CN220767149U - 一种载板结构及载板 - Google Patents

一种载板结构及载板 Download PDF

Info

Publication number
CN220767149U
CN220767149U CN202322031622.8U CN202322031622U CN220767149U CN 220767149 U CN220767149 U CN 220767149U CN 202322031622 U CN202322031622 U CN 202322031622U CN 220767149 U CN220767149 U CN 220767149U
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
supporting part
carrier plate
heat conducting
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202322031622.8U
Other languages
English (en)
Inventor
请求不公布姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Lyric Robot Automation Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Lyric Robot Automation Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Lyric Robot Automation Co Ltd filed Critical Guangdong Lyric Robot Automation Co Ltd
Priority to CN202322031622.8U priority Critical patent/CN220767149U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN220767149U publication Critical patent/CN220767149U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种载板结构及载板,载板结构包括用于支撑硅片的第一支撑部和第二支撑部、以及位于第一支撑部和第二支撑部之间的导热件,所述导热件与硅片之间留有间隙。本实用新型提供一种载板结构,通过在第一支撑部和第二支撑部之间增加导热件,通过导热件向硅片传递热量,同时导热件与硅片之间留有间隙,即曲面导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。

Description

一种载板结构及载板
技术领域
本实用新型涉及载板领域,具体而言,特别是涉及一种载板结构及载板。
背景技术
现有镀膜载板分为接触式和辐热式,辐热式一般采用镂空结构,硅片放置其上时,硅片边缘置于在板载板边缘上,镂空部分正对硅片,这种载板在镀膜时,因载板边缘对辐射热具有阻挡作用,会使得硅片的中部与边缘受热不均,易造成硅片中部温度过高、边缘温度过低,使得硅片中部发黑,且越靠近中间发黑程度越严重,影响镀膜质量。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种载板结构及载板,通过在第一支撑部和第二支撑部之间增加导热件,通过导热件向硅片传递热量,同时导热件与硅片之间留有间隙,即曲面导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。
本实用新型的目的通过以下技术方案实现:
一种载板结构,包括用于支撑硅片的第一支撑部和第二支撑部、以及位于第一支撑部和第二支撑部之间的导热件,所述导热件与硅片之间留有间隙。
通过在第一支撑部和第二支撑部之间增加导热件,通过导热件向硅片传递热量,同时导热件与硅片之间留有间隙,即曲面导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述导热件具有曲面,所述曲面朝向硅片。
导热件朝向硅片的区域为曲面,通过该曲面,使得传递到硅片的热量更加均匀,可更进一步减少发黑现象,提升硅片品质。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述第一支撑部和第二支撑部分别支撑硅片的两端,所述第一支撑部和第二支撑部之间为镂空部,所述导热件设置于镂空部中。
第一支撑部和第二支撑部分别支撑硅片的两端,将硅片架起来,硅片的中部与镂空部的导热件相邻近,通过导热件传递热量到硅片,保证热量均匀,减少发黑现象,提升硅片品质。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述导热件与第一支撑部和第二支撑部为可拆卸连接,所述导热件的下端设置延伸部,所述延伸部可通过连接件与第一支撑部和第二支撑部连接。
可拆卸连接,可使得导热件的拆装更加容易,通过在在导热件的下端设置延伸部,以延伸部为载体,通过螺栓等连接件与第一支撑部和第二支撑部连接。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述导热件与第一支撑部和第二支撑部为一体式连接,所述导热件通过铣削加工而成。
一体成型件没有拼接痕迹,将材料放入成型机一次成型出产,均匀没有拼接痕迹,没有隐藏的薄弱点,质量更好,使用寿命更长久。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述导热件为实心的高斯曲面体。
高斯曲面体是实心的近似半球体,高斯曲面体具有均匀散热的效用,可有效提高镂空部的温度均匀性,减轻硅片发黑现象。
可选地,在一种可能的实现方式中,所述导热件的材质为石墨或碳纤维或陶瓷。
石墨、碳纤维、陶瓷等材料具有良好的导热性,可对硅片进行良好的传热。
一种载板,包括若干个载板结构,若干个所述载板结构阵列排布。
通过阵列排布的若干个载板结构,可实现对多个硅片的均匀传热。
本实用新型相较于现有技术的有益效果是:
本实用新型的载板结构,通过在第一支撑部和第二支撑部之间增加导热件,通过导热件向硅片传递热量,同时导热件与硅片之间留有间隙,即曲面导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
