DE10056541A1 - Verfahren zum Reinigen von Quarzsubstraten unter Verwendung von leitenden Lösungen - Google Patents
Verfahren zum Reinigen von Quarzsubstraten unter Verwendung von leitenden LösungenInfo
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Abstract
Ein Reinigungsverfahren für ein Quarzsubstrat weist ein Mischen einer Spüllösung und ein Mischen einer Reinigungslösung auf, so daß die Lösungen elektrisch leitend sind. Die Spüllösung wird karbonisiert und in mehr als einem Schritt innerhalb des Verfahrens verwendet. Die Reinigungslösung umfaßt Ammoniumhydroxid. Als Folge der elektrischen Leitfähigkeit der Lösungen ist das Reinigungsverfahren weniger anfällig für eine Oberflächenbeschädigung, die durch elektrostatische Entladung bewirkt wird. Die Reihenfolge der Schritte umfaßt ein Spülen des Quarzsubstrats mit der karbonisierten Spüllösung, ein Entfernen von losen Verunreinigungen durch eine Hochdruckanwendung der Reinigungslösung und ein Entfernen von organischen Verunreinigungen in einer starken Oxidationsumgebung unter Verwendung einer Lösung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid. Die karbonisierte Spüllösung wird wieder angewendet, gefolgt von einer weiteren Hochdruckanwendung der Reinigungslösung und einem Endspülvorgang mit der karbonisierten Spüllösung. In der bevorzugten Ausführungsform wird das gereinigte Quarzsubstrat verwendet, um eine Laserabtragungsmaske durch Abscheiden von dielektrischen Schichten zu bilden, die mit einem Muster versehen sind, um eine Belichtungsmaske zu definieren.
Description
Die Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf Verfahren und
Systeme zum Herstellen von Laserabtragungsmasken bzw. La
serablationsmasken und dergleichen, und bezieht sich insbe
sondere auf Ansätze zum Reinigen von Quarzsubstraten.
Laserablation bzw. Laserabtragung ist ein verfügbares Verfah
ren zum Ausbilden von Merkmalen auf der Oberfläche einer Kom
ponente oder zum Ausbilden von Durchgangsausnehmungen in Kom
ponenten. Ausgewählte Abschnitte der Oberfläche der Komponen
te werden einer hochenergetischen Laserbestrahlung ausge
setzt, die ein chemisches Zusammenbrechen der Bindungen in
nerhalb des ausgesetzten Materials bewirkt. Es tritt eine
örtlich begrenzte Ausdehnung als Folge des Bruchs der chemi
schen Bindungen auf. Das Material, das sich ausgedehnt hat,
kann unter Verwendung herkömmlicher Verfahren, wie beispiels
weise einem chemischen Ätzen, entfernt werden.
Eine Laserabtragungsmaske ("laser ablation mask") wird typi
scherweise verwendet, um das Belichtungsmuster auf der Ober
fläche der Komponente zu steuern. Die Laserabtragungsmaske
verwendet ein transparentes Substrat, auf dem eine oder meh
rere Schichten ausgebildet und mit einem Muster versehen bzw.
strukturiert sein können, um eine Beschichtung vorzusehen,
die das Belichtungsmuster definiert. Die Materialien zum Aus
bilden der Beschichtung werden derart ausgewählt, um wider
standsfähig gegenüber einer Beschädigung als Folge einer Be
lichtung bzw. Bestrahlung durch die Laserenergie zu sein. Das
Substrat und die Beschichtung sollten eine Widerstandsfähig
keit gegenüber einer durch einen Laser hervorgerufenen Be
schädigung während Abtragungsoperationen aufweisen, bei denen
ein Laser eine Stärke größer als 150 mJ/cm2 hat. Ein geeigne
tes Substratmaterial ist Quarz. Die Beschichtung auf dem
Quarzsubstrat kann eine einzelne Metallschicht, wie bei
spielsweise eine Chrom- oder Aluminium-Schicht sein. Alterna
tiv dazu kann die Beschichtung aus mehreren dielektrischen
Schichten ausgebildet sein, die abwechselnd hohe und niedrige
Brechungsindizes aufweisen. Das U.S.-Patent Nr. 4,923,772 von
Kirch beschreibt eine Laserabtragungsmaske, die aus mehreren
dielektrischen Schichten ausgebildet ist, welche derart mit
einem Muster versehen sind, um das Belichtungsmuster zu defi
nieren.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung der Verwendung ei
ner Laserabtragung in dem Verfahren zum Herstellen von Tin
tenstrahldruckköpfen bzw. Tintenköpfen. Das Verfahren ist
ausführlicher in dem U.S.-Patent Nr. 5,408,738 von Schantz
u. a. beschrieben, das der Anmelderin der vorliegenden Erfin
dung zugewiesen ist. Ein kontinuierliches Netz bzw. eine End
losbahn 10 aus Polymermaterial wird von einer Rolle 12 in ei
ner gesteuerten Art und Weise entfernt. Das Bahnmaterial kann
das Polymer sein, das von der 3M-Corporation unter der Marke
KAPTON verkauft wird. Perforationen bzw. Lochungen 14 entlang
der entgegengesetzten Seiten der Bahn können dazu verwendet
werden, die Bewegung des Bahnmaterials relativ zu einer La
serquelle 16, wie beispielsweise einem Excimer-Laser, genau
zu steuern. Während es in Fig. 1 nicht gezeigt ist, befindet
sich die Laserquelle typischerweise innerhalb einer Laserbe
arbeitungskammer. Eine oder mehrere Laserabtragungsmasken 18
können mit einem Muster versehen sein, um alle Merkmale zu
definieren, die innerhalb der Endlosbahn 10 ausgebildet wer
den sollen. Die Abtragung wird in bzw. bei einem gesteuerten
Intervall wiederholt, so daß Duplikat-Komponenten für einen
Tintenstrahldruckkopf von der Bahn ausgebildet werden können,
nachdem die Bahn geschnitten bzw. zerschnitten wird. In Fig.
1 ist die Maske 18 mit einem Muster versehen, um ein Array
bzw. Feld von Verdampfungskammern zu definieren. Zusätzlich
zu dem schrittweisen Durchführen der Bewegung der Endlosbahn
10 kann ein schrittweises Vorgehen bezüglich der Laserquelle
16 durchgeführt werden. Das Schritt- und Wiederhol-Verfahren
("step-and-repeat process") wird fortgeführt, bis ein Dü
senelement ausgebildet ist. Eine Optik bzw. ein Optiksystem
20 kann verwendet werden, um die Laserenergie, die sich durch
die Maske 18 hindurch ausbreitet, zu fokussieren.
Der behandelte bzw. bearbeitete Abschnitt der Bahn schreitet
dann zu einer Reinigungsstation (nicht dargestellt) weiter,
bei der jegliche Abriebteilchen bzw. Verschleißteilchen von
der Bahn entfernt werden. Die nächste Station ist eine Kon
taktierungsstation, bei der Heizersubstrate 22 auf der Bahn
bei Positionen befestigt werden, die den Feldern der Verdamp
fungskammern entsprechen. Jedes Heizersubstrat kann eine Si
liziumplatte sein, auf der Widerstände in einem Feld bzw.
Array ausgebildet sind, das mit dem Feld der Verdampfungskam
mern übereinstimmt, so daß eine Eins-zu-Eins-Übereinstimmung
zwischen den Feldern besteht. Das Band kann dann geschnitten
werden, um einzelne Druckköpfe 24 zu schaffen, die an anderen
Komponenten angebracht werden, um Tintenstrahlpatronen bzw.
Tintenstrahlmagazine auszubilden.
Es sei wieder auf die Laserabtragungsmaske 18 zurückgekehrt,
die in der Abtragungsstation verwendet wird, bei der eine An
zahl von gleich wichtigen Maskenherstellungsschritten vorhan
den sind. Das Material des Maskensubstrats sollte auf der
Grundlage seiner optischen Eigenschaften ausgewählt werden,
da die Laserenergie durch das Substrat hindurch tritt bzw.
sich durch dieses hindurch ausbreitet. Quarz ist ein bevor
zugtes Substratmaterial. Das Substrat sollte gründlich gerei
nigt werden, bevor die Beschichtung auf zumindest einer Ober
fläche des Substrats ausgebildet wird. Das Reinigungsverfah
ren entfernt organische Spurenschichten, wie beispielsweise
Reste von Verbindungen, die dafür verwendet werden, um das
Quarzsubstrat zu polieren. Derartige Verunreinigungen können
die Lebenszeit der Laserabtragungsmaske stark beeinflussen.
Das Reinigungsverfahren wird unten ausführlicher beschrieben
werden.
Die Beschichtung wird dann auf das Substrat aufgebracht. Her
kömmliche Techniken des physikalischen Abscheidens aus der
Gasphase (PVD; PVD = Physical Vapor Deposition) können ver
wendet werden. Ein PVD-Verfahren erfordert, daß das Substrat
in einer Vakuumkammer angeordnet wird, und daß die Kammer
evakuiert wird. Es werden Materialien in die Vakuumkammer
eingebracht, um Schichten aus der Gasphase abzuscheiden. Wie
es oben angemerkt wurde, kann die Beschichtung auf dem Sub
strat eine einzelne Schicht aus einem Metall oder einem zu
sammengesetzten Metall sein, oder kann eine dielektrische
Schichtung bzw. Stapelung sein. Die dielektrische Schichtung
umfaßt Schichten, die abwechselnd hohe und niedrige Bre
chungsindizes aufweisen. Eine Absorption von Laserenergie
durch die Maskenbeschichtung ist ein Hauptgrund für eine Verschlechterung
der Maske. Deshalb sollte die Maskenbeschich
tung bezüglich eines Lichts reflektierend sein, das die Wel
lenlänge der Laserenergie aufweist. Eine Reflexion von der
dielektrischen Schichtung ist eine Folge der konstruktiven
und destruktiven Interferenz bei den Grenzflächen angrenzen
der Schichten. Jede Schicht hat vorzugsweise eine Dicke von
ungefähr einem Viertel der Wellenlänge der Laserenergie, der
sie ausgesetzt ist bzw. mit der sie bestrahlt wird. Jedes
Paar von dielektrischen Schichten reflektiert einen Prozent
satz des einfallenden Lichts. Durch Abscheiden einer ausrei
chenden Anzahl von Schichtpaaren wird nahezu die gesamte La
serenergie reflektiert.
Die Beschichtung kann mit einem Muster versehen bzw. struktu
riert werden, wobei herkömmliche Techniken verwendet werden.
Beispielsweise können ein reaktives Ionenätzen (RIE; RTE =
reactive ion etching) oder ein Ionenstrahlätzen (IBE; IBE =
ion beam etching) verwendet werden. Während die sich daraus
ergebende Maske für ihren Bestimmungszweck gut arbeiten kann,
ist die Betriebslebenszeit der Abtragungsmaske beschränkt.
Ein durch einen Laser herbeigeführter Schaden an den Abtra
gungsmasken hängt kritisch von dem Niveau bzw. Grad einer Be
schichtungsdefektdichte ("coating defect density") ab. Das
bedeutet, daß der Schaden, der als Folge eines Aussetzens der
hochenergetischen Laserstrahlung auftritt, mit zunehmender
Defektdichte zunehmen wird. Bei jeder ausgefallenen bzw. feh
lerhaften Maske muß Zeit aufgewendet werden, um die Maske
auszutauschen. Die Stillstandzeit bzw. Ausfallzeit der Anla
ge, die erforderlich ist, um die Masken auszutauschen, ver
ringert den Herstellungsdurchsatz in einem Herstellungsver
fahren für Tintenstrahldruckköpfe.
Es sei wieder auf die Beschreibung des Verfahrens zum Reini
gen des Quarzsubstrats zurückgekehrt, wobei das U.S.-Patent
Nr. 5,259,888 von McCoy die Verwendung einer Lösung aus Was
ser und quartärem Ammoniumhydroxid beschreibt, um eine Quar
zoberfläche zu reinigen. Die Temperatur und die Aussetzzeit
werden derart gesteuert, um anorganische Substanzen von der
Quarzoberfläche zu entfernen. Ein wohl bekannter Ansatz, Si
liziumwafer (im Vergleich zu Quarzsubstraten) zu reinigen,
wird als eine "RCA-Reinigung" bezeichnet. Das Verfahren ist
in dem U.S.-Patent Nr. 5,489,557 von Jolley beschrieben. Das
Siliziumsubstrat wird erst einer Lösung aus Schwefelsäure und
Wasserstoffperoxid ausgesetzt, um organische Verunreinigungen
zu entfernen. Hierauf folgt eine Anwendung einer Lösung aus
Ammoniumhydroxid und Wasserstoffperoxid. Das Siliziumsubstrat
wird dann mit deionisiertem Wasser abgespült.
In dem nächsten Schritt der RCA-Reinigung wird das Silizium
dioxid, das in den vorhergehenden Schritten gebildet wurde,
abgestreift bzw. abgezogen ("stripped"). Die Oxid-
Abziehlösung enthält Fluorwasserstoffsäure. Die Fluorwasser
stoffsäure wird dann unter Verwendung von deionisiertem Was
ser von dem Substrat abgespült. Wie es in dem Patent von Jol
ley bemerkt wird, wird das abgespülte Substrat typischerweise
nicht getrocknet. Statt dessen wird das nasse Substrat in ei
ne Lösung von Chlorwasserstoffsäure und Wasserstoffperoxid
überführt. Die Lösung aus Chlorwasserstoffsäure und Wasser
stoffperoxid soll jegliches Metall lösen, das auf der Ober
fläche des Substrats existieren bzw. bestehen kann. Während
es nicht in dem Patent beschrieben wird, bestehen die letzten
Schritte der RCA-Reinigung typischerweise darin, das Substrat
mit deionisiertem Wasser abzuspülen und das Siliziumsubstrat
mittels Schleudern zu trocknen.
Der RCA-Reinigungsansatz funktioniert für Siliziumwafer gut.
Jedoch sind die bekannten Ansätze zum Reinigen von Quarzsub
straten für Laserabtragungsmasken und ähnliche Anwendungen
weniger zufriedenstellend. Da die Verunreinigungen auf einer
vorbeschichteten Oberfläche von Quarz die Betriebslebenszeit
einer Laserabtragungsmaske sowie die Endproduktqualität der
Maske stark beeinflussen können, besteht die Aufgabe der vor
liegenden Erfindung darin, ein Verfahren zum wirksamen Reini
gen eines Quarzsubstrats zu schaffen, das eine niedrige De
fektdichte erfordert.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Bearbeiten eines
Quarzsubstrats gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausge
staltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Ein Reinigungsverfahren für ein Quarzsubstrat umfaßt ein Kar
bonisieren einer Spüllösung, die in mehr als einem Schritt
innerhalb des Verfahrens verwendet wird. Ferner wird eine
Reinigungslösung gemischt, um Wasser und Ammoniumhydroxid zu
enthalten, so daß die Reinigungslösung elektrisch leitend
ist. Als Folge davon, daß sowohl die Spüllösung als auch die
Reinigungslösung elektrisch leitend bzw. leitfähig sind, ist
das Verfahren weniger anfällig gegenüber einer Oberflächenbe
schädigung, die durch elektrostatische Entladung während des
Reinigungsverfahrens verursacht wird.
Der erste Schritt in dem Reinigungsverfahren ist vorzugsweise
ein Spülen bzw. Abspülen mit der Spüllösung. Die Spüllösung
ist karbonisiert, so daß jegliche statische Ladung als Folge
der Leitfähigkeit der Lösung dissipiert bzw. verstreut wird.
Die Spüllösung ist vorzugsweise deionisiertes Wasser, das mit
CO2 in dem Bereich von 1 bis 10 Gewichtsprozent verdünnt
wird. Ein nächster Schritt besteht darin, lockere bzw. lose
Verunreinigungen, wie beispielsweise jene, die vom Absetzen
von in der Luft befindlichen Verunreinigungen herrühren, zu
entfernen. Die Reinigungslösung wird vorzugsweise in einem
mit Druck beaufschlagten Zustand angewendet bzw. aufgebracht.
Ein Druck von 2,07.106 N/m2 bis 6,895.106 N/m2 (entspre
chend 300 PSI (PSI = pounds per square inch) bis 1.000 PSI)
wird bevorzugt, ist jedoch nicht kritisch. Das Ammoniumhydro
xid sieht eine relativ hohe Leitfähigkeit vor, die derart
wirkt, daß jegliche statische Ladung dissipiert bzw. ver
streut wird. In dem nächsten Schritt werden organische Verun
reinigungen von der Oberfläche des Quarzsubstrats entfernt.
Eine starke Oxidationsumgebung wird durch Anwenden bzw. Auf
bringen einer Lösung mit Wasserstoffperoxid gebildet. Die Lö
sung enthält ebenso eine Säure, vorzugsweise Schwefelsäure.
Ein annehmbares Verhältnis von Schwefelsäure zu Wasserstoff
peroxid ist 2 : 1. Die karbonisierte Spüllösung wird dann auf
das Quarzsubstrat angewendet.
Die Reinigungslösung aus Wasser und Ammoniumhydroxid wird
wiederum angewendet, um jegliche Reste der Säure zu neutrali
sieren. Dieser Schritt schafft ferner eine hydrophile bzw.
Wasser anziehende Oberfläche, die von bedeutendem Vorteil bei
der darauffolgenden Abscheidung von Schichten, wie beispiels
weise einer dielektrischen Schichtung ("dielectric stack")
für eine Laserabtragungsmaske, sein kann. Das Quarzsubstrat
wird wieder mit der karbonisierten Spüllösung abgespült. An
diesem Punkt wird das Quarzsubstrat getrocknet, wie bei
spielsweise durch einen Schritt des Schleudertrocknens ("spin
dry step").
Das getrocknete Quarzsubstrat fährt dann mit der nächsten
Reihe von Schritten fort. Wie es vorher erwähnt worden ist,
ist die bevorzugte Ausführungsform derart gestaltet, daß eine
dielektrische Schichtung auf der Oberfläche des Quarzsub
strats ausgebildet und mit einem Muster versehen bzw. struk
turiert wird, um eine Laserabtragungsmaske herzustellen.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß das Reinigungs
verfahren organische Spurenmaterialien wirksam und gründlich
entfernt, beispielsweise jene, die während des Polierens des
Quarzsubstrats zugeführt bzw. vorgesehen wurden. Beispiels
weise können Zer-Verbindungen beim Polieren einer Quarz
schicht vor dem Reinigungsverfahren verwendet werden. Die
Verunreinigungen, die mit der polierten Quarzoberfläche ver
bunden sind, könnten die Betriebslebenszeit einer Laserabtra
gungsmaske stark beeinflussen, wenn der Reinigungsprozeß bzw.
das Reinigungsverfahren die Verunreinigungen nicht entfernt
hat. Weil die karbonisierte Spüllösung und die Ammoniumhydro
xid-Reinigungslösung elektrisch leitend sind, werden zusätz
lich statische Entladungen verstreut bzw. dissipiert, wodurch
die Wahrscheinlichkeit verringert wird, daß Entladungen De
fekte bewirken werden. Laserabtragungsmasken, die unter Ver
wendung einer Kombination des Reinigungsverfahrens und eines
Abscheidungsverfahrens einer dielektrischen Schichtung, das
unten beschrieben wird, hergestellt worden sind, erzeugten
eine Laserabtragungsmaske, die in einer Produktionsumgebung
für Tintenstrahldruckköpfe erfolgreich verwendet wurde, wobei
die Maske eine Betriebslebenszeit von mehr als sechs Millio
nen "Schüssen" ("shots") von Laserenergie hatte.
Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wer
den nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung des Verfahrens zum
Ausbilden von Tintenstrahldruckköpfen durch eine Laserabtra
gung gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2 einen Verfahrensablauf von Schritten zum Ausbilden
einer Laserabtragungsmaske gemäß der Erfindung;
Fig. 3 ein Blockschaltbild von Komponenten zur Dampfab
scheidung von Schichten auf ein Quarzsubstrat, das unter Ver
wendung des Verfahrens von Fig. 2 gereinigt worden ist; und
Fig. 4 einen Verfahrensablauf von Schritten zum Abscheiden
einer dielektrischen Schichtung auf dem Substrat von Fig. 3.
Es sei auf Fig. 2 verwiesen, in der das Verfahren zum Vorbe
reiten eines Quarzsubstrats für die Abscheidung von Schichten
auf dem Substrat einen optionalen Schritt 26 des Polierens
des Quarzsubstrats aufweist. Der Polierschritt kann unter
Verwendung herkömmlicher Techniken realisiert werden. Bei der
bevorzugten Ausführungsform wird das Reinigungsverfahren, das
unten beschrieben werden soll, dazu verwendet, ein Quarzsub
strat für eine Anwendung bzw. ein Aufbringen einer dielektri
schen Schichtung vorzubereiten, die mit einem Muster versehen
bzw. strukturiert wird, um ein Belichtungsmuster zum Herstellen
von Tintenstrahldruckköpfen zu definieren, wie es mit Be
zug auf Fig. 1 beschrieben wurde.
Eine Spüllösung wird in Schritt 28 gemischt. Die Spüllösung
ist Wasser, das eine vorbestimmte Menge einer Karbonisation
bzw. Anreicherung mit Kohlensäure aufweist. Vorzugsweise be
trägt die Karbonisation 1 bis 10 Gewichtsprozent der Spüllö
sung. Die Karbonisation schafft eine Leitfähigkeit, die das
Risiko einer Beschädigung verringert, die als Folge von sta
tischen Ladungen auftritt, welche während des Reinigungsver
fahrens erzeugt werden.
Wenn sie unter Verwendung eines im Handel erhältlichen Leit
fähigkeitsmeßgeräts, das für derartige Messungen ausgelegt
ist, gemessen wird, liegt die Leitfähigkeit der Spüllösung
vorzugsweise in dem Bereich von 5 kOhm (KiloOhm) bis 50 kOhm.
Die Leitfähigkeit schafft eine Ladungsverbreitung bzw. La
dungsdissipation, insbesondere wenn die Spüllösung in einer
Weise angewendet bzw. aufgebracht wird, bei der eine voll
ständige Bedeckung des Quarzsubstrats, das gereinigt wird,
erreicht wird.
In Schritt 30 wird eine Reinigungslösung gemischt. Die Reini
gungslösung umfaßt Wasser und Ammoniumhydroxid (NH4OH). In
der gleichen Weise wie die Karbonisation in der Spüllösung
schafft das Ammoniumhydroxid ein Niveau bzw. einen Grad an
Leitfähigkeit, der das Risiko einer Beschädigung verringert,
die durch statische Ladungen hervorgerufen wird, welche wäh
rend des Reinigungsverfahrens erzeugt werden. Ein annehmbarer
Grad an Ammoniumhydroxid innerhalb der Wasserbasis liegt bei
0,05% bis 3%. Obwohl es nicht kritisch ist, kann das Ammoniumhydroxid
TEAH (Tetraethylammoniumhydroxid) oder TMAH (Te
tramethylammoniumhydroxid) sein. Die Reihenfolge der Mi
schungsschritte 28 und 30 und des optionalen Polierschritts
26 ist für die Erfindung nicht wichtig.
Ein Spülschritt 32 setzt das Quarzsubstrat der Spüllösung
aus. Das Spülverfahren bzw. die Spültechnik ist nicht kri
tisch, umfaßt vorzugsweise jedoch eine vollständige Bedeckung
der Substratoberfläche, die gereinigt werden soll. Die voll
ständige Bedeckung des Substrats unter Verwendung der karbo
nisierten Spüllösung ist dafür ausgelegt, jegliche statische
Ladungen zu verstreuen bzw. abzuleiten, die erzeugt worden
sein können. Es können bekannte Verfahren bzw. Techniken ver
wendet werden, um Schritt 32 durchzuführen, wie beispielswei
se ein fünfminütiges Spülen in einer Rührwerk-Spülvorrichtung
("bubbler rinse device").
Im Schritt 34 wird die Reinigungslösung auf das Quarzsubstrat
aufgebracht bzw. angewendet. Vorzugsweise ist die Anwendung
eine Anwendung unter Druck. Es wird ein Druck innerhalb des
Bereichs von 2,07.106 N/m2 bis 6,895.106 N/m2 (300 PSI bis
1.000 PSI) bevorzugt. Die Reinigungslösung entfernt lose bzw.
lockere Verunreinigungen, wie beispielsweise in der Luft be
findliche Teilchen, die sich auf der Oberfläche des Quarzsub
strats abgesetzt haben.
Ein Schritt 36 zum Entfernen organischer Verunreinigungen um
faßt das Anwenden bzw. Aufbringen von Säure und Wasserstoff
peroxid auf das Quarzsubstrat. Das Wasserstoffperoxid schafft
eine starke Oxidationsumgebung, die ein Entfernen der organi
schen Verunreinigungen erleichtert. Die Säure ist vorzugsweise
Schwefelsäure, wobei jedoch andere Säuren verwendet werden
können. Dieser Schritt entfernt organische Spurenmaterialien,
wie beispielsweise jene, die während des Polierschritts 26
aufgebracht bzw. vorgesehen wurden. Polierende Verbindungen
bzw. Polierverbindungen, wie beispielsweise Zer-Verbindungen,
werden oft beim Polieren eines Quarzsubstrats oder einer
Quarzschicht verwendet. Wenn sie nicht entfernt werden, be
einflussen diese Verunreinigungen die Betriebslebenszeit von
Laserabtragungsmasken stark. Ferner erzeugen die Verunreini
gungen Defekte, die die Endproduktqualität nachteilig beein
flussen, wie beispielsweise die Qualität der Tintenstrahl
druckköpfe, die während des Laserabtragungsprozesses herge
stellt werden. Die Lösung, die in Schritt 36 verwendet wird,
kann aus zwei Teilen Schwefelsäure zu einem Teil Wasserstoff
peroxid bestehen. Es wird ermöglicht, daß die Lösung über die
Oberfläche des Quarzsubstrats fließt.
Ein Spülschritt 38 wird dazu verwendet, die Lösung, die in
Schritt 36 verwendet wird, abzuwaschen. Die karbonisierte
Spüllösung, die in Schritt 28 gemischt wurde, wird dazu ver
wendet. Wiederum besteht die bevorzugte Anwendung darin, die
Oberfläche des Quarzsubstrats vollständig zu bedecken, um das
Risiko einer Beschädigung zu verringern, die von jeglichen
statischen Ladungen herrührt.
Die Reste von jeglicher Säure von Schritt 36 werden in
Schritt 40 neutralisiert. Die Reinigungslösung von Schritt 30
wird bei hohem Druck angewendet bzw. aufgebracht, um Restsäu
re zu entfernen und zu neutralisieren. Dieser Schritt erzeugt
ferner eine hydrophile bzw. Wasser anziehende Oberfläche, die
bei darauffolgenden Schichtabscheidungsschritten vorteilhaft
ist.
Das Quarzsubstrat wird bei Schritt 42 wieder gespült, wobei
die karbonisierte Spüllösung verwendet wird. Dieser Schritt
kann eine Duplizierung der Spülschritte 32 und 38 sein. Dar
aufhin wird das Substrat bei Schritt 44 getrocknet. Es können
bekannte Trocknungstechniken bzw. Trocknungsverfahren verwen
det werden, wie beispielsweise ein Schleudertrocknen.
Die Schritte 26-44 bereiten das Quarzsubstrat für die Ab
scheidung von einer oder mehreren Schichten vor, wie es bei
Schritt 46 gezeigt ist. Die Abscheidung einer dielektrischen
Schichtung wird mit Bezug auf die Fig. 3 und 4 beschrieben
werden.
Es sei auf Fig. 3 verwiesen, in der ein System 48 zum Her
stellen einer Laserabtragungsmaske für die Tintenstrahldruck
kopfindustrie gezeigt ist, wobei es eine Vakuumkammer 50 auf
weist. Während das System derart beschrieben werden wird, wie
es für ein physikalisches Dampfabscheidungs-(PVD)-Verfahren
ausgelegt ist, sind die Kammerevakuierungstechniken und
Schichtherstellungstechniken für andere Verfahren anwendbar.
Ein Anschluß bzw. eine Verbindung zu der Vakuumkammer 50 ist
eine Verbindung zu einer Abscheidungsanlage bzw. Abschei
dungsvorrichtung 52. Es kann eine Vorrichtung verwendet wer
den, die momentan verfügbar ist. Es gibt ferner drei Evakuie
rungsverbindungen 54, 56 und 58 zu der Vakuumkammer. Wie es
ausführlicher unten beschrieben werden wird, werden die drei
Evakuierungsverbindungen unabhängig aktiviert und deakti
viert, um ein mehrstufiges Entleeren der Kammer vorzusehen.
Jede der Verbindungen weist ein Ventil 60, 62 und 64 auf. Das
Umleitungsventil bzw. Bypassventil 60 zu der ersten Evakuie
rungsverbindung 54 wird anfänglich aktiviert. Das Hauptgrob
ventil 62 wird dann aktiviert, nachdem der Druck innerhalb
der Kammer 50 einen vorgewählten Sollwert erreicht. Die maxi
male Rate der Evakuierung der ersten Verbindung 54 ist gerin
ger als die maximale Evakuierungsrate der zweiten Verbindung
56. Somit wird die anfängliche Stufe bzw. das anfängliche
Stadium des Grobverfahrens weniger Turbulenz bzw. Wirbelbewe
gung erzeugen, als ob die zweite Verbindung 56 bei der an
fänglichen Stufe verwendet würde. Da die Kammer zu Beginn der
Evakuierung anfälliger für durch Turbulenz hervorgerufene
nachteilige Effekte ist, kann die verringerte Kapazität der
ersten Verbindung ausgewählt werden, um eine geringere De
fektdichte für Laserabtragungsmasken zu erreichen. Bei einer
Ausführung hat die zweite Evakuierungsverbindung 56 eine Öff
nung, die mit einer herkömmlichen Grobevakuierung konsistent
ist bzw. mit dieser übereinstimmt, während die erste Verbin
dung 54 eine Öffnung aufweist, die unkonventionell klein ist.
Das Umleitungsventil 60 und das Grobventil 62 werden derart
gezeigt, daß sie mit einer oder mehreren Grobpumpen 66 ver
bunden sind. Bei einer Ausführungsform sind die Ventile mit
separaten Pumpen verbunden. Bei der bevorzugten Ausführungs
form sind die Ventile jedoch mit der gleichen Pumpe verbun
den, wodurch der Aufwand bzw. die Kosten für das System 48
verringert sind. Die Grobpumpe kann eine herkömmliche mecha
nische Pumpe sein, die in bekannten PVD-Systemen verwendet
wird.
Die dritte Evakuierungsverbindung 58 ist mit dem Hochvakuum
ventil 64 verbunden, das mit einer Hochvakuumpumpe 68 verbunden
ist. Das Ventil und die Pumpe können herkömmliche Vor
richtungen sein. Beispielsweise kann die Hochvakuumpumpe eine
Diffusionspumpe sein, wobei jedoch Kryopumpen oder Turbomole
kularpumpen verwendet werden können. Die dritte Verbindung 58
wird aktiviert, nachdem die ersten und zweiten Verbindungen
54 und 56 den Druck innerhalb der Kammer 50 auf einen zweiten
Aktivierungssollwert verringern. Das Grobverfahren evakuiert
die Kammer auf ein niedriges Vakuum, während die Diffusi
onspumpe in der Lage ist, den Kammerdruck auf einen Hochvaku
umzustand zu verringern. Ein geeigneter Drucksollwert zur Ak
tivierung des Hochvakuumventils 64 ist 20,0 Pa (150 mTorr).
Der Druck innerhalb der Kammer 50 kann unter Verwendung eines
Pirani-Meßgeräts 70 überwacht werden. Es können jedoch andere
bekannte Überwachungsvorrichtungen verwendet werden. Das
Meßgerät 70 ist mit einer Steuereinrichtung 72 verbunden, die
die Aktivierung der drei Ventile 60, 62 und 64 regelt. Die
Steuereinrichtung umfaßt einen Schaltungsschaltkreis bzw. Um
schaltschaltkreis und kann ferner den Signalverarbeitungs
schaltkreis zum Bestimmen des Kammerdrucks auf der Grundlage
von Signalen von dem Meßgerät 70 aufweisen. Der Umschalt
schaltkreis kann in einer Ausführungsform realisiert sein,
die eine Überlappung in den Druckbereichen zum Aktivieren der
drei Verbindungen 54, 56 und 58 erlaubt. Alternativ dazu kann
die Realisierung bzw. Ausführung derart sein, daß die drei
Bereiche gegenseitig ausgeschlossen sind.
Fig. 4 zeigt einen Verfahrensablauf von Schritten zum Ausbil
den einer Laserabtragungsmaske, die in dem System von Fig. 1
zum Ausbilden von Tintenstrahldruckköpfen verwendet werden
kann. Der Anfangsschritt 76 besteht darin, ein transparentes
Substrat 74 in der Vakuumkammer 50 von Fig. 3 anzuordnen. Das
Substrat ist vorzugsweise aus Quarz hergestellt, wobei jedoch
andere Substratmaterialien (wie beispielsweise Silica bzw.
Siliziumdioxid) für die Herstellung von Laserabtragungsmasken
bekannt sind. In Schritt 78 wird die erste Stufe des Grobver
fahrens begonnen. In Fig. 3 wird die erste Grobevakuierungs
verbindung 54 aktiviert, um das Entleeren der Vakuumkammer 50
zu beginnen. Das Umleitungsventil bzw. Bypassventil hat eine
relativ geringe Maximalrate der Evakuierung, so daß eine Tur
bulenz bzw. Wirbelbewegung innerhalb der Kammer gesteuert
wird. Folglich besteht ein Vorteil der Verwendung des Bypass
ventils darin, daß das System weniger anfällig für das Auf
treten von Schwebeteilchen bzw. Teilchen und/oder Wasser ist,
die derart auftreten, daß sie sich auf der Oberfläche des
Substrats niederlassen. Das Einführen bzw. Vorsehen von Ver
unreinigungen oder einer Flüssigkeit auf der Oberfläche des
Substrats erhöht die Dichte der Defekte, wodurch die Be
triebslebenszeit der Laserabtragungsmaske verringert wird.
Auf der anderen Seite besteht eine Sorge bzw. ein Problem bei
der Verwendung der unkonventionell kleinen ersten Verbindung
darin, daß die Zeit, die für die Herstellung der Laserabtra
gungsmaske erforderlich ist, bedeutend verlängert wird. Des
halb wird die zweite Stufe des Grobverfahrens verwendet.
In Schritt 80 endet das Verfahren zum Überwachen des Drucks
innerhalb der Vakuumkammer mit der Erfassung, daß der erste
Aktivierungssollwert erreicht ist. Bei diesem Druck wird die
zweite Evakuierungsverbindung 56 durch Betätigen des Haupt
grobventils 62 aktiviert, wie es in Schritt 82 gezeigt ist.
Die zweite Evakuierungsverbindung 56 mit höherer Rate verrin
gert die Zeit, die für das Grobverfahren erforderlich ist.
Bei einer nicht-überlappenden Ausführungsform einer Steuer
einrichtung fällt die Erfassung des ersten Aktivierungssoll
werts und die Initiierung der zweiten Stufe des Grobverfah
rens (d. h. die Schritt 80 und 82) mit der Deaktivierung der
ersten Verbindung 54 zusammen. In der bereichsüberlappenden
Ausführungsform überlappen die Aktivierungsbereiche der er
sten und zweiten Verbindungen 54 und 56 jedoch. Diese über
lappende Ausführungsform erfordert die zusätzlichen Schritte
84 und 86 der Erfassung, wenn der erste Deaktivierungssoll
wert erreicht ist, und das Deaktivieren der ersten Verbindung
54.
