DD160089A1 - Verfahren zum abloesen einzelner halbleiterchips von halbleitertraegern - Google Patents

Abstract

Um defekte, beschaedigte oder fehlpositionierte, bei der Verarbeitung auf Halbleitertraeger geklebte oder geloetete Halbleiterchips fuer die unmittelbare Umgebung gefahrlos entfernen zu koennen, soll die Bindung zwischen Halbleiterchips und Halbleitertraeger mittels Waerme ohne jede Schaedigung des Traegersubstrates, der Leiterbahnen und/oder benachbarter Halbleiterchips aufgehoben werden. Dazu wird die Verbindung zwischen Halbleiterchips und Traegersubstrat bzw. Leiterbahnen desselben mit einem von der Chipgroesse und derArt der Verbindung Chip/Traegersubstrat abhaengigen Stromimpuls beaufschlagt und der abzuloesende Chip abgehoben, vorzugsweise abgesaugt.

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung

Bei der Verarbeitung von Halbleiterchips müssen einige auf Trägerstreifen, Leiterplatten, flexible Leiterplatten, Keramiksubstrate, Glassubstrate usw. geklebte oder gelötete Halbleiterchips wieder entfernt werden, weil sie defekt oder beschädigt sind bzw. während des Montageprozesses fehlpositioniert werden.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

Es ist üblich, defekte, beschädigte oder fehlpositionierte Halbleiterchips mechanisch oder unter Wärmezuführung vom Trägersubstrat abzulösen. Nachteilig an einem derartigen Ablösen defekter, beschädigter oder fehlpositionierter Halbleiterchips ist, daß angrenzende Chips und Leiterbahnen bzw. das Trägersubstrat oft beschädigt oder zerstört werden.

Ziel der Erfindung

Für die unmittelbare Umgebung gefahrloses Entfernen defekter, beschädigter oder fehlpositionierter Halbleiterchips vom Trägersubstrat.

Darlegung des Wesens der Erfindung

— Die technische Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst wird.

Um defekte, beschädigte oder fehlpositionierte Halbleiterchips für die unmittelbare Umgebung gefahrlos entfernen zu können, soll die Bindung zwischen Haibleiterchips und Trägersubstrai mittels Wärme ohne jede Schädigung des Trägersubstrates, der Leiterbahnen und/oder benachbarter Halbleiterchips derart aufgehoben werden, daß der Hafbleiterchip ohne Kraftaufwand entfernt werden kann.

— Merkmale der Erfindung

Die Verbindung zwischen Halbleiterchip und Trägersubstrat bzw, Leiterbahnen desselben wird mit einem von der Chipgröße und der Art der Verbindung Halbleitsrchip/Trägersubstrat abhängigen Stromimpuls beaufschlagt und der abzulösende Chip abgehoben, vorzugsweise abgesaugt.

Ausführungsbeispiel

Die zur Erläuterung herangezogene Zeichnung zeigt eine mögliche Zuführung des Stromimpulses. Der mitteis ausgehärtetem Leitkleber 4 mit der Leiterbahn 6 des Trägersubstrates 5 bzw. des Basismaterials verbundene Halbleiterchip 3 soll entfernt werden. Dazu wird über zwei Elektroden 1, die mit der Chipmetallisierung 2 und mit der Leiterbahn 6 verbunden werden, ein von der Chipgröße und der Art der Verbindung Chip/Trägersubstrat bzw. Leiterbahnen desselben abhängiger Stromimpuls, bei einer Chipgröße von 0,3 mm χ 0,3 mm bis 0,5 mm χ 0,5 mm, z.B. 0,5 3 mit einer Stromstärke von I = 2S0 mA, zugeführt. Durch die Auslösung des Stromimpulses wird der Kontakt zwischen Halbleiterchip 3 und Leiterbahn 6 ohne Schädigung der unmittelbaren Umgebung des Halbleiterchips 3 derart beeinträchtigt, daß ein Abheben, vorteilhaft ein Absaugen des Halbleiterchips 3, möglich ist.

Claims (1)

1. Erfindungsanspruch:

   Verfahren zum Ablösen einzelner Halbleiterchips von Halbleiterträgern mittels Wärme gekennzeichnet dadurch,

   daß die Verbindung zwischen Halbleiterchip (3) und Trägersubstrat (5) bzw. Leiterbahnen (6) desselben mit einem von der Chipgröße und der Art der Verbindung Halbleiterchip/Trägermaterial abhängigen Stromimpuls beaufschlagt und der abzulösende Halbleiterchip (3) abgehoben, vorzugsweise abgesaugt wird.

   Hierzu 1 Seite Zeichnungen