CS226082B1 - Studená katoda - Google Patents
Studená katoda Download PDFInfo
- Publication number
- CS226082B1 CS226082B1 CS296882A CS296882A CS226082B1 CS 226082 B1 CS226082 B1 CS 226082B1 CS 296882 A CS296882 A CS 296882A CS 296882 A CS296882 A CS 296882A CS 226082 B1 CS226082 B1 CS 226082B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cathode
- electrodes
- cold cathode
- plate
- insulating material
- Prior art date
Links
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
Autor vynálezu BENC IVO prom. fyz. CSc., STUPICE,
KERHART JAROSLAV ing., KOPECKÝ JOSEF ing., KŘIŽ JOSEF, LADNAR JOSEF,
URBANEC JAN RNDr. CSc., PRAHA (54) Studená katoda
Vynález se týká studené katody, jejíž elektrody ' jsou vytvořeny na destičce isolačního materiálu.
V současné době jsou propracovány různé typy studené katody. Ve většině případů jde o technologicky náročné způsoby zhotovení těchto katod. Základní myšlenka některých typů spočívá ve vytvoření kovových hrotů katody ve tvaru jehlanů nebo kuželů, přičemž tyto hroty se zpravidla vytváří speciální technikou vakuového naparování nebo naprašování kovu. Hroty se vytvářejí na vodivé základně ve vyleptaných otvorech dielektrické vrstvy, jejíž pokovený povrch zároveň vytváří anodu. Provedení tohoto typu je například popsáno ve článku C. A. Spindt: „Physicalproperties of thin Film emission Cathodes with molybdenium Cones“, uvedeném v Journal of Applied Physics, č. 12, roč. 1976. Na podobném principu jsou navržena řešení ve vynálezech USA, z r. 1973: «3,755,704 a z r. 1974: 3,789,471 a 3,812,559. Kromě technologické náročnosti zhotovení vlastních hrotů u těchto způsobů zhotovení je též * obtížné docílit spolehlivé spojení povrchu základny destičky se základnou kužele nebo jehlanu hrotu. Styčná místa mohou způsobovat nežádoucí přchodové odpory, nebo pnutí při tepelném namáhání na styku základny kužele nebo jehlanu s povrchem destičky.
Jiný způsob provedení studené hrotové katody j e popsán v čs. A. O. č. 196836. Podstatou řešení zde je vytvoření hrotů epitaxním růstem v otvorech kysličníkové vrstvy na polovodičovém materiálu. Nevýhodou zde je poměrně obtížné docílení optimální geometrie a rovnoměrnosti hrotů.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny studenou katodou podle vynálezu, jehož podstatou je, že elektrody vytvářející elektrické pole jsou plošné a leží v jedné rovině, přičemž alespoň jedna elektroda je tvořena hrotem směřujícím proti břitu druhé elektrody, a to tak, že výstupky podkladu elektrod, katody a anody jsou vytvořeny ze základního isolačního materiálu destičky a výstupky podkladu elektrod jsou opatřeny povrchovou kovovou vrstvou.
Výhodou studené katody zhotovené podle vynálezu je, že výstupky podkladu elektrod jsou vytvarovány přímo ze základního isolačního materiálu, a tím tvoří s destičkou isolačního materiálu kompaktní celek, což odstraňuje nebezpečí poškození tepelným namáháním na styku základny elektrod s povrchem základní destičky, jak tomu bylo v předchozích řešeních. Zároveň se tím úspěšně řeší otázka přechodových odporů na tomto styku, které zde rovněž odpadají. Řešení podle vynálezu též umožňuje volit optimální vytvarování elektrod podle požadavku vytvoření optimálního elektrického pole a vzhledem k tomu, že maskovací technika je v současné době dobře propracovaná, jde o řešení, ve srovnání s dřívějšími, technologicky poměrně jednoduché.
