DE10014305C2 - Elektronisches Bauteil mit einer Vielzahl von Kontakthöckern - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit einer Vielzahl von Kontakthöckern, die aus dem Gehäuse herausragen und über Umverdrahtungen auf einem Zwischenträger sowie Kontaktanschlußfahnen des Zwischenträgers mit Kontakt­ flächen auf einem Halbleiterchip verbunden sind. Derartige Bau­ teile sind z. B. aus der EP 0 883 180 A2 und der US 5 821 608 bekannt.

Bei der elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines auf einem organischen Zwischenträger montierten Halbleiterchips mit den leitenden Strukturen des Zwischenträgerwerkstoffs mittels eines sogenannten Flachleiter-Bondprozesses in einem vorgegebenen Abstand zwischen den mikroskopisch kleinen Kon­ taktflächen auf dem Halbleiterchip und den entsprechend di­ mensionierten Kontaktanschlußfahnen der Flachleiter des Zwi­ schenträgers entstehen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der Fügepartner, nämlich des Halb­ leiterchips und des Kunststoffzwischenträgers, mit größer werdendem Abstand der gebondeten Verbindung von dem neutralen Punkt des Halbleiterchips, in der aus einer überhängenden Kontaktanschlußfahne bestehenden Bondbrücke zunehmend lateral gerichtete mechanische Spannungen, die zu einer Rißbildung in der Kontaktanschlußfahne bis zu einem vollständigen Unterbre­ chen der Verbindung führen können.

Insbesondere bei Halbleiterchips mit einer Zeile mittig posi­ tionierter Kontaktflächen ist das Zwischenträgermaterial im Bereich der Kontaktflächen geöffnet, wodurch ein sogenanntes Bondkanalfenster im Zwischenträger von Trägermaterial freige­ halten ist. Das freigeätzte Leiterschaltbild des Zwischenträ­ gers liegt in dem Bondkanalfenster über den Kontaktflächen des Halbleiterchips. Diese Flachleiterstrukturen werden beim Flachleiterbonden gezielt unterbrochen und dann mit den Kon­ taktflächen des Halbleiterchips thermomechanisch verbunden. Da der Bereich des Bondkanalfensters in dem Zwischenträger konventionellerweise als Schlitz mit parallelen Rändern aus­ geführt ist, sind alle Flachleiterübergänge zu den Kontakt­ fenstern von gleicher Länge unabhängig von der Größe und der Erstreckung des Halbleiters in Längsrichtung. Das bedeutet, daß bei einem großen Abstand vom zentral gelegenen neutralen Punkt des Halbleiterchips die Gefahr einer mechanischen Über­ beanspruchung bei Temperaturwechselbelastung des elektroni­ schen Bauteils zunimmt, je weiter die Bondverbindung von dem neutralen Punkt des Halbleiterchips entfernt ist.

