DD219567A5 - Verfahren und geraet fuer die fehlerpruefung von uebertragungsmasken von leitungsmustern integrierter schaltungen - Google Patents
Verfahren und geraet fuer die fehlerpruefung von uebertragungsmasken von leitungsmustern integrierter schaltungen Download PDFInfo
- Publication number
- DD219567A5 DD219567A5 DD84265112A DD26511284A DD219567A5 DD 219567 A5 DD219567 A5 DD 219567A5 DD 84265112 A DD84265112 A DD 84265112A DD 26511284 A DD26511284 A DD 26511284A DD 219567 A5 DD219567 A5 DD 219567A5
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- mask
- line pattern
- pattern
- photomask
- distortion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Eine Fotomaske (12) mit einem darauf abgebildeten Leitungsmuster, die bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen Anwendung findet, wird unter Ausschaltung der geometrischen Verzerrung der Fotomaske genau ueberprueft. Zu diesem Zweck werden die Positionen von zumindest drei Lagenmarkendaten auf der Fotomaske, die auf einer X-Y-Auflage (11) abgelegt wurde, optisch nachgewiesen. Mit Hilfe der nachgewiesenen Lage dieser Marken wird die geometrische Verzerrung der Fotomaske berechnet. Entsprechend der nachgewiesenen Verzerrung der Fotomaske wird das Bezugssignal, das anhand der Entwurfsmusterdaten erzeugt wird, kompensiert (korrigiert), wobei die Entwurfsmusterdaten mit einem Messsignal zu vergleichen sind, das durch optische Messung des Leitungsmusters ermittelt wird. Fig. 1
Description
Verfahren und Gerät für die Fehlerprüfung von Übertragungsmasken von Leitungsmustern integrierter Schaltungen Anwendungsgebiet der Erfindung " I
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und ein Gerät für die Fehlerkontrolle von Übertragungsmasken für Leitungsmuster integrierter Schaltungen, wie sie bei der Herstellung von Großintegrationsschaltungen verwendet werden.
Bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen werden bei Fotomasken, Elektronenstrahl-oder Röntgenstrahlmasken, die für die Übertragung eines auf diesen aufgezeichneten Leitungsmusters auf eine Halbleitereinkristallscheibe (Halbleiterwafer) bestimmt sind, verschiedene Defekte wie beispielsweise Verunreinigungen, Unterbrechungen des Leitungsmusters und Verzerrungen des Leitungsmusters festgestellt. Bei Vorhandensein derartiger Defekte wird der Produktionsausstoß bei der Herstellung von Hälbleitererzeugnissen herabgesetzt. Bei einem herkömmlichen Fehlernachweisgerät wird während der Kontrolle Licht auf die Fotomaske projiziert. Das durch die Fotomaske hinduithgelassene Licht wird durch einen Bildwandler abgetastet, und das durch den Bildwandler abgegebene Signal wird Bildelement für Bildelement oder Punkt für Punkt mit einem Binärsignal, das den Entwurfsmusterdaten entspricht, verglichen. Bei der Kontrolle wird die Einschätzung, daß ein Defekt beim Leitungsmuster vorliegt, nur dann gegeben, wenn sieh die Differenz zwischen den Meßdaten und den Entwurfsdaten über zwei oder drei Punkte fortsetzt, so daß den unvermeidlichen Meßfehlern Rechnung getragen wird. Diese Tatsache beinhaltet, daß das herkömmliche Kontrollgerät keine Defekte nachweisen kann, die kleiner als ein Bildelement (Bildpunkt) sind.
