CS269712B1 - Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů - Google Patents

Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů Download PDF

Info

Publication number
CS269712B1
CS269712B1 CS868358A CS835886A CS269712B1 CS 269712 B1 CS269712 B1 CS 269712B1 CS 868358 A CS868358 A CS 868358A CS 835886 A CS835886 A CS 835886A CS 269712 B1 CS269712 B1 CS 269712B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
resistance
meander
defective
jumpers
interrupted
Prior art date
Application number
CS868358A
Other languages
English (en)
Other versions
CS835886A1 (en
Inventor
Jan Ing Piroutek
Zdenek Ing Malec
Original Assignee
Jan Ing Piroutek
Zdenek Ing Malec
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Ing Piroutek, Zdenek Ing Malec filed Critical Jan Ing Piroutek
Priority to CS868358A priority Critical patent/CS269712B1/cs
Publication of CS835886A1 publication Critical patent/CS835886A1/cs
Publication of CS269712B1 publication Critical patent/CS269712B1/cs

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

ppi lokalizaci a odstraňování poruchy' odporového meandru během výroby tenkó-- vrstvých resistorů jsou jednotlivě nebo sdružené odporové smyčky testovány. Informace o defektních odporových smyčkách jsou ukládány na paměťové medium. Je vytvořena speciální topografie meandru. Při dostavování na jmenovitou hodnotu odporů se u defektní odporová smyčky odporová propojky nepřeruěí a u bezporuchové odporo- < vé smyčky se odporové propojky přeruSÍ. I ŘeSení zahrnuje i provedení, kdy defektní místa jsou maskována reflexním materiálem tak, že laserový řez defektní smyčku ne- *■ otevře. Při obou provedeních se významně zvýSÍ výtěžnost výroby.

Description

Vynález se týká způsobu lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů o:hodnotách odporů řádově 10 a více.
Tyto resistory je nutné realizovat odporovým meandrem o malé šířce dráhy řádově jednotky až desítky ^um. I při tak úzké odporové dráze je však délka meandrů řádově jednotky metrů. Výroba takových obvodů je nesmírně náročná nejen na čistotu všech zúčastněných materiálů, ale i na čistotu prostředí. Nutností je také přísná technologická kázeň. I když se při výrobě dodržují všechny uvedené předpoklady, dochází k malé výtěžnosti. Např. při realizaci odporu 10 MÍÍ, 25 /um šířka dráhy, délka asi 2,5 m, se podařilo dosáhnout průměrné výtěžnosti 1 až 2 vyhovujících odporových děličů z 5 děličů umístěných na jedné podložce. Z toho vyplývá, že za takových podmínek by vzrostla cena 1 obvodu neúměrně vysoko. Jelikož se od takto vytvořených obvodů požaduje vysoká trvanlivost, není použitelná jiná technologie. Nejčetnější důvod výmětu je u těchto obvodů přerušená odporová dráha meandru. Kromě přerušení odporové dráhy připadají v úvahu defekty plynoucí ze zúžení odporové dráhy a z tzv. vlasového spojení dvou sousedních odporových drah, které je nespolehlivé. Při dostavování odporu najjmenovitou hodnotu jsou přerušovány zkratovací propojky. Při otevření jakékoli defektní smyčky je celý obvod znehodnocen. Výmět zapříčiněný výše uvedenými důvody nebylo možné dosud známými způsoby ovlivnit například použitím speciálních technik litografického maskování,změna šířky dráhy a mezery apod.
Nedostatky současného stavu techniky řeší způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů o velkých hodnotách odporů vytvořených jako odporový meandr z odporových drah, odporových propojek a diagnostických . kontaktů podle vynálezu, jehož podstatou je,že u jednotlivých elementárních děličů, jejichž sériovým spojením jsou tvořeny jednotlivé smyčky, se měří dělicí poměr,postupným krokováním po všech elementárních děličích celého odporového meandru se zjistí bezporuchovost nebo defektnost jednotlivých odporových smyček, přičemž při následném dostavování na jmenovitou hodnotu odporu se u defektní odporové smyčky odporové propojky nepřeruší a u bezporuchové odporové smyčky se odporové propojky přeruší. Defektní smyčky je také možno maskovat reflexním materiálem, přičemž nedojde k přerušení odporové propojky.
V podstatě se tedy jedná o metodu testování jednotlivých popř. sdružených odporových smyček, vytvoření speciální topografie meandru a následné dostavení resistoru na jmenovitou hodnotu odporu. Pro syntézu resistorů s velkým odporem lze použít sériové spojení elementárních děličů napětí, které lze diagnostikovat.
Na obr. 1 je vyznačena topografie elementárního děliče při diagnostice a na obr. 2 je znázorněno náhradní zapojení elementárního děliče. Číselná symbolika je pro oba výkresy shodná. Elementární dělič se skládá z odporového meandru _8, 9, který je překlenut odporovými propojkami 6.,2, a opatřený diagnostickými kontakty 3, 4 , χ. Na diagnostické kontakty je připojen zdroj konstantního napětí 1, mezi kontakty,3 a 5 je připojen voltmetr s velkým vstupním odporem 2, Postupným krokováním po elementárních děličích a měřením dělicího poměru odporů 8 a 9 získáme informace o kvalitě těchto odporů a ty zaznamenáme. Při dostavování takto vytvořeného resistorů tyto informace použijeme tak, že vedeme otevírací řezy pomocí laseru přes odporové propojky 7 v úrovni A, když je dělicí poměr — 5 %· Není-li tomu tak, řez se nevykoná. Po tomto otevírání nedefektních míst se provádí dostavování resistorů na jmenovitou hodnotu přerušováním odporových propojek 6 laserovým řezem v úrovni B.
Při maskování defektních míst elementárních odporových děličů se odporové propojky 6 a 7 současně zakápnou kapkou z reflexního materiálu, který odolává laseru v místě X. Dostavovací laserový řez se pak vede v úrovni C.
CS 269712 Bl
Vynález bude blíže vysvětlen na příkladu provedení.
Příklad
Vynález byl prakticky ověřen při výrobě odporového děliče o sekundární hodnotě odporu 10 , Materiál odporových drah byl vytvořen z nitridu tantalu chemického vzorce Ta2N, materiál kontaktů byl vytvořen ze zlata. Šířka odporové dráhy byla zvolená 25 /Um, šířka mezery také 25 /Um. Délka odporové dráhy byla cca 2,5 m. Pro diagnostiku elementárních děličů byl použit krokovací automat AUT 110 spojený stykovým rozhraním se sběrnicí IMS 2 ovládanou inteligentním terminálem M3T 300.2. Pro měření dělicích poměrů byl použit multimetr MÍT 290, spojený rovněž se sběrnicí IMS 2. Celá diagnostika probíhala zcela automaticky, kromě zakládání sitalových podložek s vyleptanými motivy. Data o defektech se ukládala na děrnou pásku, která prozatím slouží jako přenositelné paměťové médium. Z děrné pásky se data převedou na magnetickou kazetu stolního kalkulátoru HP 85A, který se současně využívá pro řízení laseru Qptronic 685 při otevírání defektních míst. Pomocí laseru Optronic 685 se rovněž provádělo dostavování na jmenovitou hodnotu odporů.
Dostavování odporových děličů probíhalo ve čtyřech etapách.
1. Diganostika defektů .
2. Otevírání nedefektních míst
3. Tepelné zpracování pro zvýšení časové stability 4. Jemné dostavování
Reprodukovatelnost dat při diagnostice byla ověřena u 50 ks podložek a byla stoprocentní. Zvýšení výtěžnosti výroby děličů bylo ověřeno na 500 ks obvodů. Výtěžnost je 4 až 5 kusů dobrých děličů 10 MÍl· z pěti kusů na jedné podložce oproti původní výtěžnosti 1 až 2 kusy děličů z jedné podložky.
Celý způsob lokalizace a odstranění poruchy lze zlepšit a zkrátit dalšími úpravami, např. v programovém vybavení. Pokud bude diagnostický systém připojen na stejný minipočítač, jaký se použije pro ovládání laseru, Je možné zcela vynechat děrnou pásku a data ukládat na magnetickou kazetu nebo disk. Při použití dobře vybaveného laseru lze přímo při dostavování vynechávat defektní místa.

Claims (2)

  1. ' PŘEDMŠT VYNÁLEZU-
    1. Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů o velkých hodnotách odporů vytvořených jako odporový meandr z odporových drah, odporových propojek a diagnostických kontaktů, vyznačený tím, že u jednotlivých elementárních děličů, jejichž sériovým spojením jsou tvořeny odporové smyčky, se měří dělicí poměr, postupným krokováním po všech elementárních děličích celého odporového meandru ee zjistí bezporuchovost nebo defektnost jednotlivých odporových smyček, přičemž při následném dostavování na jmenovitou hodnotu odporu se u defektní odporové smyčky odporové propojky nepřeruší a u bezporuchové odporové smyčky se odporové propojky přeruší.
  2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že defektní smyčky se maskují reflexním materiál·®, přičemž nedojde k přerušení odporové propojky.
CS868358A 1986-11-18 1986-11-18 Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů CS269712B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS868358A CS269712B1 (cs) 1986-11-18 1986-11-18 Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS868358A CS269712B1 (cs) 1986-11-18 1986-11-18 Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS835886A1 CS835886A1 (en) 1989-10-13
CS269712B1 true CS269712B1 (cs) 1990-05-14

Family

ID=5434004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS868358A CS269712B1 (cs) 1986-11-18 1986-11-18 Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS269712B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS835886A1 (en) 1989-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5514953A (en) Wafer level test structure for detecting multiple domains and magnetic instability in a permanent magnet stabilized MR head
CA2455818C (en) Testing vias and contacts in integrated circuit fabrication
US5289113A (en) PROM for integrated circuit identification and testing
US6239606B1 (en) Method to perform IDDQ testing in the presence of high background leakage current
JP2639328B2 (ja) トリミング方法及び回路
US6262580B1 (en) Method and testing system for measuring contact resistance for pin of integrated circuit
JP3195800B2 (ja) 半導体素子試験システム及び半導体素子試験方法
CS269712B1 (cs) Způsob lokalizace a odstranění poruchy odporového meandru při výrobě tenkovrstvých resistorů
JPH06258384A (ja) 集積回路試験用電流測定装置および集積回路
JP3395304B2 (ja) 半導体集積回路の検査方法
US5390420A (en) MR element-to-contact alignment test structure
US6423555B1 (en) System for determining overlay error
JP2000275306A (ja) 半導体集積回路装置の故障箇所特定方法
US7218125B2 (en) Apparatus and method for performing a four-point voltage measurement for an integrated circuit
Hess et al. Digital tester-based measurement methodology for process control in multilevel metallization systems
US6230293B1 (en) Method for quality and reliability assurance testing of integrated circuits using differential Iddq screening in lieu of burn-in
JPS59211874A (ja) 集積回路試験装置
JP3208195B2 (ja) エージング中におけるデバイス駆動電流の測定装置
JPS61183829A (ja) リレ−診断装置
JP2822738B2 (ja) 半導体icの検査方法
US7009416B1 (en) Systems and methods for monitoring integrated circuit internal states
JPH04205899A (ja) 半導体製造装置
JPH09159727A (ja) Cmos半導体装置
JPS5895271A (ja) 半導体集積回路試験装置
JPS59107531A (ja) 半導体検査方法