CN109085524B - 参数校准方法及装置、计算机可读介质 - Google Patents

Abstract

一种参数校准方法及装置、计算机可读介质，所述参数校准方法包括：确定1个比特对应的校准量；基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数；基于所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端；熔断所述第一引出端的熔丝，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内。应用上述方案，可以提高熔断熔丝校准的准确率。

Description

参数校准方法及装置、计算机可读介质

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种参数校准方法及装置、计算机可读介质。

背景技术

通过熔断熔丝(FUSE)改变基准电路的电压输出值，使电压的输出值达到合格范围，是集成电路测试中应用广泛的一种方法。其基本原理为：采用电流源(或电压源)对熔丝的引出端(FUSE PAD)施加一定的电流(或电压)到地，持续一定时间后，熔丝产生的热量可将FUSE PAD对应的熔丝熔断(即烧熔丝)，改变电路中的电阻分压，从而改变(提高或降低)电压输出值。

现有的熔断熔丝校准方案，基于校准电压的校准范围，即校准范围和初始电压的差值，计算调节值，然后通过熔断不同的FUSE PAD对应的熔丝，改变输出电压值。在熔断熔丝校准电路中，熔断不同的FUSE PAD对应的熔丝，对应不同的输出电压值。例如，熔断PAD0对应的熔丝后，输出电压值增加2⁰个bit的校准量；熔断PAD1对应的熔丝后，输出值增加2¹个bit的校准量；以此类推，直至倒数第二位高的PADn-1。对于最高位的PADn，熔断PADn对应的熔丝输出值减少2ⁿ个bit的校准量。

现有的熔断熔丝校准方案，未考虑测量仪器自身存在的测量误差，直接根据校准电压的校准范围和初始电压的差值，确定熔断哪些FUSE，容易造成计算错误，烧错熔丝，降低熔断熔丝校准的准确率。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高熔断熔丝校准的准确率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种参数校准方法，所述方法包括：确定1个比特对应的校准量；基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数；基于所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端；熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内。

可选地，所述确定1个比特对应的校准量包括:根据参数的初始值和所述参数的校准范围，确定所述待熔断熔丝的第二引出端；熔断所述第二引出端的熔丝；根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量。

可选地，所述确定所述待熔断熔丝的第二引出端包括:当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最高位引出端。

可选地，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

可选地，根据如下公式计算需要校准的比特个数：

其中：F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量。

可选地，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述确定1个比特对应的校准量还包括：根据所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端；熔断所述第三引出端的熔丝；根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引。

可选地，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述计算需要校准的比特个数还包括:

根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

可选地，在熔断所述第一引出端的熔丝之前，还包括：确定所述熔丝的状态是否正常，若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

可选地，所述确定所述熔丝的状态是否正常包括：向所述熔丝施加预设的第一电流值；当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

可选地，通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

可选地，所述施加电流熔断所述第一引出端的熔丝包括：向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长；当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

可选地，在熔断所述第一引出端的熔丝之后，还包括：输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果；当熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因。

本发明实施例提供一种参数校准装置，包括：第一确定单元，适于确定1个比特对应的校准量；计算单元，适于基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数；第二确定单元，适于基于所述需要校准的比特个数，确定所述待熔断熔丝的第一引出端；校准单元，适于熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内。

可选地，所述第一确定单元包括：第一确定子单元，适于根据参数的初始值和所述参数的校准范围，确定所述待熔断熔丝的第二引出端；第一熔断子单元，适于熔断所述第二引出端的熔丝；第二确定子单元，适于根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量。

可选地，所述第一确定子单元，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最高位引出端。

可选地，所述第二确定子单元，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

可选地，所述第二确定单元，适于根据如下公式计算需要校准的比特个数包括：

其中：F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量。

可选地，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第一确定单元还包括：第三确定子单元，适于根据所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端；第二熔断子单元，适于熔断所述第三引出端的熔丝；更新子单元，适于根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引。

可选地，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第二确定单元，还适于根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

可选地，还包括：第三确定单元，适于确定所述熔丝的状态是否正常，若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

可选地，所述第三确定单元包括：第一施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第一电流值；第四确定子单元，适于当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

可选地，所述校准单元，适于通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

可选地，所述校准单元包括：第二施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长；判定单元，适于当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

可选地，所述校准单元还包括：输出子单元，适于输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果；记录子单元，适于当所述熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因。

本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述方法的步骤。

本发明实施例提供一种参数校准装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述方法的步骤。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例首先确定1个比特对应的校准量，然后基于1个比特对应的校准量，确定待熔断熔丝的引出端并进行熔丝熔断操作，可以避免测量仪器自身存在的测量误差，导致熔丝烧错的情况发生，从而提高熔断熔丝校准的准确率。

进一步地，在熔断第一引出端的熔丝之前，确定熔丝的状态正常，可以避免熔丝无效状态导致的失败操作。

进一步地，当校准过程失败时，记录原因，可以为后续的技术改进提供技术支持，从而继续优化熔断熔丝校准的准确率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种参数校准方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的另一种参数校准方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的一种参数校准装置的结构示意图。

具体实施方式

现有的熔断熔丝校准方案，未考虑测量仪器自身存在的测量误差，直接根据校准电压的校准范围和初始电压的差值，确定熔断哪些FUSE，容易造成计算错误，烧错熔丝，降低熔断熔丝校准的准确率。

本发明实施例首先确定1个比特对应的校准量，然后基于1个比特对应的校准量，确定待熔断熔丝的引出端并进行熔丝熔断操作，可以避免测量仪器自身存在的测量误差，导致熔丝烧错的情况发生，从而提高熔断熔丝校准的准确率。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参见图1，本发明实施例提供了一种参数校准方法，所述参数校准方法包括:

步骤S101，确定1个比特对应的校准量。

在具体实施中，为了避免测量仪器自身存在的测量误差，导致熔丝烧错的情况发生，首先需要确定1个比特对应的校准量。

在具体实施中，所述参数可以为使用熔断熔丝机制进行校准的任何参数，例如，所述参数可以为基准电路的电性参数。

在本发明一实施例中，所述参数为基准电路的电压参数。

在本发明另一实施例中，所述参数为基准电路的电流参数。

在具体实施中，由于参数的初始值可能在参数的校准范围之外，故可以根据参数的初始值和参数的校准范围，确定待熔断熔丝的第二引出端，然后熔断所述第二引出端的熔丝，再根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量。

在具体实施中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，可以先熔断最低位引出端的熔丝，粗略计算1个比特的校准量。当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，可以先熔断最高位引出端的熔丝，因为只有熔断最高位引出端的熔丝，所述参数值才能减少。

在本发明一实施例中，所述确定待熔断熔丝的第二引出端包括：当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端熔断为最高位引出端。

在具体实施中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，可以根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0 (1)

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值。

在具体实施中，当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，可以根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，所确定的1个比特对应的校准量，测试机测量误差为

误差较低，因此可以直接根据所确定的1个比特对应的校准量需要校准的比特个数。

例如，所述参数为电压参数，所述电压参数的校准范围为1.012V～1.014V，所述电压参数的初始值为1V。

由于所述电压参数的初始值小于所述电压参数的校准范围，故首先熔断最低位引出端的熔丝，即第0位引出端PAD0对应的熔丝。

熔断PAD0对应的熔丝后，所述电压参数值更新为1.002V，根据公式(1)，确定1个比特对应的校准量为0.002V。

步骤S102，基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数。

在具体实施中，当确定1个比特对应的校准量之后，可以基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数。

在本发明一实施例中，根据如下公式计算需要校准的比特个数：

其中：F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量。

优选地，在本发明一实施例中，R为所述参数的校准范围内的中心值。

在具体实施中，所述参数的当前值为计算需要校准的比特个数时，所述参数的值。例如，当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，根据公式(1)或者公式(2)确定1个比特对应的校准量之后，所述参数的当前值为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，即X2＝X1。

在具体实施中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，熔断最低位引出端的熔丝确定1个比特对应的校准量。由于熔丝的最低位对应1个比特的校准量，故为了防止测试机测量误差对计算产生不良影响，可以根据确定1个比特对应的校准量需要校准的比特个数，然后根据需要校准的比特个数，选择熔断最高位引出端的熔丝，最后根据熔断熔丝后的参数值，更新所述1个比特对应的校准量。

在本发明一实施例中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述确定1个比特对应的校准量还包括：

根据公式(3)计算的所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端；

熔断所述第三引出端的熔丝；

根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引。

更新后的1个比特对应的校准量，误差降低为

精度高于更新前的一个比特对应的校准量，误差较小，可以用于计算需要校准的比特个数。

在本发明一实施例中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述计算需要校准的比特个数还包括:根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

优选地，在本发明一实施例中，R为所述参数的校准范围内的中心值。

步骤S103，基于所述需要校准的比特个数，确定所述待熔断熔丝的第一引出端。

在具体实施中，可以根据所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端，例如：当需要校准的比特个数为1时，确定熔断第0位，即最低位引出端的熔丝；当需要校准的比特个数为2时，确定熔断第1位引出端的熔丝；当需要校准的比特个数为7个时，确定熔断第0位、第1为和第2位引出端的熔丝。

例如，所述参数为电压参数，所述电压参数的校准范围为1.008V-1.014V，所述电压参数的初始值为1V。

由于所述电压参数的初始值小于所述电压参数的校准范围，故首先熔断最低位引出端的熔丝，即第0位引出端PAD0对应的熔丝。

熔断PAD0对应的熔丝后，所述电压参数值更新为1.002V，根据公式(1)，确定1个比特对应的校准量为0.002V。

在此基础上熔断FUSE PAD1对应的熔丝后，电压值变为：1.002+(2¹)*0.002＝1.006V。

在此基础上熔断FUSE PAD2对应的熔丝后，电压值变为：1.006+(2²)*0.002＝1.014V。

故为了将所述电压参数校准至所述校准范围内，需要熔断熔丝的PAD0、PAD1和PAD2。

步骤S104，熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内。

在具体实施中，为了避免熔丝无效状态导致的失败操作，可以在熔断所述第一引出端的熔丝之前，确定所述熔丝的状态正常。在具体实施中，当确定所述熔丝的状态异常时，可以停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

在本发明一实施例中，在熔断所述第一引出端的熔丝之前，还包括：确定所述熔丝的状态是否正常，若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

在本发明一实施例中，所述确定所述熔丝的状态是否正常包括：向所述熔丝施加预设的第一电流值，例如熔丝电阻70Ω，施加100微安(μA)的电流值；当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

在具体实施中，所述预设的电压门限可以为20毫伏(mV)。

在具体实施中，可以通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

在本发明一实施例中，所述施加电流熔断所述第一引出端的熔丝包括：向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长；当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

在具体实施中，所述第二电流值可以为20毫安(mA)。

在具体实施中，所述预设的第一时长可以为1毫秒(ms)。

在具体实施中，所述预设的电压区间可以为1.9V～2.1V之间。

在本发明一实施例中，所述施加电压熔断所述第一引出端的熔丝包括：向所述熔丝施加预设的电压值。

在具体实施中，所述预设的电压值可以为1.4V。

在具体实施中，在熔断所述第一引出端的熔丝之后，还可以输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果，并且当熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因，为后续的技术改进提供技术支持。

在具体实施中，所述失败或者未执行原因可以为熔丝的状态异常，也可以为校准过程异常。例如，在计算一个比特对应的校准量和需要校准的比特个数过程中，有可能出现参数异常，不需要校准或者无法校准。

例如，利用公式(1)至(5)中的任意一个或者多个计算的X2不小于校准范围的下门限、XC0不大于0、F1不小于

X3不小于校准范围的下门限，XC1不大于0，F2不小于

时，停止所述校准操作。

又如，当所述参数的初始值位于所述参数的校准范围内时，可以停止所述校准操作。

应用上述方案，通过确定1个比特对应的校准量，然后基于1个比特对应的校准量，确定熔断熔丝的引出端并进行熔丝熔断操作，可以避免测量仪器自身存在的测量误差，导致熔丝烧错的情况发生，从而提高熔断熔丝校准的准确率。

