CS233399B1 - Vynález řeší způsob separace těsnění, zejména pryžového těsněni u svítidel v nevýbušném provedení. Jeho podstata spočívá v tom, že se dosedací plocha pryžového těsnění, navlečeného na ochranném skle, očistí a potře vrstvou lepidla, potom se přiloží kovová folie, například hliníková o vnějším průměru větším než je vnější průměr pryžového těsnění, která se přitlačí k dosedací ploše pryžového těsněni, a po zaschnutí se j kovová folie po vnitřním i vnějším obvolá du pryžového těsnění odstraní. - Google Patents

Abstract

Navržený způsob kombinovaného leptání složeného zlatého kontaktního systému přes fotoresistnl masku pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory vychází z kombinace několika metod leptání, které jsou vhodné pro jednotlivé vrstvy složeného kontaktu. Zlaté vrstvy jaou leptány argonovými ionty, separační vrstvy plazmatickým leptáním a adhézní vrstvy chemickou cestou přes fotoresistnl masku.

Description

Vynález se týká kombinovaného způsobu leptání složeného zlatého kontaktního systému přes fotoresistní masku pro vysoko frekvenční a mikrovlnné tranzistory a ostatní polovodičové součástky, kde nejmenší rozměrXy kontaktních struktur jsou čtyři a méně um.

- 2 —

233 399

Pro výrobu vysokofrekvenčních a mikrovlnných tranzistorů je nutné použití vícevrstvých kontaktních systémů, kde prvá vrstva umožňuje dokonalou adhezi k povrchu systému, druhé vrstva zabraňuje průniku zlata k povrchu systému a třetí vrstva je vlastní zlatá kontaktibilní vrstva umožňující termokompresní kontakt zlatého drátku jako vývodu. Nanášení těchto vrstev se provádí napařováním nebo naprašováním vhodných kovových materiálů· Vytváření vlastního kontaktního motivu se provádí fotolitografický za pomoci chemického leptání nebo katodovým odpraŠovéním, které však nelze realizovat přímo přes resistní masku, nýbrž přes pomocnou masku dalšího materiálu například niklu, která je přes resistní masku předem vyleptána, nebol při katodovém odprašování dochází k nežádoucímu zahřívání povrchu a tím k porušení resistní masky· Při chemickém leptání dochází k podleptévéní a tím k nežádoucím změnám požadované geometrie struktur nebo jejich lokálnímu přerušení·

Uvedené nedostatky jsou odstraněny způsobem kombinovaného leptání složeného zlatého kontaktního systému přes fotoresistní masku pro vysokofrekvenční á mikrovlnné tranzistory, jehož podstata spočívá v tom, že zlaté vrstvy jsou leptány argonovými ionty, separační vrstvy plazmatickým leptáním a adhézní vrstvy chemickou cestou přes fotoresistní masku· Jelikož pro vyleptání kontaktibilní vrstvy zlata je použito leptání argonovými ionty přímo přes fotoresistní masku, nedochází k podleptání a proces leptání je ukončen na méně leptatelné vrstvě· Vzhledem k tomu, že rychlost leptání zlata argonovými ionty proti rychlosti leptání fotoresistní vrstvy je mnohonásobně větší, je možno ϊ

- 3 233 399 # leptat vrstvy zlata o relativně značné tloušlce, aniž dojde k odleptání fotoresistní masky. Další vrstvu, která je vytvořena z materiálu, který lze leptat plazmaticky, lze odleptat él plazmatickým leptáním rovněž bez podstatného podleptání.

Poslední adhézní vrstvu, jejíž tloušlka je velmi malá, lze pak odleptat bez znatelného podleptání chemicky. Odstranění resistní masky lze pak provést plazmaticky v kyslíkové atmosféře.

Na připojeném výkrese obr. 1 je znázorněn příklad použití způsobu kombinovaného leptání na kontaktním systému pro mikrovlnný tranzistor o nejmenší šířce proužku 2 ^um« Na desku jě napařena pomocí elektronového děla vrstva titanu Ti o tloušlce 30 aZ 50 nm, dále pak vrstva molybdenu Mo o tloušlce 100,,-/ 150 nm a vrstva zlata Au o tloušlce 600 nm. Fotolitografickou cestou za pomoci resistu AZ 1350 je pak vytvořena resistní maska R kontaktního motivu. Leptání zlaté vrstvy je pak provedeno argonovými ionty, při kterém současně dojde k odstranění nežádoucích zbytků fotoresistu mezi proužky jednotlivých elektrod.

Doba leptání se pohybuje mezi 5 αχ 15 minutami. Následuje pak plazmatické leptání molybdenu Mo za pomoci fluoridu uhličitého. Poslední vrstva titanu Ti je odleptána chemicky. Zbylá fotoresistní maska R je pak odstraněna plazmaticky v kyslíkové atmosféře.

Claims (1)

1. Způsofe kombinovaného leptání složeného zlatého kontaktního systému přes fotoresistní masku pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory vyznačený tím, že zlaté vrstvy jsou leptány argonovými ionty, separační vrstvy plazmatickým leptáním a adhézní vrstvy chemickou cestou přes fotoresistní masku.