Eine konventionelle Struktur eines elektronischen Bauteils mit einer Vielzahl von Kontakthöckern, die einseitig aus ei­ nem Gehäuse des elektronischen Bauteils herausragen, entsprechend dem aus der EP 0 883 180 A2 bekannten Aufbau, wird in Fig. 3 gezeigt. Der Halbleiterchip 7 weist eine zentrale Zeile 13 von Kontaktflächen 6 auf, von denen lediglich vier beispielhaft gezeigt werden. Das Gehäuse 15, dessen Umrisse in Fig. 3 gezeigt werden, weist einen Zwischenträger 2 auf, auf dem die Vielzahl der Kontakthöcker 1 angeordnet ist. Die Vielzahl von Kontakthöckern 1 ist über eine Vielzahl von Flachleitern 3, von denen beispielhaft nur einer gezeigt wird, mit in dem Bondkanalfenster 4 des Zwischenträgers 2 freiliegenden Kontaktanschlußfahnen und den in einem festen Abstand darunterliegenden Kontaktflächen 6 des Halbleiter­ chips 7 verbunden. Das Bondkanalfenster 4 hat bei der konven­ tionellen Ausführung des elektronischen Bauteils in Längs­ richtung parallel verlaufende Ränder 10 und 11. Damit weisen die Kontaktanschlußfahnen 5 der Flachleiter 3 gleiche Längen innerhalb des Bondkanalfensters 4 auf. Da diese Kontaktan­ schlußfahnen 5 aus Flachleitermaterial bestehen, sind sie nicht rund wie die früher üblichen Bonddrähte, und somit sind sie äußerst rißgefährdet, wenn aufgrund des unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips 7 und des Zwi­ schenträgers 2 das elektronische Bauteil Temperaturwechselbe­ anspruchungen ausgesetzt wird. Je weiter eine Bondverbindung aus einer Kontaktanschlußfahne des Zwischenträgers 2 und ei­ ner Kontaktfläche 6 des Halbleiterchips 7 von dem neutralen Punkt 8 des Halbleiterchips 7 entfernt ist, um so größer wird die Rißgefahr bei Temperaturwechselbeanspruchung des elektro­ nischen Bauteils für derartige Bondverbindungen, da die Zugs­ pannungen in der Bondbrücke zunehmen und Entlastungsrisse auftreten. Aus der US 5 821 608 ist es bekannt, bei einem elektronischen Bauteil, bei dem das Bondkanalfenster an der Peripherie des Halbleiterchips angeordnet ist, die freiliegenden Kontaktan­ schlußfahnen S-förmig auszubilden, um deren Reißen zu verhindern.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Rißgefahr und Bruchgefahr von Bondverbindungen aus Kontaktanschlußfahnen und Halblei­ terkontaktflächen in einem Bondkanalfenster eines elektroni­ schen Bauteils zu vermindern, bei dem der neutrale Punkt des Halbleiterchips in der Mitte des Bondkanalfensters angeordnet ist.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Gegenstands des un­ abhängigen Anspruchs gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen

Dazu ist der neutrale Punkt des Halbleiterchips in der Mitte des Bondkanalfensters angeordnet, und die Breite des Bondka­ nalfensters ist mit zunehmendem Abstand von dem neutralen Punkt größer. Dieses erfindungsgemäße elektronische Bauteil hat den Vorteil, daß die Kontaktanschlußfahnen, die bei Tem­ peraturwechselbelastungen des elektronischen Bauteils höher belastet werden, weil sie weiter von dem neutralen Punkt des Halbleiterchips entfernt sind, länger ausgebildet sind und somit die Zugbelastung beiderseits der neutralen Faser der Kontaktanschlußfahnen vermindert werden. Aufgrund der Vermin­ derung dieser Zugspannungen bei Temperaturwechselbelastungen des elektronischen Bauteils ist die Gefahr von Rißbildungen in den aus Flachleitermaterial bestehenden Kontaktanschluß­ fahnen soweit vermindert, daß erfindungsgemäß konstruierte elektronische Bauteile einer höheren Temperaturwechselbela­ stung standhalten.

