CS226083B1 - Studená polovodičová katoda - Google Patents

Studená polovodičová katoda Download PDF

Info

Publication number
CS226083B1
CS226083B1 CS296982A CS296982A CS226083B1 CS 226083 B1 CS226083 B1 CS 226083B1 CS 296982 A CS296982 A CS 296982A CS 296982 A CS296982 A CS 296982A CS 226083 B1 CS226083 B1 CS 226083B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
cathode
anode
cold
insulating interlayer
semiconductor
Prior art date
Application number
CS296982A
Other languages
English (en)
Inventor
Ivo Prom Fyz Csc Benc
Jaroslav Ing Kerhart
Josef Ing Kopecky
Josef Kriz
Josef Ladnar
Original Assignee
Ivo Prom Fyz Csc Benc
Kerhart Jaroslav
Kopecky Josef
Josef Kriz
Josef Ladnar
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ivo Prom Fyz Csc Benc, Kerhart Jaroslav, Kopecky Josef, Josef Kriz, Josef Ladnar filed Critical Ivo Prom Fyz Csc Benc
Priority to CS296982A priority Critical patent/CS226083B1/cs
Publication of CS226083B1 publication Critical patent/CS226083B1/cs

Links

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Description

Vynález se týká studené polovodičové katody, vytvořené na destičce polovodičového základního materiálu, opatřené izolační mezivrstvou, umožňující oddělení systému katody a anody.
V současné době jsou propracovány různé typy studené katody. Ve většině případů jde o technologicky náročné způsoby zhotovení těchto katod. Základní myšlenka některých typů spočívá ve vytvoření kovových hrotů katody ve tvaru jehlanů nebo kuželů, přičemž tyto hroty se zpravidla „ vytváří speciální technikou vakuového naparování ‘ nebo naprašování kovu. Hroty se vytvářejí na vodivé základně ve vyleptaných otvorech dielek- trické vrstvy, jejíž pokovený povrch zároveň vytváří anodu. Provedení tohoto typu je například popsáno ve článku C. A. Spindt: „Physical properties of thin film emission Cathodes with molybdenium Cones“. Journal of Applied Physics, č. 12, r. 1976. Na podobném principu jsou navržena řešení ve vynálezech USA, z r. 1973: č. 3,755,704 a z r. 1974: 3,789,471 a č. 3,812,559. Kromě technologické náročnosti zhotovení vlastních hrotů u těchto způsobů provedení je též obtížné docílit spolehlivé spojení povrchu základny destičky se základnou kužele nebo jehlanu hrotu. Místa styku základny kužele nebo jehlanu s povrchem destičky mohou způsobovat nežádoucí přechodové odpory, nebo pnutí při tepelném namáhání.
Jiný způsob provedení studené hrotové katody je popsán věs. A. O.č. 196 836. Podstatou řešení zde je vytvoření hrotů epitaxním růstem v otvorech kysličníkové vrstvy na polovodičovém materiálu. Nevýhodou zde je poměrně obtížné docílení optimální geometrie a rovnoměrnosti hrotů.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny studenou katodou polovodičovou, jejíž podstata spočívá v tom, že na kysličníkové izolační mezivrstvě jsou vytvořeny útvary katody a anody z polykrystalického polovodičového materiálu tak, že útvar katody, vytvořený v prostoru otvorů kysličníkové izolační mezivrstvy, tvoří alespoň jeden brit, svírající s povrchem destičky polovodičového základního materiálu úhel v rozmezí 30° až 90° a je obklopen plošnou anodou.
Studená polovodičová katoda zhotovená podle vynálezu je výhodná hlavně pro svoji jednoduchost výroby, protože zde jde vlastně o nanesení jediné funkční vrstvy polykrystalického křemíku, která se ještě jednoduše nanáší jako souvislá vrstva, čímž odpadá řada technologických problémů. Díky značnému pokroku, jehož bylo v poslední době dosaženo v technice maskování, není dnes problémem dvojí maskování, jehož je ke zhotovení studené katody podle vynálezu zapotřebí.
Na připojených třech obrázcích je zachycen příklad provedení studené katody podle vynálezu.
Na obr. 1 je v axonometrickém zobrazení část destičky s katodou a anodou, na obr. 2 je pohled na část destičky ze strany mosaiky anody a katody a na i obr. 3 je řez částí destičky.
Předložený příklad je proveden tak, že povrch destičky 1 polovodičového základního materiálu, jímž je v daném případě monokrystalický křemík, ; se termální oxidací opatří kysličníkovou izolační mezivrstvou 2, ve které se maskováním a leptáním vytvoří kruhové otvory. Takto upravený povrch jedné strany destičky 1 se pokryje souvislou

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT
    Studená polovodičová katoda vytvořená na destičce polovodičového základního materiálu opatře- ná izolační mezivrstvou umožňující oddělení systému katody a anody, vyznačená tím, že na kysličníkové izolační mezivrstvě (2) jsou vytvořeny útvary katody (4) a anody (5) z polykrystalického polovo1 v vrstvou 3 polykrystalického materiálu, jímž je zde křemík, ve které se pomocí druhého maskování a leptání vytvoří mosaika vzájemně odizolovaných : útvarů katody 4 a anody 5.
    Studenou katodu je možno s výhodou použít v těch elektronkách a systémech, kde se vyžaduje rychlá provozní pohotovost, nebo kde by bylo na závadu prisvětlení vznikající u žhavených katod. ; Takový požadavek se například vyskytuje u snímacích elektronek pracujících se zvýšenou citlivostí v oblasti infrazáření.
    VYNÁLEZU dičového materiálu tak, že útvar katody (4) vytvořený v prostoru otvorů kysličníkové izolační mezivrstvy (2) tvoří alespoň jeden břit svírající s povrchem destičky (1) polovodičového základního materiálu úhel v rozmezí 30° až 90° a je obklopen plošnou anodou (5).
CS296982A 1982-04-20 1982-04-20 Studená polovodičová katoda CS226083B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS296982A CS226083B1 (cs) 1982-04-20 1982-04-20 Studená polovodičová katoda

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS296982A CS226083B1 (cs) 1982-04-20 1982-04-20 Studená polovodičová katoda

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS226083B1 true CS226083B1 (cs) 1984-03-19

Family

ID=5368425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS296982A CS226083B1 (cs) 1982-04-20 1982-04-20 Studená polovodičová katoda

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS226083B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3998678A (en) Method of manufacturing thin-film field-emission electron source
US4983878A (en) Field induced emission devices and method of forming same
US5475281A (en) Cathode
JPH06231675A (ja) シリコン電界放出エミッタ及びその製造方法
JPH0799666B2 (ja) 集積真空超小型電子素子の製造方法及びその構造
JPH0340332A (ja) 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法
US5793155A (en) Microelectronic vacuum triode structure and method of fabrication
US5841219A (en) Microminiature thermionic vacuum tube
KR980005140A (ko) 전계 방출형 전자원 및 그 제조 방법
JPH0850850A (ja) 電界放出型電子放出素子およびその製造方法
WO2002021558A2 (en) Vacuum gap dielectric field emission triode
CS226083B1 (cs) Studená polovodičová katoda
US4986787A (en) Method of making an integrated component of the cold cathode type
CS226081B1 (cs) Studená polovodičová katoda
JPH0332208B2 (cs)
JPH0547296A (ja) 電界放出型電子源及びその製造方法
CS226082B1 (cs) Studená katoda
JPH08106846A (ja) 電界放出型電子放出素子およびその製造方法
KR0176086B1 (ko) 진공소자의 제조방법
JPH0456040A (ja) 微小真空デバイス
US6646367B2 (en) Field emitter for microwave devices and the method of its production
KR960005331B1 (ko) 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법
JPH0142148B2 (cs)
JPH0487135A (ja) 電子放出素子およびその製造方法
JPH087746A (ja) 電界放出陰極装置及びその製造方法