Ein verbessertes Fotomaskenkontrollgerät wird in der DDR-Patentanmeldung Nr. AP H 01 J/255 306/5, Einrichtung vom 3O.September 1983, offenbart. ν
Bei diesem verbesserten Fehierprüfgerätwird an jedem Meßpunkt (Lichtprojektionspupkt) auf der Fotomaske ein analoges Meßsignal in ein digitales Mehrpegelsignal umgewandelt und die Lage des Meßpunktes wird mit größerer Feinheit als mit Biidelementgröße gemessen. Anhand der Entwurfsmusterdaten werden für den Fall, daß keine Fehler an den Meßstellen auftreten, Mehrpegelbezugsdaten berechnet, die der Empfindlichkeit des verwendeten Bildwandlers Rechnung tragen. Die Bezugsdaten werden mit den Meßdaten verglichen. Damit können die Fehierprüfungen mit großer Genauigkeit erfolgreich vorgenommen werden. ,, . ' ,"
Bei der Fehlerprüfung von Fotomasken können Temperaturänderungen, die von der Herstellungsphase der Maske bis zur Prüfphase beobachtet werden, und die häufig unzureichende Genauigkeit des Herstellungsprozesses zur Vergrößerung oder Verkleinerung der Abmessungen in der X- und Y-Richtung sowie zu einer Veränderung der Rechtwinkligkeit der Fotomaske _ desTeitungsmusters führen·. Die Vergrößerung und Verkleinerung der Abmessungen der Fotomaske und die Verzerrung des Leitungsmusters verursachen natürlich Fehler während der Prüfung der Fotomasken. Deshalb wird verstärkt gefordert, daß
; ι
das Prüfgerät in der Lage ist, die Vergrößerung und Verkleinerung der Abmessungen der^Maske und die Musterverzerrung zu
kompensieren. . _ / , ,' -
Dafür ist es erforderlich, daß die Fotomaske genau auf das optische Abtastsystem ausgerichtet wird. Für die Ausrichtung der Fotomaske auf das optische Abtastsystem wird die Läge einer Positionierungsmaske, die auf der Fotomaske aufgebracht wurde, nachgewiesen und anschließend in eine vorgegebene Stellung gebracht. Ein verbessertes Verfahren für den Nachweis der Lage der Positionierungsmarke auf der Fotomaske, die für die genaue Positionierung der Fotomaske in einem optischen System verwendet wird, wird in der DDR-Patentanmeldung Nr. AP G 01 B/258 693/2, Einreichung vom 27. Dezember 1983, , offenbart. ' ; ,
Ziel der Erfindung ν
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines Maskenkontrollgerätes, das alle Fehler auf einer Übertragungsmaske für Leitungsmuster integrierter Schaltungen sowie Verzerrungen des Leitungsmusters der Maske genau nachweisen kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Gerät werden die Positionen von mindestens drei Lagenmarken, die auf einer IS-Leitungsmuster-Übertragungsmaske aufgebracht wurden, nachgewiesen. Mit Hilfe der nachgewiesenen Lagen wird zur Ermittlung der geometrischen Verzerrung der Maske wie beispielsweise des Ausmaßes der Vergrößerung und Verkleinerung der Maskenabmessungen und der Veränderung der Orthogonalität des Leitungsmusters eine Berechnung durchgeführt. Die Bezugsdaten (binäres oder Mehrpegelsignal), die auf der Grundlage der Entwurfsmusterdaten berechnet wurden und die mit einem Meßsignal zu vergleichen sind, das durch optische Messung der Maske ermittelt werden muß, werden in . Übereinstimmung mit dem Ausmaß der Verzerrung der Maske kompensiert. Dieses Merkmal gestattet einen genauen Fehlernachweis des Leitungsmusters einer integrierten Schaltung ohne Beeinflussung durch die Maskenverzerrung. Die gemessenen L'agedaten der Maske, die für die Erarbeitung der Bezugsdaten herangezogen werden, werden korrigiert, so daß sie Daten entsprechen, die die Lage des Entwurfsmusters auf der Maske entsprechend der geometrischen Verzerrung der Maske widergeben. Auf diese Weise können die Bezugsdaten entsprechend korrigiert werden. Erfindungsgemäß kann die geometrische Verzerruhgsprüfung der Maske mit demselben Fehlerprüfgerät vor der Leitungsmusterprüfung vorgenommen werden. Damit ist es möglich, die Maske aus der Leitungsmusterprüfung auszuschließen, bei der während der Verzerrungsprüfung vor der Leitungsmusterprüfung festgestellt wurde, daß die Verzerrung die vorgegebene "[oleranz überschreitet. Das Ergebnis ist eine Verbesserung der Leistung der gesamten Prüfprozesse.
Ausführungsbeispiele ;
In der Zeichnung zeigen: ,
Figur 1 ein Blockschaltbild eines erfihdungsgemäßen Fotomaskenkontrollgerätes, Figur 2 schematisch den Aufbau eines Bildmeßfühlers in einem Signalwandler in der Schaltung gemäß Figur 1, Figur 3 als Blockschaltbild eine Lagendatenkorrekturschaltung,
Figur4die Anordnung der Lagennachweismarken auf einer Fotomaske,
Figur 5 ein Diagramm, das der Erläuterung dient, wie die Mittenlage der einzelnen Lagennachweismarken auf der Fotomaske
bestimmt werdenikann, und > . -
Figur 6 zum Vergleich ein Entwurfsmuster und ein verzerrtes Muster einer Fotomaske.
Die Auflage 11 in Figur 1 umfaßt eine X-Auflage 11 b, die in der X-Richtung beweglich ist, und eine Y-Auflage 11 a, die auf einer X-Auflage 11 b angeordnet und in der Y-Richtung beweglich ist Eine zu prüfende Fotomaske wird auf die Y-Auflage 11 a gelegt. Die Auflage 11 wird durch einen Auflagenantrieb 14 angetrieben, der auf einen Befehl hin in Gang gesetzt wird, der von einem Rechner 13 ausgesendet wird. Die Stellung der Auflage 11 wird durch ein Laser-Interferometer 15 gemessen. Die Meßdaten für die Stellung von Auflage 11 werden zu einer Lagenmeßeinheit 16 geschickt. Die Lagenmeßeinheit 16 berechnet die Lage des vorliegenden Meßpunktes auf der Fotomaske 12 auf der Basis der Stellungsberechnungsparameter von Rechner 13. Die Lagendaten, die von der Lagenmeßeinheit 16 ermittelt werden, werden vorübergehend in einem Pufferspeicher 17 gespeichert und in den Rechner 13 überführt.
Eine Lichtquelle 18 ist oberhalb von Auflage 11 angebracht. Das durch die Lichtquelle 18 abgegebene Licht wird durch eine Linse 19 gebündelt und auf die Fotomaske 12 projiziert, die sich auf der Auflage 11 befindet. Das durch die Fotomaske 12 übertragene Licht wird mit Hilfe einer Linse 20 auf einem Bildmeßfühler 2Ta eines Signalwandlers 21 abgebildet, der stationär angeordnet ist. Der Bildmeßfühier 21 a umfaßt eine Vielzahl von Sensorelementen 2I1 bis 21 n, die in einer Reihe angeordnet ,sind, wie dies in Figur 2 gezeigt wird. Aus dem Bildmeßfühler 21 a wird ein analoges Meßsignal für jeden Meßpunkt ausgelesen, und zwar in zeitlicher Übereinstimmung mit der Bewegung der Auflage 11. Das ausgelesene analoge Signal wird dann in ein digitales Mehrpegelsignal umgewandelt. Das durch den Signalwandler 21 erzeugte digitale SignaLwird in einem ,
Pufferspeicher 22 gespeichert und anschließend in den Rechner weitergeleitet. Das digitale Meßsignal wird auch zu einem Fehlerprüfgerät 23 weitergeleitet.
Es wird ein Bezugsdatengenerator 24 bereitgestellt, der wie in der oben erwähnten Patentanmeldung beschrieben, für jeden Meßpunkt ein Bezugsdaten-Mehrpegeisignai — das der Empfindlichkeitscharakteristik des Bildmeßfühlers 21 a Rechnung trägt — auf der Grundlage der Musterentwurfsdaten, die vom Rechner 13 bereitgestellt werden und der Lagedaten des Meßpunktes, die von der Lagenhneßeinheit 16 zur Verfugung gestellt werden, erzeugt. Das Bezugsdatensignal wird mit dem Meßdatensignal vom Signalwandler 21 im Fehlernachweisgerät 23 verglichen. Das Fehlernachweisgerät 23 vergleicht beide Daten, und wenn zwischen ihnen ein Fehler über einen festgelegten Wert hinaus festgestellt wird, dann schätzt es ein, daß ein Leitungsmuster auf der Fotomaske einen Fehler ausweist. Wenn der Fehler ,nachgewiesen ist, dann speichert das Fehlerprüfgerät 23 den Meßwert vom Signalwandler 21 im Datenpufferspeicher 22, und es speichert in einem Pufferspeicher 17 auch die Lagedaten
des fehlerhaften Abschnittes der Fotomaske, die von der Lagenmeßeinheit 16 abgegriffen werden.
