CN220156651U - 扬声器内核、扬声器模组及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种扬声器内核、扬声器模组及电子设备,其中,扬声器内核包括:振膜组件、音圈、导磁组件以及磁路组件,所述导磁组件包括:第一导磁轭以及第二导磁轭,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均设置在所述振膜组件与所述磁路组件之间,所述第一导磁轭对应沉槽设置,所述协振件振动时,所述沉槽与所述第一导磁轭和所述第二导磁轭之间具有间距,所述第二导磁轭环绕所述第一导磁轭设置,所述第一导磁轭的上表面低于所述第二导磁轭的上表面。本申请实施例提供的扬声器内核、扬声器模组及电子设备可同时兼顾设备的轻薄化以及音效体验。
Description
技术领域
本申请实施例涉及电子设备技术领域,特别涉及一种扬声器内核、扬声器模组及电子设备。
背景技术
随着科技的快速发展,电子设备已基本普及到人们的生活中。尤其是便携式电子设备,例如,笔记本电脑、平板电脑、手机等。在这些电子设备中,为了使其具有音频播放功能,会设置有扬声器。扬声器是一种把电信号转变为声信号的换能器件,音频电能通过电磁、压电或静电效应,使扬声器的音盆或膜片振动并与周围的空气产生共振而发出声音。
随着消费需求的日益升级,电子设备逐渐朝着轻薄化的方向发展,因此,扬声器也需设计得越来越轻薄。同时,消费者也对扬声器的音效体验提出了更高的要求,而好的音质体验,又需尺寸较大的扬声器,以达到更大的振动幅度,实现更好的低频外放性能。
然而,相关技术中的扬声器难以兼顾尺寸及音效体验这两个需求。
实用新型内容
本申请实施例提供一种扬声器内核、扬声器模组以及电子设备,可同时兼顾设备的轻薄化以及音效体验。
本申请实施例一方面提供一种扬声器内核,包括:振膜组件、音圈、导磁组件以及磁路组件,所述振膜组件、所述音圈与所述磁路组件由上往下依次设置,所述音圈的一端与所述振膜组件相连,所述音圈的另一端朝向所述磁路组件延伸,所述振膜组件包括:振膜以及协振件,所述振膜上开设有通孔,所述协振件设置在所述通孔处,所述协振件与所述振膜相连,所述协振件设置有沉槽,所述沉槽位于所述协振件朝向所述磁路组件的一侧,所述导磁组件包括:第一导磁轭以及第二导磁轭,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均设置在所述振膜组件与所述磁路组件之间,所述第一导磁轭对应所述沉槽设置,所述协振件振动时,所述沉槽与所述第一导磁轭和所述第二导磁轭之间具有间距,所述第二导磁轭环绕所述第一导磁轭设置,所述第一导磁轭的上表面低于所述第二导磁轭的上表面。
本申请实施例提供的扬声器内核,由于协振件上沉槽的设置,能有效抑制分割振动,协振件可采用重量较轻,厚度较薄的复合型材料,并且沉槽位于协振件朝向磁路组件的一侧,有利于扬声器内核的轻薄化设计。并且,第一导磁轭和第二导磁轭的设置可增大扬声器内核内部的磁流强度,约束磁感应圈漏磁向外扩散,达到提高扬声器内核性能的目的。另外,第一导磁轭的上表面低于第二导磁轭的上表面,一方面,可有利于扬声器内核的轻薄化设计,另一方面,相比相关技术中,中心导磁轭部分镂空的方案,可减少镂空区域磁泄漏的问题,提高扬声器内核的性能。再者,靠近音圈处的第二导磁轭可保留较大的厚度,保证导磁能力,提升扬声器内核的整体性能。
在一种可能的实施方式中,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均与所述磁路组件的上表面相连。可使得第一导磁轭、第二导磁轭与协振件满足一定距离的情况下,减小扬声器内核的整体厚度,有利于扬声器内核的薄型化。
在一种可能的实施方式中,所述第二导磁轭朝向所述磁路组件的一面开设有限位卡槽,所述第一导磁轭的部分设置于所述限位卡槽中。如此,可加强第一导磁轭在第一磁体上的稳固性。
在一种可能的实施方式中,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均为至少两个,每一个所述第一导磁轭与每一个所述第二导磁轭为一体件,所述第一导磁轭的至少一侧位于所述第二导磁轭的边缘。如此,第一导磁轭可通过在第二导磁轭上冲压形成,第一导磁轭通过冲压挤出的废料可从未有第二导磁轭的一侧排出并去除。
在一种可能的实施方式中,所述沉槽的至少部分与所述第一导磁轭对应设置。
在一种可能的实施方式中,所述沉槽的全部与所述第一导磁轭对应设置。如此,可使得扬声器内核做得更薄,有利于扬声器内核的轻薄化。
在一种可能的实施方式中,所述导磁组件还包括:第三导磁轭,所述第三导磁轭设置在所述磁路组件靠近所述振膜组件的一侧,所述第三导磁轭环绕所述音圈的外周设置。第三导磁轭可提高第二磁体的磁流强度,提高扬声器内核的整体性能。
在一种可能的实施方式中,所述导磁组件还包括:第四导磁轭,所述第四导磁轭设置在所述磁路组件远离所述振膜组件的一侧。
第四导磁轭可进一步增大第一磁体与第二磁体之间磁间隙内的磁流强度,提高对振膜组件的驱动强度。并且,第四导磁轭还可用于固定磁路组件中第一磁体与第二磁体的相对位置,以使磁路组件中第一磁体与第二磁体整合为一体,从而对磁路组件进行整体装配,有利于装配难度,提高装配效率。
在一种可能的实施方式中,所述磁路组件包括:第一磁体与第二磁体,所述第二磁体围绕所述第一磁体周向设置,所述第一磁体与所述第二磁体之间间隙设置。
在一种可能的实施方式中,所述音圈远离所述振膜组件的一端伸入所述第一磁体与第二磁体之间的间隙中。这样,可增强音圈的受磁场作用,增加扬声器内核的音效性能。
在一种可能的实施方式中,所述振膜上设置有向上凸起的折环,所述折环环绕所述协振件设置。折环向上凸起设置,可节约振膜组件下方空间,允许振膜组件下方磁路组件设置更大的高度尺寸,从而增加扬声器内核的磁感应强度,提高扬声器内核的灵敏度。
在一种可能的实施方式中,扬声器内核还包括:盆架,所述盆架的一端与所述振膜组件相连,所述盆架的另一端与所述磁路组件相连。盆架可起到支撑振膜组件以及固定磁路组件的作用。
本申请实施例另一方面提供一种扬声器模组,包括:外壳以及如上所述的扬声器内核,所述外壳内开设有空腔,所述扬声器内核设置于所述空腔中,所述外壳上开设有出声通道,所述出声通道连通所述空腔与外界。
本申请实施例提供的扬声器模组,其中,扬声器内核由于协振件上沉槽的设置,能有效抑制分割振动,协振件可采用重量较轻,厚度较薄的复合型材料,并且沉槽位于协振件朝向磁路组件的一侧,有利于扬声器内核的轻薄化设计。并且,第一导磁轭和第二导磁轭的设置可增大扬声器内核内部的磁流强度,约束磁感应圈漏磁向外扩散,达到提高扬声器内核性能的目的。另外,第一导磁轭的上表面低于第二导磁轭的上表面,一方面,可有利于扬声器内核的轻薄化设计,另一方面,相比相关技术中,中心导磁轭部分镂空的方案,可减少镂空区域磁泄漏的问题,提高扬声器内核的性能。再者,靠近音圈处的第二导磁轭可保留较大的厚度,保证导磁能力,提升扬声器内核的整体性能。
本申请实施例再一方面提供一种电子设备,包括:壳体以及如上所述的扬声器模组所述扬声器模组设置在所述电子设备的壳体内,所述壳体上开设有出音孔,所述出音孔与所述扬声器模组的出声通道连通。
本申请实施例提供的电子设备,其中,扬声器内核由于协振件上沉槽的设置,能有效抑制分割振动,协振件可采用重量较轻,厚度较薄的复合型材料,并且沉槽位于协振件朝向磁路组件的一侧,有利于扬声器内核的轻薄化设计。并且,第一导磁轭和第二导磁轭的设置可增大扬声器内核内部的磁流强度,约束磁感应圈漏磁向外扩散,达到提高扬声器内核性能的目的。另外,第一导磁轭的上表面低于第二导磁轭的上表面,一方面,可有利于扬声器内核的轻薄化设计,另一方面,相比相关技术中,中心导磁轭部分镂空的方案,可减少镂空区域磁泄漏的问题,提高扬声器内核的性能。再者,靠近音圈处的第二导磁轭可保留较大的厚度,保证导磁能力,提升扬声器内核的整体性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图;
图2为本申请一实施例提供的电子设备的拆分结构示意图;
图3为本申请一实施例提供的扬声器内核的结构示意图;
图4为本申请一实施例提供的扬声器内核的剖面结构示意图;
图5为本申请一实施例提供的扬声器内核的剖面结构示意图;
图6为本申请一实施例提供的扬声器内核的剖面结构示意图;
图7为本申请一实施例提供的扬声器内核的剖面结构示意图。
附图标记说明:
100-电子设备;
10-壳体; 11-中框; 111-中板;
112-边框; 1121-插口; 1122-出音孔;
12-后盖; 20-屏幕; 21-显示屏;
22-透光盖板; 30-电路板; 31-主电路板;
32-副电路板; 40-电池; 50-摄像模组;
60-扬声器模组; 61-出声通道; 70-连接结构;
200-扬声器内核;
210-振膜组件; 211-振膜; 2111-通孔;
2112-折环; 212-协振件; 2121-沉槽;
220-音圈; 230-导磁组件; 231-第一导磁轭;
232-第二导磁轭; 2321-限位卡槽; 233-第三导磁轭;
234-第四导磁轭; 240-磁路组件; 241-第一磁体;
242-第二磁体; 250-盆架; 260-磁间隙。
具体实施方式
本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释,而非旨在限定本申请,下面将结合附图对本申请实施例的实施方式进行详细描述。
本申请提供的一种电子设备,可以包括但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(Ultra-mobile Personal Computer,UMPC)、手持计算机、对讲机、上网本、POS机、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、可穿戴设备、安防设备、电视机、音箱等具有音频播放功能的移动或固定终端。本申请实施例以手机为例进行说明。
图1为本申请一实施例提供的电子设备100的结构示意图,图2为本申请一实施例提供的电子设备100的拆分结构示意图,参考图1和图2所示,本申请实施例提供的电子设备100可以包括:壳体10、屏幕20、电路板30、电池40、摄像模组50、通用串行总线(Universalserial bus,USB)器件(图中未示出)和扬声器模组60。
应理解的是,图1和图2并未按照各个部分的实际比例进行绘制,其他附图也是如此,因此不应将本申请限于附图所示的比例、尺寸等。另外,在本申请中,“连接”或“电连接”不仅可以表示两者直接连接,也可以表示两者通过一个或者多个中间器件相连接。本申请中“安装”、“装配”可以包括任何现有的安装方式,例如,可以通过连接件(例如螺栓、铆钉等)和/或粘接剂等方式将一个部件固定在另一部件之上、之下或者之中。这些理解均落入本申请实施例的范围内。此外,当电子设备100为一些其他形态的设备时,电子设备100也可以不包括屏幕20、电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件中的至少一个。
具体的,参考图1和图2所示,壳体10可为电子设备100提供结构框架,例如图1和图2中,壳体10可以包括中框11和后盖12,当电子设备100具有显示功能时,还可以具有屏幕20。屏幕20和后盖12之间设置有中框11、电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60。其中,中框11可用作电子设备100的结构“骨架”,电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60可以设置在中框11上,例如,电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60设置在中框11朝向后盖12的一面上,或者电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60可以设置在中框11朝向屏幕20的一面上。
其中,中框11可以包括中板111和边框112,边框112围绕中板111的外周设置一周。一般的,边框112可以包括顶边框、底边框、左侧边框和右侧边框。顶边框、底边框、左侧边框和右侧边框围成方环结构的边框。其中,中板111可以为铝板,也可以为铝合金,还可以为镁合金。边框112可以为金属边框,也可以为陶瓷边框。其中,中板111和边框112之间可以卡接、焊接、粘结或一体成型,或者金属中板111与边框112之间通过注塑固定相连。
