DE10012872C1 - Elektronisches Bauelement mit Kapazitätsdioden, Verwendung des Bauelements in einer Empfangseinheit und Schaltungsanordnung mit dem Bauelement (z.B. Drei-Band-Fernseh-Tuner) - Google Patents
Elektronisches Bauelement mit Kapazitätsdioden, Verwendung des Bauelements in einer Empfangseinheit und Schaltungsanordnung mit dem Bauelement (z.B. Drei-Band-Fernseh-Tuner)Info
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Abstract
Es ist ein Bauelement vorgesehen mit zumindest einer ersten Diode (D1) und einer zweiten Diode (D2), welche Kapazitätsdioden sind. Die Kennlinie der zweiten Diode hat ein festes, bekanntes Verhältnis zu der der ersten Diode. Beispielsweise können die erste Diode (D1) und die zweite Diode (D2) ein gleiches Variationsverhältnis aufweisen, welches der Quotient aus größter und kleinster einstellbarer Kapazität ist. Diese Bauelemente sind zur Anwendung in Fernseh-Tunern, beispielsweise in Drei-Band-Tunern, geeignet, wobei jeweils Dioden (D1, D2, D3) mit gleicher Kennlinie aus verschiedenen Bauelementen (IC1, IC2, IC3, IC4) in einer Teilempfangseinheit (VHF1, VHF2, UHF) angeordnet und verschaltet sind. Die Integration mehrerer Dioden (D1, D2, D3) reduziert die Anzahl der erforderlichen Bauelemente sowie Aufwand und Kosten bei der Zusammenstellung von Dioden mit guten Gleichlaufeigenschaften.
Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit meh
reren Kapazitätsdioden, die Verwendung des Bauelements in ei
ner Empfangseinheit und eine Schaltungsanordnung, welche ei
nes oder mehrere dieser Bauelemente aufweist.
Zum Empfang verschiedener Fernsehprogramme wird der Empfänger
auf die Frequenz abgestimmt, mit der das jeweilige Programm
ausgestrahlt wird.
Die zu Übertragungszwecken benutzten Frequenzen, beispiels
weise in der Fernsehtechnik, sind in Bereiche eingeteilt, die
als Frequenzbänder bezeichnet werden. Üblicherweise sind Emp
fänger auf ein Frequenzband oder mehrere Frequenzbänder ein
stellbar. Das hat den Vorteil, daß eine Empfangseinheit nicht
für alle zu empfangenden Frequenzen ausgelegt sein muß, son
dern Teilempfangseinheiten vorgesehen sein können, die je
weils nur ein Frequenzband abdecken. Die Abstimmkreise in den
Teilempfangseinheiten sind dann auf das verhältnismäßig klei
ne Frequenzspektrum es jeweiligen Bandes optimiert, vgl. z. B.
DE 36 06 437 C2.
Die bei der Fernsehübertragung benutzten Frequenzen sind in
drei Bänder unterteilt. Das untere VHF-Band umfaßt z. B. das
Frequenzspektrum von 45 bis 126 Megahertz, das obere VHF-Band
die Frequenzen 133 bis 407 Megahertz und das UHF-Band das
Frequenzintervall von 415 bis 860 Megahertz. Für den VHF- und
den UHF-Bereich werden üblicherweise elektrisch unabhängige
Teilempfangseinheiten eingesetzt, die üblicherweise einen Mi
scher und einen Oszillator enthalten. Jede Teilempfangsein
heit enthält mehrere Schwingkreise, welche auf die Empfangs
frequenz oder die Oszillatorfrequenz abgestimmt sind. Als Abstimmelemente
sind in den Schwingkreisen Kapazitätsdioden an
geordnet.
Normalerweise weisen Empfangseinheiten (Tuner) zwei oder drei
Teilempfangseinheiten auf. Bei den sogenannten Drei-Band-
Tunern ist je eine Teilempfangseinheit pro Band vorgesehen.
