发明内容
本实用新型提供一种高精度电压基准校正电路,其目的是要解决以往校准电路存在的高精度与电路简单及低成本之间的矛盾,从而以低成本实现高精度校准。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种高精度电压基准校正电路,由熔丝电路、逻辑电路、数模转换电路、一个校准前的基准电压输入端Vref1以及一个校准后的基准电压输出端Vref2组成,其中:
熔丝电路由0、1、2、3…n个多路单元并行构成,n为正整数,各路单元均由烧写电路和修调电路构成,其中,修调电路主要由上拉电阻R上与熔丝f0、f1、f2、f3…fn串联对地构成回路,上拉电阻R上与熔丝之间分别引出输出信号A0、A1、A2、A3…An,各烧写电路分别与对应的熔丝f0、f1、f2、f3…fn串联对地构成回路;
逻辑电路由逻辑元件连接构成,该逻辑电路设有0、1、2、3…n个输入端,各输入端分别与熔丝电路的输出信号A0、A1、A2、A3…An对应连接,该逻辑电路还设有0、1、2、3…n个输出信号D0、D1、D2、D3…Dn,所述逻辑电路的输入信号与输出信号的逻辑关系如下:
输出信号D0=输入信号A0非;
输出信号D1=输入信号A0⊙输入信号A1;
输出信号D2=输入信号A0⊙输入信号A2;
输出信号D3=输入信号A0⊙输入信号A3;
……
输出信号Dn=输入信号A0⊙输入信号An;
数模转换电路由0、1、2、3…n个多路并行的电子开关电路、倒T型电阻网络和一个运算放大器构成的求和电路组成;各电子开关电路均由两个NMOS开关和一个反相器组成,逻辑电路的输出信号D0、D1、D2、D3…Dn对应接各电子开关电路中的两个NMOS开关栅极,其中,一个NMOS开关的栅极上串联反相器;倒T型电阻网络由阻值R和2R的电阻构成0、1、2、3…n级,其中,各2R网络支路分别接各电子开关电路中的两个NMOS开关的源极B0、B1、B2、B3…Bn,倒T型电阻网络的一端接地,另一端接运算放大器的同相输入端;运算放大器的同相输入端接0路电子开关电路中未串联反相器的NMOS开关漏极和1、2、3…n路电子开关电路中串联反相器的NMOS开关漏极,运算放大器的负相输入端接0路电子开关电路中串联反相器的NMOS开关漏极和1、2、3…n路电子开关电路中未串联反相器的NMOS开关漏极;运算放大器的负相输入端与输出端之间串联电阻构成负反馈,校准前的基准电压输入端Vref1接运算放大器的同相输入端,运算放大器的输出端作为校准后的基准电压输出端Vref2。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1、上述方案中,n一般≤12。
2、上述方案中,所述烧写电路为针对金属熔丝设置两个电接探点,每个电接探点由开设窗口的金属层构成,两个电接探点的金属层分别通过连线与金属熔丝的两端电连接。
3、本实用新型原理
参见图2所示,具体说明如下:
(1)、熔丝电路
图3为本方案熔丝电路原理图,其中,R上为上拉电阻,f0、f1、f2、f3、f4、f5、f6…fn为熔丝,一端接地,另一端接电阻R上,在熔丝两边做上电接探点(PAD),只要在相应的熔丝两边电接探点(PAD)上加上合适的电流脉冲就可以烧断熔丝从而使A端由原来的低电平0变为高电平1,比如,在熔丝f0两端加电流脉冲烧断f0,则A0端由低电平0变为高电平1。
(2)、逻辑电路
逻辑电路的输入信号为熔丝电路的输出信号A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6…An,而逻辑电路的输出信号为D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6…Dn,逻辑关系如下所示:
D1=A0⊙A1
D2=A0⊙A2
D3=A0⊙A3
D4=A0⊙A4
D5=A0⊙A5
D6=A0⊙A6
……
Dn=A0⊙An
(3)、数模转换电路
由图4所示,因为图中的运算放大器接成负反馈的形式,根据运放虚短路的特性有运放的同相输入端电压(V+)等于负相输入端电压(V-),即V+=V-=Vref1。不论接B(B0、B1、B2、B3、B4、B5、B6…Bn)点的哪个NMOS开关打开都有B(B0、B1、B2、B3、B4、B5、B6…Bn)点的电压:VB=V+=V-=Vref1,则Bn和V+到Cn点的等效电阻为2R//2R(2R并联2R)即为R,同理Bn-1和Cn(Bn、V+等效到Cn点的等效电阻)到Cn-1点的等效电阻也为2R//2R,即为R,依次类推,最后C2点和B1点到C1的等效电阻也为R,该等效电阻又串一电阻到地,则C1到地的电流I为Vref1/2R,该电流由两路电流构成,一路由B1到C1的电流IB1C1大小为(1/2)I,另一路由C2到C1的电流IC2C1大小为(1/2)I,同理可得:
IB2C2=(1/4)I;
IB3C3=(1/8)I;
IB4C4=(1/16)I;
IB5C5=(1/32)I;
IB6C6=(1/64)I;
…
IBnCn=(1/2n)I;
设流过Vref2到V-的反馈电阻(R/R)的电流为I-,D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6…Dn为逻辑电路的输出信号,当D0=0时,连接B0的右端NMOS打开,B0接V-,从而I-增加了I(I=Vref1/2R),当D0=1时连接B0的左端NMOS打开,B0接V+,当D1=0时,连接B1的右端NMOS打开,B1接V+,当D1=1时连接B1的左端NMOS打开,B1接V-,从而I-增加(1/2)I,同理有:
Dn=0时,Bn接V+(n≥1)
Dn=1时,Bn接V-,I-增加(1/2n)I(n≥1)
不同的D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6…Dn组合可以得到不同I-,则Vref2的电压为:
(n为大于0的整数)…………①
在芯片测试时,先测量Vref2的值,这时A0、A1、A2、A3…An全为低电平0,代入式①得Vref2=(5/4)Vref1+(1/4)(Vref1)(1/2+1/4+1/8+…+1/2n).....②
把测得的Vref2的值代入式②得到原始的Vref1的值,假设目标值为V1,把V1和原始的Vref1值代入式①就可以得到使Vref2最接近目标值的一组A0、A1、A2、A3…An的值,根据A0、A1、A2、A3…An的值就可以确定需不需烧熔丝、烧哪几个熔丝。然后在相应的熔丝两端PAD上加上合适的电流脉冲烧断熔丝就可以得到校准后的基准电压,根据不同的精度需求n可取不同的值。
总之,本方案通过烧写熔丝电路输出校准的控制信号,经过逻辑电路处理后作为D/A的数字输入信号,再通过由电子开关电路、倒T型电阻网络和一个运算放大器构成的求和电路组成数模转换电路,以校准前的电压基准作为D/A的参考电压,D/A的输出是校准后的电压基准。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1、本实用新型准确性高、精度高且只要增加少量电路就可以提高校准范围及精度。
2、本实用新型构思巧妙,较好的解决了以往校准电路存在的高精度与电路简单及低成本之间的矛盾,从而获得了以低成本实现高精度的效果。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例:参见图5所示,一种高精度电压基准校正电路,由熔丝电路、逻辑电路、数模转换电路、一个校准前的基准电压输入端Vref1以及一个校准后的基准电压输出端Vref2组成,其中:
熔丝电路由七个多路单元0、1、2、3、4、5、6并行构成,各路单元均由烧写电路和修调电路构成,其中,修调电路主要由电流源与熔丝f0、f1、f2、f3、f4、f5、f6串联对地构成回路,Vbias为电流源电路中NMOS提供偏置,各路单元分别引出输出信号A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6,各烧写电路分别为对应各熔丝f0、f1、f2、f3、f4、f5、f6两端所设置的电接探点(PAD)(图中未画出)。
逻辑电路由一组反相器和一组同或门逻辑元件连接构成,该逻辑电路的各输入端分别与熔丝电路的输出信号A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6对应连接,该逻辑电路设有0、1、2、3、4、5、6个输出信号D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6,所述逻辑电路的输入信号与输出信号的逻辑关系如下:
