CN220493172U - 氮化硅加热元件上的钨丝处理设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，涉及加热元件技术领域，包括碳化硅基体，所述碳化硅基体的内部开设有U型槽，所述U型槽的内部活动安装有钨丝本体，所述钨丝本体的两端共同安装有连接机构，所述碳化硅基体内部的两侧均开设有活动槽，所述活动槽的内部均活动连接有防护板，两个所述防护板相对侧的两侧均通过销轴活动连接有支撑板。本实用新型通过U型槽、钨丝本体、防护板、支撑板、卡接块与连接机构等结构的设置，实现了在对两个生胚进行热压烧结处理时，下压连接板，使得卡接块与两个下压板同时向下移动，从而使得支撑杆带动两个防护板移动，对钨丝本体进行防护，使得钨丝本体不会移动至U型槽的外部。
Description
技术领域
本实用新型属于加热元件技术领域，特别是涉及氮化硅加热元件上的钨丝处理设备。
背景技术
由于氮化硅陶瓷具有高温机械强度高、抗热冲击能力强、耐酸碱腐蚀，既具有优良的绝缘性能，又有良好的导热性能，因此一般是制作为碳化硅加热元件，氮化硅电热元件是以氮化硅陶瓷为基体，以钨丝为发热源，钨丝埋铸在氮化硅基体中，通过真空热压烧结、磨削加工、焊接引线等工序制成电热元件。
在碳化硅加热元件生产过程中，一般是制作生胚用于承载钨丝，在生胚表面开设与钨丝对应的凹槽，将钨丝安装于凹槽的内部，之后加盖一层生胚，通过对两个生胚进行热压烧结处理，使得两个生胚形成碳化硅基体；
但是现有的大多碳化硅加热元件在生产时，一般是手动将钨丝安装于凹槽的内部，之后覆盖另一个生胚后直接进行热压烧结处理，从而可能在覆盖另一个生胚时，生胚与钨丝相贴合，通过热压处理，导致了生胚将钨丝损坏，从而影响到加热元件的后续生产，从而降低了碳化硅加热元件的成品率，故此，提出氮化硅加热元件上的钨丝处理设备。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，解决了现有的氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，在进行使用时在覆盖另一个生胚时，生胚与钨丝相贴合，导致了生胚将钨丝损坏，从而影响到加热元件的后续生产，降低了碳化硅加热元件成品率的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：
本实用新型为氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，包括碳化硅基体，所述碳化硅基体由两个生胚热压烧结而成，所述碳化硅基体的内部开设有U型槽，所述U型槽的内部活动安装有钨丝本体，所述钨丝本体的两端共同安装有连接机构，所述碳化硅基体内部的两侧均开设有活动槽，所述活动槽的内部均活动连接有防护板，两个所述防护板相对侧的两侧均通过销轴活动连接有支撑板，每两个对应所述支撑板的相对侧共同活动连接有下压板，两个所述下压板的相对侧共同固定连接有连接板，所述连接板的表面活动连接有卡接块，所述碳化硅基体的内部开设有卡接槽，所述卡接槽内底壁的两侧均固定连接有导向弹簧，两个所述导向弹簧的一端共同固定连接有导向板。
进一步地，所述钨丝本体与U型槽相对应，所述活动槽与U型槽相连通，所述防护板与U型槽相对应，所述碳化硅基体内部的两侧均开设有凹槽，两个所述凹槽与四个支撑板相对应。
进一步地，所述碳化硅基体内部的中部开设有密封槽，所述连接板与密封槽相对应，所述下压板与凹槽相对应，所述卡接块与卡接槽相对应，所述导向板活动连接于卡接槽的内部。
进一步地，所述连接机构包括固定连接于碳化硅基体一侧的连接块，所述连接块内部的两侧均开设有安装槽，两个所述安装槽的内部均固定连接有电极片，两个所述电极片分别与钨丝本体的两端电性连接。
进一步地，两个所述电极片的一侧均固定连接有连接导线，两个所述连接导线的一端均固定连接有导电块，所述连接导线与连接块固定连接。
本实用新型具有以下有益效果：
通过U型槽、钨丝本体、防护板、支撑板、卡接块与连接机构等结构的设置，实现了在对两个生胚进行热压烧结处理时，下压连接板，使得卡接块与两个下压板同时向下移动，从而使得支撑杆带动两个防护板移动，对钨丝本体进行防护，使得钨丝本体不会移动至U型槽的外部，且通过卡接块与卡接槽的相互配合，使得防护板对U型槽覆盖更加稳定，从而对钨丝本体进行防护，从而使得另个生胚在热压烧结时不会挤压到钨丝本体，对钨丝本体进行防护处理，解决了现有技术中在覆盖另一个生胚时，生胚与钨丝相贴合，导致了生胚将钨丝损坏，从而影响到加热元件的后续生产，降低了碳化硅加热元件成品率的问题；
当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引申获得其他的实施附图。
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的立体剖切结构示意图；
图3为本实用新型的部分剖面结构示意图；
图4为本实用新型的防护板、支撑板与连接板等位置关系结构示意图；
图5为本实用新型的图3中A处放大结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、碳化硅基体；2、U型槽；3、钨丝本体；4、防护板；5、支撑板；6、下压板；7、连接板；8、卡接块；9、卡接槽；10、导向弹簧；11、导向板；12、连接块；13、电极片；14、连接导线。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-图5所示，本实用新型为氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，包括碳化硅基体1，碳化硅基体1由两个生胚热压烧结而成，碳化硅基体1的内部开设有U型槽2，U型槽2的内部活动安装有钨丝本体3，钨丝本体3与U型槽2相对应，钨丝本体3的两端共同安装有连接机构，连接机构包括固定连接于碳化硅基体1一侧的连接块12，连接块12内部的两侧均开设有安装槽，两个安装槽的内部均固定连接有电极片13，两个电极片13分别与钨丝本体3的两端电性连接，两个电极片13的一侧均固定连接有连接导线14，两个连接导线14的一端均固定连接有导电块，将两个电极片13与钨丝本体3的两端固定连接，并通过热压烧结，使得两个生胚形成碳化硅基体1，之后通过连接导线14对钨丝本体3进行通电处理，连接导线14与连接块12固定连接，碳化硅基体1内部的两侧均开设有活动槽，活动槽与U型槽2相连通，活动槽的内部均活动连接有防护板4；
防护板4与U型槽2相对应，两个防护板4相对侧的两侧均通过销轴活动连接有支撑板5，将钨丝本体3安装于U型槽2的内部，之后按压连接板7，使得两个下压板6同步移动，从而带动了四个支撑板5同步移动，碳化硅基体1内部的两侧均开设有凹槽，两个凹槽与四个支撑板5相对应，每两个对应支撑板5的相对侧共同活动连接有下压板6，下压板6与凹槽相对应，两个下压板6的相对侧共同固定连接有连接板7，通过销轴的设置，使得两个防护板4同步移动，使得防护板4对U型槽2进行防护，从而对钨丝本体3进行防护处理，碳化硅基体1内部的中部开设有密封槽，连接板7与密封槽相对应，连接板7的表面活动连接有卡接块8，通过卡接块8的设置，当连接板7向下移动时，带动了卡接块8同步向下移动，碳化硅基体1的内部开设有卡接槽9，卡接块8与卡接槽9相对应，通过导向板11的设置，使得卡接块8插接于卡接槽9的内部，之后使得卡接块8在卡接槽9内部滑动，从而使得卡接块8卡接于卡接槽9的内部，卡接槽9内底壁的两侧均固定连接有导向弹簧10，两个导向弹簧10的一端共同固定连接有导向板11，通过连接板7的设置，当卡接块8与卡接槽9相互卡接后，使得连接板7带动导向板11移动至卡接槽9的内部，使得导向弹簧10压缩，从而使得连接板7通过密封槽卡接于碳化硅基体1的内部，导向板11活动连接于卡接槽9的内部。
具体的，本氮化硅加热元件上的钨丝处理设备在使用时：将钨丝本体3安装于U型槽2的内部，之后按压连接板7，使得两个下压板6同步移动，从而带动了四个支撑板5同步移动，通过销轴的设置，使得两个防护板4同步移动，使得防护板4对U型槽2进行防护，从而对钨丝本体3进行防护处理，且通过卡接块8的设置，当连接板7向下移动时，带动了卡接块8同步向下移动，通过导向板11的设置，使得卡接块8插接于卡接槽9的内部，之后使得卡接块8在卡接槽9内部滑动，从而使得卡接块8卡接于卡接槽9的内部，且通过连接板7的设置，当卡接块8与卡接槽9相互卡接后，使得连接板7带动导向板11移动至卡接槽9的内部，使得导向弹簧10压缩，从而使得连接板7通过密封槽卡接于碳化硅基体1的内部，之后将两个电极片13与钨丝本体3的两端固定连接，并通过热压烧结，使得两个生胚形成碳化硅基体1，之后通过连接导线14对钨丝本体3进行通电处理。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围由下面的权利要求指出。
Claims (5)
1.氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，其特征在于：包括碳化硅基体(1)，所述碳化硅基体(1)由两个生胚热压烧结而成，所述碳化硅基体(1)的内部开设有U型槽(2)，所述U型槽(2)的内部活动安装有钨丝本体(3)，所述钨丝本体(3)的两端共同安装有连接机构，所述碳化硅基体(1)内部的两侧均开设有活动槽，所述活动槽的内部均活动连接有防护板(4)，两个所述防护板(4)相对侧的两侧均通过销轴活动连接有支撑板(5)，每两个对应所述支撑板(5)的相对侧共同活动连接有下压板(6)，两个所述下压板(6)的相对侧共同固定连接有连接板(7)，所述连接板(7)的表面活动连接有卡接块(8)，所述碳化硅基体(1)的内部开设有卡接槽(9)，所述卡接槽(9)内底壁的两侧均固定连接有导向弹簧(10)，两个所述导向弹簧(10)的一端共同固定连接有导向板(11)。
2.根据权利要求1所述的氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，其特征在于，所述钨丝本体(3)与U型槽(2)相对应，所述活动槽与U型槽(2)相连通，所述防护板(4)与U型槽(2)相对应，所述碳化硅基体(1)内部的两侧均开设有凹槽，两个所述凹槽与四个支撑板(5)相对应。
3.根据权利要求2所述的氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，其特征在于，所述碳化硅基体(1)内部的中部开设有密封槽，所述连接板(7)与密封槽相对应，所述下压板(6)与凹槽相对应，所述卡接块(8)与卡接槽(9)相对应，所述导向板(11)活动连接于卡接槽(9)的内部。
4.根据权利要求1所述的氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，其特征在于，所述连接机构包括固定连接于碳化硅基体(1)一侧的连接块(12)，所述连接块(12)内部的两侧均开设有安装槽，两个所述安装槽的内部均固定连接有电极片(13)，两个所述电极片(13)分别与钨丝本体(3)的两端电性连接。
5.根据权利要求4所述的氮化硅加热元件上的钨丝处理设备，其特征在于，两个所述电极片(13)的一侧均固定连接有连接导线(14)，两个所述连接导线(14)的一端均固定连接有导电块，所述连接导线(14)与连接块(12)固定连接。
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