容易理解的是,本申请提供的电子设备100的壳体10包括但不限于上述结构,例如,在一些其他实施例中,壳体10可以为由金属或者塑料等制成的一体式或分体式的外壳。本申请实施例中,壳体10具体以中框11和后盖12组成的结构为例进行说明。当电子设备100不包括中框11时,电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60可以通过螺纹连接、卡接、焊接等方式固定在屏幕20朝向后盖12的表面,也可以通过螺纹连接、卡接、焊接等方式固定于后盖12朝向屏幕20的表面。
需要说明的是,电子设备100中,中框11与后盖12包括但不限于为图1和图2中所示的结构,在一些其他实施例中,后盖12可以与边框112相连形成一体成型壳体,例如电子设备100可以包括:屏幕20、中板111和外壳,外壳可以为边框112和后盖12一体成型形成。这样,电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60设置在中板111和外壳围合形成容置空间中。
屏幕20用于显示图像、视频等。屏幕20可以包括透光盖板22和显示屏21(也称显示面板)。透光盖板22与显示屏21层叠设置并通过胶粘等方式固定连接。透光盖板22主要用于对显示屏21起到保护以及防尘作用。透光盖板22的材质包括但不限于玻璃。显示屏21可以采用柔性显示屏,也可以采用刚性显示屏。例如,显示屏21可以为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)显示屏,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)显示屏,迷你发光二极管(Mini Organic Light-Emitting Diode)显示屏,微型发光二极管(Micro Organic Light-Emitting Diode)显示屏,微型有机发光二极管(Micro Organic Light-Emitting Diode)显示屏,量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diodes,QLED)显示屏,液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)等。
后盖12用于保护电子设备100的内部电子器件,后盖12的材质包括但不限于金属、陶瓷、塑胶和玻璃。为了保证电子设备100轻薄化的同时保证后盖12的结构强度,后盖12的材质可选为金属。透光盖板22、边框112与后盖12围合形成电子设备100的内部容置空间。该容置空间将显示屏21、电路板30、电池40、摄像模组50、USB器件和扬声器模组60容纳在内。
继续参考图2所示,在本申请实施例提供的电子设备100中,电路板30可以包括:主电路板31和副电路板32。
主电路板31用于集成控制芯片。控制芯片例如可以为应用处理器(ApplicationProcessor,AP)、双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate,DDR)以及通用存储器(Universal Flash Storage,UFS)等。一些实施例中,主电路板31与显示屏21电连接,主电路板31用于控制显示屏21显示图像或视频。主电路板31可以为硬质电路板,也可以为柔性电路板,还可以为软硬结合电路板。主电路板31可以采用FR-4介质板,也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板,还可以采用FR-4和Rogers的混合介质板,等等。这里,FR-4是一种耐燃材料等级的代号,Rogers介质板为一种高频板。
副电路板32用于集成天线(比如5G天线)射频前端、通用串行总线(UniversalSerial bus,USB)器件等电子元器件。副电路板32可以为硬质电路板,也可以为柔性电路板,还可以为软硬结合电路板。副电路板32302可以采用FR-4介质板,也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板,还可以采用FR-4和Rogers的混合介质板,等等。
副电路板32通过连接结构70与主电路板31电连接,以实现副电路板32与主电路板31之间的数据、信号传输。其中,连接结构70可以为柔性电路板(Flexible PrintedCircuit,FPC)。在另一些实施例中,连接结构70也可以为导线或者漆包线。
当然,在另一些实施例中,电路板30可以为一块或者多块,在此,本申请对电路板30的数量不做限制。
电池40用于向电子设备100内诸如显示屏21、主电路板31、副电路板32、摄像模组50、扬声器模组60等电子器件提供电量。在一些实施例中,可在中框11朝向后盖12的表面设置电池安装槽,电池40安装于电池安装槽内。
摄像模组50可实现电子设备100的拍照和摄像功能,摄像模组50与电路板30电连接。摄像模组50可以为前置摄像头、后置摄像头等,前置摄像头与后置摄像头的数量可以为一个,也可以为多个,示例性的,如图2所示,本申请实施例中摄像模组50以三个后置摄像头为例进行说明。
USB器件连接于副电路板32上,USB器件为符合USB标准规范的接口器件。具体的,USB器件可以为Mini USB器件、Micro USB器件、USB Type C器件等。USB器件用于经由边框112上的插口1121连接充电器以向电子设备100充电,也可以用于电子设备100与外围设备之间传输数据,还可以用于连接耳机,通过耳机播放音频。USB器件还可以用于连接其他电子设备,例如增强现实(Augmented Reality,AR)设备等。
扬声器模组60用于将音乐、语音等音频电信号还原成声音,能够支持音频外放功能。一些实施例中,扬声器模组60与副电路板32电连接。此时,主电路板31发送的音频信号经副电路板32传送至扬声器模组60,并通过扬声器模组60转换成声音信号输出。具体的,参考图2并结合图1所示,扬声器模组60的外壳上设置有出声通道61。扬声器模组60输出的声音信号由该出声通道61输出,边框112上设置有出音孔1122,该出音孔1122与出声通道61连通。出声通道61输出的声音由出音孔1122输出至电子设备100外。
在另一些实施例中,扬声器模组60也可以直接与主电路板31通过FPC、导线、漆包线等电连接。
扬声器模组60中设置有扬声器内核200,例如,扬声器模组60的外壳中可设置容纳扬声器内核200的空腔,扬声器内核200在扬声器模组60的空腔中通过振动出声,声音通过出声通道61与出音孔1122传输至电子设备100外。
图3为本申请一实施例提供的扬声器内核200的结构示意图,图4为本申请一实施例提供的扬声器内核200的剖面结构示意图,参考图3和图4所示,本申请实施例提供的扬声器内核200包括:振膜组件210、音圈220、导磁组件230以及磁路组件240。
具体的,振膜组件210、音圈220与磁路组件240由上往下依次设置,音圈220的一端与振膜组件210相连,音圈220的另一端朝向磁路组件240延伸。振膜组件210为推动扬声器模组60的空腔内空气运动的主体,音圈220的一端与振膜组件210连接,另一端朝向磁路组件240延伸,音圈220与磁路组件240配合可驱动振膜组件210上下振动,进而推动扬声器模组60的空腔内空气运动以产生声音。
音圈220可采用一定厚度的环形音圈,示例性的,如图4中所示,音圈220的一端与振膜组件210相连,另一端伸入磁路组件240中。当然,音圈220远离振膜组件210的一端也可不伸入磁路组件240中。音圈220还可采用平面音圈220,此时,音圈220远离振膜组件210的一端可不伸入磁路组件240中。
音圈220可以通过柔性电连接结构与电子设备100的内部电路连接。示例性的,音圈220可通过柔性电连接结构与电子设备100的主电路板31或副电路板32电连接。当音圈220通电时,音圈220在磁路组件240的磁场作用下,驱动振膜组件210上下振动。柔性电连接结构可以为柔性电路板、导线等,本申请对此不做限定。
振膜组件210包括:振膜211以及协振件212,振膜211上开设有通孔2111,协振件212设置在通孔2111处,协振件212与振膜211相连,示例性的,如图4中所示,协振件212的边缘搭接并固定在振膜211的上表面。当然,在另一些实施例中,协振件212的边缘也可搭接并固定在振膜211的下表面,或者,协振件212与振膜211的通孔2111边沿相接,当然协振件212也可以与振膜211为一体件。
为了实现扬声器内核200的轻薄化,协振件212可采用复合型材料,例如重量较轻、厚度较薄的复合型金属。复合型材料还可保证协振件212具有较强的刚度。为了保证协振件212强度的同时抑制分割振动,在本申请实施例提供的扬声器内核200中,协振件212设置有沉槽2121,该沉槽2121位于协振件212朝向磁路组件240的一侧,可理解为,沉槽2121朝向磁路组件240凸出。沉槽2121可通过结构冲压弯成型来形成。
为了增大扬声器内核200内部的磁流强度,约束磁感应圈漏磁向外扩散,在一相关技术中,将一整块中心导磁轭设置在协振件212与磁路组件240之间。在这种方式下,由于协振件212与中心导磁轭之间需保证一定距离,防止协振件212在上下振动时与中心导磁轭发生碰撞,扬声器内核200的厚度一般较大,不符合扬声器内核200向轻薄化的方向发展。
在超薄扬声器内核200的设计中,协振件212的沉槽2121深度一般设置在0.15mm或0.2mm以上,而中心导磁轭需要采用较薄尺寸。在中心导磁轭采用较薄尺寸的情况下,无法在中心导磁轭上对应沉槽2121深度实施冲压打薄,这是因为冲压打薄后的材料无法在中心导磁轭上实现挤出。
为了解决上述问题,在一相关技术中,将中心导磁轭上对应沉槽2121的部分镂空以防止顶球在上下振动时沉槽2121与中心导磁轭发生碰撞。但是在这种方式下,中心导磁轭镂空部分会出现严重的磁泄漏,会大幅降低扬声器内核200的性能。
有鉴于此,参考图4所示,本申请实施例提供的扬声器内核200的导磁组件230包括:第一导磁轭231以及第二导磁轭232,第一导磁轭231与第二导磁轭232均设置在振膜组件210与磁路组件240之间。第一导磁轭231对应沉槽2121设置,所述协振件212振动时,沉槽2121与第一导磁轭231和第二导磁轭232之间具有间距,第二导磁轭232环绕第一导磁轭231设置。第一导磁轭231和第二导磁轭232可采用硅钢片叠制而成的轭铁。
其中,第一导磁轭231的上表面低于第二导磁轭232的上表面,一方面,相比相关技术中,中心导磁轭部分镂空的方案,可减少镂空区域磁泄漏的问题,提高扬声器内核200的性能,另一方面,也可防止沉槽2121在上下振动过程中与导磁轭发生碰撞的问题。
可以理解的是,本申请实施例提供的扬声器内核200,由于协振件212上沉槽2121的设置,能有效抑制分割振动,协振件212可采用重量较轻,厚度较薄的复合型材料,并且沉槽2121位于协振件212朝向磁路组件240的一侧,有利于扬声器内核200的轻薄化设计。并且,第一导磁轭231和第二导磁轭232的设置可增大扬声器内核200内部的磁流强度,约束磁感应圈漏磁向外扩散,达到提高扬声器内核200性能的目的。另外,第一导磁轭231的上表面低于第二导磁轭232的上表面,一方面,可有利于扬声器内核200的轻薄化设计,另一方面,相比相关技术中,中心导磁轭部分镂空的方案,可减少镂空区域磁泄漏的问题,提高扬声器内核200的性能。再者,靠近音圈220处的第二导磁轭232可保留较大的厚度,保证导磁能力,提升扬声器内核200的整体性能。
继续参考图4所示,在本申请的一些实施例中,磁路组件240可以包括:第一磁体241以及第二磁体242,第二磁体242围绕第一磁体241周向设置,第一磁体241与第二磁体242之间间隙设置形成磁间隙260。第一导磁轭231和第二导磁轭232可设置在第一磁体241之上。第一磁体241可以采用磁铁或者磁钢,同样的,第二磁体242也可采用磁铁或者磁钢。
第一磁体241的充磁方向(由南极到北极的方向,即S极至N极的方向)与第二磁体242的充磁方向相反。例如,第一磁体241靠近振膜组件210的一端为N极,远离振膜组件210的一端为S极,第二磁体242靠近振膜组件210的一端为S极,远离振膜组件210的一端为N极。这样,可以在第一磁体241与第二磁体242之间形成磁回路。当音圈220通电时,音圈220在磁路组件240的磁场作用下,驱动振膜组件210振动。
第一磁体241可采用矩形平板结构,第二磁体242的数量可以为一个,也可以为多个。示例性的,参考图3并结合图4所示,第二磁体242为四个,分别围绕第一磁体241的四周周向均匀设置,即两个第二磁体242分别位于第一磁体241长度方向上的相对两侧,两个第二磁体242分别位于第一磁体241宽度方向上的相对两侧。当然,第二磁体242可也以为环绕第一磁体241一周设置的环形磁体。
继续参考图4所示,在本申请的一些实施例中,音圈220远离振膜组件210的一端伸入第一磁体241与第二磁体242之间的磁间隙260中,这样,可增强音圈220的受磁场作用,增加扬声器内核200的音效性能。