为使本领域技术人员更好的理解和实施本发明，本发明实施例还提供了另一种参数校准方法，如图2所示。

参见图2，所述参数校准方法包括：

步骤S201，参数初始化。

在具体实施中，校准开始前，对相关的参数进行初始化，所述参数的初始值为X0。

在本发明一实施例中，FUSE PAD最低位为0，最高位为n。

步骤S202，判断X0是否大于参数的校准范围的上门限；如果X0大于校准范围的上门限，执行步骤S203；否则执行步骤S204。

步骤S203，熔断PADn对应的熔丝，并计算1个比特对应的校准量和需要校准的比特个数。

在具体实施中，可以根据公式(2)计算1个比特对应的校准量。

在具体实施中，可以根据公式(3)计算需要校准的比特个数。

在具体实施中，当参数异常时，例如X2不小于校准范围的下门限，或者XC0不大于0，或者F1不小于

时，可以执行步骤S209，停止所述校准操作。

步骤S204，判断X0是否小于校准范围的下门限，如果X0小于校准范围的下门限，执行步骤S205，否则执行步骤S209。

步骤S205，熔断PAD0对应的熔丝，并计算1个比特对应的校准量和需要校准的比特个数。

在具体实施中，可以根据公式(1)计算1个比特对应的校准量。

在具体实施中，可以根据公式(3)计算需要校准的比特个数。

在具体实施中，当参数异常时，例如X2不小于校准范围的下门限，或者XC0不大于0，或者F1不小于

时，可以执行步骤S209，停止所述校准操作。

步骤S206，根据步骤S205的计算结果选择最高位FUSE PADa_n。

步骤S207，熔断PADa_n对应的熔丝，并更新1个比特对应的校准量和需要校准的比特个数。

在具体实施中，可以根据公式(4)更新1个比特对应的校准量。

在具体实施中，可以根据公式(5)更新需要校准的比特个数。

在具体实施中，当参数异常时，例如X3不小于校准范围的下门限，或者XC1不大于0，或者F2不小于

时，可以执行步骤S209，停止所述校准操作。

步骤S208，根据需要校正的比特个数，熔断熔丝进行校准。

步骤S209，停止校准，输出结果。

为使本领域技术人员更好的理解和实施本发明，本发明实施例还提供了一种能够实现上述参数校准方法的装置，如图3所示。

参见图3，所述参数校准装置30可以包括：第一确定单元31、计算单元32、第二确定单元33和校准单元34，其中：

所述第一确定单元31，适于确定1个比特对应的校准量。

所述计算单元32，适于基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数。

所述第二确定单元33，适于基于所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端。

所述校准单元34，适于熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内。

在本发明一实施例中，所述第一确定单元31包括：第一确定子单元311、第一熔断子单元312和第二确定子单元313，其中：

所述第一确定子单元311，适于根据参数的初始值和所述参数的校准范围，确定所述待熔断熔丝的第二引出端。

所述第一熔断子单元312，适于熔断所述第二引出端的熔丝。

所述第二确定子单元313，适于根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量。

在本发明一实施例中，所述第一确定子单元311，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最高位引出端。

在本发明一实施例中，所述第二确定子单元313，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，所述第二确定子单元313，适于根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

在具体实施中，所述第二确定单元33，适于根据如下公式计算需要校准的比特个数包括：

其中：F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量。

在具体实施中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第一确定单元还可以包括：第三确定子单元(未示出)、第二熔断子单元(未示出)和更新子单元(未示出)，其中：

所述第三确定子单元，适于根据所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端。

所述第二熔断子单元，适于熔断所述第三引出端的熔丝。

所述更新子单元，适于根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引。

在具体实施中，当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第二确定单元，还适于根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

在具体实施中，所述参数校准装置30还包括：第三确定单元，适于确定所述熔丝的状态是否正常，若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

在本发明一实施例中，所述第三确定单元包括：第一施加子单元(未示出)和第四确定子单元(未示出)，其中：

所述第一施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第一电流值。

所述第四确定子单元，适于当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

在具体实施中，所述校准单元34，适于通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

在本发明一实施例中，所述校准单元包括：第二施加子单元(未示出)和判定单元(未示出)，其中：

所述第二施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长。

所述判定单元，适于当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

在具体实施中，所述校准单元34还包括：输出子单元(未示出)和记录子单元(未示出)，其中：

所述输出子单元，适于输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果。

所述记录子单元，适于当所述熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因。

在具体实施中，所述参数校准装置30的工作流程及原理可以参考上述实施例中提供的方法中的描述，此处不再赘述。

在具体实施中，所述参数校准，其参数可以是电压、电流、频率、相位等，可以参考上述实施例中提供的方法中的描述，此处不再赘述。

在具体实施中，所述参数校准，其参数具备单调性和线性度，无特殊要求，可以参考上述实施例中提供的方法中的描述，此处不再赘述。

本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述方法对应的步骤，此处不再赘述。

本发明实施例提供一种参数校准装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述方法对应的步骤，此处不再赘述。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：ROM、RAM、磁盘或光盘等。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种参数校准方法，其特征在于，包括:

确定1个比特对应的校准量，包括：根据参数的初始值和所述参数的校准范围，确定待熔断熔丝的第二引出端；熔断所述第二引出端的熔丝；根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量；

基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数，包括：采用如下公式计算需要校准的比特个数：

其中，F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量；

基于所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端；

熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内；

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述确定1个比特对应的校准量还包括：根据所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端；熔断所述第三引出端的熔丝；根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引；

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述计算需要校准的比特个数还包括：根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

2.根据权利要求1所述的参数校准方法，其特征在于，所述确定待熔断熔丝的第二引出端包括:

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最高位引出端。

3.根据权利要求2所述的参数校准方法，其特征在于，

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0；

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

4.根据权利要求1所述的参数校准方法，其特征在于，在熔断所述第一引出端的熔丝之前，还包括：确定所述熔丝的状态是否正常，

若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；

若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

5.根据权利要求4所述的参数校准方法，其特征在于，所述确定所述熔丝的状态是否正常包括：

向所述熔丝施加预设的第一电流值；

当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

6.根据权利要求1所述的参数校准方法，其特征在于，通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

7.根据权利要求6所述的参数校准方法，其特征在于，所述施加电流熔断所述第一引出端的熔丝包括：

向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长；

当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

8.根据权利要求1至7任一项所述的参数校准方法，其特征在于，在熔断所述第一引出端的熔丝之后，还包括：

输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果；

当熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因。

9.一种参数校准装置，其特征在于，包括:

第一确定单元，适于确定1个比特对应的校准量，包括：根据参数的初始值和所述参数的校准范围，确定待熔断熔丝的第二引出端；熔断所述第二引出端的熔丝；根据熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值与所述参数的初始值之差，确定1个比特对应的校准量；

计算单元，适于基于所述1个比特对应的校准量、参数的校准范围以及参数的当前值，计算需要校准的比特个数，包括：采用如下公式计算需要校准的比特个数：

其中，F1为需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X2为所述参数的当前值，XC0为一个比特对应的校准量；

第二确定单元，适于基于所述需要校准的比特个数，确定待熔断熔丝的第一引出端；

校准单元，适于熔断所述第一引出端的熔丝后，将所述参数的当前值校准至所述参数的校准范围内；

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第一确定单元还包括：第三确定子单元，适于根据所述F1确定第三引出端，所述第三引出端为所述F1对应的所述待熔断熔丝的最高位引出端；第二熔断子单元，适于熔断所述第三引出端的熔丝；更新子单元，适于根据如下公式更新1个比特对应的校准量：

其中：XC1为更新后的一个比特对应的校准量，X2为熔断所述第三引出端的熔丝之前的参数值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，a₁为所述第三引出端对应的位数索引；

当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，所述第二确定单元，还适于根据如下公式更新需要校准的比特个数：

其中：F2为更新后的需要校准的比特个数，R为所述参数的校准范围内的任意值，X3为熔断所述第三引出端的熔丝之后的参数值，XC1为更新后的一个比特对应的校准量。

10.根据权利要求9所述的参数校准装置，其特征在于，所述第一确定子单元，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最低位引出端；当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，确定所述待熔断熔丝的第二引出端为最高位引出端。

11.根据权利要求10所述的参数校准装置，其特征在于，所述第二确定子单元，适于当所述参数的初始值小于所述参数的校准范围的下限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量：

XC0＝X1-X0；

当所述参数的初始值大于所述参数的校准范围的上限时，根据如下公式确定1个比特对应的校准量:

其中：XC0为1个比特对应的校准量，X0为所述参数的初始值，X1为熔断所述第二引出端的熔丝之后的参数值，n为所述第二引出端对应的位数索引。

12.根据权利要求9所述的参数校准装置，其特征在于，还包括：

第三确定单元，适于确定所述熔丝的状态是否正常，若状态正常，则熔断所述第一引出端的熔丝；若状态异常，则停止执行熔断所述第一引出端的熔丝。

13.根据权利要求12所述的参数校准装置，其特征在于，所述第三确定单元包括：

第一施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第一电流值；

第四确定子单元，适于当所述熔丝的第一引出端与地之间的电压差小于预设的电压门限时，确定所述熔丝的状态正常，否则确定所述熔丝的状态异常。

14.根据权利要求9所述的参数校准装置，其特征在于，所述校准单元，适于通过以下任意一种方式熔断所述第一引出端的熔丝：施加电流熔断所述第一引出端的熔丝、施加电压熔断所述第一引出端的熔丝。

15.根据权利要求14所述的参数校准装置，其特征在于，所述校准单元包括：第二施加子单元，适于向所述熔丝施加预设的第二电流值，并持续预设的第一时长；

判定单元，适于当所述第一引出端与地之间的电压差位于预设的电压区间内时，判定熔断所述第一引出端的熔丝成功，否则判定熔断所述第一引出端的熔丝失败。

16.根据权利要求9至15任一项所述的参数校准装置，其特征在于，所述校准单元还包括：

输出子单元，适于输出熔断所述第一引出端的熔丝的结果；

记录子单元，适于当所述熔断所述第一引出端的熔丝的结果为失败或者未执行时，记录原因。

17.一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1至8中任一项所述方法的步骤。

18.一种参数校准装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至8中任一项所述方法的步骤。

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