Weiterhin gibt es Tuner, welche nur zwei Teilempfangseinhei
ten enthalten, wobei eine der beiden Teilempfangseinheiten so
ausgelegt ist, daß die enthaltenen Schwingkreise zwischen
zwei Frequenzbändern umschaltbar sind. Hierfür sind in jedem
Schwingkreis Induktivitäten vorgesehen, von denen eine mit
tels Schaltdioden zum Umschalten kurzgeschlossen werden
kann. Diese Tuner werden als Zwei-Band-Tuner bezeichnet.
Die Schwingkreise im Abstimmbereich einer Teilempfangseinheit
müssen im Gleichlauf sein, um eine konstante Durchlasscharak
teristik und eine konstante Ausgangsfrequenz des Tuners zu
gewährleisten. Deshalb werden an den Gleichlauf der Abstimm
dioden, welche üblicherweise Kapazitätsdioden mit einstellba
rer Kapazität sind, hohe Anforderungen gestellt.
Es sind zwei Möglichkeiten bekannt, Dioden mit guten Gleich
laufeigenschaften zu erhalten: In einem ersten bekannten Ver
fahren werden alle hergestellten Dioden bezüglich ihrer Kenn
linie vermessen, das heißt, es werden beispielsweise sechs
verschiedene elektrische Spannungen angelegt, und jeweils die
bei der angelegten Spannung meßbare Kapazität erfaßt. Dioden,
welche geringe Abweichungen zueinander aufweisen, werden zu
Sätzen zusammengestellt. In einem zweiten, bekannten Verfah
ren werden solche Dioden zu Sätzen zusammengestellt, welche
bei der Herstellung auf dem Wafer unmittelbar benachbart
sind. Dies wird als gleitender Gleichlauf bezeichnet. Den be
schriebenen, bekannten Verfahren ist der Nachteil gemeinsam,
daß sie einen großen elektrischen und logistischen Aufwand
erfordern.
Da die Kapazitätsdioden beziehungsweise Abstimmdioden der
verschiedenen Teilempfangseinheiten für verschiedene Fre
quenzbänder ausgelegt sind, weisen die Dioden unterschiedli
che Kapazitätsbereiche auf. Während die für den unteren Fre
quenzbereich eines Drei-Band-Tuners zu verwendenden Kapazi
tätsdioden eine relativ große Kapazität aufweisen, haben die
für den oberen Frequenzbereich benötigten Dioden eine ver
hältnismäßig kleine Kapazität. Die Kapazitätsbereiche bezie
hungsweise Kennlinien der Kapazitätsdioden können durch Va
riation der Abmessungen der Dioden sowie der Technologie be
einflußt werden.
Tuner, speziell solche, welche für Fernsehgeräte geeignet
sind, unterliegen einem starken Kostendruck. Diesem wird
durch eine höhere Integration der Bauteile beziehungsweise
Reduzierung der Anzahl der Bauelemente begegnet. Allerdings
ist eine gemeinsame Integration eines Satzes von Dioden, wel
che in einer einzigen Teilempfangseinheit einzusetzen sind,
nicht möglich, da durch die dann gegebene Kopplung der Dioden
untereinander die Schwingkreise in einer Teilempfangseinheit
miteinander gekoppelt wären. Der damit verbundene Selektions
verlust läßt diese Alternative als nicht realisierbar er
scheinen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
elektronisches Bauelement mit mehreren Kapazitätsdioden anzu
geben, welches zur Erfüllung der Anforderungen an den Gleich
lauf von Kapazitätsdioden in Fernseh-Tunern geeignet ist, und
zugleich zur Kostenreduzierung beiträgt.
Weiterhin ist es
Aufgabe der Erfindung, die Verwendung des Bauelements in ei
ner Empfangseinheit und eine Schaltungsanordnung mit zumin
dest einem derartigen Bauelement anzugeben.
Bezüglich des Bauelements wird die Aufgabe mit einem elektro
nischen Bauelement mit einer ersten und einer zweiten Diode
gelöst, welche in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind,
welche jeweils eine mit einer Steuerspannung in einem Kapazitätsbereich
zwischen einer kleinsten Kapazität und einer
größten Kapazität einstellbare Kapazität aufweisen, und wel
che jeweils eine Kennlinie der Kapazität in Abhängigkeit von
der Steuerspannung aufweisen, wobei die Kennlinie der zweiten
Diode ein festes, bekanntes Verhältnis zu der der ersten
Diode hat.
Bezüglich der Verwendung wird die Aufgabe gelöst durch Ver
wendung eines oder mehrerer Bauelemente gemäß obiger Be
schreibung in einer Empfangseinheit, welche eine erste und
eine zweite Teilempfangseinheit aufweist, wobei die ersten
Dioden als Abstimmdioden in der ersten Empfangseinheit und
die zweiten Dioden als Abstimmdioden in der zweiten Empfangs
einheit eingesetzt werden.
Besonders gute Gleichlaufeigen
schaften, insbesondere der ersten Dioden untereinander und
der zweiten Dioden untereinander, ergeben sich dann, wenn für
die Bauelemente verwendete Chips, welche die Dioden aufwei
sen, bei der Herstellung vor dem Zersägen auf einem Wafer un
mittelbar benachbart sind.
Bezüglich der Schaltungsanordnung wird die Aufgabe mit einer
Tunerschaltung gelöst, mit einem oder mehreren Bauelementen
gemäß obiger Beschreibung, aufweisend einen ersten Teiltuner,
in welchem die ersten Dioden der Bauelemente angeordnet sind,
und einen zweiten Teiltuner, in welchem die zweiten Dioden
der Bauelemente angeordnet sind.
Das beschriebene Bauelement weist zumindest zwei Dioden auf,
wobei die Kapazität der Dioden jeweils mittels einer Steuer
spannung einstellbar ist. Die kleinste einstellbare Kapazität
und die größte einstellbare Kapazität begrenzen den Kapazi
tätsbereich der Dioden nach unten beziehungsweise oben. Eine
Kennlinie beschreibt die Abhängigkeit der Kapazität von der
Steuerspannung. Die Kennlinie der zweiten Diode hat dabei ein
festes, bekanntes Verhältnis zu dem der ersten Diode. Durch
Ausmessen der Kennlinie der ersten Diode läßt sich zuverläs
sig auf die Kennlinie der zweiten Diode schließen.
Die Integration mehrerer Dioden in einem Bauteil bietet eine
Kostenersparnis, da eine Verkleinerung der benötigten
Chipfläche möglich wird, sowie in Anwendungen, in denen diese
Bauelemente benutzt werden, die Anzahl der erforderlichen
Bauelemente reduziert werden kann. Die Produktionskosten sol
cher Anwendungen, beispielsweise als Empfangseinheiten, sin
ken.
Bei solchen Anwendungen, bei denen sehr hohe Anforderungen an
den Gleichlauf der verwendeten Kapazitätsdioden gestellt wer
den, führt das beschriebene Prinzip ebenfalls zu einer Ko
stensenkung, da jeweils nur noch eine Diode eines Bauelements
kontrolliert werden muß. Denn wenn die elektrischen Eigen
schaften einer Diode eines Bauelements meßtechnisch erfaßt
sind, so sind die elektrischen Eigenschaften der weiteren,
auf demselben Bauelement angeordneten Dioden ebenfalls be
kannt. Denn die Dioden eines Bauelementes sind den gleichen
Fertigungsbedingungen, Umgebungsbedingungen und damit verbun
dener Toleranzen unterworfen. Vergleicht man nun die elektri
schen Eigenschaften, beispielsweise den Kapazitätsbereich,
welcher insbesondere durch kleinste und größte einstellbare
Kapazität gekennzeichnet ist, mehrerer erster Dioden ver
schiedener Bauelemente, beispielsweise durch Messung, und
sind diese ersten Dioden im Gleichlauf, so sind auch alle
zweiten beziehungsweise weiteren Dioden verschiedener Bauele
mente im Gleichlauf. Dies führt zu einem reduzierten Testauf
wand und damit zu einer Kostensenkung.