继续参考图3和图4所示,在本申请的一些实施例中,扬声器内核200还可以包括:盆架250,盆架250可作为扬声器内核200的结构骨架,其一端与振膜组件210相连,另一端与磁路组件240相连。示例性的,如图3和图4中所示,盆架250呈环形结构架设在扬声器内核200的外围,起到支撑振膜组件210以及固定磁路组件240的作用。
其中,盆架250可以为整体结构件,也可由多个部分通过粘接、卡接、螺纹连接等方式装配而成。在满足盆架250支撑振膜组件210与固定磁路组件240的情况下,盆架250也可以有其他设计形状,不限于本实施例。
继续参考图3和图4所示,在本申请的一些实施例中,振膜211上设置有向上凸起的折环2112,折环2112环绕协振件212设置。折环2112受外力时可发生形变,使得协振件212能相对于振膜211外边缘在高度方向上上下振动。
可以理解的是,折环2112向上凸起设置,可节约振膜组件210下方空间,允许振膜组件210下方磁路组件240设置更大的高度尺寸,从而增加扬声器内核200的磁感应强度,提高扬声器内核200的灵敏度。
在另一些实施例中,折环2112也可向下下凹设置,可理解为,折环2112朝向磁路组件240的一侧下凹。这样,可减小扬声器内核200的整体厚度,有利于扬声器内核200的薄型化。
当然,本申请不止于此,参考图4所示,第一导磁轭231与第二导磁轭232可通过粘接、焊接、紧固件连接等一系列常规连接方式与磁路组件240的上表面相连,以使第一导磁轭231、第二导磁轭232与协振件212满足一定距离的情况下,减小扬声器内核200的整体厚度,有利于扬声器内核200的薄型化。
图5为本申请一实施例提供的扬声器内核200的剖面结构示意图,参考图5所示,在本申请的一些实施例中,第二导磁轭232朝向磁路组件240的一面开设有限位卡槽2321,第一导磁轭231的部分设置于限位卡槽2321中。如此,限位卡槽2321与第一磁体241配可加强第一导磁轭231在第一磁体241上的稳固性。
图6为本申请一实施例提供的扬声器内核200的剖面结构示意图,参考图6所示,在本申请的一些实施中,第一导磁轭231和第二导磁轭232均为至少两个,示例性的,如图6中所示,第一导磁轭231和第二导磁轭232均为两个,每一个第一导磁轭231与每一个第二导磁轭232为一体件,第一导磁轭231的至少一侧位于第二导磁轭232的边缘,如此,第一导磁轭231可通过在第二导磁轭232上冲压形成,第一导磁轭231通过冲压挤出的废料可从未有第二导磁轭232的一侧排出并去除。在一种实施方式中,第一导磁轭231可相对于第二导磁轭232实现0.1mm以上的冲压深度。
当然,第一导磁轭231和第二导磁轭232可以为三个、四个或者更多,通过拼合以形成形如图4中第一导磁轭231与第二导磁轭232所形成的结构格局。
关于沉槽2121的形状,本申请不做任何限制,只需要保证协振件212振动时,沉槽2121与第一导磁轭231和第二导磁轭232之间不发生碰撞即可。示例性的,图7为本申请一实施例提供的扬声器内核200的剖面结构示意图,参考图7所示,沉槽2121可以为倒梯形结构,倒梯形结构的沉槽2121的部分与第一导磁轭231对应设置。
也可像图4中所示,沉槽2121的全部与第一导磁轭231对应设置,可理解为,沉槽2121在第一导磁轭231上的正投影全部落入第一导磁轭231的范围内,相比图7中所示的沉槽2121结构,图4中所示的沉槽2121结构由于去除了沉槽2121对应第一导磁轭231与第二导磁轭232交界处的斜边结构,扬声器内核200可以做得更薄,有利于扬声器内核200的轻薄化。
继续参考图6所示,在本申请的一些实施例中,为了进一步增强扬声器内核200中的磁流强度,提高扬声器内核200的性能,导磁组件230还可以包括:第三导磁轭233,第三导磁轭233可采用硅钢片叠制而成的轭铁,第三导磁轭233设置在磁路组件240靠近振膜组件210的一侧,并环绕音圈220的外周设置。具体的,第三导磁轭233可设置在第二磁体242的上表面,以提高第二磁体242的磁流强度,提高扬声器内核200的整体性能。
继续参考图6所示,在本申请的一些实施例中,导磁组件230还可包括:第四导磁轭234,第四导磁轭234设置在磁路组件240远离振膜组件210的一侧。具体的,第四导磁轭234可设置在磁路组件240的下表面。如此,可进一步增大第一磁体241与第二磁体242之间磁间隙260内的磁流强度,提高对振膜组件210的驱动强度。并且,第四导磁轭234还可用于固定磁路组件240中第一磁体241与第二磁体242的相对位置,以使磁路组件240中第一磁体241与第二磁体242整合为一体,从而对磁路组件240进行整体装配,有利于装配难度,提高装配效率。
在本申请实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例各实施例技术方案的范围。
Claims (14)
1.一种扬声器内核,其特征在于,包括:振膜组件、音圈、导磁组件以及磁路组件;
所述振膜组件、所述音圈与所述磁路组件由上往下依次设置,所述音圈的一端与所述振膜组件相连,所述音圈的另一端朝向所述磁路组件延伸;
所述振膜组件包括:振膜以及协振件,所述振膜上开设有通孔,所述协振件设置在所述通孔处,所述协振件与所述振膜相连,所述协振件设置有沉槽,所述沉槽位于所述协振件朝向所述磁路组件的一侧;
所述导磁组件包括:第一导磁轭以及第二导磁轭,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均设置在所述振膜组件与所述磁路组件之间,所述第一导磁轭对应所述沉槽设置,所述协振件振动时,所述沉槽与所述第一导磁轭和所述第二导磁轭之间具有间距,所述第二导磁轭环绕所述第一导磁轭设置;
所述第一导磁轭的上表面低于所述第二导磁轭的上表面。
2.根据权利要求1所述的扬声器内核,其特征在于,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均与所述磁路组件的上表面相连。
3.根据权利要求2所述的扬声器内核,其特征在于,所述第二导磁轭朝向所述磁路组件的一面开设有限位卡槽,所述第一导磁轭的部分设置于所述限位卡槽中。
4.根据权利要求1所述的扬声器内核,其特征在于,所述第一导磁轭与所述第二导磁轭均为至少两个,每一个所述第一导磁轭与每一个所述第二导磁轭为一体件,所述第一导磁轭的至少一侧位于所述第二导磁轭的边缘。
5.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,所述沉槽的至少部分与所述第一导磁轭对应设置。
6.根据权利要求5所述的扬声器内核,其特征在于,所述沉槽的全部与所述第一导磁轭对应设置。
7.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,所述导磁组件还包括:第三导磁轭,所述第三导磁轭设置在所述磁路组件靠近所述振膜组件的一侧,所述第三导磁轭环绕所述音圈的外周设置。
8.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,所述导磁组件还包括:第四导磁轭,所述第四导磁轭设置在所述磁路组件远离所述振膜组件的一侧。
9.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,所述磁路组件包括:第一磁体与第二磁体,所述第二磁体围绕所述第一磁体的周向设置,所述第一磁体与所述第二磁体之间间隙设置。
10.根据权利要求9所述的扬声器内核,其特征在于,所述音圈远离所述振膜组件的一端伸入所述第一磁体与第二磁体之间的间隙中。
11.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,所述振膜上设置有向上凸起的折环,所述折环环绕所述协振件设置。
12.根据权利要求1-4任一项所述的扬声器内核,其特征在于,还包括:盆架;
所述盆架的一端与所述振膜组件相连,所述盆架的另一端与所述磁路组件相连。
13.一种扬声器模组,其特征在于,包括:外壳以及如权利要求1-12任一项所述的扬声器内核;
所述外壳内开设有空腔,所述扬声器内核设置于所述空腔中,所述外壳上开设有出声通道,所述出声通道连通所述空腔与外界。
14.一种电子设备,其特征在于,包括:壳体以及如权利要求13所述的扬声器模组;
所述扬声器模组设置在所述电子设备的壳体内,所述壳体上开设有出音孔,所述出音孔与所述扬声器模组的出声通道连通。
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