In Schritt 88 wird der zweite Aktivierungs/Deaktivierungs-
Sollwert erreicht. Dies leitet die Deaktivierung der zweiten
Evakuierungsverbindung 56 ein. Gleichzeitig wird die Hochva
kuumverbindung 58 bei Schritt 90 aktiviert. Wenn der Druck
innerhalb der Vakuumkammer das angemessene bzw. geeignete Ni
veau erreicht, beginnt der Abscheidungsvorgang. Optional kann
eine Adhäsionsschicht oder eine strukurierte Abhebemaskie
rungsschicht bzw. Lift-Off-Maskierungsschicht auf das Sub
strat vor der dielektrischen Schichtung angewendet werden,
wie es im Stand der Technik bekannt ist. Die Schichten von
größtem Interesse für die Erfindung sind jedoch die Schich
ten, die verwendet werden, um die dielektrische Schichtung
auszubilden. Die dielektrische Schichtung ist eine abwech
selnde Struktur aus einem Material mit hohem Brechungsindex
und einem Material mit niedrigem Brechungsindex. Tabelle 1
zeigt eine Ausführungsform einer dielektrischen Schichtung.
Das Schichtmaterial (H) mit hohem Brechungsindex kann HfO2
sein, während das Schichtmaterial (L) mit niedrigem Bre
chungsindex vorzugsweise SiO2 ist. Messungen der Schichtdicke
basierten auf einer Sycon-Rate-Steuerung bzw. einem Sycon-
Rate-Controller. Die Beschichtungstemperatur betrug 275°C und
der Sauerstoffpartialdruck betrug 0,013 Pa (1,0.10-4 Torr)
für alle Materialien. Die resultierende Beschichtung war eine
18 Schichten umfassende Schichtung bzw. Stapelung, die bei
248 nm und einem normalen Einfall auf ein Quarzsubstrat in
hohem Maße reflektierend war.
In Schritt 92 von Fig. 4 wurde eine erste Schicht (H) mit ho
hem Index abgeschieden. Die Abscheidungsrate zum Ausbilden
der 18 Schichten umfassenden Schichtung von Tabelle 1 betrug
2,0 Å/Sekunde unter Verwendung von 3,0 Gramm/Kubikzentimeter
(g/cm3) für HfO2. Die Abscheidungsrate der Schichten mit hohem
Brechungsindex ist weniger wichtig als die Abscheidungsrate
des SiO2.
Im Schritt 94 wurde die erste SiO2-Schicht der Beschichtung
ausgebildet. Die optimale Abscheidungsrate beträgt
1 Å/Sekunde bis 3 Å/Sekunde. Aufgrund der eigentümlichen bzw.
inhärenten Fluktuationen bei der Abscheidungsrate beträgt der
bevorzugte praktische Bereich 1,6 Å/Sekunde bis
2,4 Å/Sekunde. Idealerweise liegt die Abscheidungsrate bei
ungefähr 2,0 Å/Sekunde. Eine Abscheidungsrate oberhalb des
optimalen Bereichs definiert ein Verfahren, das anfällig für
eine hohe Beschichtungsdefektdichte ist. Auf der anderen Sei
te kann eine Abscheidungsrate unterhalb des Bereichs zu einer
schlechten Adhäsion einer SiO2-Schicht an einer benachbarten
bzw. angrenzenden Schicht führen.
Der Entscheidungsschritt 96 ist ein Schritt, bei dem bestimmt
wird, ob die Schicht, die bei Schritt 94 abgeschieden wurde,
die Endschicht in der dielektrischen Schichtung ist. Wenn die
Schichtung nicht fertiggestellt bzw. vervollständigt worden
ist, kehrt das Verfahren zurück zu den Schritten 92 und 94,
um ein weiteres Schichtpaar auszubilden. Wenn bei dem Ent
scheidungsschritt 96 eine bejahende bzw. positive Antwort er
zeugt wird, fährt das Verfahren weiter mit Schritt 98 zum
Strukturieren bzw. zum Versehen der Laserabtragungsmaske mit
einem Muster, um das gewünschte Belichtungsmuster auszubilden.
In der bevorzugten Ausführungsform ist das Belichtungs
muster für die Herstellung von Tintenstrahldruckköpfen ausge
legt, wie sie mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben wurde.
Offenbart ist ein Reinigungsverfahren für ein Quarzsubstrat,
das ein Mischen einer Spüllösung und ein Mischen einer Reini
gungslösung aufweist, so daß die Lösungen elektrisch leitend
bzw. leitfähig sind. Die Spüllösung wird karbonisiert und in
mehr als einem Schritt innerhalb des Verfahrens verwendet.
Die Reinigungslösung umfaßt Ammoniumhydroxid. Als Folge der
elektrischen Leitfähigkeit der Lösungen ist das Reinigungs
verfahren weniger anfällig für eine Oberflächenbeschädigung,
die durch elektrostatische Entladung bewirkt wird. Die Rei
henfolge der Schritte umfaßt ein Spülen des Quarzsubstrats
mit der karbonisierten Spüllösung, ein Entfernen von losen
Verunreinigungen durch eine Hochdruckanwendung der Reini
gungslösung und ein Entfernen von organischen Verunreinigun
gen in einer starken Oxidationsumgebung unter Verwendung ei
ner Lösung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid. Die kar
bonisierte Spüllösung wird wieder angewendet, gefolgt von ei
ner weiteren Hochdruckanwendung der Reinigungslösung und ei
nem Endspülvorgang mit der karbonisierten Spüllösung. In der
bevorzugten Ausführungsform wird das gereinigte Quarzsubstrat
verwendet, um eine Laserabtragungsmaske durch Abscheiden von
dielektrischen Schichten zu bilden, die mit einem Muster ver
sehen bzw. strukturiert sind, um eine Belichtungsmaske zu de
finieren. In einer sehr bevorzugten Ausführungsform wird die
Laserabtragungsmaske bei der Herstellung von Tintenstrahl
druckköpfen verwendet.
Claims (9)
1. Verfahren zum Bearbeiten eines Quarzsubstrats (74) mit
folgenden Schritten:
Anwenden einer Lösung (34), die Wasser und Ammoniumhydroxid aufweist, auf das Quarzsubstrat;
Behandeln des Quarzsubstrats mit einer Lösung (36), die Was serstoffperoxid und eine Säure aufweist;
Spülen des behandelten Quarzsubstrats (38) mit Wasser, das eine Karbonisation aufweist;
Anwenden einer Lösung (40), die Wasser und Ammoniumhydroxid aufweist, auf das gespülte Quarzsubstrat; und
erneutes Spülen des Quarzsubstrats mit Wasser (42), das eine Karbonisation aufweist.
Anwenden einer Lösung (34), die Wasser und Ammoniumhydroxid aufweist, auf das Quarzsubstrat;
Behandeln des Quarzsubstrats mit einer Lösung (36), die Was serstoffperoxid und eine Säure aufweist;
Spülen des behandelten Quarzsubstrats (38) mit Wasser, das eine Karbonisation aufweist;
Anwenden einer Lösung (40), die Wasser und Ammoniumhydroxid aufweist, auf das gespülte Quarzsubstrat; und
erneutes Spülen des Quarzsubstrats mit Wasser (42), das eine Karbonisation aufweist.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Schritte des
Spülens (38) und des erneuten Spülens (42) des Substrats (74)
jeweils ein Verdünnen von CO2 in deionisiertem Wasser (28)
aufweisen, derart, daß CO2 in einem Bereich von 1 bis 10 Ge
wichtsprozent innerhalb der Lösung vorliegt.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner einen
Schritt des Spülens (32) des Quarzsubstrats (74) mit karboni
siertem Wasser vor den Schritten des Anwendens der Lösung
(34) und des Behandelns des Quarzsubstrats (36) aufweist.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die
Schritte des Anwendens der Lösungen (34 und 40), die Wasser
und Ammoniumhydroxid aufweisen, ein Vorsehen eines Flusses
der Lösungen entlang einer Oberfläche des Quarzsubstrats (74)
unter Druck umfassen.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem die Schritte, die
das Vorsehen des Flusses (34 und 40) unter Druck umfassen,
ferner ein Festsetzen einer Druckbeaufschlagung in dem Be
reich von 2,07.106 N/m2 bis 6,895.106 N/m2 (300 bis
1.000 PSI) aufweisen.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der
Schritt des Behandelns (36) des Quarzsubstrats (74) ein Her
stellen einer wässrigen Lösung aus Schwefelsäure und Wasser
stoffperoxid aufweist.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem der Schritt des Her
stellens der wässrigen Lösung (36) ein Vorsehen eines Ver
hältnisses von 2 : 1 der Schwefelsäure zu dem Wasserstoffpero
xid aufweist.
8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, das ferner
einen Schritt des Schleudertrocknens (44) des Quarzsubstrats
(74) aufweist, der dem Schritt des erneuten Spülens (42) des
Quarzsubstrats folgt.
9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, das ferner
einen Schritt des Bildens eines mit einem Muster versehenen
Materials (46) auf dem Quarzsubstrat (74) aufweist, derart,
daß eine Laserabtragungsmaske (18) geschaffen wird.
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US6841309B1 (en) | 2001-01-11 | 2005-01-11 | Dupont Photomasks, Inc. | Damage resistant photomask construction |
US7513262B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-04-07 | Lam Research Corporation | Substrate meniscus interface and methods for operation |
US20050000549A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Oikari James R. | Wafer processing using gaseous antistatic agent during drying phase to control charge build-up |
US20060048798A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-09 | Honeywell International Inc. | Methods of cleaning optical substrates |
DE102005009073B4 (de) * | 2005-02-28 | 2009-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Nachbehandlung einer Halbleiterstruktur |
KR100679669B1 (ko) | 2005-07-25 | 2007-02-06 | 주식회사 피케이엘 | 포토마스크 세정방법 |
DE102009032297A1 (de) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Qsil Ag Quarzschmelze Ilmenau | Verfahren zur Herstellung eines hochreinen Quarz-Granulates |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US20140311581A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US10950500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for filling a feature disposed in a substrate |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4626316A (en) * | 1985-09-30 | 1986-12-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of chemically polishing quartz crystal blanks |
US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
US5291226A (en) * | 1990-08-16 | 1994-03-01 | Hewlett-Packard Company | Nozzle member including ink flow channels |
FR2679225B1 (fr) * | 1991-07-19 | 1993-12-24 | Electronique Piezo Electricite | Dissolution controlee du quartz. |
US5259888A (en) * | 1992-02-03 | 1993-11-09 | Sachem, Inc. | Process for cleaning quartz and silicon surfaces |
AU7221294A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-28 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
JP3338134B2 (ja) * | 1993-08-02 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハ処理方法 |
US5853491A (en) * | 1994-06-27 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
US5637151A (en) * | 1994-06-27 | 1997-06-10 | Siemens Components, Inc. | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
JPH08264500A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 基板の洗浄方法 |
ATE522926T1 (de) * | 1997-02-14 | 2011-09-15 | Imec | Verfahren zur entfernung organischer kontamination von einer halbleiteroberfläche |
JP3036478B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | ウェハの洗浄及び乾燥方法 |
JP3920429B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2007-05-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置 |
US6346505B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-02-12 | Kurita Water Industries, Ltd. | Cleaning solution for electromaterials and method for using same |
US5932022A (en) * | 1998-04-21 | 1999-08-03 | Harris Corporation | SC-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process |
-
1999
- 1999-11-16 US US09/441,716 patent/US6162302A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-13 FR FR0014532A patent/FR2802130B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-15 JP JP2000348463A patent/JP3410720B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2000-11-15 TW TW089124151A patent/TWI229706B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2802130A1 (fr) | 2001-06-15 |
JP3410720B2 (ja) | 2003-05-26 |
JP2001212968A (ja) | 2001-08-07 |
FR2802130B1 (fr) | 2003-03-07 |
DE10056541B4 (de) | 2004-03-04 |
TWI229706B (en) | 2005-03-21 |
US6162302A (en) | 2000-12-19 |
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