Die Zusammenfassung mehrerer Dioden auf einem Bauelement
führt weiterhin zu einer höheren Ausbeute.
Die zweite Diode weist ein bezüglich der ersten Diode festes,
bekanntes Kennlinien-Verhältnis auf. Somit gestattet die meß
technische Erfassung der Kennlinie der ersten Diode, das
heißt die Kapazität der Diode als Funktion der angelegten
Steuerspannung, welche beispielsweise durch Messung an mehreren
Punkten erfassbar ist, Rückschlüsse auf die tatsächliche
Kennlinie der zweiten Diode.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weisen
die erste und zweite Diode eines Bauelements ein gleiches Va
riationsverhältnis auf. Das Variationsverhältnis einer Kapa
zitätsdiode ist definiert als Quotient aus größter und klein
ster einstellbarer Kapazität. Dieses Variationsverhältnis ist
unmittelbar abhängig von der Fläche einer Kapazitätsdiode.
Wenn beispielsweise die zweite Diode die doppelte Fläche der
ersten Diode aufweist, so führt dies zu einer vierfachen Ka
pazität. Derartige Bauelemente sind, besonders zur Anwendung
in Empfangseinheiten, welche mehrere Teilempfangseinheiten
mit verschiedenen Frequenzbändern aufweisen, geeignet. Für
höhere Frequenzen sind Kapazitätsdioden mit kleinerer Kapazi
tät und kleinerem Kapazitätsbereich erforderlich.
Das Verhältnis von größter einstellbarer Kapazität zu klein
ster einstellbarer Kapazität kann als Steilheit bezeichnet
werden. Wenn erste und zweite Diode in einem Herstellungsver
fahren bezüglich Implantationen und Dotierungen gleiche Fer
tigungsschritte durchlaufen haben, so ist die Steilheit ihrer
Kennlinien gleich. Dies gilt auch dann, wenn durch eine Grö
ßenskalierung die Fläche einer ersten Diode ein Vielfaches
der Fläche einer zweiten Diode ist. Haben erste und zweite
Diode maskengesteuert unterschiedliche Fertigungsschritte
durchlaufen, so ist die Steilheit ihrer Kennlinien unter
schiedlich.
In einer weiteren, vorteilhaften Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung sind die erste und die zweite Diode in einem
Bauelement monolithisch integriert.
In einer weiteren, vorteilhaften Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung sind auf einem Bauelement benachbarte Dioden
entgegengesetzt gepolt, um die Verkopplung der Dioden zu ver
ringern.
Das Verbinden der Kathoden der Dioden eines Bauelements mit
hochohmigen Widerständen ermöglicht weitere Platz- und Ko
stenersparnis, da in diesem Fall nur noch ein Widerstand für
die Sperrspannungsversorgung des Bauelements notwendig ist.
In einigen Anwendungen für das beschriebene Bauelement werden
zusätzliche Koppeldioden benötigt. Eine derartige Koppeldiode
kann im beschriebenen Bauelement mit integriert sein.
In Zwei-Band-Tunern werden Schaltdioden zum Umschalten ei
ner Teilempfangseinheit zwischen zwei Frequenzbändern benö
tigt. Diese Schaltdioden können im Bauelement integriert
sein.
