wie sich aus den oben beschriebenen Beispielen erhellt, wird
die ferromagnetische Halbwertsbreite für Resonanz des ferro
magnetischen Bauteils nicht einfach durch ein Zusammenset
zungsverhältnis bestimmt. Beispielsweise kann in dem Fall, wo
das ferromagnetische Material ein Polykristall ist, die fer
romagnetische Halbwertsbreite für Resonanz von der Sinter
dichte des ferromagnetischen Bauteils abhängen. Für den Fall,
bei dem das ferromagnetische Bauteil ein Einkristall ist, be
einflussen die Kristallinität und der Oberflächenzustand des
ferromagnetischen Bauteils die ferromagnetische Halbwertsbreite
für Resonanz desselben. Es ist demzufolge wichtig, die
ferromagnetische Halbwertsbreite für Resonanz in der Weise
einzustellen, daß das magnetische Bauteil eine ferromagneti
sche Halbwertsbreite für Resonanz von 200 A/m oder weniger
hat. Solange die ferromagnetische Halbwertsbreite für Reso
nanz ca. 200 A/m oder weniger beträgt, kann das magnetische
Bauteil ein Y3Fe5O12 sein, bei dem ein Anteil von Y durch Bi
oder seltenen Erden, außer Y, und ein Anteil von Fe durch Ga,
Al, In oder Sc ersetzt wird.
Es ist anzumerken, daß Seite 8 der Veröffentlichung "High-
Frequency Device Components and Equipment Design" (1997) von
Mimatsu Data Systems Proben von ferromagnetischen Halbwerts
breiten für Resonanz bezüglich magnetischer Granate zeigt,
die als magnetische Bauteile der derzeit auf dem Markt be
findlichen Isolatoren mit konzentrierter Konstante verwendet
werden. Demzufolge ist 398 A/m der niedrigste Wert.
Es ist auch anzumerken, daß die ungeprüfte japanische Patent
veröffentlichung Nr. 10-233308 polykristallines magnetisches
Keramikmaterial offenbart, welches eine kleine ferromagneti
sche Halbwertsbreite für Resonanz aufweist und für nichtrezi
proke Schaltkreiselemente geeignet ist. Nach dem Dokument ist
die kleinste ferromagnetische Halbwertsbreite für Resonanz
160 e (1280 A/m), was sehr viel größer ist als der erfindungs
gemäß verwendete Wert. Zusätzlich hat das ferromagnetische
Bauteil in dem Dokument eine Plättchenform mit einem Durch
messer von 25 mm und eine Stärke von 1,5 mm.
Es sollte angemerkt werden, daß, obwohl jedes der oben be
schriebenen Beispiele in bezug auf die Isolatoren mit konzen
trierter Konstante im 1 GHz-Band beschrieben wird, die Erfin
dung gleichwohl für andere Frequenzbänder und andere Arten
von nichtreziproken Schaltkreiselementen, außer Isolatoren,
wie z. B. Zirkulatoren, geeignet ist. Darüber hinaus ist die
Gesamtkonfiguration des nichtreziproken Schaltkreiselements
nach der Erfindung nicht auf die in Fig. 1 gezeigte Konfigu
ration beschränkt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung wurden darge
stellt, verschiedene Formen der Ausführung der hierin offen
barten Grundsätze werden als im Rahmen der nachfolgenden Pa
tentansprüche befindlich betrachtet. Demzufolge versteht es
sich, daß der Rahmen der Erfindung nur durch die Patentan
sprüche eingeschränkt wird.
Claims (8)
1. Nichtreziprokes Schaltkreiselement, welches ein magneti
sches Bauteil und einen Magneten zum Anlegen eines
Gleichstrommagnetfeldes an dem genannten magnetischen
Bauteil aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das genann
te magnetische Bauteil eine ferromagnetische Halbwerts
breite für Resonanz von ca. 200 A/m oder weniger auf
weist.
2. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß das magnetische Bauteil ein
Einkristallmaterial aufweist.
3. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 2, da
durch gekennzeichnet, daß das genannte Einkristall
Y3Fe5O12 aufweist, das wahlweise jeweils mindestens eines
von Bi, Ga, Al, In, Sc und eine seltene Erde enthält.
4. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß das ferromagnetische Bauteil
ein magnetisches Einkristall-Granatmaterial aufweist.
5. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Halbwerts
breite für Resonanz 180 A/m oder weniger beträgt.
6. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß das genannte nichtreziproke
Schaltkreiselement ein Isolator ist.
7. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß das genannte nichtreziproke
Schaltkreiselement ein Isolator mit konzentrierter Kon
stante ist.
8. Nichtreziprokes Schaltkreiselement nach Anspruch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß das genannte nichtreziproke
Schaltkreiselement ein Zirkulator ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32454699A JP2001144508A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10056543A1 true DE10056543A1 (de) | 2001-06-13 |
Family
ID=18167024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10056543A Ceased DE10056543A1 (de) | 1999-11-15 | 2000-11-15 | Nichtreziprokes Schaltkreiselement |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001144508A (de) |
KR (1) | KR100431143B1 (de) |
CN (1) | CN1296307A (de) |
DE (1) | DE10056543A1 (de) |
GB (1) | GB2358290B (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7522013B2 (en) * | 2004-08-03 | 2009-04-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Non-reciprocal circuit device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5342398A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-17 | Hitachi Metals Ltd | Method of manufacturing multiicrystal garnet |
JP2504192B2 (ja) * | 1989-06-15 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 |
EP0776060B1 (de) * | 1995-11-27 | 2002-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nichtreziprokes Schaltungselement |
JPH11220310A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | Hitachi Metals Ltd | 非可逆回路素子 |
KR100314625B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2001-11-30 | 이형도 | 비가역 회로소자 |
JP2000261210A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非可逆回路素子及び集中定数型アイソレータ及び無線端末装置 |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32454699A patent/JP2001144508A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-09 KR KR10-2000-0066420A patent/KR100431143B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-10 GB GB0027602A patent/GB2358290B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-15 CN CN00133921A patent/CN1296307A/zh active Pending
- 2000-11-15 DE DE10056543A patent/DE10056543A1/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2358290B (en) | 2001-10-03 |
JP2001144508A (ja) | 2001-05-25 |
CN1296307A (zh) | 2001-05-23 |
GB0027602D0 (en) | 2000-12-27 |
GB2358290A (en) | 2001-07-18 |
KR100431143B1 (ko) | 2004-05-12 |
KR20010060283A (ko) | 2001-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69618252T2 (de) | Magnetischer Kompositartikel zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen | |
DE972329C (de) | Einrichtung zur Beeinflussung von linear bzw. eben polarisierten Wellen im Mikrowellenbereich | |
DE2423947C1 (de) | Breitbandiges nichtreziprokes Höchstf requenzschaltung selement | |
DE60030592T2 (de) | Antenne mit anisotropem verbundstoff | |
DE69112943T2 (de) | Übergangsstück zwischen elektromagnetischen Hohlleitern, insbesondere zwischen einem Rundhohlleiter und einem Koaxialhohlleiter. | |
DE68917373T2 (de) | Magnetisch abstimmbares Bandpassfilter. | |
DE19915074A1 (de) | Dielektrischer Resonator und dielektrisches Filter mit einem solchen Resonator | |
DE69110482T2 (de) | Magnetostatische Wellenanordnung. | |
DE3111106A1 (de) | Polarisationsweiche | |
DE10056543A1 (de) | Nichtreziprokes Schaltkreiselement | |
DE1177265B (de) | Magnetischer Werkstoff fuer Anwendung bei tiefen Temperaturen | |
DE3927347C2 (de) | Ausgestaltung von Magneten für ferrimagnetische Resonatoren | |
DE1299026B (de) | Magnetischer Duennschicht-Datenspeicher | |
DE1944960A1 (de) | Sperrfilter | |
EP3747032B1 (de) | Kern für induktives bauelement und induktives bauelement | |
DE2404168A1 (de) | Zirkulator in mikrostrip-ausfuehrung | |
DE1766285A1 (de) | Breitbandantenne | |
DE69125985T2 (de) | Magnetischgekoppelte, Zweiresonanz-Schaltung, Frequenz-Teilungsetikett | |
DE1948290A1 (de) | Zweitourige magnetoelastische Verzoegerungsleitung | |
DE1042050B (de) | Hohlleiteranordnung mit einem Hohlleiterabschnitt, der ein von einem Magnetfeld durchsetztes Teil aus ferromagnetischem Ferrit-Material enthaelt | |
DE2005019C3 (de) | Isolator für elektromagnetische Wellen | |
DE1038138B (de) | Anordnung mit einer Lecherleitung, insbesondere Bandleitung, als Einwegleitung | |
DE1119350B (de) | Resonanzisolator | |
DE2103770C2 (de) | Breitbandiger Hohlleiter-Zirkulator | |
AT221142B (de) | Polarisationsdreher für elektromagnetische Wellen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |