TWI535136B - 保護裝置及其校正方法 - Google Patents

Description

保護裝置及其校正方法

本發明係有關一種保護裝置及其校正方法；特別是指一種不需要手動校正之保護裝置及其校正方法，例如但不限於可應用於過電流保護。

第1圖顯示一種習知過電流保護裝置100示意圖。如第1圖所示，過電流保護裝置100中，以電阻作為待測電流Iout的電流感測電路110，用以感測待測電流Iout。過電流檢測電路120包含比較電路130、設定電路140、與預設電路150。其中，預設電路150利用參考訊號Vref與設定電阻Rset，決定一預設電流臨界值，而比較電路130將待測電流Iout與該預設電流臨界值相比較，當待測電流Iout超過該預設電流臨界值時，產生過電流保護訊號OCP表示該過電流狀態。由於預設電路150決定的預設電流臨界值可能因電路誤差而不準確，故在過電流檢測電路120中另提供人工校正電路140，其中包含可變電阻VR，用以在過電流保護裝置100完成後，以人工的方式，調整可變電阻VR的電阻值，用以修正電路中的誤差，以滿足過電流保護裝置100產生過電流保護訊號OCP所要求的精確度。

舉例而言，ATX(advanced technology extended)的規格要求，過電流保護訊號OCP必須在待測電流Iout不超過20A時產生。一般而言，過電流保護裝置100是設計成在待測電流Iout超過19+-0.5A時，會產生過電流保護訊號OCP。但是由於電路中的元件製造與其他原因造成的誤差，使得過電流保護裝置100未必能精確在上述設定值產生過電流保護訊號OCP，因此在電路製造完成後，需要以人工的方式，調整自動校正電路140中的可變電阻之電阻值，以使電流保護裝置100能夠符合ATX的規格。

然而，先前技術過電流保護裝置100所採用之人工調整可變電阻設定，與可變電阻本身的製造成本，並不符合經濟效益。台灣專利申 請案第100103237號提出了一種可以設定過電流保護臨界值的電路，但該案僅揭露概念，並未具體說明如何以硬體方式達成過電流保護臨界值的自動設定，事實上該案的內容與人工調整並無不同。因此，本發明就先前技術之不足，提出一種保護裝置，揭露了明確的硬體電路，來達成自動校正保護臨界值的功能。本發明不需要利用外接的可變電阻與人工的調整，而可以自動校正保護臨界值，此保護臨界值例如但不限於可應用於過電流保護、過電壓保護等。本發明也提出了相關的校正方法。

就其中一觀點言，本發明提供了一種保護裝置，包含：一感測電路，用以感測一待測電流或電壓訊號，而產生一感測訊號；以及一檢測電路，與該感測電路耦接，用以根據該感測訊號，產生一保護訊號，該檢測電路包括：一比較電路，與該感測電路耦接，用以根據該感測訊號與一偏移設定，產生該保護訊號；一設定電路，與該比較電路耦接，用以根據一校正訊號，產生該偏移設定；以及一自動校正電路，分別與該比較電路及該設定電路耦接，用以提供該校正訊號；其中，於一校正程序中，該自動校正電路檢查該待測電流或電壓訊號對應之保護臨界值並以數位方式產生及儲存與該保護臨界值對應之校正訊號，使得於正常操作中，該比較電路可將該待測電流或電壓與校正後之該保護臨界值相比較。

在其中一種較佳的實施型態中，該自動校正電路包括：一控制電路，於該校正程序中，根據該保護訊號，產生一控制訊號；一數值產生電路，與該控制電路耦接，用以根據該控制訊號，產生一檢查訊號，於該校正程序中作為該校正訊號，並產生一寫入訊號；一記憶電路，與該數值產生電路耦接，用以儲存該數值產生電路輸出之寫入訊號；以及一多工器電路，分別與該數值產生電路及該記憶電路耦接，於該校正程序中選擇該檢查訊號，於該正常操作中選擇該記憶電路輸出之一讀取訊號，作為該校正訊號。

在其中一種較佳的實施型態中，該設定電路包括：一電流源電路，用以產生一電流訊號；一電流鏡電路，與該電流源電路耦接，用以將該電流訊號複製為成比例的複製電流訊號；以及一電流轉電壓電路，用 以將該複製電流訊號轉換為該偏移設定，其中該電流源電路之電流訊號為可調、或該電流鏡電路之複製電流比例可調、或該電流轉電壓電路之轉換比例可調、或以上任兩者或兩者以上為可調。

在其中一種較佳的實施型態中，該自動校正電路更包括一觸發電路，以接收一觸發訊號而產生一確認訊號，顯示進入該校正程序。

在其中一種較佳的實施型態中，該記憶電路包括一可讀寫或可重複讀寫之非揮發性記憶電路。

就另一觀點言，本發明也提供一種保護裝置校正方法，該保護裝置用以將一待測訊號與一保護臨界值相比較，以產生一判斷訊號，該保護裝置校正方法包含：(1)提供一預設電流或電壓訊號作為該待測訊號，此預設電流對應於該保護臨界值；(2)產生一檢查訊號；(3)根據該檢查訊號而產生一校正訊號，並根據該校正訊號而產生一偏移設定；(4)根據該偏移設定和該預設電流或電壓訊號或其相關訊號的比較結果，產生該保護訊號；以及(5)根據該保護訊號所代表的狀態，將一數值寫入一記憶電路。

在其中一種較佳的實施型態中，該方法更包含：產生一旗標訊號以表示校正完成。

在其中一種較佳的實施型態中，該方法更包含：在產生該檢查訊號之前，確認該記憶電路為空白；且當該記憶電路不為空白時，清除該記憶電路中之資料。

在其中一種較佳的實施型態中，該將一數值寫入一記憶電路的步驟包括：自最具意義位元開始寫入。

在其中一種較佳的實施型態中，該方法更包含：重複步驟(2)-(5)，以將多個位元寫入該記憶電路。

在其中一種較佳的實施型態中，將多個位元寫入該記憶電路，次序係自最具意義位元(MSB)開始、至最具不意義位元(LSB)。

在其中一種較佳的實施型態中，該方法更包含：根據一觸發訊號，確認進入一校正程序後，才產生該檢查訊號。

在其中一種較佳的實施型態中，該根據一觸發訊號，確認進入一校正程序之步驟包括：根據該觸發訊號之位準或持續時間，判斷是否 確認進入該校正程序。

100‧‧‧過電流保護裝置

200,300,400,500,600,700‧‧‧保護裝置

110,210‧‧‧電流感測電路

120,220,320,420,520,620,720‧‧‧檢測電路

130,230,730‧‧‧比較電路

140‧‧‧人工校正電路

150‧‧‧預設電路

240,340,440,540,640‧‧‧設定電路

250,350‧‧‧自動校正電路

351‧‧‧觸發電路

352‧‧‧控制電路

353‧‧‧數值產生電路

354‧‧‧記憶電路

355‧‧‧多工器電路

441,541‧‧‧電流鏡電路

442,542‧‧‧電流源電路

443,643‧‧‧電流轉電壓電路

710‧‧‧電壓感測電路

Iout‧‧‧待測電流

Flag‧‧‧旗標訊號

OCP‧‧‧過電流保護訊號

OVP‧‧‧過電壓保護訊號

Q1‧‧‧電晶體

Rset‧‧‧設定電阻

S1~S12‧‧‧步驟

Vos1‧‧‧偏移電壓

VR‧‧‧可變電阻

Vref‧‧‧參考訊號

第1圖顯示一種習知過電流保護裝置100示意圖。

第2圖顯示本發明的第一個實施例。

第3圖顯示本發明第二個實施例。

第4圖舉例說明應用本發明之過電流保護裝置，在校正程序中的訊號波形。

第5圖顯示本發明第三個實施例

第6圖顯示本發明第四個實施例。

第7圖顯示本發明第五個實施例。

第8圖顯示本發明第六個實施例。

第9圖顯示本發明第七個實施例。

第10圖顯示本發明第八個實施例。

本發明可應用於各種形式的保護裝置，用以在這些保護裝置中，自動設定保護臨界值。首先以應用於過電流保護為例來說明，但本發明亦可應用於過電壓(over voltage)保護、低電壓(under voltage)保護或其他保護。請參閱第2圖，顯示本發明的第一個實施例。本實施例說明應用本發明概念應用於過電流保護時的第一種架構。如第2圖所示，保護裝置200包含電流感測電路210與檢測電路220。電流感測電路210用以感測待測電流Iout，而產生電流感測訊號。電流感測訊號相關於該待測電流Iout。檢測電路220與電流感測電路210耦接，用以根據電流感測訊號，產生過電流保護訊號OCP。檢測電路220包括比較電路230、設定電路240、與自動校正電路250。比較電路230根據電流感測訊號與偏移設定，產生過電流保護訊號OCP。設定電路240與比較電路230耦接，用以根據校正訊號，產生偏移設定。自動校正電路250分別與比較電路230及設定電路240耦接，用以 提供校正訊號。與先前技術不同，本發明之自動校正電路250可自動產生校正訊號，以自動校正設定電路240所產生的偏移設定。

在一較佳實施例中，該自動校正電路250宜根據一觸發訊號，才啟動校正程序。在校正程序中，提供一待測電流Iout流經電流感測電路210，該待測電流Iout對應於過電流保護之臨界值，其例如但不限於為根據ATX規格而設定於19A或19.5A。接著以自動校正電路和設定電路240進行自動校正過程，根據比較電路230輸出的過電流保護訊號OCP顯示或不顯示過電流狀態，而對應調整設定電路240的內部設定，直到比較電路230輸出的過電流保護訊號OCP可且恰顯示過電流狀態。此時，設定電路240所產生的偏移設定便為正確的數值，可使得電路在正式操作中，於待測電流Iout超過預設電流時，產生過電流保護訊號OCP。以上說明本發明的基本概念，至於電路和方法的細節，有多種實施方式，將以後述實施例再舉數例具體說明。本發明的校正程序不需由人工來調整；且應用本發明所產生的校正訊號，可儲存在內部的記憶電路中，於保護裝置200正常操作時，讀取記憶電路中的資料，即可作為校正訊號；此外，本發明之校正程序所產生的校正訊號，其精確度可由使用者利用電路設計決定，可使校正結果的精確度，遠高於先前技術的人工校正方式；再者，利用本發明的校正程序，可應用於系統全載(full load)，因此，能帶間隙(bandgap)溫度係數(temperature coefficient)已考慮在校正程序中，使應用本發明之過電流保護裝置在實際的操作中更為精確；另外，相較於先前技術中，人工方式的校正程序，應用本發明以電路的操作執行校正程序，所需的時間大幅縮短。這些都是本發明優於先前技術之處。

第3圖顯示本發明第二個實施例。如第3圖所示，保護裝置300包含電流感測電路110與檢測電路320。其中，電流感測電路110包括例如但不限於待測電流Iout所流經之電阻，利用電阻上的壓降作為電流感測訊號，輸入檢測電路320中，比較電路230其中一個輸入端。如圖所示，檢測電路320包含比較電路230、設定電路340、與自動校正電路350。設定電路340例如包含偏移電壓源，其電壓偏移(voltage offset)可由校正訊號決定，設定電路340提供偏移設定輸入比較電路230，藉由比較電流感測訊號 與偏移設定而產生過電流保護訊號OCP。需說明的是，偏移電壓源不必須為比較電路230的外部元件，因一般而言，比較電路的兩輸入端之間也具有內部偏移，故校正訊號亦可用以決定此內部偏移，在此情況下，可將該內部偏移視為設定電路340。

