CS273791B1 - Substrate for photolitographically formed mask - Google Patents
Substrate for photolitographically formed mask Download PDFInfo
- Publication number
- CS273791B1 CS273791B1 CS892888A CS892888A CS273791B1 CS 273791 B1 CS273791 B1 CS 273791B1 CS 892888 A CS892888 A CS 892888A CS 892888 A CS892888 A CS 892888A CS 273791 B1 CS273791 B1 CS 273791B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- substrate
- thickness
- formed mask
- photolitographically
- mask
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
(57)Substrát pro fotolitografioky vytvářenou masku ke kontaktnímu nebo projekčnímu maskování polovodičových nyatámů jo tvořen skleněnou podložkou s napařenou základní · vrstvou hliníku nebo niklu tlouStky 0,1 až 1 yum a krycí vrstvou titanu tlouštky 0,2 al' 1 yum.(57) The substrate for the photolithography mask to form the contact or projection masking of semiconductor nyatams is a glass substrate with a vapor deposition of aluminum or nickel of a thickness of 0.1 to 1 µm and a titanium overlay of 0.2 to 1 µm in thickness.
273 791273 791
CS 273791 DlCS 273791 Dl
Vynález tm Lýká utilui I. ní lu pit] f o lu 1 1 luijni f l cky vy tvá Pontiu Hliníku pro kniilnklní nohu projekční maskování a následné leptání oxidu, hloubkové leptání křemíku, nebo členění kontaktních kovových vr3tov na polovodičových systémech.The invention thus relates to the use of a pile of aluminum filaments for the Pontic aluminum projection masking and subsequent etching of the oxide, deep etching of the silicon, or subdivision of the contact metal wires on the semiconductor systems.
No stínící substráty používané ve Cotolitograřli jsou kladeny tyto zásadní požadavky: přesnost kopírovaného motivu z omulsního originálu v rozmozí 0,1 až 5 yum, vady způsoboné prašností prostředí, nedokonalým napařením kovu nebo nanesením fotolaku, popřípadě vadou podložky v rozmezí 0,1 až 5 /um, Značnou roli při zpracování větších průměrů křemíkových desek má i reflexe deponovaného kovu při expozici nu bůžných typech expozičních zoř í zen í.However, the shielding substrates used in Cotolithography are subject to the following essential requirements: accuracy of the copied motif from the pulsating original in the range of 0.1 to 5 yum, defects caused by dustiness of the environment, imperfect steaming of the metal or deposition of the paint The reflection of the deposited metal also has a significant role in the processing of larger diameters of silicon wafers when exposed to conventional types of exposure devices.
V současné době využívané skleněné substráty s deponovanou stínící vrstvou na bázi železa nebo chrómu nezajištují požadovanou přesnost přenáěenóho motivu, zvláště na křemíkové desky velkých průměrů.The currently used glass substrates with a deposited iron or chromium shielding layer do not ensure the desired accuracy of the transmitted motif, especially on large diameter silicon sheets.
Tuto nevýtiodu odstraňuje řešení substrátu pro fotolitograíicky vytvářenou masku ko kun Ink lnímu u projekčnímu maskování polovodičových syotémů podlo vynálezu, johož podtitulu spočívá v tom, žo jo tvořen skleněnou podložkou e napařenou základní vrstvou hliníku nebo niklu tlouštky 0,1 až 1 ^um a krycí vrstvou titanu tlouštky 0,2 až 1 /Uin.This disadvantage is overcome by the substrate solution for the photolithographically produced mask of the ink in the projection masking of the semiconductor systems according to the invention, which subtitle consists of a glass substrate with a steamed aluminum or nickel base layer of 0.1 to 1 µm thickness and a covering layer. titanium thickness 0.2 to 1 / uin.
Oubatrál pru l'n tul i logrtif i cky vytvářenou masku podlo vynálezu má stínící vrstvu η dobrou odhozf k povrchu aklonňné podložky. Toto vrstvo jo dokonalo antirefloxní, o dostatečnou tvrdostí a odolností proti mechanickému oděru.The neubral elastic mask according to the invention has a shielding layer η well thrown to the surface of the clone mat. This layer was perfectly anti-reflective, with sufficient hardness and resistance to mechanical abrasion.
Stínicí masky vytvořené z výše popsaných substrátů je možné použit pro expozici až 500 ks křemíkových desek; kromě toho lze vstupní skleněné desky použít několikanásobněkrát a další výhodou je i možnost operativní opravy motivu stínicí masky v případě jsho poškození.Shielding masks made of the substrates described above can be used to expose up to 500 pieces of silicon wafer; in addition, the entry glass panels can be used several times and another advantage is the possibility of operative repair of the shield mask motif in case of damage.
Příklad výroby substrátu pro fotolitograíicky vytvářenou masku podle vynálezu je následující :An example of a substrate for the photolithographic mask according to the invention is as follows:
Základním materiálem je skleněná podložka, která se oleptá ve směsi kyseliny chlorovodíkové a kyseliny dusičné po dobu 30 sekund, potom se opláchne deionizovanou vodou a rekt!fikovaným acetonem nebo trichloret.ylenem. Potom se metodou vakuové depozice, při tlaku 10*5 Pa a teplotě 150 °C napaří základní vrstva kovu o tlouůtco 0,1 až 1 /Uin o to buď hliníku, nebo niklu, popřípadě obou těchto kovů. Jako krycí vrstva je nanesena vždy vrstva titanu o tloušíce 0,2 až 1 /Um. Na takto vzniklý substrát se po očištění například v tlakové prašce nanese podle potřebné kombinace motivu buď positivní, nebo negativní fotolak. Následuje expozice, vyvolání a potom postupně podle použitých kovových vrstev vyleptáni motivu.The base material is a glass substrate which is etched in a mixture of hydrochloric acid and nitric acid for 30 seconds, then rinsed with deionized water and rectified acetone or trichloroethylene. Subsequently, a metal base layer of 0.1 to 1 .mu.m in thickness, either aluminum or nickel or both, is vaporized by a vacuum deposition method, at a pressure of 10 to 5 Pa and a temperature of 150 ° C. A titanium layer with a thickness of 0.2 to 1 [mu] m is always applied as a covering layer. Depending on the desired combination of motif, either a positive or a negative photo-pressure is applied to the substrate thus formed after cleaning, for example in a pressure powder. This is followed by exposure, development and etching of the motif gradually according to the metal layers used.
Takto vytvořené stínicí masky jsou vhodně zejména pro výrobu vysoce členěných kontakt nich motivů a velkoplošných polovodičových systémů výkonových tyristorů a tranzistorů.The shielding masks thus formed are particularly suitable for the production of highly articulated contact motifs and large-area semiconductor systems of power thyristors and transistors.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS892888A1 CS892888A1 (en) | 1990-08-14 |
| CS273791B1 true CS273791B1 (en) | 1991-04-11 |
Family
ID=5440528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS892888A CS273791B1 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Substrate for photolitographically formed mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS273791B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210405520A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-12-29 CS CS892888A patent/CS273791B1/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210405520A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
| US11774845B2 (en) * | 2020-06-30 | 2023-10-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS892888A1 (en) | 1990-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0082977B1 (en) | Integrated circuit photomask | |
| US4440841A (en) | Photomask and photomask blank | |
| GB2166590A (en) | Inhibiting corrosion after etching | |
| EP0095209A3 (en) | Method of forming a resist mask resistant to plasma etching | |
| US4039698A (en) | Method for making patterned platinum metallization | |
| US3542612A (en) | Photolithographic masks and methods for their manufacture | |
| US4556608A (en) | Photomask blank and photomask | |
| CS273791B1 (en) | Substrate for photolitographically formed mask | |
| EP0049799B1 (en) | Photomask blank and photomask | |
| JPS5569142A (en) | Preventing method for peeling of resist | |
| JPS556844A (en) | Method of formating wiring pattern | |
| US3471291A (en) | Protective plating of oxide-free silicon surfaces | |
| JPS6024933B2 (en) | Electron sensitive inorganic resist | |
| JPS5461478A (en) | Chromium plate | |
| JPS57124439A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US3482974A (en) | Method of plating gold films onto oxide-free silicon substrates | |
| JPS57108970A (en) | Pattern checking method | |
| JPS5570029A (en) | Etching method of silicon nitride film | |
| JPS6427228A (en) | Forming method for fine pattern of semiconductor element | |
| JPS57135950A (en) | Preparation of photomask | |
| JPS57134929A (en) | Method for interconnection-pattern forming | |
| JPH01112613A (en) | Method for forming transparent conductive film pattern | |
| JPS5635774A (en) | Dry etching method | |
| JPH0531289B2 (en) | ||
| JPS56169774A (en) | Outside parts of watch |