CS273791B1 - Substrate for photolitographically formed mask - Google Patents
Substrate for photolitographically formed mask Download PDFInfo
- Publication number
- CS273791B1 CS273791B1 CS892888A CS892888A CS273791B1 CS 273791 B1 CS273791 B1 CS 273791B1 CS 892888 A CS892888 A CS 892888A CS 892888 A CS892888 A CS 892888A CS 273791 B1 CS273791 B1 CS 273791B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- substrate
- thickness
- formed mask
- photolitographically
- mask
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
(57)Substrát pro fotolitografioky vytvářenou masku ke kontaktnímu nebo projekčnímu maskování polovodičových nyatámů jo tvořen skleněnou podložkou s napařenou základní · vrstvou hliníku nebo niklu tlouStky 0,1 až 1 yum a krycí vrstvou titanu tlouštky 0,2 al' 1 yum.
273 791
| (Π) , | ||
| (13) | Bl | |
| (51) | Int. | Cl.5 |
| 0 03 | P 1/00 | |
| C 03 | C 17/40 | |
| H 01 | L 21/00 |
CS 273791 Dl
Vynález tm Lýká utilui I. ní lu pit] f o lu 1 1 luijni f l cky vy tvá Pontiu Hliníku pro kniilnklní nohu projekční maskování a následné leptání oxidu, hloubkové leptání křemíku, nebo členění kontaktních kovových vr3tov na polovodičových systémech.
No stínící substráty používané ve Cotolitograřli jsou kladeny tyto zásadní požadavky: přesnost kopírovaného motivu z omulsního originálu v rozmozí 0,1 až 5 yum, vady způsoboné prašností prostředí, nedokonalým napařením kovu nebo nanesením fotolaku, popřípadě vadou podložky v rozmezí 0,1 až 5 /um, Značnou roli při zpracování větších průměrů křemíkových desek má i reflexe deponovaného kovu při expozici nu bůžných typech expozičních zoř í zen í.
V současné době využívané skleněné substráty s deponovanou stínící vrstvou na bázi železa nebo chrómu nezajištují požadovanou přesnost přenáěenóho motivu, zvláště na křemíkové desky velkých průměrů.
Tuto nevýtiodu odstraňuje řešení substrátu pro fotolitograíicky vytvářenou masku ko kun Ink lnímu u projekčnímu maskování polovodičových syotémů podlo vynálezu, johož podtitulu spočívá v tom, žo jo tvořen skleněnou podložkou e napařenou základní vrstvou hliníku nebo niklu tlouštky 0,1 až 1 ^um a krycí vrstvou titanu tlouštky 0,2 až 1 /Uin.
Oubatrál pru l'n tul i logrtif i cky vytvářenou masku podlo vynálezu má stínící vrstvu η dobrou odhozf k povrchu aklonňné podložky. Toto vrstvo jo dokonalo antirefloxní, o dostatečnou tvrdostí a odolností proti mechanickému oděru.
Stínicí masky vytvořené z výše popsaných substrátů je možné použit pro expozici až 500 ks křemíkových desek; kromě toho lze vstupní skleněné desky použít několikanásobněkrát a další výhodou je i možnost operativní opravy motivu stínicí masky v případě jsho poškození.
Příklad výroby substrátu pro fotolitograíicky vytvářenou masku podle vynálezu je následující :
Základním materiálem je skleněná podložka, která se oleptá ve směsi kyseliny chlorovodíkové a kyseliny dusičné po dobu 30 sekund, potom se opláchne deionizovanou vodou a rekt!fikovaným acetonem nebo trichloret.ylenem. Potom se metodou vakuové depozice, při tlaku 10*5 Pa a teplotě 150 °C napaří základní vrstva kovu o tlouůtco 0,1 až 1 /Uin o to buď hliníku, nebo niklu, popřípadě obou těchto kovů. Jako krycí vrstva je nanesena vždy vrstva titanu o tloušíce 0,2 až 1 /Um. Na takto vzniklý substrát se po očištění například v tlakové prašce nanese podle potřebné kombinace motivu buď positivní, nebo negativní fotolak. Následuje expozice, vyvolání a potom postupně podle použitých kovových vrstev vyleptáni motivu.
Takto vytvořené stínicí masky jsou vhodně zejména pro výrobu vysoce členěných kontakt nich motivů a velkoplošných polovodičových systémů výkonových tyristorů a tranzistorů.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUSubstrát pro Totolitograficky vytvářenou masku ke kontaktnímu nebo projekčnímu maskování polovodičových systémů, vyznačující se tím, že je tvořen skloněnou podložkou a napařenou základní vrstvou hliníku nebo niklu tloušíky 0,1 až 1 yUm a krycí vrstvou titanu tlouštky 0,2 až 1 yUm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS892888A1 CS892888A1 (en) | 1990-08-14 |
| CS273791B1 true CS273791B1 (en) | 1991-04-11 |
Family
ID=5440528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS273791B1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210405520A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-12-29 CS CS892888A patent/CS273791B1/cs unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210405520A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
| US11774845B2 (en) * | 2020-06-30 | 2023-10-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS892888A1 (en) | 1990-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0082977B1 (en) | Integrated circuit photomask | |
| US4440841A (en) | Photomask and photomask blank | |
| GB2166590A (en) | Inhibiting corrosion after etching | |
| US4039698A (en) | Method for making patterned platinum metallization | |
| US3542612A (en) | Photolithographic masks and methods for their manufacture | |
| US4556608A (en) | Photomask blank and photomask | |
| CS273791B1 (en) | Substrate for photolitographically formed mask | |
| EP0049799B1 (en) | Photomask blank and photomask | |
| JPS5569142A (en) | Preventing method for peeling of resist | |
| JPS556844A (en) | Method of formating wiring pattern | |
| JPS57157249A (en) | Preparation of optical exposure mask | |
| US3471291A (en) | Protective plating of oxide-free silicon surfaces | |
| JPS6024933B2 (ja) | 電子線感応性無機レジスト | |
| JPS5461478A (en) | Chromium plate | |
| JPS57124439A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US3482974A (en) | Method of plating gold films onto oxide-free silicon substrates | |
| JPS57108970A (en) | Pattern checking method | |
| JPS5570029A (en) | Etching method of silicon nitride film | |
| JPS5623277A (en) | Dry etching method | |
| JPS6427228A (en) | Forming method for fine pattern of semiconductor element | |
| JPS57135950A (en) | Preparation of photomask | |
| JPS57134929A (en) | Method for interconnection-pattern forming | |
| JPH01112613A (ja) | 透明導電膜パターンの形成方法 | |
| JPS5635774A (en) | Dry etching method | |
| JPH0531289B2 (cs) |