DD160089A1

DD160089A1 - METHOD FOR REMOVING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR CHIPS FROM SEMICONDUCTOR DEVICES

Info

Publication number: DD160089A1
Application number: DD23131981A
Authority: DD
Inventors: Klaus Osterland; Kurt Regehly
Original assignee: Klaus Osterland; Kurt Regehly
Priority date: 1981-06-30
Filing date: 1981-06-30
Publication date: 1983-04-27

Abstract

Um defekte, beschaedigte oder fehlpositionierte, bei der Verarbeitung auf Halbleitertraeger geklebte oder geloetete Halbleiterchips fuer die unmittelbare Umgebung gefahrlos entfernen zu koennen, soll die Bindung zwischen Halbleiterchips und Halbleitertraeger mittels Waerme ohne jede Schaedigung des Traegersubstrates, der Leiterbahnen und/oder benachbarter Halbleiterchips aufgehoben werden. Dazu wird die Verbindung zwischen Halbleiterchips und Traegersubstrat bzw. Leiterbahnen desselben mit einem von der Chipgroesse und derArt der Verbindung Chip/Traegersubstrat abhaengigen Stromimpuls beaufschlagt und der abzuloesende Chip abgehoben, vorzugsweise abgesaugt.In order to be able to safely remove defective, damaged or misplaced semiconductor chips glued or soldered in the processing on semiconductor carriers for the immediate environment, the bond between semiconductor chips and semiconductor carriers should be removed by means of heat without any damage to the carrier substrate, the interconnects and / or adjacent semiconductor chips. For this purpose, the connection between the semiconductor chips and the carrier substrate or conductor tracks thereof is subjected to a current pulse which depends on the chip size and the type of the connection chip / carrier substrate and the chip to be removed is lifted off, preferably sucked off.

Description

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Bei der Verarbeitung von Halbleiterchips müssen einige auf Trägerstreifen, Leiterplatten, flexible Leiterplatten, Keramiksubstrate, Glassubstrate usw. geklebte oder gelötete Halbleiterchips wieder entfernt werden, weil sie defekt oder beschädigt sind bzw. während des Montageprozesses fehlpositioniert werden.In the processing of semiconductor chips, some semiconductor chips glued or soldered to carrier strips, printed circuit boards, flexible circuit boards, ceramic substrates, glass substrates, etc. must be removed again because they are defective or damaged or mispositioned during the assembly process.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Es ist üblich, defekte, beschädigte oder fehlpositionierte Halbleiterchips mechanisch oder unter Wärmezuführung vom Trägersubstrat abzulösen. Nachteilig an einem derartigen Ablösen defekter, beschädigter oder fehlpositionierter Halbleiterchips ist, daß angrenzende Chips und Leiterbahnen bzw. das Trägersubstrat oft beschädigt oder zerstört werden.It is customary to detach defective, damaged or misplaced semiconductor chips mechanically or under heat supply from the carrier substrate. A disadvantage of such a detachment of defective, damaged or malpositioned semiconductor chips is that adjacent chips and printed conductors or the carrier substrate are often damaged or destroyed.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Für die unmittelbare Umgebung gefahrloses Entfernen defekter, beschädigter oder fehlpositionierter Halbleiterchips vom Trägersubstrat.For the immediate environment, safe removal of defective, damaged or misplaced semiconductor chips from the carrier substrate.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

— Die technische Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst wird.- The technical problem which is solved by the invention.

Um defekte, beschädigte oder fehlpositionierte Halbleiterchips für die unmittelbare Umgebung gefahrlos entfernen zu können, soll die Bindung zwischen Haibleiterchips und Trägersubstrai mittels Wärme ohne jede Schädigung des Trägersubstrates, der Leiterbahnen und/oder benachbarter Halbleiterchips derart aufgehoben werden, daß der Hafbleiterchip ohne Kraftaufwand entfernt werden kann.In order to safely remove defective, damaged or misplaced semiconductor chips for the immediate environment, the bond between Haibleiterchips and Trägerubstrai by heat without any damage to the carrier substrate, the tracks and / or adjacent semiconductor chips should be repealed such that the Hafbleiterchip can be removed without effort ,

— Merkmale der ErfindungFeatures of the invention

Die Verbindung zwischen Halbleiterchip und Trägersubstrat bzw, Leiterbahnen desselben wird mit einem von der Chipgröße und der Art der Verbindung Halbleitsrchip/Trägersubstrat abhängigen Stromimpuls beaufschlagt und der abzulösende Chip abgehoben, vorzugsweise abgesaugt.The connection between the semiconductor chip and the carrier substrate or conductor tracks thereof is subjected to a current pulse which depends on the chip size and the type of connection of the semiconductor chip / carrier substrate and the chip to be detached is lifted off, preferably sucked off.

Ausführungsbeispielembodiment

Die zur Erläuterung herangezogene Zeichnung zeigt eine mögliche Zuführung des Stromimpulses. Der mitteis ausgehärtetem Leitkleber 4 mit der Leiterbahn 6 des Trägersubstrates 5 bzw. des Basismaterials verbundene Halbleiterchip 3 soll entfernt werden. Dazu wird über zwei Elektroden 1, die mit der Chipmetallisierung 2 und mit der Leiterbahn 6 verbunden werden, ein von der Chipgröße und der Art der Verbindung Chip/Trägersubstrat bzw. Leiterbahnen desselben abhängiger Stromimpuls, bei einer Chipgröße von 0,3 mm χ 0,3 mm bis 0,5 mm χ 0,5 mm, z.B. 0,5 3 mit einer Stromstärke von I = 2S0 mA, zugeführt. Durch die Auslösung des Stromimpulses wird der Kontakt zwischen Halbleiterchip 3 und Leiterbahn 6 ohne Schädigung der unmittelbaren Umgebung des Halbleiterchips 3 derart beeinträchtigt, daß ein Abheben, vorteilhaft ein Absaugen des Halbleiterchips 3, möglich ist.The drawing used for explanation shows a possible supply of the current pulse. The medium-hardened conductive adhesive 4 with the conductor track 6 of the carrier substrate 5 and the base material connected semiconductor chip 3 is to be removed. For this purpose, via two electrodes 1, which are connected to the chip metallization 2 and to the conductor track 6, one of the chip size and the type of connection chip / carrier substrate or printed conductors thereof dependent current pulse, with a chip size of 0.3 mm χ 0, 3 mm to 0.5 mm χ 0.5 mm, eg 0.5 3 with a current of I = 2S0 mA, supplied. By triggering the current pulse, the contact between the semiconductor chip 3 and conductor 6 is impaired without damaging the immediate surroundings of the semiconductor chip 3 in such a way that it is possible to lift the semiconductor chip 3, advantageously.

Claims

Invention claim:

Method for detaching individual semiconductor chips from semiconductor carriers by means of heat, characterized in that

that the connection between the semiconductor chip (3) and the carrier substrate (5) or printed conductors (6) of the same with a dependent on the chip size and the nature of the compound semiconductor chip / substrate current pulse applied and lifted off the semiconductor chip (3) lifted off, preferably is sucked off.

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