CN220894383U - 一种发光二极管的上电检测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板和位于导电板侧边的导电探针,发光二极管的两端分别与导电板和导电探针抵接,所述导电板和导电探针分别连接至测试工装的正极和负极。本申请提供的一种发光二极管的上电检测装置,采用导电探针和导电板分别将发光二极管引出至测试工装的正极和负极,避免了现有技术中手工焊接对发光二极管造成的损伤,提高发光二极管的检测效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管上电检测的技术领域,尤其涉及一种发光二极管的上电检测装置。
背景技术
当今,随着科技的进步,电子制造技术也日益发达,集成化程度越来越高,工序越来越多,结构也越来越精细,制造工艺越来越复杂,错综复杂的因素必然会导致在制造过程中隐藏着缺陷,作为电子产品竞争厂家,不断地保证其性能的高精准性,也要保证其质量的稳定性。因此对电子产品进行相关的检验也是必要的,通常这类缺陷需要在元件工作的额定功率和正常工作温度下工作1000小时左右,才能完全暴露出来。
在测试过程中,对每个电子元件都要测试一千个小时显然是不现实的,因此需要对电子元件施加热应力和偏压,比如进行高温动力应力试验,以加速这种缺陷的早期暴露。即对电子元件施以热、电、机等综合外力,模拟严酷的工作环境,消除加工应力及残留溶剂等物质,使潜伏性故障提前发生,尽快使电子元件通过失效浴盆特性初期阶段,尽快使失效浴盆特性通过浴盆特性初期阶段高可靠。
发光二极管普遍应用于挂机内机参数显示,以及主板信号提示方面,作为消费者空调参数设置显示的窗口,发光二极管的电耐久寿命性能与用户对于空调的体验息息相关。发光二极管的加电高温耐久性能试验条件一般要求在70℃±2℃下通脉冲电流,施加的电流大小为技术图纸中发光二极管0.8倍的最大正向脉冲电流值0.8IFPM,脉冲条件为:频率为1kHz,占空比为1/7,连续工作1000h,实验样品为5pcs。该设备的实验电参数由对口专业设备发光二极管共阴共阳老化设备提供,在测试过程中需把抽测实验样件的器件与设备连接,现有的连接方式采用直接手工烙铁焊接作业模式。
手工烙铁焊接方式因人工作业,容易导致焊接作业过程中出现烙铁未接地出现静电损伤。以及焊接温度过高、焊接时间过长、距离灯珠胶体过近引起的晶片烧坏,此类异常操作过程难以有效察觉,造成的器件受损在加电高温耐久性过程中被放大,造成加电高温耐久实验不符合要求,造成来料筛选合格与否误判。同时在大量批次来货过程,每批次抽检实验样品需反复进行焊接作业,十分费时。
实用新型内容
为克服相关技术中存在的问题,本实用新型的目是提供一种发光二极管的上电检测装置,采用导电探针和导电板分别将发光二极管引出至测试工装的正极和负极,避免了现有技术中手工焊接对发光二极管造成的损伤,提高发光二极管的检测效率。
一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板,
位于导电板侧边的导电探针,发光二极管的两端分别与导电板和导电探针抵接,所述导电板和导电探针分别连接至测试工装的正极和负极。
本申请中发光二极管可以通过导电板和导电探针及其对应连接的导线连接至测试工装的正极和负极,在测试之前,导电板和导电探针的相对位置确定,且已经电连接至测试工装的正极和负极处,在测试过程中,只需要将发光二极管按照设定的方向放置在导电板和导电探针之间,且确保发光二极管和导电探针以及导电板电连接即可;本申请结构简单,避免了现有技术中手工焊接对发光二极管造成的损伤,提高了发光二极管的上电检测效率。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述导电探针包括弹簧组件,所述导电探针远离导电板的一端固定,导电探针靠近导电板的一端能够在弹簧组件的作用下朝着靠近或远离导电板的方向移动。
本申请设置弹簧组件的作用在于调整导电探针与导电板之间的距离,确保不同尺寸的发光二极管均可以放置在导电探针和导电板之间。当发光二极管没有放置在导电板上时,导电探针与导电板之间的间隙小于发光二极管的高度,当发光二极管放置在导电板上时,导电探针在弹簧组件的作用下朝着远离导电板方向移动,直至导电探针与导电板分别与发光二极管的顶端和低端抵接,以形成测试通路。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述导电探针还包括探针套壳和活动探针,所述活动探针的一端位于所述探针套壳的内部,并连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针的另一端与导电板相对设置;所述弹簧组件的两端分别固定在探针套壳的内侧壁和活动探针的外侧壁。
本申请中探针套壳的位置是固定不动的,活动探针在弹簧组件的作用下可以相对于探针套壳进行移动,移动的方向为朝向或者远离导电板的方向。在实际操作中,本申请可以将导电探针设置在导电板的上方,这样可以直接将发光二极管放置在导电板上即可。当不同高度的发光二极管放置在导电板上时,活动探针在弹簧组件的弹力作用下缩回至不同的高度处,使得不同尺寸的发光二极管均能采用本申请装置进行固定和上电检测;有利于提高本申请上电检测装置的适用范围。
在本实用新型较佳的技术方案中,还包括测试框架,所述导电板固定在测试框架中,所述探针套壳固定在测试框架中。
测试框架中设置有U型结构的缺口,在缺口相对的两侧分别固定导电板和导电探针,其中,导电板为平面结构,导电探针中的探针套壳固定在测试框架内,活动探针相对于探针逃壳进行移动,以实现对不同尺寸发光二极管的固定。测试框架作为上电检测装置的框架,为导电板和导电探针提供了固定基准,配合可伸缩的活动探针实现对发光二极管的固定和电连接。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述导电板设置有M个测试工位;每个测试工位对应一个导电探针;相邻的测试工位之间的距离大于5mm;M为大于0的整数。
本申请导电板为平面结构,其表面积较大,可以同时设置多个测试工位,以便于同步对多个发光二极管进行同步测试。同时相邻的测试工位之间的间隙不能太近,避免两个测试工位之间发生短路,影响测试效果。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述导电探针靠近导电板的一端设置有抵接端,所述抵接端通过导电探针和导线连接至所述测试工装的正极或负极。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述抵接端包括至少两个与发光二极管接触的抵接部;至少两个所述抵接部以导电探针的轴心线为中心,对称分布。
本实施例设置多个抵接部与发光二极管进行抵接,可以实现从不同方向和位置处对发光二极管进行固定,确保活动探针对发光二极管的固定效果,避免发光二极管在测试过程中发生位置偏移。同时,多个抵接部与发光二极管抵接,可以减少每个抵接部与发光二极管之间的作用力,避免抵接部与发光二极管之间的作用力过大,导致发光二极管表面被划伤等。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述抵接部倾斜设置,且靠近导电板一端的抵接部朝着远离导电探针轴心线的方向倾斜;
至少两个所述抵接部靠近导电板一端的间隙距离大于发光二极管的尺寸。
本实施例中抵接部朝外倾斜设置,具体的抵接部个数可以为两个,如图1所示,也可以为任意的偶数个,偶数个抵接部对称设置在活动探针的外周侧。且多个抵接部的开叉间隙大于发光二极管的顶部尺寸,当抵接部对发光二极管进行固定时,抵接部的内侧壁卡接在发光二极管的顶部外周侧,活动探针对发光二极管的作用力分散在多个抵接部位置处,避免了对发光二极管表面的作用力过大,导致表面划伤等缺陷。同时,抵接部从多个方向对发光二极管进行固定,避免发光二极管在检测过程中出现位置偏移等。
在本实用新型较佳的技术方案中,所述抵接端靠近导电板的一端设置有平行于导电板的抵接面。
本申请采用抵接面与发光二极管进行抵接,且发光二极管的顶部表面和抵接面均为平行于导电板的平面结构,采用抵接面对发光二极管进行固定,即可实现面对面之间的固定,增大了抵接面与发光二极管之间的接触面积。同时,活动探针对发光二极管的作用力也可以均匀分布在抵接面上的各个位置处,避免发光二极管某一处的作用力过大造成发光二极管表面划伤等缺陷。
在本实用新型较佳的技术方案中,在平行于导电板所在平面方向上,所述抵接面的截面面积大于导电探针的截面面积。
本实施例中抵接面的面积大于活动探针的截面面积,使得活动探针对发光二极管的作用力可以均匀分布开来,对发光二极管的表面形成保护作用,避免某个位置处的作用力过大,造成对发光二极管的损坏。
本实用新型的有益效果为:
本申请提供的一种发光二极管的上电检测装置,包括导电板和位于导电板侧边的导电探针,发光二极管的两端分别与导电板和导电探针抵接,所述导电板和导电探针分别连接至测试工装的正极和负极。本申请中发光二极管可以通过导电板和导电探针及其对应连接的导线连接至测试工装的正极和负极,在测试之前,导电板和导电探针的相对位置确定,且已经电连接至测试工装的正极和负极处,在测试过程中,只需要将发光二极管按照设定的方向放置在导电板和导电探针之间,且确保发光二极管和导电探针以及导电板电连接即可;本申请结构简单,避免了现有技术中手工焊接对发光二极管造成的损伤,提高了发光二极管的上电检测效率。
附图说明
图1为实施例3中导电探针的结构示意图;
图2为实施例3中测试框架未放置发光二极管时的结构示意图;
图3为实施例3中测试框架放置发光二极管时的结构示意图;
图4为实施例4中导电探针的结构示意图;
图5为实施例4中测试框架未放置发光二极管时的结构示意图;
图6为实施例4中测试框架放置发光二极管时的结构示意图;
图7为实施例5中导电探针的结构示意图;
图8为实施例5中测试框架未放置发光二极管时的结构示意图;
图9为实施例5中测试框架放置发光二极管时的结构示意图。
附图标记:
1、导电探针;11、弹簧组件;12、抵接端;121、抵接部;122、抵接面;13、活动探针;14、探针套壳;2、导电板;3、测试框架;4、发光二极管。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本实用新型的优选实施方式。虽然附图中显示了本实用新型的优选实施方式,然而应该理解,可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反,提供这些实施方式是为了使本实用新型更加透彻和完整,并且能够将本实用新型的范围完整地传达给本领域的技术人员。
在本实用新型使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本实用新型。在本实用新型和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解,尽管在本实用新型可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本实用新型范围的情况下,第一信息也可以被称为第二信息,类似地,第二信息也可以被称为第一信息。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
实施例1
如图1-图9所示,一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板2和位于导电板2侧边的导电探针1,发光二极管4的两端分别与导电板2和导电探针1抵接,所述导电板2和导电探针1分别连接至测试工装的正极和负极。
本申请中测试工装用于通过导电探针1和导电板2为发光二极管4提供测试电流,具体的测试电流大小可以根据发光二极管4的型号及检测项目进行设定。
本申请中导电探针1自与发光二极管4接触的位置至连接至测试工装的位置均为导体结构,具有良好的导电性能。本申请中导电探针1可以选用镀金的金属探针,具有良好的导通性能,结构稳定可支持重复利用,高温作用下不会发生氧化。
本申请中导电板2也为导体,具有良好的导电性能。本申请中导电板2也可以选用镀金的金属板,具有良好的导通性能,结构稳定可支持重复利用,高温作用下不会发生氧化。
本申请中发光二极管4可以通过导电板2和导电探针1及其对应连接的导线连接至测试工装的正极和负极,在测试之前,导电板2和导电探针1的相对位置确定,且已经电连接至测试工装的正极和负极处,在测试过程中,只需要将发光二极管4按照设定的方向放置在导电板2和导电探针1之间,且确保发光二极管4和导电探针1以及导电板2电连接即可;本申请结构简单,避免了现有技术中手工焊接对发光二极管4造成的损伤,提高了发光二极管4的上电检测效率。
实施例2
如图1-图9所示,一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板2和位于导电板2侧边的导电探针1,发光二极管4的两端分别与导电板2和导电探针1抵接,所述导电板2和导电探针1分别连接至测试工装的正极和负极。
本申请中导电探针1包括弹簧组件11,所述导电探针1远离导电板2的一端固定,导电探针1靠近导电板2的一端能够在弹簧组件11的作用下朝着靠近或远离导电板2的方向移动。
本申请设置弹簧组件11的作用在于调整导电探针1与导电板2之间的距离,确保不同尺寸的发光二极管4均可以放置在导电探针1和导电板2之间。当发光二极管4没有放置在导电板2上时,导电探针1与导电板2之间的间隙小于发光二极管4的高度,当发光二极管4放置在导电板2上时,导电探针1在弹簧组件11的作用下朝着远离导电板2方向移动,直至导电探针1与导电板2分别与发光二极管4的顶端和低端抵接,以形成测试通路。
在初始状态下,即没有放置发光二极管4的时候,到点探针和导电板2之间可以保持一定的间隙,该间隙不宜过大或过小,过大的间隙会影响发光二极管4、导电探针1、导电板2和测试工装的通断性。过小的间隙会导致导电探针1施加在发光二极管4上的力度过大,容易损伤发光二极管4端头本申请可以设置初始状态下,导电探针1与导电板2之间的间距小于等于1.5mm。
进一步的,本申请中所述导电探针1还包括探针套壳14和活动探针13,所述活动探针13的一端位于所述探针套壳14的内部,并连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针13的另一端与导电板2相对设置;所述弹簧组件11的两端分别固定在探针套壳14的内侧壁和活动探针13的外侧壁。具体的弹簧组件11可以为弹簧或者其他与弹簧具有相同伸缩性能的等同替换物。
本申请中探针套壳14的位置是固定不动的,活动探针13在弹簧组件11的作用下可以相对于探针套壳14进行移动,移动的方向为朝向或者远离导电板2的方向。在实际操作中,本申请可以将导电探针1设置在导电板2的上方,这样可以直接将发光二极管4放置在导电板2上即可。当不同高度的发光二极管4放置在导电板2上时,活动探针13在弹簧组件11的弹力作用下缩回至不同的高度处,使得不同尺寸的发光二极管4均能采用本申请装置进行固定和上电检测;有利于提高本申请上电检测装置的适用范围。
本申请中活动探针13参与测试通路的形成,探针套壳14可以为绝缘材质,活动探针13靠近导电板2的一端与发光二极管4抵接,另一端位于探针套壳14内部,且通过导线连接至测试工装的正极或负极。
本申请中弹簧组件11与探针套壳14和活动探针13处可以通过加锡焊接固定或者打胶固定。若是采用打胶固定方式,需要注意选用胶的熔点需要高于本申请检测工装的应用温度。本申请中上电检测装置应用的高温范围为70℃±2℃。
本申请还包括测试框架3,所述导电板2固定在测试框架3中,所述探针套壳14固定在测试框架3中。
测试框架3中设置有U型结构的缺口,在缺口相对的两侧分别固定导电板2和导电探针1,其中,导电板2为平面结构,导电探针1中的探针套壳14固定在测试框架3内,活动探针13相对于探针逃壳进行移动,以实现对不同尺寸发光二极管4的固定。测试框架3作为上电检测装置的框架,为导电板2和导电探针1提供了固定基准,配合可伸缩的活动探针13实现对发光二极管4的固定和电连接。
本申请导电板2设置有M个测试工位;每个测试工位对应一个导电探针1;相邻的测试工位之间的距离大于5mm;M为大于0的整数。
本申请导电板2为平面结构,其表面积较大,可以同时设置多个测试工位,以便于同步对多个发光二极管4进行同步测试。同时相邻的测试工位之间的间隙不能太近,避免两个测试工位之间发生短路,影响测试效果。
实施例3
如图1-图3所示,一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板2和位于导电板2侧边的导电探针1,发光二极管4的两端分别与导电板2和导电探针1抵接,所述导电板2和导电探针1分别连接至测试工装的正极和负极。
具体的,还包括测试框架3,所述导电板2固定在测试框架3中,所述探针套壳14固定在测试框架3中。测试框架3中设置有U型结构的缺口,在缺口的底部设置有导电板2,导电板2水平铺设,在导电板2的上方设置有若干个导电探针1。
本申请中所述导电探针1还包括探针套壳14、活动探针13和弹簧组件11,探针套壳14固定在测试框架3内。所述活动探针13的一端位于所述探针套壳14的内部,并通过导线连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针13的另一端位于导电板2的正上方;所述弹簧组件11的两端分别固定在探针套壳14的内侧壁和活动探针13的外侧壁。弹簧组件11的弹力作用沿着竖直方向分布,以驱动活动探针13相对于探针套壳14进行竖直方向上的移动。
本实施例中活动探针13和探针套壳14均为圆柱状结构,且活动探针13的外径为1.3mm。本实施例中弹簧组件11可伸缩的尺寸范围需要大于等于5mm,以确保上电检测工装能够适用于不同型号的发光二极管4。
本实施例中活动探针13参与测试通路的形成,探针套壳14可以为绝缘材质,活动探针13靠近导电板2的一端与发光二极管4抵接,另一端位于探针套壳14内部,且通过导线连接至测试工装的正极或负极。
初始状态下,即还没有放置发光二极管4的情况下,导电探针1与导电板2之间的间距为1.0mm。