输出信号D0=输入信号A0非;
输出信号D1=输入信号A0⊙输入信号A1;
输出信号D2=输入信号A0⊙输入信号A2;
输出信号D3=输入信号A0⊙输入信号A3;
输出信号D4=输入信号A0⊙输入信号A4;
输出信号D5=输入信号A0⊙输入信号A5;
输出信号D6=输入信号A0⊙输入信号A6;
数模转换电路由0、1、2、3、4、5、6个多路并行的电子开关电路、倒T型电阻网络和一个运算放大器构成的求和电路组成;各电子开关电路均由两个NMOS开关和一个反相器组成,逻辑电路的输出信号D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6对应接各电子开关电路中的两个NMOS开关栅极,其中,一个NMOS开关的栅极上串联反相器;倒T型电阻网络由阻值R和2R的电阻构成0、1、2、3、4、5、6级,其中,各2R网络支路分别接各电子开关电路中的两个NMOS开关的源极B0、B1、B2、B3、B4、B5、B6,倒T型电阻网络的一端接地,另一端接运算放大器的同相输入端;运算放大器的同相输入端接0路电子开关电路中未串联反相器的NMOS开关漏极和1、2、3、4、5、6路电子开关电路中串联反相器的NMOS开关漏极,运算放大器的负相输入端接0路电子开关电路中串联反相器的NMOS开关漏极和1、2、3、4、5、6路电子开关电路中未串联反相器的NMOS开关漏极;运算放大器的负相输入端与输出端之间串联电阻构成负反馈,校准前的基准电压输入端Vref1接运算放大器的同相输入端,运算放大器的输出端作为校准后的基准电压输出端Vref2。
Vbias为图中基准修调电路的电流镜提供偏置,通过熔丝烧写,A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6的值由f0、f1、f2、f3、f4、f5、f6是否烧断决定,如:f0烧断则A0为高电平1,f1不烧则A1为低电平0。A0通过一个反相器得到D0,A1、A2、A3、A4、A5、A6分别通过一个反相器接到同或门的一个输入端,同或门的另一个输入端接D0,相应的同或门输出接到D1、D2、D3、D4、D5、D6,然后D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6通过相应的反相器分别控制连接B0、B1、B2、B3、B4、B5、B6的NMOS开关。D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6作为D/A的数字输入端,Vref1为校准前的电压基准作为D/A的参考电压。在芯片测试时,先测量Vref2的值,这时A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6全为低电平0,代入式①得:
Vref2=(5/4)Vref1+(1/4)(Vref1)(1/2+1/4+1/8+1/16+1/32+1/64)
把Vref2的值代入上式得到原始的Vref1的值,假设目标值为V1,把V1和原始的Vref1值代入式①就可以得到使Vref2最接近目标值的一组A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6的值,根据A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6的值就可以确定需不需烧熔丝、烧哪几个熔丝。然后在相应的熔丝两端PAD上加上合适的电流脉冲烧断熔丝就可以得到校准后的基准电压。
根据以上分析可得下表:
其中f0~f6:“1”表示烧断对应的熔丝,“0”表示不烧对应的熔丝
Vref2为原始测试值,f0~f6为需要修调的熔丝。
Vref2值 |
序号 |
f0 |
f1 |
f2 |
f3 |
f4 |
f5 |
f6 |
2.14205817 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
2.14686099 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
2.15168539 |
2 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
2.15653153 |
3 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
2.16139955 |
4 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
2.16628959 |
5 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
2.17120181 |
6 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
2.17613636 |
7 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2.18109339 |
8 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2.18607306 |
9 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2.19107551 |
10 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2.19610092 |
11 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
2.20114943 |
12 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2.2062212 |
13 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
2.2113164 |
14 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2.21643519 |
15 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2.22157773 |
16 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
2.22674419 |
17 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
2.23193473 |
18 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
2.23714953 |
19 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
2.24238876 |
20 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
2.24765258 |
21 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
2.25294118 |
22 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
2.25825472 |
23 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2.26359338 |
24 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2.26895735 |
25 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2.27434679 |
26 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2.2797619 |
27 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
2.28520286 |
28 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2.29066986 |
