CS267515B1 - Leskutvorná přísada - Google Patents
Leskutvorná přísada Download PDFInfo
- Publication number
- CS267515B1 CS267515B1 CS87555A CS55587A CS267515B1 CS 267515 B1 CS267515 B1 CS 267515B1 CS 87555 A CS87555 A CS 87555A CS 55587 A CS55587 A CS 55587A CS 267515 B1 CS267515 B1 CS 267515B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- hydrogen
- acid
- molecular weight
- nucleus
- potassium
- Prior art date
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Leslwtvoroá přísada do kyselýoh galvanických mědíoich lázní podle řešení sestává z dithiodorivútu O-karbamoyl- -metliyl-*’»-hydroxybutansulfonovó kyseliny obecného vzorce R-CIIj-O-(CH2J^SO^Me , kde Me jo sodík, draslík nebo vodík a R je zbytok obočného vzoroo Ila R -S-N=C-Snobo lib -RJ-N-C=S-S-, ve kterém R1 je o-disubstituované aromatické jádro s počtom atomů ulilíkú^ó až „2 O nobo hetorooromatické jádro, R a RJ jsou stejné nobo různé radilcály - alkylovó zbytky o počtu uhlíků 1 až 6 nobo vodák a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, tliiolu nobo fosfátu s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v určitém lunot— nostním poměru.
Description
Vj-náloz se týká, leskutvorné přísady pro síranovou, silná kyselou galvanickou mědící lázeň s vysokou liloúbkovou účinností, ktorá je například vhodná pro prokovování otvorů při výrobo dosok plošných spojů,
V současná době užívané pokovovací lázně vzhledem k vysokému obsahu kyseliny sírové (až 200 g/1) a nízkému obsahu mědi (17 až 30 g/1) nojsou schopny pracovat bez loskutvomé přísady. Je známa široká palota leskutvorných přísad, z nichž některé nelze v daném prostředí použít, jiné mají úzký rozsah použitelných proudových hustot pro vyloučení lesklého povídku a vhodné tažnosti vyloučené mědi. Tyto nedostatky odstraňuje použití sodné soli dimothylditliiokarbaraoyl-l-propunsulfonové kyseliny a příbuzných derivátů (US patent 3 725 220). Novýhoda této látky spočívá v nutnosti použití vysoce karcinogenního 1,3-propansuLConu při její syntézo.
Uvedenou nevýhodu odstraňuje leskutvomá přísada do kyselých mědících lázní podle tohoto vynálozu, jehož podstata spočívá v tom, že sestává z látky obecného vzoreo I
R-CI^-O-CCI^J^SO-MÍ (I) kde l'io je sodík, draslík nebo vodík a R Je zbytek obecného vzorce
ve kterém jo o-dásubstituované aromatické nebo hotoroaromatické jádro obsahující připadne halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino-, a/nebo mei'kaptoskupiny nebo aUcylen o počtu atomu tdilíků 2 - 20, R , Jsou stejné nebo různé alkylové zbytky o počtu uhlíků 1 až 6 nebo vodík a z tenzidu na bázi etoxylovaného aminu, alkoholu, thiolu nobo fosfátu s molekulovou hmotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ku 1 až 1 ku 5° 000, Přítomnost uvedeného typu tenzidu zlepšuje účinnost přísady, zejména zvýšením losku vyloučené vrstvy mědi. Samotný tonzid jako loskutvomá přísada nepůsobí.
Koncentrace soli uvedené butansulfonovó kyseliny v pracovním roztoku je účinná v rozmezí 0,1 až 100 mg/l, u tenzidu na bázi polyothoxylované sloučeniny v rozmezí 1 až 5 000 mg/I.
Ja];o základní galvanická lázeň se používá vodný roztok síranu měanatóho a kyseliny sírové s přísadou chloridových iontů do 80 mg/1.
Leskutvoraá přísada se používá jodnak pro nasazení galvanické mědící lázně, jednak pro její údržbu podle vzhledu povlaku nebo prošlých ampérhodin. Přísada není citlivá na předávkování, Vyloučená měň je tažná, při aplikaci na plošných spojích nedochází při teploto 2Ó0 °C po dobu 20 sekund k porušení vrstvy. Hloubková účinnost v otvorech je 90 až 100 / při průměru otvoru 0,8 imn a tloušíce materiálu 1,5 Teplota lázně se může pohybovat od 0 do 35 °C, rozsah použitelných proudových hustot jo 0,5 až 5 A/dn/,
Příklad 1
Loskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sůl 0-(K,N-dimethyldithiokarbamoylmothyl-)4-hydroxybutansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 a polyotylonglykol o molekulové limotnosti 1 300 v koncentraci 5θ mg/1.
Pro galvanické mědění se připraví lázeň rozpuštěním 117 g síranu měSnatého, 190 g kyseliny sírové, 5θ mg chloridových iontů s leskutvomou. přísadou vil vody. Mědění probíhá při pokojové teplotě a napětí 1,5 až 2 A/dm“ poiaěŘovaná plochy. Vzhlodem ke 100 /ó
CS 2Ó7 515 Bl proudové účinnosti jo vyloučená vrstva mědi úměrná době a proudobé hustotě. Vyloučená mě<í tvoří 1'ovnoměraou vrstvu, ktoi'á je hladká a tažná. Příklad 2
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou sál O-(K,N-diraothyldith.iokai''oaiuoylmetliyl-)4-hydroxybutansulfonové kyseliny v koncentraci 1 mg/1 a polyothylonglykol s molekulovou lunotností 6 000 v koncentraci 100 mg/1. Příklad J
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující 0-(S-2-morlcaptogenzthialolylinethyl-)4-hydroxybutansulfonovou kyselinu v koncentraci 10 mg/1 a polyethoxylovaný nonylfonol s 10 molekulami oxiranu v koncoxitraci 25 mg/1, Příklad 4
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující draselnou súl 0-(N, N-dimothylditliiokarbamoylmethyl-)4-hydroxynutansulfonové kyseliny v koncentraci 50 mg/1 a polyothoxylovaný ethylonamin se 2 až 10 molekulami oxiranu v koncentraci 25 mg/1. Příklad 5
Leskutvorná přísada do kyselých galvanických lázní obsahující sodnou súl 0-(N,N-dimetliylditliiokarbamoylmotliyl-)4-hydroxybutansulfonové kyseliny v koncentraci 20 mg/1 a polyotylonglykol s molekulovou hmotností 1 500 v koncentraci 1 000 mg/1.
Claims (1)
- Leskutvoimá přísada do kyselých galvanických mědících lázní vyznačená tím, že sestává z dithioderivátú 0-karbamoyl-methyl-4-hydroxybutansulfonové kyseliny obecného vzorce IR-CI^-O-ÍCHjJ^SOjMÍ (X) kde Mo jo sodík, draslík nebo vodík a R je zbytek obecného vzorce Ha nebo Xlbi11“·)vo Kterém R1 Jo o-disubstituované aromatické Jádro s počtom atomů uhlíků 6 až 20 nebo hetoroaromatickó Jádro s počtom uhlíků 3 až 10, sírou, dusíkem nebo kyslíkem obsahující případně halo-, nitro-, sulfo-, hydroxy-, amino a/nobo morkaptoskupiny nobo alkylon 2 3 o počtu atomu uhlíků 2 až 20, R , R , jsou stojné nobo různé alkylové zbytky o počtu atomů uhlílcu jedna až Sost nobo vodík a z tenzidu na bázi otoxylovaného aminu, alkoholu, tliiolu nobo fosfátu s molekulovou lunotností 200 až 15 000 v hmotnostním poměru 100 ku I až 1 ku 50 000.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS87555A CS267515B1 (cs) | 1986-04-28 | 1987-01-28 | Leskutvorná přísada |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS863069A CS267501B1 (cs) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Dithiodoriváty O-karbamoylmethyl-f-hydroxybutansulfonové kyseliny a způsob jejich přípravy |
| CS87555A CS267515B1 (cs) | 1986-04-28 | 1987-01-28 | Leskutvorná přísada |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS55587A1 CS55587A1 (en) | 1989-06-13 |
| CS267515B1 true CS267515B1 (cs) | 1990-02-12 |
Family
ID=5369699
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS863069A CS267501B1 (cs) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Dithiodoriváty O-karbamoylmethyl-f-hydroxybutansulfonové kyseliny a způsob jejich přípravy |
| CS87555A CS267515B1 (cs) | 1986-04-28 | 1987-01-28 | Leskutvorná přísada |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS863069A CS267501B1 (cs) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | Dithiodoriváty O-karbamoylmethyl-f-hydroxybutansulfonové kyseliny a způsob jejich přípravy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (2) | CS267501B1 (cs) |
-
1986
- 1986-04-28 CS CS863069A patent/CS267501B1/cs unknown
-
1987
- 1987-01-28 CS CS87555A patent/CS267515B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS306986A1 (en) | 1989-06-13 |
| CS55587A1 (en) | 1989-06-13 |
| CS267501B1 (cs) | 1990-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101405436B (zh) | 电解镀铜的方法 | |
| JP2001073182A (ja) | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 | |
| KR940001679B1 (ko) | 팔라듐 필름의 전착 | |
| CN100529195C (zh) | 用于镀金的无氰型电解溶液 | |
| KR20060009930A (ko) | 고순도 설폰산 전해질 용액 | |
| JPH0220714B2 (cs) | ||
| US2842488A (en) | Process for the production of metal electrodeposits | |
| PT2103717E (pt) | Banho com base em pirofosfato para deposição de camadas de ligas de estanho | |
| KR20160100364A (ko) | 전해질로부터 구리-주석 및 구리-주석-아연 합금의 전착 | |
| US3879270A (en) | Compositions and process for the electrodeposition of metals | |
| BRPI0716255A2 (pt) | aditivo para aplicaÇÕes de Ácido crâmico | |
| KR930006123B1 (ko) | 무전해 금 도금욕 및 이를 사용하는 방법 | |
| CS267515B1 (cs) | Leskutvorná přísada | |
| JPS6250560B2 (cs) | ||
| US5024736A (en) | Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same | |
| CN110105357B (zh) | 一种喹吖啶酮季铵盐类化合物及其制备方法与用途 | |
| US7329334B2 (en) | Controlling the hardness of electrodeposited copper coatings by variation of current profile | |
| KR20010107989A (ko) | 금도금액 및 그 금도금액을 이용한 도금방법 | |
| US4551212A (en) | Bath and process for the electrodeposition of micromachinable copper and additive for said bath | |
| US4253920A (en) | Composition and method for gold plating | |
| US5560814A (en) | Use of thiouronium salts as brighteners for aqueous acidic electronickelization baths | |
| US4416740A (en) | Method and bath for the electrodeposition of palladium/nickel alloys | |
| BR112019026518A2 (pt) | banho de galvanoplastia, e, método para depositar eletroliticamente um revestimento de cobre sobre um substrato. | |
| US3923613A (en) | Acidic galvanic copper bath | |
| JPS6045713B2 (ja) | 濃縮ポリマ−光沢剤を含む亜鉛めつき浴 |