标号说明:支撑硅片01,第一支撑部1,第二支撑部2,导热件3,曲面31,延伸部32。
图1为本实用新型实施例1载板结构的剖面图。
图2为本实用新型实施例2载板结构的剖面图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请实施例的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行描述。
实施例1
本实施例提供一种载板结构,包括用于支撑硅片01的第一支撑部1和第二支撑部2、以及位于第一支撑部1和第二支撑部2之间的导热件3,导热件3与硅片之间留有间隙。
针对现有载板结构容易导致硅片因受热不均发黑的问题,本实施例通过在第一支撑部1和第二支撑部2之间增加导热件3,通过导热件3向硅片传递热量,同时导热件3与硅片之间留有间隙,即曲面31导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,导热件3具有曲面31,曲面31朝向硅片。
导热件3朝向硅片的区域为曲面31,通过该曲面31,使得传递到硅片的热量更加均匀,可更进一步减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,第一支撑部1和第二支撑部2分别支撑硅片的两端,第一支撑部1和第二支撑部2之间为镂空部4,导热件3设置于镂空部4中。
第一支撑部1和第二支撑部2分别支撑硅片的两端,将硅片架起来,硅片的中部与镂空部4的导热件3相邻近,通过导热件3传递热量到硅片,保证热量均匀,减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,导热件3与第一支撑部1和第二支撑部2为可拆卸连接,导热件3的下端设置延伸部32,延伸部32可通过连接件与第一支撑部1和第二支撑部2连接。
可拆卸连接,可使得导热件3的拆装更加容易,通过在在导热件3的下端设置延伸部32,以延伸部32为载体,通过螺栓等连接件与第一支撑部1和第二支撑部2连接。
需要说明的是,本实施例中,导热件3为实心的高斯曲面31体。
高斯曲面31体是实心的近似半球体,高斯曲面31体具有均匀散热的效用,可有效提高镂空部4的温度均匀性,减轻硅片发黑现象。
需要说明的是,本实施例中,导热件3的材质为石墨,除了石墨外,还可以是碳纤维或陶瓷。
石墨、碳纤维、陶瓷等材料具有良好的导热性,可对硅片进行良好的传热。
将若干个载板结构阵列排布后可构成载板,使用该载板可实现对多个硅片的均匀传热。
实施例2
本实施例提供一种载板结构,包括用于支撑硅片01的第一支撑部1和第二支撑部2、以及位于第一支撑部1和第二支撑部2之间的导热件3,导热件3与硅片之间留有间隙。
通过在第一支撑部1和第二支撑部2之间增加导热件3,通过导热件3向硅片传递热量,同时导热件3与硅片之间留有间隙,即曲面31导热部不与硅片接触,可有效改善辐热式加热时硅片的温度均匀性,减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,导热件3具有曲面31,曲面31朝向硅片。
导热件3朝向硅片的区域为曲面31,通过该曲面31,使得传递到硅片的热量更加均匀,可更进一步减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,第一支撑部1和第二支撑部2分别支撑硅片的两端,第一支撑部1和第二支撑部2之间为镂空部4,导热件3设置于镂空部4中。
第一支撑部1和第二支撑部2分别支撑硅片的两端,将硅片架起来,硅片的中部与镂空部4的导热件3相邻近,通过导热件3传递热量到硅片,保证热量均匀,减少发黑现象,提升硅片品质。
需要说明的是,本实施例中,导热件3与第一支撑部1和第二支撑部2为一体式连接,导热件3通过铣削加工而成。
一体成型件没有拼接痕迹,将材料放入成型机一次成型出产,均匀没有拼接痕迹,没有隐藏的薄弱点,质量更好,使用寿命更长久。
需要说明的是,本实施例中,导热件3为实心的高斯曲面31体。
高斯曲面31体是实心的近似半球体,高斯曲面31体具有均匀散热的效用,可有效提高镂空部4的温度均匀性,减轻硅片发黑现象。
需要说明的是,本实施例中,导热件3的材质为石墨,除了石墨外,还可以是碳纤维或陶瓷。
石墨、碳纤维、陶瓷等材料具有良好的导热性,可对硅片进行良好的传热。
将若干个载板结构阵列排布后可构成载板,使用该载板可实现对多个硅片的均匀传热。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种载板结构,其特征在于,包括用于支撑硅片的第一支撑部和第二支撑部、以及位于第一支撑部和第二支撑部之间的导热件,所述导热件与硅片之间留有间隙,所述导热件具有曲面,所述曲面朝向硅片,所述第一支撑部和第二支撑部分别支撑硅片的两端,所述第一支撑部和第二支撑部之间为镂空部,所述导热件设置于镂空部中。
2.根据权利要求1所述的载板结构,其特征在于,所述导热件与第一支撑部和第二支撑部为可拆卸连接。
3.根据权利要求2所述的载板结构,其特征在于,所述导热件的下端设置延伸部,所述延伸部可通过连接件与第一支撑部和第二支撑部连接。
4.根据权利要求1所述的载板结构,其特征在于,所述导热件与第一支撑部和第二支撑部为一体式连接。
5.根据权利要求4所述的载板结构,其特征在于,所述导热件通过铣削加工而成。
6.根据权利要求1所述的载板结构,其特征在于,所述导热件为实心的高斯曲面体。
7.根据权利要求1所述的载板结构,其特征在于,所述导热件的材质为石墨或碳纤维或陶瓷。
8.一种载板,其特征在于,包括若干个如权利要求1-7项中任一项所述的载板结构,若干个所述载板结构阵列排布。
CN202322031622.8U 2023-07-31 2023-07-31 一种载板结构及载板 Active CN220767149U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202322031622.8U CN220767149U (zh) 2023-07-31 2023-07-31 一种载板结构及载板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202322031622.8U CN220767149U (zh) 2023-07-31 2023-07-31 一种载板结构及载板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220767149U true CN220767149U (zh) 2024-04-12

Family

ID=90605486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202322031622.8U Active CN220767149U (zh) 2023-07-31 2023-07-31 一种载板结构及载板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN220767149U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5331134A (en) Double-layered ceramic heater
CN100477146C (zh) 载置装置
CN220767149U (zh) 一种载板结构及载板
CN109841541A (zh) SiC外延生长装置
US20120223069A1 (en) Resistance heater
WO2018113015A1 (zh) 适用于柔性基板的热真空干燥装置
KR880002241A (ko) 집적회로 웨이퍼용 고온 척 어셈블리
JP2008140647A (ja) ヒータ
CN211947214U (zh) 一种mocvd反应腔用加热板
EP1220303B1 (en) Hot plate unit
EP1122779A8 (en) Carbon fiber reinforced resin heat radiation fin mounted on a substrate
CN211720759U (zh) 一种蒸镀用加热装置
CN211700232U (zh) 承载装置及外延反应腔室
US20090200288A1 (en) Heater
CN211429541U (zh) 一种低散热的陶瓷复合加热器
CN210093583U (zh) 一种电熨斗平板厚膜加热器
CN213462372U (zh) 微晶玻璃发热器板
CN218797058U (zh) 红外加热装置及烘箱
CN217240976U (zh) 加热组件及加热毯
CN220511524U (zh) 一种石墨散热器
CN216919355U (zh) 一种加热炉
CN203625466U (zh) 一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台
CN215991401U (zh) 一种基板的加热平台结构
CN216019116U (zh) 发热元件及气溶胶产生装置
CN209465791U (zh) 一种圆筒形卧式炉体炉内均匀加热结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant