CS197655B1 - Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora - Google Patents
Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora Download PDFInfo
- Publication number
- CS197655B1 CS197655B1 CS649677A CS649677A CS197655B1 CS 197655 B1 CS197655 B1 CS 197655B1 CS 649677 A CS649677 A CS 649677A CS 649677 A CS649677 A CS 649677A CS 197655 B1 CS197655 B1 CS 197655B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diffusion
- base
- pnp transistor
- vacuum
- emitter
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
československá socialistická
REPUBLIKA (19)
POPIS VYNÁLEZU
K AUTORSKÉMU OSVEDfiENIU 197655 (11) (Bl)
(51) Int. Cl.3 H 01 L 21/38 (22) Přihlášené 07 10 77(21) (PV 6496-77) (40) Zverejnené 31 08 79 (45) Vydané 07. 12. 81
ÚŘAD PRO VYNÁLEZYA OBJEVY
(75) Autor vynálezu KOŘEŇ MIKULÁŠ, ing., JAKUBOVIE JOZEF, ing, VLNKAJÁN, ing. a GRAUS JOZEF, ing., PIEŠŤANY (54) Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora
Vynález rieši spósob vytvorenia štruktúryPNP tranzistora difúziou bázy vo vákuu adifúziou emitora na základe medzioperačné-ho merania elektrických parametrov.
Pri výrobě štruktúry systémov pré tranzis-tory sa zaužíval postup, pri ktorom sa difun-duje báza difúziou v prúde nosného plynu,skladajúcou sa zo sýtenia, zleptania dotova-ného oxidu a v ďalšom z rozdifundovania zasúčasnej čiastočnej reoxidácie za účelom zní-ženia koncentrácie bázy. Do takto vytvore-nej bázovej vrstvy sa difunduje emitorovávrstva, pričom případné odchýlky od poža-dovaných elektrických parametrov sa zohlad-ňujú pri difúzii dalších sád- změnou podmie-nok difúzie emitora.
Tento postup neumožňuje v případe výrobynáročnějších štruktúr dosahovat dostatočnúhomogenitu elektrických parametrov medzijednotlivými doskami jednej sady, ako ajmedzi sadami, z titulu značnej nereproduko-vatelnosti znižovania koncentrácie pri difú-zii bázy, ako aj možnosti regulácie difúzieemitora až dodatočne, tj. až pre ďalšie sadyna základe merania elektrických parametrovz predchádzajúcich sád.
Podstatou vynálezu je postup, nahradzujúciznačné nehomogénnu vyššie opísanú difúziubázy difúziou bázy vo vákuu, ktorá je pod-statné homogénnejšia, na ktorú navazuje dvojstupňová difúzia emitora, pri ktorej sav prvom stupni vytvoří dotačná vrstva, kto-rá sa čiastočne nadifunduje, a takto vytvo-řené vrstvy sa námatkovo zmerajú na roz-hodujúce elektrické parametre, a to najmazávěrné napátie emitor — kolektor a na zá-klade vyhodnotenia tohoto merania sa určív případe potřeby režim dodifundovania vprúde nosného plynu. Uvedený postup umož-ňuje značné zvýšit' homogenitu difúznychcyklov, a tým zvýšit výťažnosť ^výroby sys-témov tranzistorov, ako aj ich montáže.
Ako příklad spósobu výroby tranzistorovýchštruktúr podlá vynálezu je popísané vytvo-renie difúznych vrstiev vysokofrekvenčnéhoPNP tranzistora, pri ktorom sa báza difun-duje vákuovou difúziou fosforu počas 6 hodina teplote 1150 CC, pričom sa vytvoří bázovávrstva cca 3 mikrometre hlboká o povrcho-vej koncentrácii 5.1017—5.10’8 atómov/cm3, ponáslednom vytvoření maskovacieho oxidu vovodných parách počas 50 minút a teplote1050 °C a masky emitora v tomto oxidesa vákuove difunduje bór za teploty 1100 °Cdo 2/5 hlbky difúzie bázy, v ďalšom sa emi-torová vrstva dodifunduje v prúde kyslíkapri 1100 °C za čas určený s ohladom navýsledky námatkového merania tranzistorovpo vákuovej difúzii bóru na parametre zá-věrné napátia bázy a emitora voči kolektoru.
Claims (1)
- PŘEDMET VYNÁLEZU Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzisto-ra, vyznačujúci sa tým, že po vytvoření bázovej difúznej vrstvy di-fúziou fosforu, antimonu, aiebo arzénu vo va-kuu a prípadnej reoxidácii a maskovania sa prevedie difúzia emitorovej vrstvy vákuovoudifúziou bóru, v ďalšom sa zmerajú elektric-ké parametre vytvořených tranzistorov a nazáklade tohoto merania sa vytváraná struk-tura dodifunduje difúziou v prúde nosnéhoplynu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS649677A CS197655B1 (cs) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS649677A CS197655B1 (cs) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS197655B1 true CS197655B1 (cs) | 1980-05-30 |
Family
ID=5412137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS649677A CS197655B1 (cs) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS197655B1 (cs) |
-
1977
- 1977-10-07 CS CS649677A patent/CS197655B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS197655B1 (cs) | Spósob vytvorenia štruktúry PNP tranzistora | |
| Parekh et al. | The influence of the reaction kinetics of O2 and source flow rates on the uniformity of boron and arsenic diffusions | |
| GB1476555A (en) | Junction isolated bipolar integrated circuit device and method of manufacture thereof | |
| GB1379269A (en) | Semiconductor device manufacturing process | |
| Li et al. | Methodology for bipolar process diagnosis and its application to advanced self-aligned bipolar transistors | |
| JPS56153766A (en) | Semiconductor device | |
| JPS54151379A (en) | Manufactue for semiconductor device | |
| EP0305977A3 (en) | Method for doping a semiconductor integrated circuit | |
| JPS5710969A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS5727060A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS559425A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| GB1274975A (en) | Improvements in or relating to semiconductor elements having a definite charge carrier life time | |
| JPS5731172A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5546539A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS55128823A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS54152874A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| JPS5567131A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPS5776873A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6435952A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5784147A (en) | Manufacture of integrated circuit | |
| JPS51135362A (en) | Method of manufacturing silicon semiconductor element | |
| JPS6425569A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| SE7910530L (sv) | Sett att tillverka integrerade kretsar | |
| JPS54878A (en) | Test method for unijunction transistor | |
| JPS5776871A (en) | Semiconductor and manufacture thereof |