DE10041695A1 - Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip - Google Patents
Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-ChipInfo
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Abstract
Es wird eine Kapselungskonstruktion für einen mit einem Flip-Chip (23) und mit einer Unterlage (21) verbundenen Chip (22) offenbart. Es wird das Flip-Chip-Verfahren verwendet, wobei zunächst ein Chip (22) auf einer Unterlage (21) angeklebt wird, während hierauf ein weiterer Chip (22) angeklebt und die Konstruktion hierauf gekapselt wird. Die üblicherweise verwendete Unterlage (21) ist der Leiterrahmen (211) des Substrats, wobei zum Ankleben eines Chips (22) auf der Unterlage (21) ein Flachpackungsverfahren verwendet wird, während in dem Flip-Chip-Verfahren ein Hilfs-Chip (23) mit vorstehenden Blöcken zum Ankleben des Hilfs-Chips (23) auf dem Chip (22) verwendet wird, wobei er gleichzeitig quer auf der Unterlage (21) angeklebt wird. Durch Stapeln einer Unterlage (21), eines Chips (22) und eines weiteren Chips (23) wird ein Gehäuse erhalten.
Description
Die Erfindung betrifft das Gebiet der Kapselungskonstruktionen für Halblei
terchips und insbesondere eine Kapselungskonstruktion für einen mit einem
Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip.
Die Entwicklung der Kapselungstechnologie für integrierte Schaltungen (ICs)
folgt der Entwicklung des Entwurfs und der Herstellung der ICs. Angesichts
der Entwicklung der IC-Technologie wächst der Integrationsgrad schrittweise
an, wobei die Anzahl der Anschlußstifte der Leiter (Signal, Stromquelle,
Masse) ebenfalls wächst. Außerdem werden immer mehr Funktionen auf ei
nem einzigen Chip integriert, wobei sich die Größe des Chips angesichts des
Halbleiterherstellungsverfahrens tendenziell verringert. Im Ergebnis kann die
herkömmliche elektronische Kapselungstechnologie die Anforderung der
fortgeschrittenen IC-Entwicklung nicht befriedigen. Somit verwenden die
Hersteller eine geeignete Kapselungstechnologie wie etwa die Flip-Chip-
Technologie, die Kugelgitteranordnungs-Technologie (BGA-Technologie), die
Chipgrößen/Skalengehäuse-Technologie (CSP-Technologie) und die Mehr
chip-Baugruppen-Technologie.
Um die Verarbeitungsgeschwindigkeit zu erhöhen, verwendet der Hersteller in
der Praxis das (in Fig. 1 gezeigte) Kombinationskapselungsverfahren. Auf
einer Unterlage 11 befindet sich z. B. ein Leiterrahmen (110) mit einem daran
angebrachten Haupt-Chip 12, wobei ein Golddraht (Au-Draht) 121 als Draht
kontaktierung verwendet wird, so daß der Haupt-Chip 12 und der Leiterrah
men 110 elektrisch verbunden sind. Die obere Schicht des Haupt-Chips 12
wird mit dem Flip-Chip-Verfahren mit einem Hilfs-Chip 13 abgedeckt.
Hierauf wird eine Kunstharzverbindung 14 verwendet, die die gesamte Kon
struktion zu einer Baugruppe kapselt. Dieses Verfahren kann die Geschwin
digkeit des Signalaustauschs verbessern, wobei die gesamte Kapselungsbau
gruppe jedoch zu voluminös ist. Selbst wenn der Golddraht mit der Low-
Loop-Konstruktion kontaktiert wird, ist das Gesamtvolumen zu groß. Ange
sichts der tragbaren elektronischen Erzeugnisse, die dünne, leichte und kurze
Vorrichtungen mit niedrigem Stromverbrauch erfordern, kann die Dickenan
forderung in diesem Fall nicht erreicht werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Kapselungskonstruktion
für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip zu
schaffen, die die obenerwähnten Nachteile nicht besitzt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Kapselungskonstruk
tion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip
nach Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen
Ansprüchen angegeben.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlich beim Lesen
der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen, die auf die
Zeichnung Bezug nimmt; es zeigen:
Fig. 1 die bereits erwähnte Querschnittsansicht der herkömmlichen Leiter
rahmen-Kapselungskonstruktion.
Fig. 2 eine Querschnittsansicht der Leiterrahmen-Unterlagenkonstruktion
gemäß der Erfindung;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht der Substrat-Unterlagenkonstruktion; und
Fig. 4 eine Querschnittsansicht der Mehrschicht-Kombinationssubstrat-
Unterlagenkonstruktion.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt die Kapselungskonstruktion des Flip-Chips
und der Unterlage im wesentlichen eine Unterlage, einen Klebechip und einen
Flip-Chip, wobei die Unterlage ein Leiterrahmen 211 ist, der eine Grundlage
zum Halten der Einzelchips schafft, wobei der Haupt-Chip 22 mit dem Ober
flächenklebe-Flachkapselungsverfahren an dem Leiterrahmen 211 angeklebt
ist, während ein Hilfs-Chip 23 mit einem vorstehenden Block mit dem Flip-
Chip-Verfahren an dem Haupt-Chip 22 angeklebt ist und gleichzeitig quer an
dem Leiterrahmen 211 angeklebt ist. Mit dem Verfahren zum Stapeln der Un
terlage 21 des Leiterrahmens 211, eines Haupt-Chips 22 und eines Hilfs-Chips
23 wird ein Gehäuse gebildet.
