CS224057B1 - Ochranný elektronický obvod - Google Patents
Ochranný elektronický obvod Download PDFInfo
- Publication number
- CS224057B1 CS224057B1 CS229981A CS229981A CS224057B1 CS 224057 B1 CS224057 B1 CS 224057B1 CS 229981 A CS229981 A CS 229981A CS 229981 A CS229981 A CS 229981A CS 224057 B1 CS224057 B1 CS 224057B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- protective
- power supply
- electronic circuit
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Vynález řeší ochranný elektronický obvod, který zabezpečuje jiné části složitějšího elektronického obvodu před zničením při náhlém zvýšení kladného napětí na zátěži induktivního charakteru.
Dosud známé ochranné elektronické obvody pro zabezpečení jiných částí elektronického obvodu s induktivní zátěží využívají dvou pomocných diod, které odvádějí záporné napěťové špičky do zemní svorky obvodu, zatímco kladné napěňové špičky do napájecího zdroje obvodu, a tím chrání části elektronických obvodů před zničením napěťovým přepětím. Použitelnost ochranných obvodů tohoto typu je však omezena, nemají stejné vlastnosti pr© všechny aplikace, např. pro běžná zapojení nízkofrekvenčních zesilovačů výkonu se zvyšovaoím, tzv. bootstrap kondenzátorem. Ten to zvyšovací kondenzátor umožňuje pro daný výkon v zátěži zesilovače použít napájecího zdroje o menším napětí. Zvyšovací kondenzátor je však zapojen v sérii s kondenzátorem napájecího zdro je, a tím klesne výsledná kapacita a při stejné energii v induktivní zátěži dojde k většímu stoupnutí napětí na koncovém stupni zesilovače. Omezená použitelnost výše uvedených ochranných obvodů spočívá v tom, že při provozu zesilovacích stupňů dochází k selhání těchto ochranných obvodů z následujících důvodů:
a/ Zvyšovací kondenzátor je odpojený buď nedbalou montáží obvodu, vnitřní korozí přívodů kondenzátoru, nebo u monolitického nebo hybridního provedení zesilovače v důsledku špatného doteku obvodu v měřícím či aplikačním soklu.
b/ Zvyšovací kondenzátor má malou kapacitu, např. není zfor mován při prvním zapnutí nebo se zmenší kapacita při dlouhodobém skladování hotového elektronického výrobku.
224 057
V obou případech dochází v určitém časovém okamžiku ke vzniku větší napěťové kladné špičky na induktivní zátěži, která má zpravidla destruktivní vliv na elektronický obvod.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje ochranný elektronický obvod pro elektronická zařízení se zátěží induktivního charakteru připojenou na výstupní uzel tranzistorového zesilovače v kvazikomplementárním zapojení se zvyšovacím kondenzátorem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že výstup prvního napětím řízeného zdroje proudu je spojen se vstupem spínače, který je zapojen do série se zdrojem napájecího napětí a se zvyšovacím kondenzátorem, zatímco výstup druhého napětím řízeného zdroje proudu je připojen na bázi ochranného tranzistoru, jehož kolektor je spo jen s bází spodního výkonového tranzistoru.
Druhý napětím řízený zdroj proudu může být tvořen PNP tranzistorem, zapojeným svým emitorem do výstupního uzlu zesilovače, kolektorem na odpor a bázi ochranného tranzistoru a bází přes odpor na zdroj napájecího napětí.
Zavedením ochranného elektronického obvodu se docílí vyšší napěňové odolnosti částí elektronických obvodů, které nemusí být konstrukčně navrženy na toto vyšší napětí vyskytující se pouze v určitém Časovém okamžiku činnosti obvodu.
Na připojených výkresech jsou znázorněny dva příklady provedení ochranného elektronického obvodu, kde na obr. 1 je nakresleno obecné řešení ochranného obvodu. Na obr. 2 je nakresleno konkrétní provedení ochranného obvodu.
Zesilovací kvazikomplementární výkonový stupeň /obr. 1/ je tvořen invertorem 11, který je svým horním výstupem spojen s horním výkonovým tranzistorem 8 a svým dolním výstupem se spodním výkonovým tranzistorem 9 koncového stupně. Kolektor horního výkonového tranzistoru 8 je spojen s katodou napájecí diody 2» která je svou anodou zapojena na zdroj napájecího napětí. Dále je kolektor horního výkonového tranzistoru 8 spojen se zvyšovacím kondenzátorem 3. Zvyšovací kondenzátor 3 je spojen svou druhou elektrodou s odporem 1 a se spínačem 12, který je druhou stranou spojen se zdrojem napájecího napětí. Spínač 12 je spojen řídicí svorkou se spodní svorkou prvního napětím řízeného zdroje 14 proudu. První napětím řízený zdroj 14 proudu je svou druhou svorkou spojen se zdrojem napájecího napětí a svou řídicí svorkou
- 3 224 057 je spojen se vstupní svorkou invertoru 11. Odpor 1_ je svou druhou svorkou uzemněn. Ochranný tranzistor 10 je spojen svým kolektorem s bází spodního výkonového tranzistoru 2» emitorem je uzemněn a bází je spojen se spodní svorkou druhého napětím řízeného zdroje 15 proudu a s odporem 2. Druhý napětím řízený zdroj 15 proudu je svou druhou svorkou spojen se zdrojem napájecího napětí a svou řídící svorkou je spojen se vstupní svorkou invertoru 11. Odpor 2 je svou druhou svorkou uzemněn. Výstupní uzel 0 koncového stupně je připojen k jedné svorce zátěže 13 induktivního charakteru, která je svým druhým koncem spojena s oddělovacím kondenzátorem 4, který je svou druhou svorkou uzemněn. Horní ochranná dioda 6 je svou katodou spojena s kolektorem horního výkonového tranzistoru 8 a svou anodou s emitorem horního výkonového tranzistoru 8. Spodní ochranná dioda 7 je svou katodou spojena s kolektorem spodního výkonového tranzistoru 2 a anoda je uzemněna.
V časovém okamžiku, kdy budicí napětí pilového průběhu invertoru 11 dosahuje maximální hodnoty, jsou tímto napětím sepnuty i první napětím řízený zdroj 14 proudu a druhý napětím řízený zdroj 15 proudu. První napětím řízený zdroj 14 proudu spíná proudem spínač 12, který připojuje do série zdroj napájecího napětí s napětím na zvyšovacím kondenzátoru 3, který se v předcházejícím časovém okamžiku nabil na napětí rovné přes napájecí diodu 2 a odpor 1.· Ti® dochází ke zvýšení napětT~na kolektoru horního výkonového tranzistoru 8 na hodnotu rovnou téměř dvojnásobku napětí zdroje napájecího napětí. Současně dochází ke komutaci proudu v zátěži*^ induktivního charakteru. Vznikající napěťová špička je vedena přes horní ochrannou diodu 6 do zvyšovacího kondenzátoru 3, a filtračních kondenzátorů zdroje napájecího napětí přes spínač 12. Spodní výkonový tranzistor 2~”3e napěťově namáhán touto napěťovou špičkou. Druhý napětím řízený zdroj 15 proudu spíná současně proudem I2 ochranný tranzistor 10. který prakticky zkratuje PN přechod báze-emitor spodního výkonového tranzistoru 2 a převede jej tímto způsobem z režimu UqE do režimu Uqq. Toto napětí Ugg je vždy podstatně vyšší než UCE a spodní výkonový tranzistor 2 nebude vzniklým přepětím zničen.
Na obr. 2 je nakresleno konkrétní provedení ochranného obvodu. PNP tranzistor 1£ je svým emitorem připojen na výstupní uzel 0 zesilovače a svou bází je spojen přes odpor 16, se zdrojem napájecího napětí. PNP tranzistor J2 όθ dále SVÝ® kolektorem“spojen s bází ochranného tranzistoru 10.
~ 4 224 057
Překročí-li napětí ve výstupním uzlu 0 zesilovače v časovém okamžiku popsaném v popisu funkce obecného řešení ochranného obvodu velikost napětí zdroje U„ napájecího napětí o součet otevíračího napětí PN přechodu~báze-emitor PNP tranzistoru 17 a úbytek napětí na odporu 16. způsobený bázovým proudem PNP tranzistoru 17, otevírá se zcela automaticky PNP tranzistor 17 i ochranný tranzistor 10. Otevření ochranného tranzistoru 10 způsobí přechod spodního výkonového tranzistoru 2 z režimu UGE do režimu UCB a ochranu před destrukcí vzniklým přepětím ve výstupním uzlu 0 zesilovače.
Vynález zvyšuje spolehlivost elektronického zařízení. Je zvláště vhodný pro monolitické bipolární a hybridní integrované obvody, u kterých je napětí' UC£ tranzistorů limitováno možnostmi technologie jejich zhotovení. V tomto případě vynález principielně umožňuje konstrukci takových integrovaných obvodů, které by bez využití vynálezu nebylo možné v konkrétních podmínkách zkonstruovat.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU224 0571. Ochranný elektronický obvod pro elektronická zařízení se zátěží induktivního charakteru připojenou na výstupní uzel tranzistorového zesilovače v kvazikomplementárním zapojení se zvyšovacím kondenzátorem, vyznačený tím, že výstup prvního napětím řízeného zdroje /14/ proudu je spojen se vstupem spínače /12/, který je zapojen do série se zdrojem /U^/ napájecího napětí a se zvyšovacím kondenzátorem /3/, zatímco výstup druhého napětím řízeného zdroje /15/ proudu je připojen na bázi ochranného tranzistoru /10/, jehož kolektor je spojen s bází spodního výkonového tranzistoru /9/.
- 2, Ochranný elektronický obvod pro elektronická zařízení se zátěží induktivního charakteru podle bodu 1, vyznačený tím, že druhý napětím řízený zdroj /15/ proudu je tvořen PNP tranzistorem /17/» zapojeným svým emitorem do výstupního uzlu /0/ zesilovače, kolektorem na odpor /2/ a bázi ochranného tranzistoru /10/ a bází přes odpor /16/ na zdroj /U^/ napájecího napětí.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS229981A CS224057B1 (cs) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Ochranný elektronický obvod |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS229981A CS224057B1 (cs) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Ochranný elektronický obvod |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS224057B1 true CS224057B1 (cs) | 1983-12-30 |
Family
ID=5359707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS229981A CS224057B1 (cs) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Ochranný elektronický obvod |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS224057B1 (cs) |
-
1981
- 1981-03-30 CS CS229981A patent/CS224057B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7319579B2 (en) | Snubber circuit | |
| CN206249131U (zh) | 电源保护电路及电源装置 | |
| CN113258913A (zh) | 具有esd保护电路的半导体开关 | |
| US6385116B2 (en) | Semiconductor integrated device | |
| JPS61264749A (ja) | ダイナミツク保護集積装置 | |
| JP2795027B2 (ja) | Igbtのゲート駆動回路 | |
| JP4779549B2 (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路。 | |
| WO2021134540A1 (zh) | 混合断路器、混合断路系统及断路方法 | |
| JPH03166816A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US5764088A (en) | Control circuit for an electronic switch, and a switch constituting an application thereof | |
| CS224057B1 (cs) | Ochranný elektronický obvod | |
| JPH01128107A (ja) | 誘導負荷駆動のための能動過電圧コントロール回路 | |
| US5898327A (en) | Low-power reset signal generating circuit improved in voltage rising characteristic | |
| US7595696B2 (en) | Power amplifier | |
| CN114050713B (zh) | 高压集成电路中的自举电路及充电方法 | |
| US6850111B1 (en) | Charge pump circuit | |
| JP2697060B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| CN217607483U (zh) | Esd保护电路、mcu芯片及bms芯片 | |
| JPH0795247B2 (ja) | 直流電源装置 | |
| CN219016948U (zh) | 防电池反接的电容笔及触控装置 | |
| JP2715593B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0244911A (ja) | トランジスタの電流抑制回路 | |
| US6605927B2 (en) | Circuit configuration for discharging a capacitor which has been charged to a high voltage to a low voltage under the control of a control unit | |
| Wei et al. | Design of a Compact Clamp Circuit Based on Current Mirror Structure | |
| RU1818672C (ru) | Устройство дл управлени мощным транспортом с защитой от короткого замыкани |