CS200095B1 - Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi - Google Patents
Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi Download PDFInfo
- Publication number
- CS200095B1 CS200095B1 CS721278A CS721278A CS200095B1 CS 200095 B1 CS200095 B1 CS 200095B1 CS 721278 A CS721278 A CS 721278A CS 721278 A CS721278 A CS 721278A CS 200095 B1 CS200095 B1 CS 200095B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- circuit elements
- integrated circuits
- bipolar integrated
- solid phase
- contacts
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 title 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 2
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 244000144992 flock Species 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Vynález ee týká způsobu výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi s neplanárníml vrstvami kysličníku křemičitého na povrohu křemíkové desky.
Systémy bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi (IOPF), vyráběné v současné době se mimo Jiné vyznačují tím, že po vytvoření obvodových prvků je povrch kysličníku křemičitého na křemíkové desce značně nerovinný. Např. v oblasti báze je tlouštka vrstvy kysličníku křemičitého několikanásobně větří než v oblasti emitoru. Dále rychlosti leptání vrstev kysličníku křemičitého v jednotlivých oblastech jsou podstatně odliřné. V důsledku odlišných tlouštěk a odlišných rychlostí leptání vrstev kysličníku křemičitého v oblasti báze a emitoru dochází při fotolitografickém vytváření kontaktovacích okének k těmto oblastem k tvorbě komplikovaných anebo negativních profilů schodků ve vrstvách kysličníku křemičitého. Komplikované a zejména negativní profily schodků ve vrstvách kysličníku křemičitého Jsou potenciálním zdrojem poruch hliníkové propojovací sítě v důsledku zeslabení nebo i přerušení vodivýoh drah na těchto schodcích. V důsledku negativních profilů schodků ve vrstvách kysličníku křemičitého dochází rovněž k tvorbě dutin pod vodivými drahami.
Tyto dutiny Jaou zdrojem dalších poruch, která způsobuji zbytky elektrolytů použitých během výrobního procesu.
200 095
200 09S
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních Integrovaných obvodů v. pevné fázi s neplanárními vrstvami kysličníku křemičitého na povrchu křemíkové desky podle vynálezu v podstatě tím, že neplanární vrstvy kysličníku křemičitého se odleptají a na obnažený povrch křemíkové desky ae chemicky z plynné fáze de ponuje planární vrstva fosforsilikátového skla s obsahem do 8 % molárních kysličníku foéfo řečného, která se vyžíhé při teplotě do 100 °C, načež se^ftaskovení a vyleptání kontaktovacích okének deponuje netolická vrstva kontaktů a propojovací sítě.
Chemicky deponovaná a v suchém kyslíku vyžíhaná vrstva fosforsilikátového skla má dobrou elektrickou pevnost, pasiveční vlastnosti a stabilitu rozhraní aklo-křemík. Dalěi jeji předností je velmi malý gradient koncentrace kysličníku fosforečného ve směru kolmém na rovinu křemíkové deaky ve arovnání a termicky vytvořeným foaforsilikátovým sklem. Využitím vynálezu je možno dosáhnout optimálních podmínek pro vytvoření spolehlivé hliníkové propojovací sítě k obvodovým prvkům integrovaných obvodů v pevné fázi, která podstatně působí na zvýšení životnosti a dlouhodobé spolehlivosti Zejména výkonových integrovaných obvodů v pevné fázi.
Příklad využití vynálezu při výrobě integrovaného nízkofrekvenčního výkonového zesilovače v pevné fázi je popsán v následujícím odstavci. PNP tranzistory v tomto integrovaném obvodu jsou realizovány jako laterální transistory s poměrně přísnými nároky na proudo vý zesilovací činitel a závěrné napětí, jmenovitě závěrné napětí kolektor-emitor. rroudový zesilovací činitel laterálních transistorů je výrazně ovlivňován kvalitou rozhraní křemík-kysličník''křemičitý a povrchu systému.
Neplanární vrstvy kysličníku křemičitého, vytvořené na povrohu křemíkové desky se systémy integrovaných obvodů v pevné fázi během výrobního procesu, se pdleptají v pufrované kyselině fluorovodíkové, Poté se křemíková deska důkladně omyje. Potomse provede depozice vrstvy kysličníku křemičitého oxidací silanu a fosfinu kyslíkem při teplotě 400 °C. Tloušlka vrstvy..kysličníku křemičitého je asi 0,5/um a obsah kysličníku fosforečného 5 % molárních. Křemíková deska s deponovanou vrstvou kysličníku křemičitého se vyžíhá v suchém kyslíku při teplotě 900 °C po dobu 20 minut. Tím dojde ke tvorbě fosforsilikátového skla požadovaných vlastností. Po maskování a leptání se běžným způsobem vytvoří hliníkové kontakty a propojovací sil. Takto vyrobené integrované nízkofrekvenční výkonové zesilovače v pevné fázi vykazují prakticky nezměněné parametry po 5 000 hod. provozu.
Lpůsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi podle vynálezu je zvláště vhodný pro vytváření kontaktů složitých výkonovýoh integrovaných obvodů v pevná fázi s velkou hustotou obvodových prvků na jednotku plochy.
Claims (1)
- Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi s neplanárními vrstvami kysličníku křemičitého na povrchu křemíkové desky, vyznačený tím, že neplanární vrstvy kysličníku křemičitého se odleptají a na obnažený povrch křemíkové desky se chemicky z plynné fáze deponuje planární vrstva fosforsilikáto vého skla s obsahem kysličníku fosforečného do 6% molárních, která se vyžíhá při teplotě 1000 °C, nyčež se po maskování a vyleptání kontaktovacích okének deponuje metalická vrstva kontaktů a propojovací sítě.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS721278A CS200095B1 (cs) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS721278A CS200095B1 (cs) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200095B1 true CS200095B1 (cs) | 1980-08-29 |
Family
ID=5420856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS721278A CS200095B1 (cs) | 1978-11-06 | 1978-11-06 | Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200095B1 (cs) |
-
1978
- 1978-11-06 CS CS721278A patent/CS200095B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4169000A (en) | Method of forming an integrated circuit structure with fully-enclosed air isolation | |
| JP5505367B2 (ja) | 基板の一部に絶縁層を有する貼り合わせ基板の製造方法 | |
| US4016017A (en) | Integrated circuit isolation structure and method for producing the isolation structure | |
| GB2206445A (en) | Method of manufacturing dielectrically isolated integrated circuits and circuit elements | |
| US4106050A (en) | Integrated circuit structure with fully enclosed air isolation | |
| CS200095B1 (cs) | Způsob výroby kontaktů k obvodovým prvkům systémů bipolárních integrovaných obvodů v pevné fázi | |
| EP0060205B1 (en) | Low temperature melting binary glasses for leveling surfaces of integrated circuits containing isolation grooves | |
| JPH0770472B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS57186339A (en) | Etching method for silicon | |
| JPS6364904B2 (cs) | ||
| JPS645463B2 (cs) | ||
| JP2754819B2 (ja) | 誘電体分離型半導体基板の製造方法 | |
| JPS58165328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH079930B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU980568C (ru) | Способ получени кристаллов полупроводниковых структур | |
| JPH07169830A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPS6210027B2 (cs) | ||
| KR100329751B1 (ko) | 다공질실리콘막을이용한산화막제조방법 | |
| JPH0312773B2 (cs) | ||
| JPS58106846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0373139B2 (cs) | ||
| JPS5916342A (ja) | 集積回路用基板の製造方法 | |
| JPH06334028A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JPH03257948A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6136380B2 (cs) |