29 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
2.29616307 |
30 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2.30168269 |
31 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2.30722892 |
32 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
2.31280193 |
33 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
2.31840194 |
34 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
2.32402913 |
35 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
2.3296837 |
36 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
2.33536585 |
37 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
2.34107579 |
38 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
2.34681373 |
39 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2.35257985 |
40 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2.35837438 |
41 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2.36419753 |
42 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2.3700495 |
43 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
2.37593052 |
44 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2.3818408 |
45 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
2.38778055 |
46 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2.39375 |
47 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2.39974937 |
48 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
2.40577889 |
49 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
2.41183879 |
50 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
2.41792929 |
51 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
2.42405063 |
52 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
2.43020305 |
53 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
2.43638677 |
54 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
2.44260204 |
55 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2.4488491 |
56 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2.45512821 |
57 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2.46143959 |
58 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2.46778351 |
59 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
2.47416021 |
60 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2.48056995 |
61 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
2.48701299 |
62 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2.49348958 |
63 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2.9921875 |
64 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
2.982866044 |
65 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
2.973602484 |
66 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
2.964396285 |
67 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
2.955246914 |
68 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
2.946153846 |
69 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
2.937116564 |
70 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
2.928134557 |
71 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
2.919207317 |
72 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
2.910334347 |
73 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
2.901515152 |
74 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
2.892749245 |
75 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
2.884036145 |
76 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
2.875375375 |
77 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
2.866766467 |
78 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
2.858208955 |
79 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2.849702381 |
80 |
0 |
1 |
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0 |
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。