在本實施例中，自動校正電路350根據觸發訊號，啟動校正程序。校正程序藉由比對和寫入的過程，將適當的數值寫入儲存於記憶電路354中，其細節容後說明。自動校正電路350包含觸發電路351、控制電路352、數值產生電路353、記憶電路354、與多工器電路355。觸發電路351用以根據觸發訊號，產生確認訊號，以確認啟動校正程序。觸發電路351產生確認訊號的機制，可參閱第4圖中的觸發訊號波形，例如但不限於當觸發訊號超過觸發位準時產生確認訊號(如圖中觸發位準所示意)；或是例如但不限於計時觸發訊號持續之時間，於觸發訊號持續之時間超過觸發時間後，產生確認訊號(如圖中持續時間所示意)。

請繼續參照第3圖，控制電路352分別與觸發電路351及比較電路230耦接，於接受到確認訊號後，啟動校正程序。控制電路352根據校正程序中產生的過電流保護訊號OCP，產生控制訊號。數值產生電路353與控制電路352耦接，並受控於控制訊號，產生數值作為檢查訊號。在校正程序中，確認訊號使多工器電路355選擇數值產生電路353輸出的檢查訊號，作為校正訊號，以調整設定電路340的偏移設定。比較電路230將此偏移設定與待測電流Iout之電流感測訊號比較後，產生比較結果，輸入控制電路352。根據比較結果，控制訊號控制數值產生電路353，以將適當的數值寫入記憶電路354中(寫入訊號)，所寫入的即為達成正確校正結果的恰當數值。校正程序結束後，控制電路對外輸出旗標訊號，表示校正程序完成。之後，在正常操作中，觸發訊號不作用而不產生確認訊號，因此多工器電路355選擇記憶電路354輸出的讀取訊號，作為校正訊號。

請對照第3圖與第4圖，其中第4圖舉例說明在校正程序中的訊號波形。在校正程序中，首先供應恰當的待測電流Iout，此電流對應於欲設定的過電流保護臨界值(亦可在進入校正程序後再供應待測電流Iout)。接著給予觸發訊號，以使觸發電路351產生確認訊號，而進入校正 程序。當過電流保護裝置進入校正程序，於一較佳實施例中，可先確認記憶電路354是否為空白，若為空白，則繼續校正程序；若不是空白，則可以結束校正程序或是如第4圖所示，先將記憶電路中的資料清除。當然，此步驟亦可省略。接著、或是與記憶電路354的空白檢查同時，數值產生電路353可產生檢查訊號，例如但不限於先產生最具意義位元(MSB)的數值。此數值經過多工器電路355輸出作為校正訊號，調整設定電路340，而比較電路230產生對應的比較結果。根據比較結果，控制訊號控制數值產生電路353，以將適當的數值寫入記憶電路354中，如第4圖中的「寫入訊號」所示。接著、或是同時，數值產生電路353可產生次具意義位元(MSB-1)的數值，並重複相似的程序，直到最不具意義位元(LSB)寫入記憶電路354為止。之後，控制電路對外輸出旗標訊號Flag，表示校正程序完成。

更詳言之，欲設定的過電流保護臨界值(例如前述根據ATX規格而設定於19.5A)為一類比數值，而設定電路340所產生的偏移設定可在該類比數值的某一比例範圍內進行調整。校正訊號為數位訊號，其位元數可視需要的精確度來決定；校正訊號的數位數值決定偏移設定的調整量。在校正過程中，可得到與待測電流Iout相對應的偏移設定，而此偏移設定所對應的校正訊號，其數位數值被寫入記憶電路354中予以儲存。由於是以數位方式儲存，因此可精確保存，在正常操作中產生精確的過電流保護臨界值。

不但如此，根據本發明，較佳校正方式是在校正過程中，先產生最具意義位元(MSB)的數值，亦即先決定校正訊號的最具意義位元、其次再決定次具意義位元(MSB-1)，依序直到最不具意義位元(LSB)。此方式的優點是：舉例而言假設校正訊號為八位元，則經過八次比較後即可完成校正程序。假設校正訊號為八位元，如果自最大值往下比對(11111111→11111110→11111101→…)、或是自最小值往上比對(00000000→00000001→00000010→…)，則校正程序將需要較長的時間。此外，較佳方式是以管線式(pipeline)，在檢查次一位元時，將前一位元平行寫入，可更節省校正程序所花費的時間。