Na připojených dvou obrázcích je znázorněn jeden příklad provedení studené katody podle vynálezu. Na obr. 1 je v axonometrickém zobrazení část destičky s katodou a anodou a na obr. 2 je pohled na destičku ze strany mozaiky anody a katody.
Elektrody katody 3 a anody 4 jsou vytvořeny na destičce 1 isolačního materiálu křemene. Maskováním a leptáním se· vytvoří mozaika výstupků 2 podkladu elektrod katody 3 a anody 4. Povrch
Claims (1)
- PŘEDMĚTStudená katoda,' jejíž elektrody jsou vytvořeny na destičce isolačního materiálu, vyznačená tím, že elektrody katody (3) a anody (4) vytvářející elektrické pole jsou plošné a leží v jedné rovině, přičemž alespoň jedna elektroda je tvořena hrotem, směřujícím proti břitu druhé elektrody, a to těchto výstupků 2 se opatří povrchovou kovovou vrstvou 5 z molybdenu. Tímto postupem se dosáhne kombinace mozaiky hrotů katody 3 nasměrovaných proti břitům anody 4.Studenou katodu je možno výhodně použít ve snímacích elektronkách a v těch systémech, u kterých se požaduje rychlá pohotovost, nebo kde by bylo na závadu přisvětlení vznikající při emisi elektronů u žhavených katod. Takový požadavek j sě vyskytuje například u snímacích elektronek pracujících se zvýšenou citlivostí v oblasti infrazáření. tVYNÁLEZU tak, že výstupky (2) podkladu elektrod katody (3) a anody (4) jsou vytvořeny ze základního isolačního materiálu destičky (1) a výstupky (2) podkladu elektrod jsou opatřeny povrchovou kovovou vrstvou (5).1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS296882A CS226082B1 (cs) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | Studená katoda |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS296882A CS226082B1 (cs) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | Studená katoda |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226082B1 true CS226082B1 (cs) | 1984-03-19 |
Family
ID=5368413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS296882A CS226082B1 (cs) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | Studená katoda |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226082B1 (cs) |
-
1982
- 1982-04-26 CS CS296882A patent/CS226082B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5445550A (en) | Lateral field emitter device and method of manufacturing same | |
| GB2195046A (en) | A vacuum device having coplanar electrodes | |
| JPH0636680A (ja) | ダイヤモンドフイルム電子源を用いた電子素子 | |
| JPS62226530A (ja) | 電子ビ−ム発生用半導体デバイス | |
| US5841219A (en) | Microminiature thermionic vacuum tube | |
| US6626720B1 (en) | Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus | |
| JPH05190080A (ja) | 電界放出アレイの製造方法および電界放出装置 | |
| US5420054A (en) | Method for manufacturing field emitter array | |
| JPH07201273A (ja) | 電界放出冷陰極とこれを用いた電子管 | |
| CS226082B1 (cs) | Studená katoda | |
| JPH07201272A (ja) | 電界放出冷陰極およびその製造方法 | |
| US6777169B2 (en) | Method of forming emitter tips for use in a field emission display | |
| US9299526B2 (en) | Method to fabricate portable electron source based on nitrogen incorporated ultrananocrystalline diamond (N-UNCD) | |
| JP3390255B2 (ja) | 電界放出陰極装置及びその製造方法 | |
| JPH08106846A (ja) | 電界放出型電子放出素子およびその製造方法 | |
| JP3084768B2 (ja) | 電界放出型陰極装置 | |
| CS226081B1 (cs) | Studená polovodičová katoda | |
| JPH0574327A (ja) | 電子放出素子 | |
| JP3788228B2 (ja) | 電界放射型電子源 | |
| JP3211572B2 (ja) | 電界放射型電子素子およびその製造方法 | |
| JPH0456040A (ja) | 微小真空デバイス | |
| CS226083B1 (cs) | Studená polovodičová katoda | |
| JP2601085B2 (ja) | 機能性電子放出素子およびその製造方法 | |
| JP2610414B2 (ja) | 表示装置 | |
| JPH08329832A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 |