Eine Kompensationsschaltung 28 umfaßt die Datenpufferspeicher 25, 26 und 27, wie dies in Bild 3 gezeigt wird. Mit Hilfe dWr Mittenlagen, der Lagennachweismarken auf der Fotomaske berechnet der Rechner 13 den Grad der Abweichung δ, θ ο, ΔΘ von der Orthogonalität, die Vergrößerung (Verkleinerung) der Abmessung Γη der Y-Richtung Ae sowie die Vergrößerung , (Verkleinerung) der Abmessung in der X-Richtung AWo, AW, wie dies in Figur 6 gezeigt wird. In Figur 6 stellt der Bereich Q, Q1,
Q2, Q3 (durchgezogene Linien) den Musterbereich auf der Fotomaske dar, den der Bildmeßfühler gerade mißt, und der Bereich Q', Q',, Q'2, Q'3 (Strichlinien) stellt den Entsprechenden Bereich des Entwurfmusters dar. δ ist der Betrag der Winkelverschiebung der linken Seite des Musterbereiches, θ ο ist der Betrag der Winkelverschiebuhg der Oberseite, ΔΘ ist die Differenz zwischen der Winkelverschiebung der oberen und unteren Seite, Ae ist der Betrag der Maßveränderung der linken Seite, AWo ist die Vergrößerung (Verkleinerung) der oberen Seite und AW ist die Differenz zwischen der Vergrößerung (Verkleinerung) der Abmessungen der oberen Seite und der unteren Seite. Diese Werte können anhand der Koordinaten der Eckpunkte Q', Q',, Q'2 und Q'3 des Entwurfsmusterbereiches geometrisch berechnet werden, die den Eckpunkten Q,-d,, Q2, Q3 des gemessenen Musterbereiches entsprechen, die von den Mittenlagen der Lagennachweismarken 31 bis 33 gemäß Figur 4 unter Anwendung der Interpolationsberechnungen berechnet werden. Figur 6 zeigt den Musterbereich der Maske und das Entwurfsmuster, das parallel darüber bewegt wurde, so daß Q-und Q' die gleiche Lage einnehmen können.
Wenn drei Lagennachweismarken herangezogen werden, dann können die Daten AW und ΔΘ nicht ermittelt werden. Deshalb wird der Entwurfsmusterbereich Q', Q',, Q'2,-Qf3 als Parallelogramm betrachtet (AW = Q, ΔΘ = Q). Nichtsdestoweniger wurde experimentell bestätigt, daß die drei Lagennachweismarken ausreichen, um die Maske mit hoher Genauigkeit zu prüfen,jso lange die Winkeländerung der Seiten und die Vergrößerung (Verkleinerung) der Abmessungen verhältnismäßig klein sind. In Figur 6 gibt die Linie AB einen Bereich an, der durch einen Abtastvorgang des Bildmeßfühlers gemessen wird. Punkt A gibt die Abstaststartstellung und Punkt B die Abtastendstellung an. Die Punkte A' und B' sind die Stellungen für die Entwurfsdaten, die den Punkten A und B entsprechen. Von Figur 6 werden die folgenden Näherungsgleichungen abgeleitet:
Δ XO.'= δ y
Δγο = *·· AS. .
Y
Θ = Θ ο +— - ΔΘ
Ax1 = Wo + — -AW
-Ay2 ,= χ ... Θ
„ . 2 ="w Xl '
Des weiteren:
Χ-χ + Δχο + Ax2 .
Y = y + Ayo + Ay2
Auf der Grundlage der obigen Berechnungen können die Lagedaten (X, Y) des Punktes P' auf dem Entwurfsrnuster bestimmt werden, die den Lagedaten (x, y) des Meßpunktes P des gemessenen Musters entsprechen. Die Kompensationsschaltung 28 der Figur 3 führt die oben erwähnten Kompensationsberechnungen aus. pie Daten, die die veränderlichen Größen δ, θ ο und ASdes Orthogonalitätsgrades des Musters darstellen, und die Verlängerung (Verkürzung) der Seiten in der Y-Richtung Ae und die Verlängerung (Verkürzung) in der X-Richtung AWo und AW der Maske werden in den Pufferspeichern 25, 26 bzw. 27 gespeichert. In der Kompensationsschaltung 28 werden die Lagedaten der einzelnen Meßpunkte mit Hilfe der Daten aus den , Pufferspeichern 25, 26 und 27 in Übereinstimmung mit den oben angeführten Berechnungsgleichungen korrigiert. Es werden nämlich, wie in Figur 6 dargestellt, die Lagedaten (x, y), die den Meßpunkt P auf dem gemessenen Musterbereich Q, Q1, Q2, Q3 darstellen, korrigiert, um die Lage (X, Y) des entsprechenden Punktes P' auf dem Entwurfsmusterbereich Q',.Q'i, Q.'2, Q'3 darzustellen. Anschließend vergleicht die Fehlerentscheidungsschaltung 23 die Bezugsdaten mit dem Meßdatensignal vom Signalwandler 21. Bei Nachweis eines Defektes speichert die Fehlerentscheidungsschaltung 23 die Lagedaten des fehlerhaften Abschnittes und die Meßdaten in die Pufferspeicher 17 bzw. 22 ein.
Das Fotomaskenkontrollgerät gemäß der vorliegenden Erfindung kann in zwei Betriebsarten betrieben werden, und zwar in der Betriebsart „Fotomaskenlagenachweis" und in der sich anschließenden Betriebsart Leitungsmusterkontrolle". In der Betriebsart „Fotomaskenlagennachweis" werden die Mittenlagen von drei oder mehr Lagennachweismarken 31 bis 34, die sich an den Ecken der Fotomasken befinden, nachgewiesen, und zwar mit Hilfe des Signalwandlers 21 zur Ausrichtung der Fotomaske mit dem optischen Nachweissystem, wobei die geometrischen Verzerrungsgrößen der Fotomaske anhand der Mittenlagen der nachgewiesenen Lagennachweismarken berechnet werden.
In der Betriebsart „Fotomaskenlagennachweis" können die Mittenlagen der Lagennachweismarken unter Anwendung jenes Verfahrens nachgewiesen werden, das in der oben erwähnten älteren Anmeldung beschrieben wird. Bei dieser Betriebsart wird die Auflage 11 so positioniert, daß die Mitte der Lagenmarke 31 der Fotomaske 12 nahezu mit der optischen Achse des 'optischen Systems übereinstimmt. Im Anschluß daran wird die Lagenmarke durch die Lichtquelle 18 beleuchtet. Der Signalwandler 21 wird angetrieben, während die Y-Aufläge 11 a in der Y1-Richtung bewegt wird (senkrecht zur Reihe der Bildsensorelemente des Bildmeßfühlers). Durch diesen Vorgang werden anschließend die nachgewiesenen Signale für die Lagenmarke 31 aus den Bildsensorelementen ausgelesen. Die ausgeleseneh Meßdaten werden in den Puffer 22 eingespeichert. Zur gleichen Zeit speichert die Lagenmeßeinheit 16 Daten über die Lage der betreffenden Bildsensorelemente auf der Fotomaske im Datenpufferspeicher 17. Der Rechner 13 berechnet die Lage eines Randes 31 a der Marke 31 durch die Analyse des Meßsignales und der Lagendaten. Anschließend berechnet der Rechner 13 durch Bewegen der Y-Auflage 11 a in der Richtung Y2 gegenüber von Y1 die Lage des Randes 31 b auf der Grundlage des Meßsignals und der Lagedaten, die zum Rand 3,1 b gehören. Der Rechner 1.3 berechnet weiter die Mitteniage der Marke 31 in der Y-Richtung mit Hilfe der Positionen der Ränder 31a und 31b. . . -— : : : : — :- — -- ——,
Anschließend wird die X-Auflage 11 b in einer X1-Richtung (in Richtung der Reihenanordnung der Bildsensorelemente) bewegt. Während dieser Bewegung der X-Auflage 11 b, wird die Lage eines Randes 31 c der Lagenmarke 31 ermittelt. Des weiteren wird die Lage eines Randes 31 d der Lagenmarke 31 ermittelt, während die X-Auflage 11 b in der Richtung X2,dieX1 gegenüberliegt, bewegt wird. Unter Heranziehung der Lagen der Ränderr 31 c und 31 d wird die Mittenlage der Lagenmarke 31 in der X-Richtung berechnet. Die Mittenlage der Lagenmarke 31 wird auf der Grundlage der Mittenlagen in der X- und Y-Richtung ermittelt. .
Anschließend werden die Mittenlagen der verbleibenden Lagenmarken 32,33 und 34 in gleicherweise ermittelt. Der Rechner 13 kann den Grad der Abweichung von der Orthogonalität und den Betrag der Verlängerung (Verkürzung) des Leitungsmusters anhand der nachgewiesenen Mittenlagen von zumindest drei Marken berechnen.