但當然，以上所述雖然是較佳實施方式，但其他方式(例如 上述自最大值往下比對、或是自最小值往上比對)也是可行的，仍屬於本發明的範圍。

請參閱第5圖，顯示本發明第三個實施例，本實施例顯示應用本發明的一種校正程序的流程圖。如第5圖所示，過電流保護裝置收到觸發訊號後(步驟S1)，經由前述產生確認訊號的機制，而產生確認訊號(步驟S2)，進入校正程序，或是當觸發訊號不符合確認機制時，不產生確認訊號而結束校正程序。當過電流保護裝置進入校正程序，可選擇先確認記憶電路是否為空白(步驟S3)，若為空白，則繼續校正程序；若不是空白，則可以結束校正程序或是如第5圖所示，將記憶電路中的資料清除(步驟S4)。接著，產生檢查訊號(步驟S5)，並根據檢查訊號而產生校正訊號(步驟S6)，再根據校正訊號而產生偏移設定(步驟S7)。根據偏移設定和電流感測訊號的比較結果，產生過電流保護訊號OCP(步驟S8)，並根據過電流保護訊號OCP所代表的狀態，將適當的數值寫入記憶電路。如果數值是以多位元的形式儲存，則接著可以確認是否所有位元都已經檢查完成(步驟S10)。如否，則回到步驟S5；如是，則結束校正程序(步驟S11)，並產生旗標訊號Flag以表示校正程序完成。

記憶電路例如宜選擇包括可讀寫或可重複讀寫之非揮發性記憶電路，例如PROM(programmable read only memory)、EPROM(erasable programmable read only memory)、EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)、或快閃記憶體等，此為本技術領域中具有通常知識者所熟知，在此不予贅述；當然，如選用揮發性記憶電路也是可行的，只是每次應用時都需要重新設定一次過電流保護臨界值。

第6圖顯示本發明第四個實施例。如第6圖所示，保護裝置400包含電流感測電路110與檢測電路420。其中，檢測電路420包含放大器電路230、設定電路440、與校正電路250。本實施例舉例顯示設定電路440之較具體實施例之一，其例如包含電流鏡電路441、電流源電路442、與電流轉電壓電路443。電流源電路442產生電流訊號，而電流鏡電路441將該電流訊號複製為成比例的複製電流訊號。在本實施例中，設定電路440根據校正訊號，調整電流鏡電路441中之電晶體Q1，以調整電流鏡電路441 之複製比例，亦即調整複製電流訊號與電流訊號的比例。電流轉電壓電路443例如但不限於為電阻，根據複製電流訊號，產生偏移設定。在校正程序中，根據校正訊號，調整電流鏡電路441之複製比例，即可調整偏移設定。

第7圖顯示本發明第五個實施例。如第7圖所示，保護裝置500包含電流感測電路110與檢測電路520。其中，檢測電路520包含放大器電路230、設定電路540、與校正電路250。本實施例舉例顯示設定電路540之另一較具體實施例，其例如包含電流鏡電路541、電流源電路542、與電流轉電壓電路443。在本實施例中，設定電路540根據校正訊號，調整電流源電路542所產生之電流訊號的電流值。電流鏡電路441將該電流訊號複製為成比例的複製電流訊號，而電流轉電壓電路443根據複製電流訊號，產生偏移設定。在校正程序中，根據校正訊號，調整電流源電路542所產生之電流訊號的電流值，即可調整偏移設定。

第8圖顯示本發明第六個實施例，本實施例舉例說明如何調整電流源電路542所產生之電流訊號。電流源電路542之典型電路結構如第8圖所示，如以校正訊號來調整其中的參考訊號或電阻值，就可改變電流源電路542所產生之電流訊號的電流值。

第9圖顯示本發明第七個實施例。如第9圖所示，保護裝置600包含電流感測電路110與檢測電路620。其中，檢測電路620包含比較電路230、設定電路640、與自動校正電路250。本實施例舉例顯示設定電路640之另一較具體實施例，其例如包含電流鏡電路541、電流源電路442、與電流轉電壓電路643。電流轉電壓電路643例如但不限於為可變電阻，根據複製電流訊號，產生偏移設定。在本實施例中，設定電路640根據校正訊號，調整電流轉電壓電路443之轉換比例，如此，也可以調整偏移設定。

以上第6-9圖實施例不限於單獨使用，亦可兩者或兩者以上組合使用。

第10圖顯示本發明第八個實施例。本實施例意在顯示，本發明相同的概念，亦可應用於電壓保護而不僅是電流保護。如第10圖所示，保護裝置700包含電壓感測電路710與檢測電路720。其中，檢測電路720包含比較電路730、設定電路240、與自動校正電路250。電壓感測電路710 用以感測待測電壓Vout，而產生電壓感測訊號；電壓感測訊號相關於該待測電壓Vout。比較電路730根據電壓感測訊號與偏移設定，產生過電壓保護訊號OVP。設定電路240與比較電路730耦接，用以根據校正訊號，產生偏移設定。自動校正電路250分別與比較電路230及設定電路240耦接，用以提供校正訊號。本實施例舉例顯示本發明可應用於過電壓保護，但顯然，視所欲進行的判斷而定，同樣的電路也可用於低電壓保護，僅需更改比較電路730的正負輸入端和相關的臨界值設定。

總之，本發明的應用並不僅限於以上各實施例所示。任何需要使用到比較電路，將一待測電流或電壓與一臨界值相比較以產生判斷訊號的應用場合，都可以使用本發明來校正該臨界值。

以上已針對較佳實施例來說明本發明，唯以上所述者，僅係為使熟悉本技術者易於了解本發明的內容而已，並非用來限定本發明之權利範圍。在本發明之相同精神下，熟悉本技術者可以思及各種等效變化。例如，各實施例中圖示直接連接的兩電路或元件間，可插置不影響主要功能的其他電路或元件；又如，數位訊號高低位準所代表的意義可以互換，僅需對應修改電路對訊號的處理方式；再如，比較電路的輸入端正負可以互換，僅需對應修正電路的訊號處理方式即可。又如，以上各實施例中，雖都顯示設定電路產生偏移設定輸入比較電路230，以與電流感測訊號(或電壓感測訊號)相比較，但偏移設定也可和電流感測訊號組合(例如相加或相減)後，輸入比較電路230的一端，而其另一端耦接於一參考訊號，這也是等效的做法；此外，電流感測訊號(或電壓感測訊號)也可取比例值後再輸入比較電路230，因此，凡說明書或申請專利範圍中所稱「電流感測訊號(或電壓感測訊號)」，應不侷限於必須為電流感測訊號(或電壓感測訊號)之本身，而可為其相關訊號。凡此種種，皆可根據本發明的教示類推而得，因此，本發明的範圍應涵蓋上述及其他所有等效變化。

200‧‧‧保護裝置

210‧‧‧電流感測電路

220‧‧‧檢測電路

230‧‧‧比較電路

240‧‧‧設定電路

250‧‧‧自動校正電路

Iout‧‧‧待測電流

OCP‧‧‧過電流保護訊號

Claims (13)

