CS226083B1 - Studená polovodičová katoda - Google Patents
Studená polovodičová katoda Download PDFInfo
- Publication number
- CS226083B1 CS226083B1 CS296982A CS296982A CS226083B1 CS 226083 B1 CS226083 B1 CS 226083B1 CS 296982 A CS296982 A CS 296982A CS 296982 A CS296982 A CS 296982A CS 226083 B1 CS226083 B1 CS 226083B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- cold
- insulating interlayer
- semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
Vynález se týká studené polovodičové katody, vytvořené na destičce polovodičového základního materiálu, opatřené izolační mezivrstvou, umožňující oddělení systému katody a anody.
V současné době jsou propracovány různé typy studené katody. Ve většině případů jde o technologicky náročné způsoby zhotovení těchto katod. Základní myšlenka některých typů spočívá ve vytvoření kovových hrotů katody ve tvaru jehlanů nebo kuželů, přičemž tyto hroty se zpravidla „ vytváří speciální technikou vakuového naparování ‘ nebo naprašování kovu. Hroty se vytvářejí na vodivé základně ve vyleptaných otvorech dielek- trické vrstvy, jejíž pokovený povrch zároveň vytváří anodu. Provedení tohoto typu je například popsáno ve článku C. A. Spindt: „Physical properties of thin film emission Cathodes with molybdenium Cones“. Journal of Applied Physics, č. 12, r. 1976. Na podobném principu jsou navržena řešení ve vynálezech USA, z r. 1973: č. 3,755,704 a z r. 1974: 3,789,471 a č. 3,812,559. Kromě technologické náročnosti zhotovení vlastních hrotů u těchto způsobů provedení je též obtížné docílit spolehlivé spojení povrchu základny destičky se základnou kužele nebo jehlanu hrotu. Místa styku základny kužele nebo jehlanu s povrchem destičky mohou způsobovat nežádoucí přechodové odpory, nebo pnutí při tepelném namáhání.
Jiný způsob provedení studené hrotové katody je popsán věs. A. O.č. 196 836. Podstatou řešení zde je vytvoření hrotů epitaxním růstem v otvorech kysličníkové vrstvy na polovodičovém materiálu. Nevýhodou zde je poměrně obtížné docílení optimální geometrie a rovnoměrnosti hrotů.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny studenou katodou polovodičovou, jejíž podstata spočívá v tom, že na kysličníkové izolační mezivrstvě jsou vytvořeny útvary katody a anody z polykrystalického polovodičového materiálu tak, že útvar katody, vytvořený v prostoru otvorů kysličníkové izolační mezivrstvy, tvoří alespoň jeden brit, svírající s povrchem destičky polovodičového základního materiálu úhel v rozmezí 30° až 90° a je obklopen plošnou anodou.
Studená polovodičová katoda zhotovená podle vynálezu je výhodná hlavně pro svoji jednoduchost výroby, protože zde jde vlastně o nanesení jediné funkční vrstvy polykrystalického křemíku, která se ještě jednoduše nanáší jako souvislá vrstva, čímž odpadá řada technologických problémů. Díky značnému pokroku, jehož bylo v poslední době dosaženo v technice maskování, není dnes problémem dvojí maskování, jehož je ke zhotovení studené katody podle vynálezu zapotřebí.
Na připojených třech obrázcích je zachycen příklad provedení studené katody podle vynálezu.
Na obr. 1 je v axonometrickém zobrazení část destičky s katodou a anodou, na obr. 2 je pohled na část destičky ze strany mosaiky anody a katody a na i obr. 3 je řez částí destičky.
Předložený příklad je proveden tak, že povrch destičky 1 polovodičového základního materiálu, jímž je v daném případě monokrystalický křemík, ; se termální oxidací opatří kysličníkovou izolační mezivrstvou 2, ve které se maskováním a leptáním vytvoří kruhové otvory. Takto upravený povrch jedné strany destičky 1 se pokryje souvislou
Claims (1)
- PŘEDMĚTStudená polovodičová katoda vytvořená na destičce polovodičového základního materiálu opatře- ná izolační mezivrstvou umožňující oddělení systému katody a anody, vyznačená tím, že na kysličníkové izolační mezivrstvě (2) jsou vytvořeny útvary katody (4) a anody (5) z polykrystalického polovo1 v vrstvou 3 polykrystalického materiálu, jímž je zde křemík, ve které se pomocí druhého maskování a leptání vytvoří mosaika vzájemně odizolovaných : útvarů katody 4 a anody 5.Studenou katodu je možno s výhodou použít v těch elektronkách a systémech, kde se vyžaduje rychlá provozní pohotovost, nebo kde by bylo na závadu prisvětlení vznikající u žhavených katod. ; Takový požadavek se například vyskytuje u snímacích elektronek pracujících se zvýšenou citlivostí v oblasti infrazáření.VYNÁLEZU dičového materiálu tak, že útvar katody (4) vytvořený v prostoru otvorů kysličníkové izolační mezivrstvy (2) tvoří alespoň jeden břit svírající s povrchem destičky (1) polovodičového základního materiálu úhel v rozmezí 30° až 90° a je obklopen plošnou anodou (5).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS296982A CS226083B1 (cs) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | Studená polovodičová katoda |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS296982A CS226083B1 (cs) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | Studená polovodičová katoda |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226083B1 true CS226083B1 (cs) | 1984-03-19 |
Family
ID=5368425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS296982A CS226083B1 (cs) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | Studená polovodičová katoda |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226083B1 (cs) |
-
1982
- 1982-04-20 CS CS296982A patent/CS226083B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3998678A (en) | Method of manufacturing thin-film field-emission electron source | |
| US4983878A (en) | Field induced emission devices and method of forming same | |
| US5475281A (en) | Cathode | |
| JPH06231675A (ja) | シリコン電界放出エミッタ及びその製造方法 | |
| JPH0799666B2 (ja) | 集積真空超小型電子素子の製造方法及びその構造 | |
| JPH0340332A (ja) | 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法 | |
| US5793155A (en) | Microelectronic vacuum triode structure and method of fabrication | |
| US5841219A (en) | Microminiature thermionic vacuum tube | |
| KR980005140A (ko) | 전계 방출형 전자원 및 그 제조 방법 | |
| JPH0850850A (ja) | 電界放出型電子放出素子およびその製造方法 | |
| WO2002021558A2 (en) | Vacuum gap dielectric field emission triode | |
| CS226083B1 (cs) | Studená polovodičová katoda | |
| US4986787A (en) | Method of making an integrated component of the cold cathode type | |
| CS226081B1 (cs) | Studená polovodičová katoda | |
| JPH0332208B2 (cs) | ||
| JPH0547296A (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
| CS226082B1 (cs) | Studená katoda | |
| JPH08106846A (ja) | 電界放出型電子放出素子およびその製造方法 | |
| KR0176086B1 (ko) | 진공소자의 제조방법 | |
| JPH0456040A (ja) | 微小真空デバイス | |
| US6646367B2 (en) | Field emitter for microwave devices and the method of its production | |
| KR960005331B1 (ko) | 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법 | |
| JPH0142148B2 (cs) | ||
| JPH0487135A (ja) | 電子放出素子およびその製造方法 | |
| JPH087746A (ja) | 電界放出陰極装置及びその製造方法 |