CN2470959Y - 堆叠式影像感测器 - Google Patents

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吴志成
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Abstract

一种堆叠式影像感测器。为提供一种构件少、体积小、制造简单、封装及测试成本低的影像感测器,提出本实用新型,它包括形成讯号输入、输出端的基板、积体电路、封装层、以复数条导线与基板讯号输入端电连接的影像感测晶片及盖设于影像感测晶片上的透光层;以封装层封装并以复数条导线与基板讯号输入端电连接的积体电路设置于基板上,影像感测晶片叠置于积体电路的封装层上。

Description

堆叠式影像感测器
本实用新型属于影像感测器，特别是一种堆叠式影像感测器。
一般感测器系用来感测接收光或声音的讯号，本实用新型系用来接收影像讯号，并将影像讯号转换为电讯号传递至印刷电路板上。
一般影像感测器用以接收影像讯号，并将影像讯号转换为电讯号传递至印刷电路板上，再与其他积体电路进行电连接，使其具有不同的功能需求。诸如，其与数位讯号处理器(Digital signal Processor)电连接，用以处理影像感测器所产生的讯号，或可与微控制器(Micro Controller)或中央处理器(CPU)等电连接，而产生不同的功能需求。
然而，习知影像感测器皆单独封装制成，因此，与其搭配的各种积体电路亦必须单独进行封装，再将封装完成的影像感测器及各种积体电路电连接于印刷电路板上，并藉由导线将其电连接整合使用。如此，各单独封装的积体电路与影像感测器必须分别使用基板及封装制成，造成生产成本无法有效地降低，且将各单独封装的积体电路设置于印刷电路板上时，所需印刷电路板的面积必须较大，而无法达到轻、薄、短小的需求。
本实用新型的目的是提供一种的构件少、体积小、制造简单、封装及测试成本低的堆叠式影像感测器。
本实用新型包括形成讯号输入、输出端的基板、积体电路、封装层、以复数条导线与基板讯号输入端电连接的影像感测晶片及盖设于影像感测晶片上的透光层；以封装层封装并以复数条导线与基板讯号输入端电连接的积体电路设置于基板上，影像感测晶片叠置于积体电路的封装层上。
其中：
讯号输出端为球栅阵列金属球。
基板上表面周缘形成将积体电路、封装层及影像感测晶片围绕住的凸缘层；透光层设置于凸缘层上方。
透光层为覆盖积体电路、封装层及影像感测晶片的透明胶体。
为透明胶体的透光层呈冂形。
积体电路为数位讯号处理器(digital signal processor)、微处理器(microprocessor)或中央处理器(central processor unit)。
覆盖于积体电路上的封装层与凸缘层同时形成于基板上呈一体状。
由于本实用新型包括形成讯号输入、输出端的基板、积体电路、封装层、以复数条导线与基板讯号输入端电连接的影像感测晶片及盖设于影像感测晶片上的透光层；以封装层封装并以复数条导线与基板讯号输入端电连接的积体电路设置于基板上，影像感测晶片叠置于积体电路的封装层上。藉由封装层覆盖住积体电路，使影像感测晶片可直接置放于封装层上，而与积体电路形成堆叠，如此，便可将影像感测晶片堆叠于任何尺寸的积体电路上。不仅构件少、体积小，而且制造简单、封装及测试成本低，从而达到本实用新型的目的。
图1、为本实用新型结构示意剖视图。
图2、为本实用新型制造方法示意图(于基板上组接及封装积体电路)。
图3、为本实用新型造方法示意图(设置凸缘层)。
图4、为本实用新型制造方法示意图(组接影像感测晶片)。
图5、为本实用新型结构示意剖视图(透光层为透明胶体)。
图6、为本实用新型结构示意剖视图(透光层为呈冂形透明胶体)。
下面结合附图对本实用新型进一步详细阐述。
如图1所示，本实用新型堆叠式影像感测器包括基板10、积体电路12、封装层14、影像感测晶片16、凸缘层18、透光层20及复数条导线22。基板10包括上表面24及下表面26，上表面24形成有讯号输入端28，下表面26形成有讯号输出端30，用以电连接于印刷电路板上，讯号输出端30为球栅阵列金属球。
积体电路12，其可为数位讯号处理器(digital signal procesor)、微处理器(micro processor)或中央处理器(central processor unit)，其系设于基板10的上表面24上，并以复数条导线22电连接于讯号输入端28上，使积体电路12上的讯号传递至基板10上。
封装层14其系以压模方式覆盖于积体电路12上，以将积体电路12及复数条导线22包覆住，用以保护积体电路12及复数条导线22，以避免当影像感测晶片16与积体电路12堆叠时，影像感测晶片16压损复数条导线22。
影像感测晶片16，系置于封装层14上方，而与积体电路12形成堆叠，并藉由复数条导线22电连接于基板10的讯号输入端28。
透光层20系为透光玻璃，其系盖设于影像感测晶片16上方，用以使影像感测晶片16透过透光层20接收影像讯号。本实施例中，系将凸缘层18先行设置于基板10的上表面24周缘，而透光层20系设置于凸缘层18上方，以将影像感测晶片16覆盖住。
如图2、图3、图4所示，本实用新型制造时，首先，将积体电路12固定于基板10的上表面24上，并以复数条导线22电连接于基板10的讯号输入端28，使积体电路12与基板10形成电连接；然后将用以承载透光层20的凸缘层18设置于基板10的上表面24周缘；使透光层20覆盖住影像感测晶片16；续而将封装层14覆盖于积体电路12上，以保护积体电路12及复数条导线22；亦可于积体电路12固定于基板10的上表面24上，并以复数条导线22完成基板10与积体电路12的电连接后，将封装层14与凸缘层18同时以压模方式形成于基板10的上表面24上，使覆盖住积体电路12及复数条导线22的封装层14与形成于基板10的周缘以承载透光层20的凸缘层18呈一体状，如此，可减化生产制程，降低生产成本；再如图4所示，将影像感测晶片16设置于封装层14上方，并藉由复数条导线22电连接于基板10的讯号输入端，而与积体电路12形成堆叠；最后，如图1所示，将透光层20固定于凸缘层18上方，用以将影像感测晶片16覆盖住，使影像感测晶片16得以透过透光层20接收影像讯号。
如图5所示，透光层20为透明胶体，当将积体电路12与影像感测晶片16堆叠于基板10的上表面24，并与基板10形成电连接后，再行将透明胶体直接覆盖住影像感测晶片16、积体电路12及复数条导线22，使影像感测晶片16透过该透明胶体接收影像感测讯号。
如图6所示，透光层20亦可为呈冂形透明胶体，系覆盖于基板10的上表面24上，以将影像感测晶片16、积体电路12及复数条导线22覆盖住。藉由呈冂形的透明胶体的透光率较佳，可使影像感测晶片16接收较佳的影像讯号。
本实用新型具有如下的优点：
1、藉由封装层14覆盖住积体电路12，使影像感测晶片16可直接置放于封装层14上，而与积体电路12形成堆叠，如此，便可将影像感测晶片16堆叠于任何尺寸的积体电路12上。
2、本实用新型的同时形成于基板10上的封装层14与凸缘层18呈一体状，可使堆叠封装的制程更为简便。

Claims (7)

1、一种堆叠式影像感测器，它包括形成讯号输入、输出端的基板、以复数条导线与基板讯号输入端电连接的影像感测晶片及盖设于影像感测晶片上的透光层；其特征在于所述的基板上设有以封装层封装并以复数条导线与基板讯号输入端电连接的积体电路；影像感测晶片叠置于积体电路的封装层上。
2、根据权利要求1所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的讯号输出端为球栅阵列金属球。
3、根据权利要求1所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的基板上表面周缘形成将积体电路、封装层及影像感测晶片围绕住的凸缘层；透光层设置于凸缘层上方。
4、根据权利要求1所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的透光层为覆盖积体电路、封装层及影像感测晶片的透明胶体。
5、根据权利要求3所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的为透明胶体的透光层呈冂形。
6、根据权利要求1所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的积体电路为数位讯号处理器(digital signal processor)、微处理器(micro processor)或中央处理器(central processor unit)。
7、根据权利要求3所述的堆叠式影像感测器，其特征在于所述的覆盖于积体电路上的封装层与凸缘层同时形成于基板上呈一体状。
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TWI676250B (zh) * 2018-09-25 2019-11-01 勝麗國際股份有限公司 光學感測器
CN110943049A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 胜丽国际股份有限公司 光学感测器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100539131C (zh) * 2007-11-29 2009-09-09 日月光半导体制造股份有限公司 电子元件封装结构
TWI676250B (zh) * 2018-09-25 2019-11-01 勝麗國際股份有限公司 光學感測器
CN110943049A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 胜丽国际股份有限公司 光学感测器
CN110943049B (zh) * 2018-09-25 2021-06-29 胜丽国际股份有限公司 光学感测器

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