Der Grad der Abweichung von der Orthogonalität des Leitungsmusters und der Verlängerung (Verkürzung),der Fotomaske werden in den Pufferspeichern 25 bis 27 gemäß Figur 3 gespeichert. Anschließend wird das Gerät in der Betriebsart ,
„Leitungsmusterkontrolle" betrieben. In dieser Betriebsart wird das Leitungsmuster auf der Fotomaske durch Licht erleuchtet Und die Meßsignale werden vom Signalwandler 21 abgenommen.
Die Lagenmeßdaten für die Auslesung der Bezugsdatensignale aus dem Bezugsdatengenerator 24 werden gemäß dem Betrag der geometrischen Verzerrung der Fotomaske korrigiert. Das heißt, die Bezugsdaten werden entsprechend korrigiert. Das korrigierte Bezugsdatensignal wird mit dem Meßdatensignal verglichen. Demgemäß wird eine sehr genaue Kontrolle des Leitungsmusters garantiert, die durch eine geometrische Verzerrung der Fotomaske nicht beeinflußt wird. Neben der Kontrolle der oben beschriebenen Fotomaske kann die Erfindung auch für die Kontrolle von Elektronenstrahl-Übertragungsmasken, von Röntgenstrahlübertragungsmaskeh und dergleichen angewendet werden. Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die Meßsignale anhand des Lichtes ermittelt, das durch die Fotomaske fällt. Das von der Fotomaske reflektierte Licht dagegen wird für die Erzeugung der Meßsignale verwendet. Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden auch bestimmte Lagennachweisdaten auf der Maske für die Messung der geometrischen Verzerrung herangezogen. Es können jedoch auch einige Teile des IS-Leitungsmusters auf der Maske als Lagennachweismarken herangezogen werden. In diesem Fall sind spezielle Lagennachweismarken nicht vonnöten.
Claims (4)
- Erfindungsansprüche:1. Verfahren für die Kontrolle einer Maske für die Übertragung eines Leitungsmusters auf ein Halbleiterwafer, wobei diese Maske mindestens drei Lagennachweismarken und das Leitungsmuster für die Herstellung einer integrierten Schaltung aufweist, gekennzeichnet dadurch, daß das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: : Nachweis der Lage von Lagennachweismarken; .Nachweis einer Verzerrung auf der Maske auf der Grundlage der nachgewiesenen Lagen der Lagennachweismarken; Ermittlung von Meßdatensignalen des Leitungsmusters durch die optische Kontrolle des Leitungsmusters der Maske;. Kompensation (Korrektur) von Bezugsdaten, die auf der Grundlage eines Entwurfsleitungsmustefs der Maske gemäß der Verzerrung der Maske erarbeitet werden; und
Vergleichen des kompensierten Bezugsdatensignals mit dem Meßdatensignal des Leitungsmusters. . - 2. Maskenkontrollgerät für eine Maske mit zumindest drei Lagennachweismarken und einem Leitungsmuster, das auf ein Halbleiterwafer zu übertragen ist, bestehend aus einer X-Y-Auflage, auf die die Maske gelegt wird, einer Auflagenäntriebsvorrichtung für die Bewegung der X-Y-Auflage in der X- und Y-Richtung der Maske, einer Vorrichtung für die Messung der Stellung der Auflage; einer Lichtquelle für die Beleuchtung der Maske auf der Auflage, einem Lichtmeßfühler (Bildmeßfühler) für die Erzeugung der Meßdatensignale, die bei Beleuchtung der Maske während der Bewegung der Auflage das Leitungsmuster darstellen, einer Vorrichtung -für den Vergleich der Meßdatensignale, die von dem Lichtmeßfühler abgegriffen werden, mit einem Bezugsdatensignal, das ein Entwurfsleitungsmuster darstellt, für den Nachweis eines Fehlers dieses Leitungsmusters auf der Fotomaske; und einem Rechner (13) für die Erteilung von Befehlen an die Auflagenantriebsvorrichtung (14) zur Bewegung der X-Y-Auflage (11) und für den Empfang der Lagedaten von der Auflagenstellurigsmeßeinrichtung (15) und des Meßdatensignals vom Lichtmeßfühler (21), gekennzeichnet dadurch, daß der Rechner (13) für den Nachweis der Lage der Maskenlagennachweismarken (31 bis 34) während der.Betriebsart „Maskeniagennachweis"—vor der Betriebsart . „Leitungsmusterkontrolle" —der Maske vorhanden ist, so daß eine geometrische Verzerrung der Maske (12) nachgewiesen wird; und daß eirje Vorrichtung (28) für die Kompensation des Bezugsdatensignals vorgesehen ist, das mit dem Meßdatensignal vom Lichtmeßfühler (21) (Bildmeßfühler) entsprechend der geometrischen Verzerrung, die durch den Rechner (13) nachgewiesen wurde, verglichen wird. .