Da üblicherweise bereits im Herstellungsprozeß die gebondeten Kontaktanschlußfahnen einer extremen Temperaturwechselbela­ stung ausgesetzt sind, weil das Anbringen der Löthöcker erst nach dem Bondprozeß durchgeführt wird, kann mit der erfin­ dungsgemäßen Ausführungsform des elektronischen Bauteils auch die Ausschußrate beim finalen Anbringen der aus dem Gehäuse 15 herausragenden Kontakthöcker vorteilhaft vermindert wer­ den. Somit steigert die erfindungsgemäße Lösung sowohl die Produktivität des Herstellungsprozesses der elektronischen Bauteile als auch die Temperaturwechselbeständigkeit der aus­ zuliefernden elektronischen Bauteile.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Ränder des Bondkanalfensters in Längsrichtung gekrümmt, wobei der Krümmungsradius ein Vielfaches, vorzugsweise das Drei- bis Sechsfache der Halbleiterchiplänge ist. Mit dieser bevor­ zugten Ausführungsform wird vorteilhaft eine kontinuierlich zunehmende Breite des Bondkanalfensters verwirklicht, so daß die Kontaktanschlußfahnen, die am weitesten vom zentralen Punkt des Halbleiterchips entfernt sind, wesentlich länger als die Kontaktanschlußfahnen in der Nähe des neutralen Punk­ tes ausgebildet sind.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Bondfenster von dem neutralen Punkt des Halbleiter­ chips aus in beiden Längsrichtungen trapezförmig und symme­ trisch in seiner Breite erweitert. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, daß sie relativ einfach realisierbar ist, da die Breite des Bondkanalfensters linear mit der Länge des Bondka­ nalfensters vom Zentrum aus zunimmt.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung nimmt das Bondfenster vom neutralen Punkt aus bis zum Randbe­ reich des Halbleiterchips im Verhältnis der Länge zur halben Breite des Zwischenträgers zu. Das bedeutet beispielsweise bei einer Chipträgerbreite von 18 mm und einer Chipträgerlän­ ge von 36 mm, daß sich eine zentrale Bondkanalfensterbreite von 0,5 mm im Zentrum auf 2 mm in dem Randbereich erweitert, womit die Kontaktanschlußfahne im Zentrum etwa 250 µm und im Randbereich das Vierfache, nämlich 1000 µm, zu überbrücken hat, was ihre Verformbarkeit vergrößert und ihre mechanischen Spannungen bei Temperaturwechselbeanspruchung des elektroni­ schen Bauteils vermindert.

Mit einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Kontakthöcker zeilen- und spaltenweise auf dem Zwi­ schenträger angeordnet, wobei vorzugsweise zwei bis sechs Kontakthöckerzeilen beidseitig des Bondkanalfensters angeord­ net sind. Derart ausgebildete elektronische Bauteile können mit ihren Kontakthöckern eine wesentlich höhere Anzahl von Kontaktflächen eines Halbleiterchips mit beispielsweise zuge­ hörigen Anschlußflächen auf einer Schaltungsplatine verbin­ den, als es mit einem bisher üblichen Systemträger mit Lei­ terrahmen für Flachleiter möglich war.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip in einer zen­ tral in Längsrichtung auf dem Halbleiterchip positionierten Zeile angeordnet. Diese Ausführungsform des elektronischen Bauteils hat den Vorteil, daß günstigere Wärmeverteilungen auf dem Halbleiterchip erreicht werden können, indem nun ak­ tive und passive Bauelemente des Halbleiterchips, die Wärme erzeugen, nicht mehr in der Mitte des Halbleiterchips anzu­ ordnen sind, sondern an den Rändern angeordnet werden können, an denen eine größere Kühlfläche zur Verfügung steht. Die Wärmeerzeugung, die konventionell im Zentrum des Halbleiter­ chips konzentriert war, ist damit nicht mehr auf das Zentrum im Halbleiterchips konzentriert, sondern verteilt sich auf die Randbereiche, wodurch gleichzeitig die inneren Spannungen im Halbleiterchip vermindert werden.

Das Prinzip eines zentrales Bondkanalfenster mit zunehmender Breite zur Lösung des obigen Problems ist auch auf mehrere, in Längs- und Querrichtung auf dem Zwischenträger verteilte Bondkanalfenster übertragbar. In einer bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung sind deshalb mehrere Bondkanalfenster in Längs- und Querrichtung in dem Zwischenträger angeordnet, wobei der neutrale Punkt des Halbleiterchips in einem zentra­ len Bondkanalfenster angeordnet ist. Eine derartige Struktur wird in dem Fall eingesetzt, in dem der Abstand der Kontakthöcker vom neutralen Punkt des Halbleiterchips so groß wird, daß mittels nur eines Bondkanalfensters die Belastungen durch Temperaturwechsel nicht mehr allein durch Verbreitern eines einzigen Bondkanalfensters kompensiert werden können. Die Breite der Bondkanalfenster von der Mitte zum Rand in Längs­ erstreckung der Bondkanalfenster nimmt bei mehreren Bondka­ nalfenstern in Längs- und Querrichtung des Zwischenträgers vorzugsweise zu, wobei die Zunahme von dem Verhältnis des Ab­ standes des entferntesten Kontakthöckers zum Abstand des nächstliegenden Kontakthöckers von der jeweiligen Mitte des Bondkanalfensters abhängig ist.

Vorzugsweise sind die Kontakthöcker aus Lötkugeln gebildet, die in vorbereiteten Positionen des Zwischenträgers nach dem Bondvorgang der Kontaktanschlußfahnen an die Kontaktflächen des Halbleiterchips durch Erhitzen bis zum Anschmelzen der Lötkugeln in den vorgesehenen Positionen verwirklicht wird.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Kontaktanschlußfahnen eine Beschichtung aus einer Goldlegierung auf, während die Kontaktfläche des Halbleiter­ chips aus einer Aluminiumlegierung besteht. Diese Ausfüh­ rungsform hat den Vorteil, daß beim Bonden, das vorzugsweise mittels Ultraschallanregung durchgeführt wird, die Gold- und Aluminiumlegierungen ein Eutektikum bei niedriger Temperatur bilden und somit eine geringe Ultraschallenergie ausreicht, um den Grenzflächenbereich zwischen Gold und Aluminium auf die eutektische Schmelztemperatur anzuheben. Aufgrund der Flachleiterausbildung der Kontaktanschlußfahnen ist die Reib­ fläche zwischen Kontaktfläche des Halbleiterchips und der Fläche der Kontaktanschlußfahnen größer als beim Drahtbonden, was eine wesentlich stabilere Bondverbindung als bei herkömm­ licher Flachleiter-Technologie mit Bonddrähten gewährleistet.

Die Erfindung wird anhand von Ausführungsformen unter Bezug­ nahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elektronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse her­ ausragenden Kontakthöckern einer ersten Ausfüh­ rungsform der Erfindung.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elektronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse her­ ausragenden Kontakthöckern einer zweiten Ausfüh­ rungsform der Erfindung

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elektronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse her­ ausragenden Kontakthöcker eines konventionellen elektronischen Bauteils.

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elek­ tronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse 15 herausragenden Kontakthöckern 1, einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Dazu sind die Kontakthöcker 1 in Zeilen 12 und Spalten 16 auf der Unterseite des elektronischen Gehäuses angeordnet, wobei in dieser Ausführungsform drei Zeilen 12 jeweils symmetrisch zu einer zentralen Zeile 13 eines Halbleiterchips 7 angeord­ net sind. Die Vielzahl der Kontakthöcker 1 wird von einem Zwischenträger 2, der ein Bauelement des Gehäuses 15 ist, ge­ tragen. Auf dem Zwischenträger 2 sind Flachleiter 3 angeord­ net, die mit Kontaktanschlußfahnen 5 in das Bondkanalfenster 4 hineinragen. In dem Bondkanalfenster 5 sind die Kontaktan­ schlußfahnen 5 der Flachleiter 3 auf die Kontaktflächen 6 des Halbleiterchips 7 gebondet. Das Trägermaterial des Zwischen­ trägers 2 ist im Bondkanalfensterbereich entfernt worden, so daß der Bondprozeß mittels Ultraschallbondtechnologie in der Zeile 13 auf dem Halbleiterchip durchgeführt werden kann, das in dieser Anschicht unterhalb des Zwischenträgers 2 angeord­ net ist.

Der Zwischenträger 2 mit seinen Flachleitern 3 wird vom Halb­ leiterchip durch isolierende Abstandshalter beabstandet, das bedeutet, daß die Kontaktanschlußfahnen 5 Bondbrücken von dem Niveau des Zwischenträgers 2 zu dem Niveau des Halbleiter­ chips 7 bilden. In Fig. 1 ist eine zentrale gebondete Ver­ bindung 17 in der Nähe des neutralen Punktes 8 des Halblei­ terchips abgebildet und eine vom zentralen Punkt 8 des Halb­ leiterchips entfernt angeordnete gebondete Verbindung 18 ge­ zeigt. Da das Halbleiterchip 7 und der Zwischenträger 2 un­ terschiedliche Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, wird bei der Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 1 die höhere Be­ lastung der Kontaktanschlußfahne 5 der gebondeten Verbindung 18 durch Erweitern der Breite b des Bondkanalfensters zum Rand des Zwischenträgers 2 hin ausgeglichen. Dazu sind die Ränder 10 und 11 des Bondkanalfensters 4 in Längsrichtung mit einem Krümmungsradius von etwa dem Drei- bis Sechsfachen der Länge des Halbleiterchips gekrümmt.

Bei dieser Ausführungsform des Zwischenträgers 2 mit gedruck­ ten Schaltbildgeometrien und mit Kompensationselementen für Kräfte, die abhängig von dem Abstand zum neutralen Punkt 8 des Halbleiterchips 7 wirksam werden, wird durch die mecha­ nisch vertikale Fixierung der im Bereich des Bondkanalfen­ sters 4 freiliegenden Leiterzüge zwischen zwei Fixpunkten mit definierter Höhendifferenz, nämlich dem Abstand zwischen der Flachleiterebene des Zwischenträgers 2 und der Oberfläche des Halbleiterchips 7 in vorteilhafter Weise ein Ausgleich ge­ schaffen, so daß die Kontaktanschlußfahnen 5 auch bei großer Entfernung vom neutralen Punkt des Halbleiterchips 7 weniger belastet werden. Diese Struktur des Bondkanalfensters 4 ist für das Flachleiterbonden besonders geeignet, da im Gegensatz zum herkömmlichen Drahtbondverfahren eine seitliche Ausfor­ mung dieser bedruckten Geometrien während des Bondens bei ei­ nem rechteckigen Flachleiterquerschnitt nur bedingt möglich ist. Durch die an die Entfernung zum neutralen Punkt 8 des Halbleiterchips 7 angepaßte Bondkanalgeometrie werden mit der Ausführungsform der Fig. 2 auch Freiheitsgrade in X-/Y- Richtung trotz der Flachleitergeometrie für die Kontaktan­ schlußfahnen 5 möglich, da durch den größeren Abstand der freiliegenden Flachleiter von den Rändern 10 und 11 des Bond­ kanalfensters die Bondbrücke verlängert wird, was gleichzei­ tig eine mechanische Entlastung der Bondbrücke bewirkt.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elek­ tronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse 15 herausragenden Kontakthöckern 1 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Diese Ausführungsform der Erfindung unterscheidet sich von der Ausführungsform nach Fig. 1 darin, daß das Bondkanalfen­ ster 4 von dem neutralen Punkt 8 des Halbleiterchips 7 aus in beiden Längsrichtungen trapezförmig und symmetrisch in seiner Breite b erweitert ist, wobei die Zunahme der Breite des Bondkanalfensters 4 vom neutralen Punkt 8 aus bis zum Randbe­ reich des Halbleiterchips 7 im Verhältnis der Länge zur hal­ ben Breite des Zwischenträgers 2 zunimmt. Bei einer Größe des Zwischenträgers von beispielsweise 18 mm in der Breite und 356 mm in der Länge nimmt das Bondkanalfenster, das in seinem Zentrum 500 µm breit ist, zum Rand hin auf 2000 µm zu, womit die zu überbrückende Länge durch die Kontaktanschlußfahnen 5 im zentralen Bereich geringfügig kleiner als 250 µm ist und im Randbereich geringfügig kleiner als 1000 µm wird. Die tra­ pezförmige Geometrie des Bondkanalfensters sorgt für ein li­ neares Ansteigen des Abstandes zwischen den Rändern 10 und 11 von der Mitte zum Randbereich hin, was eine Realisierung der Bondfensterstruktur gegenüber Fig. 1 darstellt.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines elek­ tronischen Bauteils mit aus einem Gehäuse 15 herausragenden Kontakthöckern 1 eines konventionellen elektronischen Bau­ teils, das im Detail schon in der Beschreibungseinleitung be­ schrieben wurde, weshalb eine weitere Erörterung dieser kon­ ventionellen Struktur entfällt.

Bezugszeichenliste

1

Kontakthöcker

2

Zwischenträger

3

Flachleiter

4

Bondkanalfenster

5

Kontaktanschlußfahnen

6

Kontaktflächen

7

Halbleiterchip

8

neutraler Punkt
b Breite des Bondkanalfensters

9

Randbereich des Halbleiterchips

10

,

11

Ränder des Bondkanalfensters

12

Kontakthöckerzeile

13

Zeile der Kontaktflächen

14

Lötkugel

15

Gehäuse

16

Kontakthöckerspalten

17

zentral gebondete Verbindung

18

am Rand gebondete Verbindung

Claims (12)

1. Elektronisches Bauteil mit einer Vielzahl von Kontakt­ höckern (1), die einseitig aus einem Gehäuse (15) des Elektronischen Bauteils herausragen und auf einem Zwi­ schenträger (2), der ein Bauelement des Gehäuses (15) ist, angeordnet sind, wobei der Zwischenträger (2) die Vielzahl der Kontakthöcker (1) über eine Vielzahl von Flachleitern (3), die in einem Bondkanalfenster (4) des Zwischenträgers (2) freiliegende Kontaktanschlußfahnen (5) aufweisen, mit im Bondkanalfenster angeordneten Kon­ taktflächen eines Halbleiterchips (7) über die gebonde­ ten Kontaktanschlußfahnen (5) der Flachleiter (3) ver­ bindet, wobei der neutrale Punkt (8) des Halbleiterchips (7) in der Mitte des Bondkanalfensters (4) angeordnet ist und die Breite (b) des Bondkanalfensters (4) mit zu­ nehmendem Abstand von dem neutralen Punkt (8) zunehmend größer ist.

2. Elektronisches Bauteil nach dem vorhergehenden An­ spruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Ränder (10, 11) des Bondkanalfensters (4) in Längs­ richtung gekrümmt sind, wobei der Krümmungsradius ein Vielfaches, vorzugsweise das Drei- bis Sechsfache der Halbleiterchiplänge ist.

3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bondkanalfenster (4) von dem neutralen Punkt (8) des Halbleiterchips (7) aus in beiden Längsrichtungen tra­ pezförmig und symmetrisch in seiner Breite (b) erweitert ist.

4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Bondkanalfenster (4) vom neutralen Punkt (8) aus bis zum Randbereich des Halbleiterchips (7) im Verhältnis der Länge zur halben Breite des Zwischenträgers (2) in seiner Breite (b) zunimmt.

5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakthöcker (1) zeilen- und spaltenweise auf dem Zwischenträger (2) angeordnet sind.

6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß 2 bis 6 Kontakthöckerzeilen (12) beidseitig des Bondka­ nalfensters (4) angeordnet sind.

7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen des Halbleiterchips (7) in einer zen­ tral in Längsrichtung auf dem Halbleiterchip (7) posi­ tionierten Zeile (13) angeordnet sind.

8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Bondkanalfenster (4) in Längs- und Querrichtung in dem Zwischenträger (2) angeordnet sind, wobei der neutrale Punkt (8) des Halbleiterchips (7) in einem zen­ tralen Bondkanalfenster (4) angeordnet ist.

9. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei mehreren Bondkanalfenstern (4) in Längs- und Quer­ richtung des Zwischenträgers (2) die Breite (b) der Bondkanalfenster (4) von der Mitte zum Rand in Längserstreckung der Bondkanalfenster (4) zunimmt und die Zu­ nahme von dem Verhältnis des Abstandes des entferntesten Kontakthöckers (1) zum Abstand des nächstliegenden Kon­ takthöckers (1) von der jeweiligen Mitte des Bondkanal­ fenster (4) abhängig ist.

10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakthöcker (1) aus Lötkugeln (14) gebildet sind.

11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktanschlußfahnen (5) eine Beschichtung aus ei­ ner Goldlegierung aufweisen und die Kontaktflächen des Halbleiterchips (7) aus einer Aluminiumlegierung beste­ hen.

12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktanschlußfahnen (5) der Flachleiter (3) und die Kontaktflächen der Halbleiterchips miteinander durch Ultraschallbonden verbunden sind.