Die unmittelbar benachbarte Anordnung mehrerer Kapazitäts
dioden auf einem Wafer bei der Herstellung des Bauelements
vor dem Zersägen führt zu einer besonders hohen Paarung der
Dioden der Bauelemente. Dies führt dazu, daß jeweils die er
sten Dioden der Bauelemente sehr gute Gleichlaufeigenschaften
aufweisen, ebenso die zweiten Dioden der Bauelemente. Dies
ist besonders für Anwendungen vorteilhaft, bei denen hohe
Gleichlaufeigenschaften an Dioden eines Bestückungssatzes ge
stellt werden. Dies ist beispielsweise in Empfangseinheiten
von Fernsehgeräten, welche mehrere Teilempfangseinheiten auf
weisen können, gegeben.
Weitere Ausführungen der vorliegenden Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nun an mehreren Ausführungsbeispielen an
hand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung mit einer ersten und einer zweiten Kapazitäts
diode,
Fig. 2 Ein Bauelement gemäß Fig. 1 mit einer dritten Ka
pazitätsdiode,
Fig. 3 Ein Bauelement gemäß Fig. 1, mit hochohmig verbun
denen Kathoden der Dioden,
Fig. 4 Ein Bauelement gemäß Fig. 2 mit hochohmig verbun
denen Kathoden der Dioden,
Fig. 5 Ein Bauelement gemäß Fig. 1 mit einer Koppeldiode,
Fig. 6 Ein Bauelement mit einer Kapazitätsdiode und einer
Schaltdiode,
Fig. 7 Ein Bauelement mit einer ersten und einer zweiten
Kapazitätsdiode und mit einer Schaltdiode.
Fig. 8 Ein Anwendungsbeispiel mit vier Bauelementen gemäß
Fig. 2 in einem 3-Band-Tuner, und
Fig. 9 Ein Anwendungsbeispiel mit vier Bauelementen gemäß
Fig. 7 in einem 2-Band-Tuner.
Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines Bauele
ments mit einer ersten Kapazitätsdiode D1 und einer zweiten
Kapazitätsdiode D2. Diese sind in einem Bauelement inte
griert. Die Kennlinie der zweiten Diode D2 weist ein festes,
bekanntes Verhältnis zu dem Kapazitätsbereich der ersten
Diode D1 auf. Beispielsweise kann durch einfaches Skalieren
der Dioden der Kapazitätsbereich der zweiten gegenüber der
ersten Diode verschieden sein. Denn wenn die zweite Diode ei
ne kleinere Fläche als die erste Diode aufweist, so ist auch
ihre Kapazität kleiner. Eine Verringerung der Kapazität um
den Faktor 4 führt dazu, daß der Kapazitätsbereich der zwei
ten Diode von 1/4 pF bis 5 pF variierbar ist bei einem Kapa
zitätsbereich der ersten Diode von 1 pF bis 20 pF. Das Varia
tionsverhältnis, welches gleich dem Quotienten aus größter zu
kleinster einstellbarer Kapazität ist, bleibt bei dieser ein
fachen Größenskalierung der Dioden, bei der lediglich die
Diodenfläche verändert ist, gleich. Im Zahlenbeispiel beträgt
das Variationsverhältnis der ersten und der zweiten Diode je
weils 20.
Wenn die Variation des Kapazitätsbereichs der Dioden durch
einfaches Größenskalieren, das heißt Vergrößern oder Verklei
nern der Diodenfläche der zweiten Diode D2 bezüglich der
Diodenfläche der ersten Diode D1, nicht ausreicht, so ist ei
ne geeignete Implantation durch ein Dotieren des Halbleiter
materials mit Maskensteuerung bei der Herstellung des Bauele
mentes möglich. Hierdurch ist es beispielsweise möglich, daß
der Kapazitätsbereich der zweiten Diode von 1 pF bis 30 pF
reicht, während derjenige der ersten Diode von 1 pF bis 20 pF
reicht. Die erste und zweite Diode des Bauelements gemäß
Fig. 1 sind entgegengesetzt gepolt, um eine möglichst geringe
Kopplung der Dioden miteinander zu erreichen.
Das Bauelement gemäß Fig. 2 weist ebenso wie das Bauelement
gemäß Fig. 1 eine erste und eine zweite Kapazitätsdiode D1,
D2 auf, darüberhinaus ist aber eine dritte Kapazitätsdiode D3
vorgesehen. Gegenüber den ersten beiden Dioden D1, D2 kann
die dritte Diode D3 ebenfalls durch Größenskalierung einen
veränderten Frequenzbereich aufweisen. Ein derartiges Bauele
ment, welches drei Kapazitätsdioden mit jeweils verschiedenem
Kapazitätsbereich aufweist, ist beispielsweise zur Anwendung
in Drei-Band-Tunern geeignet, da zur Abstimmung der Resonanz
kreise der verschiedenen Frequenzbänder an die Frequenzen an
gepaßte Kapazitätsdioden erforderlich sind. Je höher die Fre
quenz des entsprechenden Frequenzbandes ist, desto kleiner
ist die Kapazität sowie der Kapazitätsbereich der zu verwen
denden Abstimmdiode.
Fig. 3 zeigt ein Bauteil mit einer ersten Kapazitätsdiode D1
und einer zweiten Kapazitätsdiode D2 gemäß Fig. 1, wobei die
Kathodenanschlüsse der beiden Dioden durch einen hochohmigen
Widerstand mit R1 gleich 20 kΩ verbunden sind. Durch Integra
tion eines Widerstands R1 im Bauelement ist zum Anschluß des
Bauelements an eine externe Sperrspannungsversorgung nurmehr
ein Widerstand erforderlich.
Fig. 4 zeigt ein Bauteil mit einer ersten und einer zweiten
Diode D1, D2 sowie einer dritten Diode D3, welche unter
schiedliche Kapazitätsbereiche aufweisen können, wobei die
Kathodenanschlüsse der ersten Diode D1 und der zweiten Diode
D2 mit einem hochohmigen Widerstand R2 miteinander verbunden
sind, und die Kathodenanschlüsse der zweiten Diode D2 und der
dritten Diode D3 ebenfalls mit einem hochohmigen Widerstand
R3 miteinander verbunden sind. Für den Anschluß des Bauele
ments gemäß Fig. 4 an eine Sperrspannungsversorgung ist so
mit ebenfalls nur ein externer Widerstand erforderlich.
Zusätzlich zur ersten Diode D1 und zur zweiten Diode D2 weist
das Bauelement gemäß Fig. 5 eine zusätzliche Koppeldiode D4
auf. Dies kann in solchen Tunern, in denen Koppeldioden benö
tigt werden, vorteilhaft sein. Das Bauelement gemäß Fig. 6
weist eine erste Diode D1 sowie zusätzlich eine Schalterdiode
S1 auf.
Das Bauelement gemäß Fig. 7 weist eine erste Kapazitätsdiode
D1 und eine zweite Kapazitätsdiode D2 gemäß Fig. 1 auf und
zusätzlich eine Schalterdiode S1. Für die Anwendung in Zwei-
Band-Tunern ist ein derartiges Bauelement besonders geeignet,
da in Empfangseinheiten der Fernsehtechnik, welche aus zwei
Teilempfangseinheiten bestehen, eine der beiden Teilempfangs
einheiten so ausgeführt sein muß, daß zwischen zwei Frequenz
bändern umgeschaltet werden kann. Hierfür sollte jeder Ab
stimmdiode beziehungsweise Kapazitätsdiode in einer Teil
empfangseinheit eine Schaltdiode S1 zugeordnet sein.
Fig. 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Drei-Band-
Fernsehtuners, welcher drei Teilempfangseinheiten aufweist.