- 3. Maskenkontrollgerät nach Anspruch 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Verzerrung der Maske, die durch den Rechner (13) nachgewiesen wird, die Verlängerung und Verkürzung der Maske in der X- und Y-Richtung sowie eine Veränderung der Orthogonalität des Leitungsmusters beinhaltet. ,
- 4. Maskenkontrollgerät gemäß Anspruch 2, gekennzeichnet dadurch, daß des weiteren eine Vorrichtung (24) für die Erzeugung von Bezugsdatensignalen vorgesehen ist, wobei diese Vorrichtung (24) für die Erzeugung von Bezugsdatensignalen diese Signale auf den Empfang der Lagedaten hin erzeugt, die von der Lagenmeßvorrichtung (15) abgegriffen werden, um ein Bezugsdatensignal zu erzeugen, das das Entwurfsmuster in der entsprechenden Lage widergibt, wobei eine Kbmpensationsvorrichtung (28) für die Korrektur der Lagedaten von der Lagenmeßvorrichtung (15) entsprechend der Verzerrung der Maske vorgesehen ist, so daß die gemessene Lage auf der Maske entsprechend der Lage auf dem' Entwurfsmuster korrigiert wird. 'Hierzu 3 Seiten Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58128913A JPS6021523A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | マスク欠陥検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD219567A5 true DD219567A5 (de) | 1985-03-06 |
Family
ID=14996461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD84265112A DD219567A5 (de) | 1983-07-15 | 1984-07-10 | Verfahren und geraet fuer die fehlerpruefung von uebertragungsmasken von leitungsmustern integrierter schaltungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0132122B1 (de) |
JP (1) | JPS6021523A (de) |
DD (1) | DD219567A5 (de) |
DE (1) | DE3475107D1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3907279A1 (de) * | 1988-03-07 | 1989-09-28 | Gerber Scientific Instr Co | Verfahren und einrichtung zum kalibrieren der von einem direkt abbildenden belichtungssystem erzeugten struktur |
DE19623192A1 (de) * | 1996-06-11 | 1997-12-18 | Aristo Graphic Systeme | Vorrichtung und Verfahren für konturgenaue Bearbeitung flächiger Vorlagen und Objekte |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2587489B1 (fr) * | 1985-09-16 | 1988-07-08 | Bertin & Cie | Procede de controle optique automatique d'objets tels que des circuits integres |
JPH0781956B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体用基板上の異物検出装置 |
GB8612088D0 (en) * | 1986-05-19 | 1986-06-25 | Marconi Instruments Ltd | Pattern alignment generator |
JPS63191041A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-08 | Komori Printing Mach Co Ltd | 濃度測定位置合わせ方法 |
JPH02148180A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Nippon Seiko Kk | パターン検査方法及び装置 |
JPH07101667B2 (ja) * | 1990-07-16 | 1995-11-01 | 株式会社東芝 | プロキシミティ露光装置 |
JPH055981A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Ushio Inc | フイルム露光装置におけるマスクの精度の測定方法 |
GB2264779B (en) * | 1992-02-20 | 1996-05-01 | Thermoteknix Systems Ltd | Monitoring changes in image characteristics |
EP0996083B1 (de) * | 1992-09-28 | 2003-03-26 | Olympus Optical Co., Ltd. | System zur Informationswiedergabe für optische Punktcode-Ablesung von einem Aufzeichnungsmedium |
LT3299B (en) | 1993-05-07 | 1995-06-26 | Alvydas Pikunas | Stable petrol-ethanol-water fuel composition |
JP2924635B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置の製造誤差の補正方法 |
US6211505B1 (en) | 1997-12-25 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method and apparatus for checking shape |
JP2008014700A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Olympus Corp | ワークの検査方法及びワーク検査装置 |
TWI497055B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-08-21 | Hoya Corp | 透過率測定裝置、光罩之透過率檢查裝置、透過率檢查方法、光罩製造方法、圖案轉印方法、光罩製品 |
US20130243715A1 (en) * | 2010-11-24 | 2013-09-19 | L'oreal S.A. | Compositions containing acrylic thickener and oil |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2076533A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-02 | Aerodyne Research Inc | Mask Analysis |
EP0054596B1 (de) * | 1980-12-18 | 1985-05-29 | International Business Machines Corporation | Verfahren für die Inspektion und die automatische Sortierung von Objekten, die Konfigurationen mit dimensionellen Toleranzen aufweisen und platzabhängige Kriterien für die Verwerfung, Anlage und Schaltung dafür |