本申请中活动探针13的顶端通过弹簧组件11滑动设置在探针套壳14内部,活动探针13的底端设置有抵接端12,所述抵接端12用于与发光二极管4进行抵接,进而实现对发光二极管4的固定。抵接端12和活动探针13均为导体结构,抵接端12通过活动探针13和导线连接至测试工装的正极或负极。
如图1所示,抵接端12包括至少两个与发光二极管4接触的抵接部121;至少两个所述抵接部121以导电探针1的轴心线为中心,对称分布。本实施例设置多个抵接部121与发光二极管4进行抵接,可以实现从不同方向和位置处对发光二极管4进行固定,确保活动探针13对发光二极管的固定效果,避免发光二极管4在测试过程中发生位置偏移。同时,多个抵接部121与发光二极管4抵接,可以减少每个抵接部121与发光二极管4之间的作用力,避免抵接部121与发光二极管4之间的作用力过大,导致发光二极管4表面被划伤等。
进一步的,本实施例中所述抵接部121倾斜设置,且靠近导电板2一端的抵接部121朝着远离导电探针1轴心线的方向倾斜。也就是说,靠近探针套壳14一侧的抵接部121固定在活动探针13的末端中心处,远离探针套壳14一侧的抵接部121朝着远离活动探针13轴心线的方向倾斜,即向外倾斜,使得多个抵接部121形成朝下散开的劈叉状结构。
进一步的,至少两个所述抵接部121靠近导电板2一端的间隙距离大于发光二极管4的尺寸。也就是说,当发光二极管4位于导电板2上时,多个抵接部121卡接在发光二极管4的外侧边缘位置处,形成对发光二极管4的固定。
本实施例中抵接部121朝外倾斜设置,具体的抵接部121个数可以为两个,如图1所示,也可以为任意的偶数个,偶数个抵接部121对称设置在活动探针13的外周侧。且多个抵接部121的开叉间隙大于发光二极管4的顶部尺寸,当抵接部121对发光二极管4进行固定时,抵接部121的内侧壁卡接在发光二极管4的顶部外周侧,活动探针13对发光二极管4的作用力分散在多个抵接部121位置处,避免了对发光二极管4表面的作用力过大,导致表面划伤等缺陷。同时,抵接部121从多个方向对发光二极管4进行固定,避免发光二极管4在检测过程中出现位置偏移等。
本申请中测试工装在上电过程中,施加的电流大小为发光二极管40.8倍的最大正向脉冲电流值0.8IFPM,脉冲条件为:频率为1kHz,占空比为1/7。
实施例4
如图4-图6所示,一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板2和位于导电板2侧边的导电探针1,发光二极管4的两端分别与导电板2和导电探针1抵接,所述导电板2和导电探针1分别连接至测试工装的正极和负极。
具体的,还包括测试框架3,所述导电板2固定在测试框架3中,所述探针套壳14固定在测试框架3中。测试框架3中设置有U型结构的缺口,在缺口的底部设置有导电板2,导电板2水平铺设,在导电板2的上方设置有若干个导电探针1。
本申请中所述导电探针1还包括探针套壳14、活动探针13和弹簧组件11,探针套壳14固定在测试框架3内。所述活动探针13的一端位于所述探针套壳14的内部,并通过导线连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针13的另一端位于导电板2的正上方;所述弹簧组件11的两端分别固定在探针套壳14的内侧壁和活动探针13的外侧壁。弹簧组件11的弹力作用沿着竖直方向分布,以驱动活动探针13相对于探针套壳14进行竖直方向上的移动。
本实施例中活动探针13和探针套壳14均为圆柱状结构,且活动探针13的外径为1.3mm。本实施例中弹簧组件11可伸缩的尺寸范围需要大于等于5mm,以确保上电检测工装能够适用于不同型号的发光二极管4。
本实施例中活动探针13参与测试通路的形成,探针套壳14可以为绝缘材质,活动探针13靠近导电板2的一端与发光二极管4抵接,另一端位于探针套壳14内部,且通过导线连接至测试工装的正极或负极。
初始状态下,即还没有放置发光二极管4的情况下,导电探针1与导电板2之间的间距为1.2mm。
本申请中活动探针13的顶端通过弹簧组件11滑动设置在探针套壳14内部,活动探针13的底端设置有抵接端12,所述抵接端12用于与发光二极管4进行抵接,进而实现对发光二极管4的固定。抵接端12和活动探针13均为导体结构,抵接端12通过活动探针13和导线连接至测试工装的正极或负极。
如图4所示,抵接端12靠近导电板2的一端设置有平行于导电板2的抵接面122。当上电检测装置中没有放置发光二极管4的时候,抵接面122与导电板2之间的间距为1.2mm。发光二极管4的高度大于1.2mm。当发光二极管4放置在导电板2上时,活动探针13在弹簧组件11的作用下朝着远离导电板2的方向缩回,直至抵接面122与发光二极管4的顶端抵接,此时弹簧组件11处于压缩状态。
本申请采用抵接面122与发光二极管4进行抵接,且发光二极管4的顶部表面和抵接面122均为平行于导电板2的平面结构,采用抵接面122对发光二极管4进行固定,即可实现面对面之间的固定,增大了抵接面122与发光二极管4之间的接触面积。同时,活动探针13对发光二极管4的作用力也可以均匀分布在抵接面122上的各个位置处,避免发光二极管4某一处的作用力过大造成发光二极管4表面划伤等缺陷。
进一步的,在平行于导电板2所在平面方向上,所述抵接面122的截面面积大于导电探针1的截面面积。也就是说抵接端12为锥形结构或者如图4所示的多边形结构,抵接端12的顶部,即与活动探针13连接的位置处的截面面积等于活动探针13的截面面积。抵接端12的底部,即与发光二极管4抵接的位置处的截面面积大于活动探针13的截面面积。
本实施例中抵接面122的面积大于活动探针13的截面面积,使得活动探针13对发光二极管4的作用力可以均匀分布开来,对发光二极管4的表面形成保护作用,避免某个位置处的作用力过大,造成对发光二极管4的损坏。
本申请中测试工装在上电过程中,施加的电流大小为发光二极管40.8倍的最大正向脉冲电流值0.8IFPM,脉冲条件为:频率为1kHz,占空比为1/7。
实施例5
如图7-图9所示,一种发光二极管的上电检测装置,包括:导电板2和位于导电板2侧边的导电探针1,发光二极管4的两端分别与导电板2和导电探针1抵接,所述导电板2和导电探针1分别连接至测试工装的正极和负极。
具体的,还包括测试框架3,所述导电板2固定在测试框架3中,所述探针套壳14固定在测试框架3中。测试框架3中设置有U型结构的缺口,在缺口的底部设置有导电板2,导电板2水平铺设,在导电板2的上方设置有若干个导电探针1。
本申请中所述导电探针1还包括探针套壳14、活动探针13和弹簧组件11,探针套壳14固定在测试框架3内。所述活动探针13的一端位于所述探针套壳14的内部,并通过导线连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针13的另一端位于导电板2的正上方;所述弹簧组件11的两端分别固定在探针套壳14的内侧壁和活动探针13的外侧壁。弹簧组件11的弹力作用沿着竖直方向分布,以驱动活动探针13相对于探针套壳14进行竖直方向上的移动。
本实施例中活动探针13和探针套壳14均为圆柱状结构,且活动探针13的外径为1.3mm。本实施例中弹簧组件11可伸缩的尺寸范围需要大于等于5mm,以确保上电检测工装能够适用于不同型号的发光二极管4。
本实施例中活动探针13参与测试通路的形成,探针套壳14可以为绝缘材质,活动探针13靠近导电板2的一端与发光二极管4抵接,另一端位于探针套壳14内部,且通过导线连接至测试工装的正极或负极。
初始状态下,即还没有放置发光二极管4的情况下,导电探针1与导电板2之间的间距为1.4mm。
本申请中活动探针13的顶端通过弹簧组件11滑动设置在探针套壳14内部,活动探针13的底端设置有抵接端12,所述抵接端12用于与发光二极管4进行抵接,进而实现对发光二极管4的固定。抵接端12和活动探针13均为导体结构,抵接端12通过活动探针13和导线连接至测试工装的正极或负极。
如图7所示,抵接端12为锥形结构,抵接端12的顶部,即与活动探针13连接的位置处的截面面积等于活动探针13的截面面积。抵接端12的底部,即与发光二极管4抵接的位置处的截面面积小于活动探针13的截面面积。
当上电检测装置中没有放置发光二极管4的时候,抵接端12与导电板2之间的间距为1.4mm。发光二极管4的高度大于1.4mm。当发光二极管4放置在导电板2上时,活动探针13在弹簧组件11的作用下朝着远离导电板2的方向缩回,直至抵接端12与发光二极管4的顶端抵接,此时弹簧组件11处于压缩状态。
本实施例中抵接端12的低端截面面积收缩变小,使得抵接端12与发光二极管4的接触面积聚焦在较小区域内,该区域即为发光二极管4检测过程中形成通路的位置处。本实施例中的抵接端12结构能够精准定位发光二极管4的通路连接区域,有助于提高发光二极管4的通路连接效率。
本申请中测试工装在上电过程中,施加的电流大小为发光二极管40.8倍的最大正向脉冲电流值0.8IFPM,脉冲条件为:频率为1kHz,占空比为1/7。
