CN2845193Y - 一种三端口多层陶瓷介质滤波器 - Google Patents

一种三端口多层陶瓷介质滤波器 Download PDF

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CN2845193Y
CN2845193Y CN 200520115881 CN200520115881U CN2845193Y CN 2845193 Y CN2845193 Y CN 2845193Y CN 200520115881 CN200520115881 CN 200520115881 CN 200520115881 U CN200520115881 U CN 200520115881U CN 2845193 Y CN2845193 Y CN 2845193Y
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陆德龙
王剑强
唐雄心
史纪元
李苏萍
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Jiaxing Jiali Electronic Co., Ltd.
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ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种三端口多层陶瓷介质滤波器，包括：层叠体；设置在层叠体中的多个谐振器；设置在层叠体中的多个接地负载电容器和多个耦合电容器；设置在层叠体中的多个屏蔽接地层；设置在层叠体中的三条λ/4微带线；其中两个λ/4微带线设置在同一片陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线相对应地设置在与前述两个λ/4微带线设置的陶瓷介质层相邻的陶瓷介质层上；过孔金属线，包括设置在谐振器和λ/4微带线之间的过孔金属线和λ/4微带线与公共连接端之间的过孔金属线；设置在层叠体表面的多个外部接地电极，它们各自电气连接所述多个谐振器和多个接地负载电容器的端部。本实用新型成本低，体积小，使用方便。

Description

一种三端口多层陶瓷介质滤波器
技术领域
本实用新型涉及一种滤波器，特别涉及一种三端口多层陶瓷介质滤波器。
背景技术
现有的多层滤波器，其滤波特性是对特定的频率进行滤波选择，对被选择的频率信号不具备平衡转换和阻抗转换的功能，一般需要通过巴伦元件进行平衡转换和阻抗转换后，即对滤波后的信号进行平衡转换为相位差180°的平衡信号，且与其他阻容元件组成匹配电路后，才能与功放IC芯片的端口配接，这种方法应用在电路中涉及的元件较多，电路参数调试量大，占用电路板的面积大。
发明内容
本实用新型的目的是在于提供一种用于连接到一高频放大电路或其他类似电路的平衡输入/输出的小型化的三端口多层陶瓷介质滤波器，这种滤波器通过将导电的金属材料涂覆在滤波器层叠体的内部，形成电容、谐振器等分立元器件，通过将涂覆有导电的金属材料的各层陶瓷片利用低温共烧技术层叠形成同时具有滤波、平衡转换的滤波器，克服了背景技术中现有的多层滤波器功能单一的缺点。
本实用新型是通过以下技术方案达到上述目的：
一种三端口多层陶瓷介质滤波器，包括：
层叠体，包括沿层叠方向层叠在一起的多个片状陶瓷介质层；
设置在层叠体中的多个谐振器；
设置在层叠体中的多个接地负载电容器和多个耦合电容器；
设置在层叠体中的多个屏蔽接地层；
设置在层叠体中的三条λ/4微带线；其中两个λ/4微带线设置在同一片陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线相对应地设置在与前述两个λ/4微带线设置的陶瓷介质层相邻的陶瓷介质层上；
过孔金属线，包括设置在谐振器和λ/4微带线之间的过孔金属线和λ/4微带线与公共连接端之间的过孔金属线；
设置在层叠体表面的多个外部接地电极，它们各自电气连接所述多个谐振器和多个接地负载电容器的端部；
设置在层叠体表面的一个外部输入电极、两个外部输出电极和一个外部公共连接端，外部输入电极与第一谐振器相连，两个外部输出电极和外部公共连接端分别与设置在同一片陶瓷介质层上两个λ/4微带线的头端相连；
所述的多个屏蔽接地层分别设置在包含有谐振器和电容器片状陶瓷介质层上下方及包含λ/4微带线的片状陶瓷介质层的上下方，所述的多个耦合电容器设置在所述的多个谐振器之间，所述的多个接地负载电容器设置在所述的多个谐振器与多个外部接地电极之间，所述的电容器分二层设置在层叠体内，包括设置在相邻两层上的两侧电容图案。。
本实用新型的优选方案是：一种三端口多层陶瓷介质滤波器，包括：
十一层片状陶瓷介质层；
两个带状线抽头式谐振器，设置在第四层陶瓷介质层上；
两个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案、第二接地电容的接地侧电容器图案设置在第三层陶瓷介质层上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上；
一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案设置在第三层陶瓷介质层上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上；
过孔金属线，包括设置在谐振器和λ/4微带线之间的过孔金属线和λ/4微带线与公共连接端之间的过孔金属线；
两条λ/4微带线设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线与两条λ/4微带线相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线电气连接λ/4微带线与带状线谐振器；
两个外部接地电极，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器、两个接地电容器的端部、屏蔽接地层；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极、外部输出电极、外部的公共连接端，外部输入电极与带状线抽头式谐振器电连接，外部输出电极分别与两条λ/4微带线的头部电连接，外部的公共连接端与设置在第九层上公共连接端图案连接，过孔金属线电气连接在第九层上公共连接端图案和两条λ/4微带线的尾端。
本实用新型的另一优选方案是：一种三端口多层陶瓷介质滤波器，包括：
十一层片状陶瓷介质层；
两个抽头式带状线谐振器和一个带状线谐振器，设置在第四层陶瓷介质层上；
三个接地负载电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案、第二接地电容的接地侧电容器图案、第三接地电容的接地侧电容器图案设置在第三层陶瓷介质层上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第二接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上，第三接地电容的通电侧电容器图案与所述第三接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上；
两条λ/4微带线设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线与两条λ/4微带线相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线电气连接λ/4微带线与抽头式带状线谐振器；
两个外部接地电极，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器、带状线谐振器、两个接地电容器的端部、屏蔽接地层；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极、外部输出电极、外部的公共连接端，外部输入电极与带状线抽头式谐振器电连接，外部输出电极分别与两条λ/4微带线的头部电连接，外部的公共连接端与设置在第九层上公共连接端图案连接，过孔金属线电气连接在第九层上接公共连接端图案和两条λ/4微带线的尾端。
本实用新型的另一优选方案是：一种三端口多层陶瓷介质滤波器，包括：
十一层片状陶瓷介质层；
两个带状线抽头式谐振器，设置在第四层陶瓷介质层上；
两个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案、第二接地电容的接地侧电容器图案设置在第三层陶瓷介质层上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上；
一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案设置在第三层陶瓷介质层上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层上；
两条λ/4微带线设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线与两条λ/4微带线相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线电气连接λ/4微带线与带状线抽头式谐振器；
三个外部接地电极，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器、两个接地电容器的端部、屏蔽接地层；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极、外部输出电极、外部的公共连接端，外部输入电极与带状线抽头式谐振器电连接，外部输出电极分别与两条λ/4微带线的头部电连接，外部的公共连接端与设置在第九层上公共连接端图案连接，过孔金属线电气连接在第九层上接公共连接端图案和λ/4微带线的尾部，过孔金属线电气连接在第九层上接公共连接端图案和λ/4微带线的尾端。
本实用新型的有益效果：采用本实用新型结构的滤波器，在不增加单个滤波器体积的前提下，将巴伦与滤波器在内部组合在一起，形成具有滤波和巴伦功能的三端口滤波器，可替代原1个滤波器、1个巴伦、7个阻容元件，降低了成本；滤波器的二个输出端口与IC芯片的端口直接连接，中间不需要任何的匹配元件，有效地减少功放IC芯片的外围元器件的使用，从而减少了电路设计的工作量，生产中这部分电路可以免调试，也减小了电路板的面积，为通信设备小型化创造了条件。
附图说明
图1是本实用新型实施例1中三端口多层陶瓷介质滤波器的分解透视图；
图2是图1所示三端口多层陶瓷介质滤波器的立体示意图；
图3是图1所示三端口多层陶瓷介质滤波器的等效电路图；
图4是图1所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线图；
图5是图1所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线相位图；
图6是本实用新型实施例2中三端口多层陶瓷介质滤波器的分解透视图；
图7是图6所示三端口多层陶瓷介质滤波器的立体示意图；
图8是图6所示三端口多层陶瓷介质滤波器的等效电路图；
图9是图6所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线图；
图10是图6所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线相位图；
图11是本实用新型实施例3中三端口多层陶瓷介质滤波器的分解透视图；
图12是图11所示三端口多层陶瓷介质滤波器的立体示意图；
图13是图11所示三端口多层陶瓷介质滤波器的等效电路图；
图14是图11所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线图；
图15是图11所示三端口多层陶瓷介质滤波器的特性曲线相位图。
具体实施方式：
实施例1：如图1、2、3、4、5所示，其中图中斜线部分为涂覆导电金属材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通过印刷、蒸发涂覆等技术形成。一种三端口多层陶瓷介质滤波器，长、宽、高分别为2.5mm，2.0mm，1.2mm，可由介电常数在9～40之间的十一层片状陶瓷介质层101，102，103，104，105，106，107，108，109，110，111，设置在层叠体内部的两个带状线抽头式谐振器104a、104b、两个接地电容器、一个耦合电容器、三条λ/4微带线107a、107b、106a，屏蔽接地层102a、105a、108a、110a，过孔金属线112、113、114，两个外部接地电极115a、115b，设置在层叠体外表面的外部输入电极116a、外部输出电极116b、116c、外部的公共连接端116d构成。
其中十一层片状陶瓷介质层，其中101、111为滤波器的上下保护层；两个抽头式谐振器为带状线抽头式谐振器104a、一个带状线谐振器104b，通过在第四层陶瓷介质层104上涂覆导电金属材料形成，如：银或铜；接地负载电容器为两个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案103a、第二接地电容的接地侧电容器图案103b设置在第三层陶瓷介质层103上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层104上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层104上；一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案103c设置在第三层陶瓷介质层103上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层104上；上述的电容器图案通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
两条λ/4微带线107a、107b设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线106a与两条λ/4微带线107a、107b相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线112电气连接λ/4微带线106a与带状线谐振器104b；上述的微带线也是通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案102a、105a、108a、110a；屏蔽接地图案由在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
上述十一层涂覆导电金属材料片状陶瓷介质层通过低温共烧技术层叠在一起，构成层叠体；
在层叠体的外表面，设置两个外部接地电极115a、115b，它们各自连接电气连接所述带状线抽头式谐振器104a、104b、两个接地电容器的端部和屏蔽接地层；在层叠体表面上设置的外部输入电极116a、外部输出电极116b、116c、外部的公共连接端116d，外部输入电极116a与一个带状线抽头式谐振器104a电连接，外部输出电极116b、116c分别与两条λ/4微带线107a、107b的头部电连接，外部的公共连接端116d与设置在第九层上接公共连接端图案109a电连接，过孔金属线112电气连接在第四层上接另一个带状线抽头式谐振器和λ/4微带线106a的尾部，过孔金属线113、114电气连接在第九层上接公共连接端图案109a和两条λ/4微带线107a、107b的尾部；外部接地电极及外部输入、输出电极，外部的公共连接端同样由通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
根据设计要求，陶瓷介质厚度可以各不相同，一般设置在谐振器与电容器之间的陶瓷介质厚度在30～60um之间；图案层与屏蔽层之间的陶瓷介质的厚度200～400um之间；λ/4带状线之间的陶瓷介质的厚度50～150um之间，内电极涂覆的金属图案厚度：10～15um、谐振器与电容器的图案尺寸可根据膜片尺寸，一般两个谐振器之间的距离不小于150um。
这种滤波器通过将导电的金属材料涂覆在滤波器层叠体的内部，在不增加单个滤波器体积的前提下，通过将涂覆有导电的金属材料的各层陶瓷片利用低温共烧技术层叠形成不仅可滤波、同时可将不平衡信号转换成相位差180°的平衡电信号输出，见图4、5所示。
实施例2：如图6、7、8、9、10所示，其中图中斜线部分为涂覆导电金属材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通过印刷、蒸发涂覆等技术形成。一种三端口多层陶瓷介质滤波器，由十一层片状陶瓷介质层201，202，203，204，205，206，207，208，209，210，211，两个抽头式带状线谐振器204a、204c、一个带状线谐振器204b，三个接地电容器，三条λ/4微带线207a、207b、206a，屏蔽接地层202a、205a、208a、210a，过孔金属线212、213、214，两个外部接地电极215a、215b，外部输入电极216a、外部输出电极216b、216c、外部的公共连接端216d构成；
其中，十一层片状陶瓷介质层，根据设计要求，陶瓷介质厚度可以各不相同，其中201、211为滤波器的上下保护层；两个抽头式带状线谐振器204a、204c，一个带状线谐振器204b，通过在第四层陶瓷介质层204上涂覆导电金属材料形成，如：银或铜；
接地负载电容器为三个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案203a、第二接地电容的接地侧电容器图案203b、第三接地电容的接地侧电容器图案203c设置在第三层陶瓷介质层203上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层204上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第二接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层204上，第三接地电容的通电侧电容器图案与所述第三接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层204上，上述的电容器图案通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
两条λ/4微带线207a、207b设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线206a与两条λ/4微带线207a、207b相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线212电气连接λ/4微带线206a与带状线谐振器204c；上述的微带线也是通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案202a、205a、208a、210a；屏蔽接地图案由在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
上述十一层涂覆导电金属材料片状陶瓷介质层通过低温共烧技术层叠在一起，构成层叠体；
在层叠体的外表面，设置了两个外部接地电极215a、215b，它们各自连接电气连接所述带状线抽头式谐振器204a、204c、带状线谐振器204b、三个接地电容器的端部；在所述十一层叠体表面上还设置了外部输入电极216a、外部输出电极216b、216c、外部的公共连接端216d，外部输入电极216a与一个带状线抽头式谐振器204a电连接，外部输出电极216b、216c分别与两条λ/4微带线207a、207b的头部电连接，外部的公共连接端216d与设置在第九层上接公共连接端图案209a，过孔金属线212电气连接在第四层上接另一个带状线抽头式谐振器和λ/4微带线206a的尾部，过孔金属线213、214电气连接在第九层上接公共连接端图案209a和两条λ/4微带线207a、207b的尾部。
外部接地电极及外部输入、输出电极，外部的公共连接端同样由通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
本实施例与实施1不同之处在于，本实施例中滤波器为三节结构的滤波器，相对于实施例1中的二节结构的滤波器，本实施例中滤波器的特性获得提高，见图9、图10，图9和图10是结构优化后的特性曲线图和相位图，频率选择性明显得到了提高。
实施例3：如图11、12、13、14、15所示，其中图中斜线部分为涂覆导电金属材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通过印刷、蒸发涂覆等技术形成。一种三端口多层陶瓷介质滤波器，由十一层片状陶瓷介质层301，302，303，304，305，306，307，308，309，310，311，带状线抽头式谐振器304b、304a，两个接地电容器，耦合电容器，三条λ/4微带线307a、307b、306a，屏蔽接地层302a、305a、308a、310a，过孔金属线312、313、314，三个外部接地电极314a、314b、314c，外部输入电极315b、外部输出电极315d、315e、外部的公共连接端315a、315c构成；
其中，十一层片状陶瓷介质层，根据设计要求，陶瓷介质厚度可以各不相同，其中301、311为滤波器的上下保护层；
两个带状线抽头式谐振器304b、304a，通过在第四层陶瓷介质层304上涂覆导电金属材料形成，如：银或铜；
接地负载电容器为两个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案303b、第二接地电容的接地侧电容器图案303c设置在第三层陶瓷介质层303上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层304上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层304上；
一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案303a设置在第三层陶瓷介质层303上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层304上；上述的电容器图案通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
两条λ/4微带线307a、307b设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线306a与两条λ/4微带线307a、307b相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线312电气连接λ/4微带线306a与带状线谐振器304a；上述的微带线也是通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案302a、305a、308a、310a；上述的屏蔽接地图案是通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
上述十一层涂覆导电金属材料片状陶瓷介质层通过低温共烧技术层叠在一起，构成层叠体；
在层叠体的外表面设置三个外部接地电极314a、314b、314c，它们各自连接电气连接所述带状线抽头式谐振器304b、带状线谐振器304a、两个接地电容器的端部；在所述十一层叠体表面上设置的外部输入电极315b、外部输出电极315d、315e、外部的公共连接端315a、315c，外部输入电极315b与一个带状线抽头式谐振器304b电连接，外部输出电极315d、315e分别与两条λ/4微带线307a、307b的头部电连接，外部的公共连接端315a、315c与设置在第九层上接公共连接端图案309a，过孔金属线312电气连接在第四层上接另一个带状线抽头式谐振器和λ/4微带线306a的尾部，过孔金属线313电气连接在第九层上接公共连接端图案309a和λ/4微带线307b的尾部，过孔金属线314电气连接在第九层上接公共连接端图案309a和λ/4微带线307a的尾部，外部接地电极及外部输入、输出电极同样由通过在陶瓷介质层上涂覆导电金属材料形成；
这种滤波器通过将导电的金属材料涂覆在滤波器层叠体的内部，在不增加单个滤波器体积的前提下，通过将涂覆有导电的金属材料的各层陶瓷片利用低温共烧技术层叠形成不仅可滤波、同时可将不平衡信号转换成相位差180°的平衡电信号输出，见图14、15所示。
本实施例与实施例1、2不同之处在于，如图12所示，本实施例中的滤波器的外电极的数量和排列方式与实施例1、2中的滤波器不同，相对于实施例1、2中的滤波器，本实施例中滤波器的外电极的数量多，排列方式不同，能满足用户不同场合下的要求。

Claims (5)

1.一种三端口多层陶瓷介质滤波器，其特征在于包括：
层叠体，包括沿层叠方向层叠在一起的多个片状陶瓷介质层；
设置在层叠体中的多个谐振器；
设置在层叠体中的多个接地负载电容器和多个耦合电容器；
设置在层叠体中的多个屏蔽接地层；
设置在层叠体中的三条λ/4微带线；其中两个λ/4微带线设置在同一片陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线相对应地设置在与前述两个λ/4微带线设置的陶瓷介质层相邻的陶瓷介质层上；
过孔金属线，包括设置在多个谐振器之一的谐振器和λ/4微带线之间的过孔金属线和λ/4微带线与公共连接端之间的过孔金属线，过孔金属线电连接谐振器和λ/4微带线、λ/4微带线与公共连接端；
设置在层叠体表面的多个外部接地电极，它们各自电气连接所述多个谐振器和多个接地负载电容器的端部；
设置在层叠体表面的一个外部输入电极、两个外部输出电极和一个外部公共连接端，外部输入电极与第一谐振器相连，两个外部输出电极和外部公共连接端分别与设置在同一片陶瓷介质层上两个λ/4微带线的头端相连；
所述的多个屏蔽接地层分别设置在包含有谐振器和电容器片状陶瓷介质层上下方及包含λ/4微带线的片状陶瓷介质层的上下方，所述的多个耦合电容器设置在所述的多个谐振器之间，所述的多个接地负载电容器设置在所述的多个谐振器与多个外部接地电极之间。
2.根据权利要求1所述的一种三端口多层陶瓷介质滤波器，其特征在于：
所述的电容器分二层设置在层叠体内，包括设置在相邻两层上的两侧电容图案。
3.根据权利要求2所述的一种三端口多层陶瓷介质滤波器，其特征在于：
所述的多个片状陶瓷介质层包括第一到第十一层(101，102，103，104，105，106，107，108，109，110，111)；
所述的多个谐振器为两个带状线抽头式谐振器(104a、104b)，设置在第四层陶瓷介质层(104)上；
所述的多个接地负载电容器为两个接地电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案(103a)、第二接地电容的接地侧电容器图案(103b)设置在第三层陶瓷介质层(103)上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(104)上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(104)上；
所述的多个耦合电容器为一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案(103c)设置在第三层陶瓷介质层(103)上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(104)上；
所述的两条λ/4微带线(107a、107b)设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线(106a)与两条λ/4微带线(107a、107b)相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线(112)电气连接λ/4微带线(106a)与带状线谐振器(104b)；
所述的多个外部接地电极为两个外部接地电极(115a、115b)，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器(104a、104b)、两个接地电容器(103a、103b)的端部、屏蔽接地层(102a、105a、108a、110a)；
所述的屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案(102a、105a、108a、110a)；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极(116a)、外部输出电极(116b、116c)、外部的公共连接端(116d)，外部输入电极(116a)与带状线抽头式谐振器(104a)电连接，外部输出电极(116b、116c)分别与两条λ/4微带线(107a、107b)的头部电连接，外部的公共连接端(116d)与设置在第九层上公共连接端图案(109a)连接，过孔金属线(113、114)电气连接在第九层上公共连接端图案(109a)和两条λ/4微带线(107a、107b)的尾端。
4.根据权利要求2所述的一种三端口多层陶瓷介质滤波器，其特征在于：所述的多个片状陶瓷介质层包括第一到第十一层(201，202，203，204，205，206，207，208，209，210，211)；
所述的多个谐振器包括两个抽头式带状线谐振器(204a、204c)和一个带状线谐振器(204b)，设置在第四层陶瓷介质层(204)上；
所述的多个接地负载电容器为三个接地负载电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案(203a)、第二接地电容的接地侧电容器图案(203b)、第三接地电容的接地侧电容器图案(203c)设置在第三层陶瓷介质层(203)上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(204)上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第二接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(204)上，第三接地电容的通电侧电容器图案与所述第三接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(204)上；
所述的两条λ/4微带线(207a、207b)设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线(206a)与两条λ/4微带线(207a、207b)相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线(212)电气连接λ/4微带线(206a)与抽头式带状线谐振器(204c)；
所述的多个外部接地电极为两个外部接地电极(215a、215b)，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器(204a、204c)、带状线谐振器(204b)、两个接地电容器(203a、203b、203c)的端部、屏蔽接地层(202a、205a、208a、210a)；
所述的屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地层(202a、205a、208a、210a)；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极(216a)、外部输出电极(216b、216c)、外部的公共连接端(216d)，外部输入电极(216a)与带状线抽头式谐振器(204a)电连接，外部输出电极(216b、216c)分别与两条λ/4微带线(207a、207b)的头部电连接，外部的公共连接端(216d)与设置在第九层上公共连接端图案(209a)连接，过孔金属线(213、214)电气连接在第九层上接公共连接端图案(209a)和两条λ/4微带线(207a、207b)的尾端。
5.根据权利要求2所述的一种三端口多层陶瓷介质滤波器，其特征在于：所述的多个片状陶瓷介质层包括第一到第十一层(301，302，303，304，305，306，307，308，309，310，311)；
所述的多个谐振器为带状线抽头式谐振器(304b、304a)，设置在第四层陶瓷介质层(304)上；
所述的多个接地负载电容器为两个接地负载电容器，第一接地电容的接地侧电容器图案(303b)、第二接地电容的接地侧电容器图案(303c)设置在第三层陶瓷介质层(303)上，第一接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(304)上，第二接地电容的通电侧电容器图案与所述第一接地电容的接地侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(304)上；
所述的多个耦合电容器为一个耦合电容器，耦合电容器一侧电容器图案(303a)设置在第三层陶瓷介质层(303)上，耦合电容器另一侧电容器图案与上述一侧电容器图案相对应地设置在第四层陶瓷介质层(304)上；
所述的两条λ/4微带线(307a、307b)设置在第七层陶瓷介质层上，另一条λ/4微带线(306a)与两条λ/4微带线(307a、307b)相对应地设置第六层陶瓷介质层上；过孔金属线(312)电气连接λ/4微带线(306a)与带状线抽头式谐振器(304a)；
所述的多个外部接地电极为三个外部接地电极(314a、314b、314c)，它们各自电气连接所述带状线抽头式谐振器(304b、304a)、两个接地电容器的端部、屏蔽接地层(302a、305a、308a、310a)；
所述的屏蔽接地层包括设置在第二、五、八、十层上屏蔽接地图案(302a、305a、308a、310a)；
设置在所述十一层叠体表面上的外部输入电极(315b)、外部输出电极(315d、315e)、外部的公共连接端(315a、315c)，外部输入电极(315b)与带状线抽头式谐振器(304b)电连接，外部输出电极(315d、315e)分别与两条λ/4微带线(307a、307b)的头部电连接，外部的公共连接端(315a、315c)与设置在第九层上公共连接端图案(309a)连接，过孔金属线(313)电气连接在第九层上接公共连接端图案(309a)和λ/4微带线(307b)的尾部，过孔金属线(314)电气连接在第九层上接公共连接端图案(309a)和λ/4微带线(307a)的尾端。
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CN101373664B (zh) * 2007-08-23 2012-01-25 Tdk株式会社 层叠电容器
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