Dabei ist der untere dargestellte Teilempfänger VHF1 für Fre
quenzen von 45 bis 126 Megahertz ausgelegt, der mittlere Tei
lempfänger VHF2 umfaßt das Frequenzspektrum von 133 bis 407
Megahertz und der dritte Teilempfänger UHF ist zum Empfang im
Frequenzintervall von 415 bis 860 Megahertz geeignet. Jede
Empfangseinheit weist einen Mischer M1, M2, M3 auf, in dem
das Empfangssignal, welches beispielsweise an einem Antennen
eingang ANT zuführbar ist, mit einem lokal in einem Oszilla
tor LO1, LO2, LO3 erzeugten Signal gemischt wird. Jede Tei
lempfangseinheit VHF1, VHF2, UHF weist einen Satz von Kapazi
tätsdioden auf, welche miteinander im Gleichlauf sind. Eine
horizontale Integration der vier zu einer Teilempfangseinheit
gehörenden Abstimmdioden scheidet aus, da die einzelnen
Dioden und damit die Schwingkreise untereinander verkoppelt
wären. Dies würde zu einem Selektionsverlust führen. Möglich
ist aber eine Integration der Abstimmdioden in vertikaler
Richtung. Es werden also jeweils drei Dioden D1, D2, D3 in
einem gemeinsamen Gehäuse zusammengefaßt beziehungsweise in
tegriert. Die Anzahl der Abstimmdioden-Bauelemente kann im
Ausführungsbeispiel von 12 auf 4 reduziert werden. Es werden
nurmehr vier Bauelemente IC1, IC2, IC3, IC4 benötigt, welche
jeweils drei Abstimmdioden D1, D2, D3 aufweisen, welche je
weils an die verschiedenen, entsprechenden Frequenzniveaus
angepaßt sein müssen. Die ersten Dioden D1 der Teilempfangs
einheit mit der niedersten Frequenz VHF1 haben eine relative
große Kapazität. Die dritten Dioden D3 des höchsten Frequenz
bandes UHF haben eine verhältnismäßig kleine Kapazität. Die
Kapazität der zweiten Dioden D2 des mittleren Frequenzbandes
VHF2 liegen dazwischen. Die Kapazität der Kapazitätsdioden
D1, D2, D3 ist mit einer Spannung U einstellbar. Die Anpas
sung der Dioden D1, D2, D3 bezüglich ihres jeweiligen Kapazi
tätsbereichs an das jeweilige Frequenzband ist beispielsweise
mit einer bereits beschriebenen Größenskalierung möglich. Ne
ben der Einsparung von Kosten und Aufwand durch Reduzierung
der Bauelemente erlaubt diese Skalierung eine erleichterte
Dimensionierung der PLL (Phase Locked Loop) -Synthesizer. Es
ergibt sich ein verbessertes Rauschverhalten der Oszillatoren
LO1, LO2, LO3. Die Teilempfangseinheiten VHF1, VHF2, UHF wei
sen jeweils einen Verstärker V1, V2, V3 auf, denen ein Steu
ersignal I zuführbar ist. Das verstärkte Ausgangssignal O ist
an den Ausgängen der Mischer M1, M2, M3 ableitbar.
Die Diodensätze, welche Dioden aufweisen, die sich jeweils im
Gleichlauf befinden, können nunmehr in einfacherer Weise zu
sammengestellt werden, da es genügt, jeweils alle ersten oder
alle zweiten oder alle dritten Dioden bezüglich ihrer elek
trischen Eigenschaften, beispielsweise Kennlinie oder dem Ka
pazitätsbereich, zu erfassen und zu vergleichen. Das Verhält
nis des Kapazitätsbereichs der übrigen Dioden der Bauelemente
zu den verglichenen Dioden ist bekannt, daher sind dann auch
diese Dioden im Gleichlauf.
Wenn bei der Herstellung der Bauelemente, welche mehrere, mo
nolithisch integrierte Kapazitätsdioden aufweisen, die späte
ren Bauelemente auf dem Wafer unmittelbar benachbart angeord
net werden, so lassen sich besonders gute Gleichlaufeigen
schaften der ersten, zweiten und dritten Dioden jeweils un
tereinander erreichen.
Fig. 9 zeigt einen Zwei-Band-Tuner für Fernsehgeräte, wobei
der untere Teilempfänger VHF umschaltbar zwischen zwei Fre
quenzbändern ausgeführt ist. Hierfür sind Schaltdioden S1
vorgesehen, mit denen Induktivitäten (nicht eingezeichnet)
kurzgeschlossen werden und so zwischen zwei Frequenzbereichen
umgeschaltet werden kann. Für die ersten und zweiten Dioden
D1, D2 gilt sinngemäß das in der Figurenbeschreibung der
Fig. 8 ausgeführte. Auf einem Bauelement IC1, IC2, IC3, IC4
sind hierbei jeweils eine erste Diode D1, eine zweite Diode
D2 und eine Schalterdiode S1 angeordnet.
Claims (12)
1. Elektronisches Bauelement mit einer ersten Diode (D1) und
einer zweiten Diode (D2), welche in einem gemeinsamen Gehäuse
angeordnet sind, welche jeweils eine mit einer Steuerspannung
(U) in einem Kapazitätsbereich zwischen einer kleinsten Kapa
zität und einer größten Kapazität einstellbare Kapazität auf
weisen, und welche jeweils eine Kennlinie der Kapazität in
Abhängigkeit von der Steuerspannung (U) aufweisen, wobei die
Kennlinie der zweiten Diode (D2) ein festes, bekanntes Ver
hältnis zu der der ersten Diode (D1) hat.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das aus dem Quotienten aus größter und kleinster einstellba
rer Kapazität gebildete Variationsverhältnis der ersten Diode
(D1) und der zweiten Diode (D2) gleich ist.
3. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Diode (D1) und die zweite Diode (D2) in dem Bauele
ment monolithisch integriert sind.
4. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die einstellbaren Kapazitätsbereiche der ersten Diode (D1)
und der zweiten Diode (D2) verschieden sind.
5. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
4,
dadurch gekennzeichnet, daß die
benachbarte Dioden (D1, D2) entgegengesetzt gepolt sind.
6. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kathodenanschlüsse der Dioden (D1, D2) miteinander über
Widerstände (R1, R2) verbunden sind.
7. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
6,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Koppeldiode (D4) vorgesehen ist, deren Kathodenanschluß
mit den Kathodenanschlüssen der ersten Diode (D1) und der
zweiten Diode (D2) verbunden ist.
8. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
7,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Bauelement eine Schaltdiode (S1) aufweist.
9. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis
8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Anschlüsse der ersten und zweiten Dioden (D1, D2) aus dem
Gehäuse herausgeführt sind.
10. Verwendung eines oder mehrerer Bauelemente (IC1, IC2,
IC3, IC4) nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
in einer Empfangseinheit, welche eine erste und eine zweite
Teilempfangseinheit aufweist, wobei die ersten Dioden (D1)
als Abstimmdioden in der ersten Empfangseinheit (VHF1) und
die zweiten Dioden (D2) als Abstimmdioden in der zweiten Emp
fangseinheit (VHF2) eingesetzt werden.
11. Herstellung eines oder mehrerer Bauelemente (IC1, IC2,
IC3, IC4), nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die
zur Herstellung der Bauelemente (IC1, IC2, IC3, IC4) verwen
deten Chips auf dem Wafer vor einem Zersägen desselben unmit
telbar benachbart sind.
12. Tunerschaltung mit einem oder mehreren Bauelementen (IC1,
IC2, IC3, IC4) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, aufweisend
- - einen ersten Teiltuner, in welcher die ersten Dioden (D1) der Bauelemente (IC1, IC2, IC3, IC4) angeordnet sind und
- - einen zweiten Teiltuner, in welcher die zweiten Dioden (D2) der Bauelemente (IC1, IC2, IC3, IC4) angeordnet sind.
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