除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。在本申请的描述中,需要理解的是,方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请保护范围的限制;方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而,示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位),并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外,需要说明的是,使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件,仅仅是为了便于对相应零部件进行区别,如没有另行声明,上述词语并没有特殊含义,因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,包括:
导电板(2),
位于导电板(2)侧边的导电探针(1),发光二极管(4)的两端分别与导电板(2)和导电探针(1)抵接,所述导电板(2)和导电探针(1)分别连接至测试工装的正极和负极。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述导电探针(1)包括弹簧组件(11),所述导电探针(1)远离导电板(2)的一端固定,导电探针(1)靠近导电板(2)的一端能够在弹簧组件(11)的作用下朝着靠近或远离导电板(2)的方向移动。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述导电探针(1)还包括探针套壳(14)和活动探针(13),所述活动探针(13)的一端位于所述探针套壳(14)的内部,并连接至测试工装的正极或负极;所述活动探针(13)的另一端与导电板(2)相对设置;所述弹簧组件(11)的两端分别固定在探针套壳(14)的内侧壁和活动探针(13)的外侧壁。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,还包括测试框架(3),所述导电板(2)固定在测试框架(3)中,所述探针套壳(14)固定在测试框架(3)中。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述导电板(2)设置有M个测试工位;每个测试工位对应一个导电探针(1);相邻的测试工位之间的距离大于5mm;M为大于0的整数。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述导电探针(1)靠近导电板(2)的一端设置有抵接端(12),所述抵接端(12)通过导电探针(1)和导线连接至所述测试工装的正极或负极。
7.根据权利要求6所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述抵接端(12)包括至少两个与发光二极管(4)接触的抵接部(121);至少两个所述抵接部(121)以导电探针(1)的轴心线为中心,对称分布。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述抵接部(121)倾斜设置,且靠近导电板(2)一端的抵接部(121)朝着远离导电探针(1)轴心线的方向倾斜;
至少两个所述抵接部(121)靠近导电板(2)一端的间隙距离大于发光二极管(4)的尺寸。
9.根据权利要求6所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,所述抵接端(12)靠近导电板(2)的一端设置有平行于导电板(2)的抵接面(122)。
10.根据权利要求9所述的一种发光二极管的上电检测装置,其特征在于,在平行于导电板(2)所在平面方向上,所述抵接面(122)的截面面积大于导电探针(1)的截面面积。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CN202322226151.6U CN220894383U (zh) | 2023-08-18 | 2023-08-18 | 一种发光二极管的上电检测装置 |
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-
2023
- 2023-08-18 CN CN202322226151.6U patent/CN220894383U/zh active Active
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