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, kann die Unterlage 21 gemäß der Erfindung mit
einem anderen Verfahren realisiert werden. Hier ist die Unterlage ein Substrat
311, z. B. eine Polyimidfilm-Schichttstoff-IC-Platine, die als Grundlage zum
Halten der einzelnen Chips dient, wobei die elektrisch außen mit der Unterlage
verbundene Lötkugel 25 unter der Unterlage eingesetzt ist.
In einem weiteren Verfahren ist die Unterlage der Erfindung, wie in Fig. 4
gezeigt ist, ein Mehrschichtsubstrat 411. Das erste Substrat 4111 wird als die
unterste Schicht angeordnet, auf das je nach Anforderung eine Substratschicht
4112 gestapelt wird. Auf der zweiten Substratschicht 411 ist eine Öffnung
zum Ankleben des Haupt-Chips 42 vorgesehen. Hierauf wird eine Schicht des
obersten Substrats 4113 angeordnet, bei der an derselben Stelle eine Öffnung
vorgesehen ist. Die einzelnen Substratschichten 4111, 4112 und 4113 bilden
einen abgestuften Querschnitt, wobei der Haupt-Chip 42 an der untersten
Schicht angeklebt wird. Hierauf wird der Hilfs-Chip 43 auf der obersten
Schicht des Haupt-Chips 42 angeklebt, wobei zunächst der Haupt-Chip 42 und
das Substrat 411 mit einem Klebemittel 44 beschichtet werden, während der
vorstehende Block 431 des Hilfs-Chips 43 an der zweiten Schicht des Sub
strats 4112 angeklebt wird, so daß das durch das unterste Substrat 4111, durch
den Haupt-Chip 42 und den Chip 43 und durch die dritte Substratschicht der
Schichtverbindung gebildete Gesamtgehäuse nicht höher als die Höhe der
Kugel ist. Der elektrische Anschluß des obersten Substrats 4113 wird an der
Oberseite des obersten Substrats 4113 durch die Lötkugel 45 angebracht.
Claims (5)
1. Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unter
lage verbundenen Flip-Chip, wobei zum Ankleben des Chips auf der Unter
lage und hierauf zum Kapseln die Flip-Chip-Technologie verwendet wird, die
die Signalübertragungsgeschwindigkeit erhöht und die Gehäusehöhe wirksam
zu verringert,
gekennzeichnet durch
eine Unterlage (21), einen Haupt-Chip (22) und einen Hilfs-Chip (23),
wobei die Unterlage (21) als Grundlage zum Halten der Chips (22, 23) dient,
während zum Ankleben eines Chips (22) auf der Unterlage (21) ein Oberflä
chenklebe-Flachkapselungsverfahren verwendet wird, während der Hilfs-Chip
(23) mit den vorstehenden Blöcken in dem Flip-Chip-Verfahren zum Ankle
ben auf einem Chip (22) und gleichzeitig zum Ankleben quer auf der Unter
lage (21) verwendet wird, wobei aus der Unterlage (21) und aus den aufeinan
dergestapelten Chips (22, 23) ein Gehäuse gebildet ist.
2. Konstruktion nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unter
lage (21) ein Leiterrahmen (211) ist.
3. Konstruktion nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unter
lage (21) ein Schichtstoffsubstrat (311) für eine integrierte Schaltung ist.
4. Konstruktion nach Anspruch 1, wobei die Unterlage (21) ein Mehr
schicht-Kombinationssubstrat (4111, 4112, 4113) ist.
5. Konstruktion nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß
auf das unterste Substrat (4111) ein Substrat (4112) gestapelt ist, wobei
eine Öffnung zum Anbringen eines Haupt-Chips (42) auf einem zweiten Sub
strat (4112) ausgebildet ist, wobei als die oberste Schicht (4113) eine Substrat
schicht mit einer weiteren Öffnung an einer ähnlichen Stelle wie bei dem
zweiten Substrat (4112) vorgesehen ist, wobei die einzelnen Substratschichten
(4111, 4112, 4113) einen abgestuften Querschnitt bilden, wobei der Haupt-
Chip (42) an der untersten Substratschicht (4111) angeklebt ist, während ein
Hilfs-Chip (43) im Flip-Chip-Verfahren verwendet wird, der auf der oberen
Schicht des Haupt-Chips (42) aufgeklebt ist, wobei der Hilfs-Chip (43) mit
dem äußeren vorstehenden Block (431) auf dem zweiten Substrat (4112) an
geklebt ist, so daß die Gehäusehöhe des untersten Substrats (4111), des Haupt-
Chips (42), des Hilfs-Chips (43) und der dritten Substratschicht (4113) der
Schichtverbindung nicht höher als die Höhe der Kugel (45) ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10041695A DE10041695A1 (de) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10041695A DE10041695A1 (de) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10041695A1 true DE10041695A1 (de) | 2002-03-07 |
Family
ID=7653710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10041695A Withdrawn DE10041695A1 (de) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | Kapselungskonstruktion für einen mit einem Chip und mit einer Unterlage verbundenen Flip-Chip |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10041695A1 (de) |
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