1. 一種保護裝置，用以於一待測電流超過一預設電流時，產生一保護訊號顯示一過電流狀態，該保護裝置包含：一電流感測電路，用以感測該待測電流，而產生一電流感測訊號；以及一檢測電路，與該電流感測電路耦接，用以根據該電流感測訊號與一偏移設定，產生該保護訊號，該檢測電路包括：一比較電路，與該電流感測電路耦接，用以根據該電流感測訊號與該偏移設定，產生該保護訊號；一設定電路，與該比較電路耦接，用以根據一校正訊號，產生該偏移設定；以及一自動校正電路，分別與該比較電路及該設定電路耦接，用以根據該保護訊號，提供該校正訊號，以輸入該設定電路；其中，於一校正程序中，提供該待測電流流經該電流感測電路，且該待測電流於該校正程序中，對應於一保護臨界值，接著以該自動校正電路和該設定電路進行該校正程序，根據該比較電路輸出的保護訊號顯示或不顯示該過電流狀態，而對應調整設定電路的內部設定，直到該比較電路輸出的該保護訊號可且恰顯示該過電流狀態，此時，該設定電路所產生的該偏移設定便為正確的數值，可使得該保護裝置在一正常操作中，於該待測電流超過該預設電流時，產生該保護訊號；其中，該自動校正電路以數位方式產生及儲存與該保護臨界值對應之該校正訊號，使得於該正常操作中，該比較電路可將該電流感測訊號與校正後之該偏移設定相比較。
2. 如申請專利範圍第1項所述之保護裝置，其中該自動校正電路包括：一控制電路，於該校正程序中，根據該保護訊號，產生一控制訊號；一數值產生電路，與該控制電路耦接，用以根據該控制訊號，產生一檢查訊號，於該校正程序中作為該校正訊號，並產生一寫入訊號；一記憶電路，與該數值產生電路耦接，用以儲存該數值產生電路輸出之寫入訊號；以及一多工器電路，分別與該數值產生電路及該記憶電路耦接，於該校 正程序中選擇該檢查訊號，於該正常操作中選擇該記憶電路輸出之一讀取訊號，作為該校正訊號。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之保護裝置，其中該設定電路包括：一電流源電路，用以產生一電流訊號；一電流鏡電路，與該電流源電路耦接，用以將該電流訊號複製為成比例的複製電流訊號；以及一電流轉電壓電路，用以將該複製電流訊號轉換為該偏移設定，其中該電流源電路之電流訊號為可調、或該電流鏡電路之複製電流比例可調、或該電流轉電壓電路之轉換比例可調、或以上任兩者或兩者以上為可調。
4. 如申請專利範圍第2項所述之保護裝置，其中該自動校正電路更包括一觸發電路，以接收一觸發訊號而產生一確認訊號，顯示進入該校正程序。
5. 如申請專利範圍第2項所述之保護裝置，其中該記憶電路包括一可讀寫或可重複讀寫之非揮發性記憶電路。
6. 一種保護裝置校正方法，該保護裝置用以將於一待測電流超過一預設電流時，產生一保護訊號顯示一過電流狀態，該保護裝置校正方法包含：(1)提供該預設電流作為該待測電流，此預設電流對應於一保護臨界值；(2)根據該待測電流與一偏移設定，產生一檢查訊號；(3)根據該檢查訊號顯示或不顯示該過電流狀態，而產生一校正訊號，並根據該校正訊號而產生一偏移設定；(4)調整該偏移設定，使得該檢查訊號可且恰顯示該過電流狀態，此時，該偏移設定便為正確的數值，可使得該保護裝置在一正常操作中，於該待測電流超過該預設電流時，產生該保護訊號顯示該過電流狀態；以及(5)根據該檢查訊號所代表的過電流狀態，將該偏移設定寫入一記憶電路。
7. 如申請專利範圍第6項所述之保護裝置校正方法，更包含：產生一旗標訊號以表示校正完成。
8. 如申請專利範圍第6項所述之保護裝置校正方法，更包含：在產生該檢 查訊號之前，確認該記憶電路為空白；且當該記憶電路不為空白時，清除該記憶電路中之資料。
9. 如申請專利範圍第6項所述之保護裝置校正方法，其中該將一數值寫入一記憶電路的步驟包括：自最具意義位元開始寫入。
10. 如申請專利範圍第6項所述之保護裝置校正方法，更包含：重複步驟(2)-(5)，以將多個位元寫入該記憶電路。
11. 如申請專利範圍第10項所述之保護裝置校正方法，其中將多個位元寫入該記憶電路，次序係自最具意義位元(MSB)開始、至最具不意義位元(LSB)。
12. 如申請專利範圍第6項所述之保護裝置校正方法，更包含：根據一觸發訊號，確認進入一校正程序後，才產生該檢查訊號。
13. 如申請專利範圍第12項所述之保護裝置校正方法，其中該根據一觸發訊號，確認進入一校正程序之步驟包括：根據該觸發訊號之位準或持續時間，判斷是否確認進入該校正程序。