JPS57198627A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Reticle |
JPS5837923A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Toshiba Corp | フオトマスクの検査装置 |
JPS5963725A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-11 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
JPS59119204A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | マ−ク位置検出方法 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP58128913A patent/JPS6021523A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-10 DD DD84265112A patent/DD219567A5/de not_active IP Right Cessation
- 1984-07-11 DE DE8484304754T patent/DE3475107D1/de not_active Expired
- 1984-07-11 EP EP84304754A patent/EP0132122B1/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3907279A1 (de) * | 1988-03-07 | 1989-09-28 | Gerber Scientific Instr Co | Verfahren und einrichtung zum kalibrieren der von einem direkt abbildenden belichtungssystem erzeugten struktur |
DE19623192A1 (de) * | 1996-06-11 | 1997-12-18 | Aristo Graphic Systeme | Vorrichtung und Verfahren für konturgenaue Bearbeitung flächiger Vorlagen und Objekte |
DE19623192C2 (de) * | 1996-06-11 | 2000-08-03 | Aristo Graphic Systeme | Verfahren zur Ermittlung von Meßwerten aus einer abzutastenden Vorlage und Bearbeitungsplotter zu dessen Durchführung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6352452B2 (de) | 1988-10-19 |
EP0132122A3 (en) | 1985-09-18 |
EP0132122B1 (de) | 1988-11-09 |
DE3475107D1 (en) | 1988-12-15 |
EP0132122A2 (de) | 1985-01-23 |
JPS6021523A (ja) | 1985-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19829986C1 (de) | Verfahren zur Direktbelichtung von Leiterplattensubstraten | |
DE2557675C2 (de) | Verfahren zum Ausrichten von mit zwei Markierungen von bekanntem Abstand versehenen planaren Werkstücken | |
DE112016004904B4 (de) | Überprüfungsmethode und Überprüfungsvorrichtung | |
DD219567A5 (de) | Verfahren und geraet fuer die fehlerpruefung von uebertragungsmasken von leitungsmustern integrierter schaltungen | |
DE69631260T2 (de) | Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung | |
DE69133544T2 (de) | Vorrichtung zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat | |
DE69634089T2 (de) | Verbesserung der ausrichtung von inspektionsystemen vor der bildaufnahme | |
DE2905636C2 (de) | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück | |
DE102014204876A1 (de) | Inspektionsverfahren und Inspektionsvorrichtung | |
DE102015213045B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturelementen einer photolithographischen Maske | |
DE2810025A1 (de) | Vorrichtung zur messung der neigung einer flaeche | |
DE19500382A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Kompensieren von Substratverzerrungen in einem automatischen optischen Prüfsystem für Leiterplatten | |
EP0002668A2 (de) | Einrichtung zur optischen Abstandsmessung | |
DE102017200628B4 (de) | Musterprüfvorrichtung | |
DD216530A5 (de) | Geraet und verfahren fuer den nachweis der lage einer bezugsmarke | |
DE112015001699T5 (de) | Verfahren zum Bewerten des Verzugs eines Wafers und Verfahren zum Einordnen von Wafern | |
DE10043728C2 (de) | Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten und Verwendung einer Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens | |
DE102020124006B3 (de) | Belichtungssteuerung bei photolithographischen direktbelichtungsverfahren zur leiterplatten- oder schaltkreisherstellung | |
DE10161060B4 (de) | Fehlerprüfverfahren für einen dreidimensionalen Gegenstand | |
DE19817714B4 (de) | Verfahren zur Messung der Lage von Strukturen auf einer Maskenoberfläche | |
DE102007042272A1 (de) | Verfahren zur Korrektur der durch Lensdistortion eines Objektivs verursachten Messfehler | |
KR100336525B1 (ko) | 반도체 장치의 제조를 위한 노광 방법 | |
EP1700169B1 (de) | Direkte justierung in maskalignern | |
DE102020209638B3 (de) | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist | |
DE10335816B4 (de) | Verfahren zur Justage eines Substrates vor der Durchführung eines Projektionsschrittes in einem Belichtungsgerät |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |