CN219351897U - 一种内核、扬声器模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种内核、扬声器模组和电子设备，涉及电子产品技术领域，用于解决如何减小扬声器模组的厚度的问题。具体的，该内核的振膜组与盆架相连接。第一音圈与振膜组相连接；第一音圈所在的平面与振膜组所在的平面相垂直。磁路系统的第一磁体组件包括第一导磁轭和第一磁体，第一导磁轭层叠设置于第一磁体的一侧表面上且固定于盆架。磁路系统的第二磁体组件包括第二导磁轭和第二磁体，第二导磁轭层叠设置于第二磁体的一侧表面上且固定于盆架。第一磁体和第二磁体沿垂直于振膜组所在平面的方向充磁且充磁方向相反，第一磁体组件和第二磁体组件之间形成第一磁间隙。其中，第一音圈位于第一磁间隙内。本申请提供的内核用于将音频电信号转换成声音。

Description

一种内核、扬声器模组和电子设备

技术领域

本申请涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种内核、扬声器模组和电子设备。

背景技术

目前诸如个人电脑(personal computer，PC)、平板、手机等电子设备中，扬声器模组的普及率越来越高。随着技术的发展及消费需求的提高，电子设备需要设计的越来越轻薄，因此，扬声器模组也需要设计的越来越轻薄。然而，现有电子设备中的扬声器模组的厚度仍然较大，从而影响电子设备的薄型化。

实用新型内容

本申请实施例提供一种内核、扬声器模组和电子设备，用于解决如何减小扬声器模组的厚度的问题。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供了一种内核，该内核包括振膜组、第一音圈以及磁路系统。第一音圈与振膜组相连接；第一音圈所在的平面与振膜组所在的平面相垂直。磁路系统与第一音圈位于振膜组的同一侧；磁路系统具有第一磁间隙，第一磁间隙沿垂直于振膜组所在平面的方向贯穿磁路系统。其中，第一音圈位于第一磁间隙内，第一音圈与磁路系统配合以驱动振膜组振动。

本申请实施例提供的内核，通过使第一音圈位于磁路系统的第一磁间隙内，使得第一音圈内通入电流时，第一音圈能够在第一磁间隙的磁场作用下振动。通过使第一音圈与振膜组相连接，第一音圈和磁路系统位于振膜组的同一侧，使得第一音圈能够沿垂直于振膜组所在平面的方向振动，进而推动振膜组沿垂直于其所在平面的方向振动而推动空气振动发出声音。通过使第一音圈所在的平面垂直于振膜组所在的平面，第一磁间隙贯穿磁路系统，使得扬声器模组的振幅一定的情况下，在垂直于振膜组所在平面的方向上，磁路系统的厚度可以近似与第一磁间隙的深度相同，进而使得内核在厚度方向上的尺寸减小，进而使得扬声器模组的厚度减小，有利于实现电子设备的薄型化。

在第一方面的一些可能的实现方式中，内核还包括盆架，振膜组与盆架相连接。第一音圈与振膜组相连接；第一音圈所在的平面与振膜组所在的平面相垂直。磁路系统与第一音圈位于振膜组的同一侧。磁路系统包括第一磁体组件和第二磁体组件；第一磁体组件包括第一导磁轭和第一磁体，第一导磁轭沿垂直于振膜组所在平面的方向层叠设置于第一磁体的一侧表面上，且固定于盆架。第二磁体组件包括第二导磁轭和第二磁体，第二导磁轭沿垂直于振膜组所在平面的方向层叠设置于第二磁体的一侧表面上，且固定于盆架。第一磁体和第二磁体沿垂直于振膜组所在平面的方向充磁且充磁方向相反，第一磁体组件和第二磁体组件之间形成第一磁间隙。

这样一来，通过使磁路系统中的第一磁体组件和第二磁体组件之间形成第一磁间隙，将第一导磁轭层叠设置于第一磁体的表面，将第二导磁轭层叠设置于第二磁体的表面，且第一导磁轭和第二导磁轭固定于盆架，使得第一导磁轭和第二导磁轭既可以约束磁力线，增加第一磁间隙内的磁流强度以增大第一音圈对振膜组的驱动力，又可以作为第一磁体和第二磁体的连接支撑件，因此，无需在第一磁体和第二磁体远离振膜组一侧的表面额外设置一个导磁轭用于支撑连接第一磁体和第二磁体，因此，磁路系统的厚度不会在第一磁间隙的深度基础上再叠加一个导磁轭的厚度，从而使得内核在厚度方向的尺寸减小，进而使得扬声器模组的厚度减小，有利于实现电子设备的薄型化。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第一导磁轭位于第一磁体靠近振膜组的一侧，第二导磁轭位于第二磁体靠近振膜组的一侧。其中，部分第一音圈位于第一导磁轭和第二导磁轭形成的间隙内。这样一来，第一导磁轭和第二导磁轭形成的间隙内的磁流强度较大，第一音圈通电时，会对振膜组具有较强的驱动力，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第一导磁轭位于第一磁体远离振膜组的一侧，第二导磁轭位于第二磁体远离振膜组的一侧。其中，部分第一音圈位于第一导磁轭和第二导磁轭形成的间隙内。这样一来，第一导磁轭和第二导磁轭形成的间隙内的磁流强度较大，第一音圈通电时，会对振膜组具有较强的驱动力，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第二磁体组件还包括第三导磁轭，第三导磁轭层叠设置于第二磁体远离第二导磁轭的一侧表面上。这样一来，第三导磁轭能够约束磁力线，防止扬声器模组漏磁。

在第一方面的一些可能的实现方式中，所述第一磁体的厚度大于所述第二磁体的厚度。这样一来，在兼顾内核的薄型化的基础上，可以尽可能地增加第一磁体的厚度，以使磁路系统具有尽可能大地磁场强度，以使第一音圈在磁路系统提供的磁场的作用下，对振膜组具有尽可能大地驱动力，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第一磁体组件还包括第四导磁轭，第四导磁轭层叠设置于第一磁体远离第一导磁轭的一侧表面上。这样一来，第四导磁轭能够约束磁力线，防止扬声器模组漏磁。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第一音圈包括沿垂直于振膜组所在平面分布的第一段和第二段，第一段相对于第二段更靠近振膜组。第三导磁轭位于第二磁体远离振膜组的一侧；第三导磁轭在第一平面内的正投影与第二段在第一平面内的正投影交叠，第一导磁轭和第二导磁轭在第一平面内的正投影与第一段交叠；第一平面平行于第一音圈所在的平面。

这样一来，第一音圈的第一段和第二段均处于第一磁间隙内磁流密度较大的区域，第一音圈的第一段和第二段内的电流方向相反，穿过第一段的磁力线方向和穿过第二段的磁力线的方向相反，因此，第一音圈的第一段对振膜组的驱动力和第二段对振膜组的驱动力的方向相同，使得第一音圈的第一段对振膜组的驱动力和第二段对振膜组的驱动力可以叠加，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，磁路系统还包括第三磁体组件。第三磁体组件设置于第一磁体组件远离第二磁体组件的一侧，第三磁体组件包括第五导磁轭和第三磁体，第五导磁轭沿垂直于振膜组所在平面的方向层叠设置于第三磁体的一侧表面上，且固定于盆架。第三磁体沿垂直于振膜组所在平面的方向充磁且与第一磁体的充磁方向相反；第三磁体组件与第一磁体组件形成第二磁间隙。内核还包括第二音圈，第二音圈与第一音圈位于振膜组的同一侧；第二音圈所在的平面与振膜组所在的平面相垂直；第二音圈位于第二磁间隙内。

这样一来，通过使第二音圈位于第二磁间隙内，使得第二音圈内通入电流时，第二音圈可以在第二磁间隙的磁场作用下振动，进而与第一音圈共同推动振膜组振动而发出声音。通过将第五导磁轭层叠设置于第三磁体的表面，且第五导磁轭固定于盆架，使得第五导磁轭既可以约束磁力线，增加第二磁间隙内的磁流强度以增大第二音圈对振膜组的驱动力，又可以作为第三磁体的连接支撑件。通过使第二音圈所在的平面垂直于振膜组所在的平面，无需在第三磁体远离振膜组一侧的表面额外设置一个导磁轭用于支撑连接第一磁体、第二磁体和第三磁体，从而使得内核在厚度方向的尺寸减小，进而使得扬声器模组的厚度减小，有利于实现电子设备的薄型化。

此外，通过使用第一音圈和第二音圈两个音圈对振膜组进行驱动，能够增大对振膜组的驱动力，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，所述第一导磁轭、所述第二导磁轭和所述第五导磁轭位于同一平面内。所述第一导磁轭、所述第二导磁轭和所述第五导磁轭为一体成型件。这样一来，便于设计及加工第一导磁轭、第二导磁轭和第五导磁轭，也便于组装磁路系统，以及将磁路系统与盆架进行组装。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第三磁体组件还包括第六导磁轭，第六导磁轭层叠设置于第三磁体远离第五导磁轭一侧的表面上。这样一来，第六导磁轭能够约束磁力线，防止扬声器模组漏磁。

在第一方面的一些可能的实现方式中，沿垂直于振膜组所在平面的方向，第一磁体的厚度大于第三磁体的厚度。这样一来，在兼顾内核的薄型化的基础上，可以尽可能地增加第一磁体的厚度，以使磁路系统具有尽可能大地磁场强度，以使第二音圈在磁路系统提供的磁场的作用下，对振膜组具有尽可能大地驱动力，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第二音圈包括沿垂直于振膜组所在平面分布的第三段和第四段，第三段相对于第四段更靠近振膜组。第六导磁轭位于第三磁体远离振膜组的一侧；第六导磁轭在第二平面内的正投影与第四段在第二平面内的正投影交叠，第一导磁轭和第五导磁轭在第二平面内的正投影与第三段在第二平面内的正投影交叠；第二平面平行于第二音圈所在的平面。

这样一来，第二音圈的第三段和第四段均处于第二磁间隙内磁流密度较大的区域，第二音圈的第三段和第四段内的电流方向相反，穿过第三段的磁力线方向和穿过第四段的磁力线的方向相反，因此，第二音圈的第三段对振膜组的驱动力和第四段对振膜组的驱动力的方向相同，使得第二音圈的第三段对振膜组的驱动力和第四段对振膜组的驱动力可以叠加，有利于提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，内核还包括第一外接端子和第二外接端子。第一音圈和第二音圈串联于第一外接端子和第二外接端子之间。这样一来，第一音圈和第二音圈内的电流时刻相同，第一音圈和第二音圈驱动振膜组的同步性好，进而保证扬声器模组的发声效果。

在第一方面的一些可能的实现方式中，内核还包括第一外接端子和第二外接端子。第一音圈和第二音圈并联于第一外接端子和第二外接端子之间。这样一来，可以减小第一音圈和第二音圈的线径，进而减小第一音圈和第二音圈的重量以及在内核厚度方向上的尺寸，有利于扬声器模组的薄型化及提高扬声器模组的灵敏度。

在第一方面的一些可能的实现方式中，内核还包括第三壳体，第三壳体设置于振膜组远离磁路系统的一侧；第三壳体包括第三盖板和第三侧框，第三侧框绕第三盖板的外边缘一周设置，第三侧框的两端分别与第三盖板和盆架相连接以围设出第一空腔；第三侧框具有连通结构，连通结构连通第一空腔的内外两侧。

这样一来，便于内核与扬声器模组的其他部件连接，且在第一空腔作为扬声器模组的部分后腔时，便于通过连通结构与扬声器模组的其他空腔连通，以增大后腔的体积，提高扬声器模组的低频性能。

第二方面，本申请实施例提供了一种扬声器模组，包括壳体以及上述实施例所述的内核，其中，壳体具有出声通道，内核不包括第三壳体。内核设置于壳体内，内核将壳体的内部空间分隔为前腔和后腔，至少部分前腔和至少部分后腔分别位于振膜组的两侧。其中，出声通道连通前腔和壳体外部。

由于本申请实施例提供的扬声器模组包括如上实施例所述的内核，因此二者能够解决相同的问题，并达到相同的效果，此处不再赘述。

在第二方面的一些可能的实现方式中，第一音圈和磁路系统位于前腔内。这样一来，有利于对第一音圈进行散热。此外，由于振膜组距离扬声器模组的出声通道的距离较远，使得振膜组在振动时，前腔内各处气流的均匀性较好，扬声器模组的发声性能较好；同时，前腔内的空气部分的高度只需预留为振膜组最大振幅即可，无需额外增加高度，因而有利于减小扬声器模组的前腔的空气体积，增大扬声器模组的后腔的体积，从而改善扬声器模组的高频截止频率Fh，进而改善扬声器模组的听感，同时提升扬声器模组的低频性能。

第三方面，本申请实施例提供了一种扬声器模组，包括壳体以及上述实施例的内核，其中，壳体具有出声通道，内核包括第三壳体。内核设置于壳体内，壳体和内核围设出第二空腔和第三空腔，第二空腔位于振膜组远离第一空腔的一侧，第三空腔位于振膜组的周侧，第三空腔和第一空腔通过连通结构连通。其中，第一音圈和磁路系统位于第二空腔内；出声通道连通第二空腔和壳体外部。

由于本申请实施例提供的扬声器模组包括如上实施例所述的内核，因此二者能够解决相同的问题，并达到相同的效果。

此外，第一音圈和磁路系统位于第二前腔内，第二空腔为扬声器模组的前腔，有利于对第一音圈进行散热。同时，由于振膜组距离扬声器模组的出声通道的距离较远，使得振膜组在振动时，前腔内各处气流的均匀性较好，扬声器模组的发声性能较好；同时，前腔内的空气部分的高度只需预留为振膜组最大振幅即可，无需额外增加高度，因而有利于减小扬声器模组的前腔的空气体积，增大扬声器模组的后腔的体积，从而改善扬声器模组的高频截止频率Fh，进而改善扬声器模组的听感，同时提升扬声器模组的低频性能。

另外，第三空腔和第一空腔连通，可以在不增加扬声器模组的厚度的基础上，增大扬声器模组的后腔的体积，有利于提高扬声器模组的低频性能。

在第一方面的一些可能的实现方式中，第三空腔内填充有吸音材料。这样一来，可以进一步增大扬声器模组的后腔的体积，有利于提高扬声器模组的性能。

第四方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括外壳以及上述实施例的扬声器模组。外壳具有出声孔。扬声器模组设置于外壳内，扬声器模组的出声通道与出声孔相连通。

由于本申请实施例提供的电子设备包括如上任一技术方案所述的扬声器模组，因此二者能够解决相同的问题，并达到相同的效果，此处不再赘述。

附图说明

图1为本申请相关技术提供的内核的立体图；

图2为图1所示内核在A-A处的剖面示意图；

图3为本申请一些实施例提供的电子设备的立体图；

图4为图3所示电子设备的分解结构示意图；

图5为图4所示电子设备中的扬声器模组的立体图；

图6为图5所示扬声器模组的分解结构示意图；

图7为图6所示扬声器模组的壳体的部分结构的立体图；

图8为图7所示壳体的分解结构示意图；

图9为图6所示扬声器模组的壳体的部分结构的立体图；

图10为图9所示壳体的分解结构示意图；

图11为图6所示扬声器模组的内核的立体图；

图12为图11所示内核中盆架的立体图；

图13为图7所示壳体的从内向外看的立体图；

图14为图12所示盆架和图13所示壳体的装配立体图；

图15为图10所示壳体中的第三壳体和图12所示盆架的装配立体图；

图16为图11所示内核中振动系统中的振膜组的立体图；

图17为图16所示振膜组在B-B处的剖面示意图；

图18为图5所示扬声器模组在C-C处的剖面示意图；

图19为图11所示内核的部分结构的立体图；

图20为图19所示内核在D-D处的剖面示意图；

图21为图11所示内核的部分结构的分解结构示意图；

图22为图11所示内核在E-E处的剖面示意图；

图23为本申请另一些实施例提供的内核的剖面示意图；

图24为本申请又一些实施例提供的内核的剖面示意图；

图25为图24所示内核中的磁路系统的分解结构示意图；

图26为本申请又一些实施例提供的内核的剖面示意图；

图27为图26所示内核中的磁路系统的分解结构示意图；

图28为图22所示内核的磁力线发射示意图；

图29为图28所示内核的穿过第一音圈或第二音圈的磁通量曲线图。

附图标记：

100-电子设备；

10-屏幕；11-透光盖板；12-显示屏；

20-背壳；21-背盖；22-边框；221-插口；222-出声孔；23-中板；

30-第一电路板；

40-第二电路板；

50-连接结构；

60-电池；

70-USB器件；

80-扬声器模组；

81-壳体；811-出声通道；812-容纳空间；8121-第一空腔；8122-第二空腔；8123-第三空腔；

813-第一壳体；8131-第一盖板；8131a-定位凸筋；8131a1-第一筋段；8131a2-第二筋段；8131a3-第三筋段；8131a4-限位台阶；8132-第一侧框；8132a-第一端；8132b-第二端；8133-第一容纳腔；

814-第二壳体；8141-第二盖板；8141a-第一通孔；8142-第二侧框；8142a-第五端；8142b-第六端；8143-第二容纳腔；

815-第三壳体；8151-第三盖板；8152-第三侧框；8152a-第七端；8152b-第八端；8153-第三容纳腔；

816-出音管；8161-第三端；8162-第四端；

82-内核；

821-盆架；821a-第一端面；821b-第二端面；821c-第一内侧面；821d-第一外侧面；8211-第一环段；8211a-第三安装槽；8212-第二环段；8212a-第四安装槽；8213-第三环段；8213a-第一安装槽；8214-第四环段；8214a-第二安装槽；

822-振动系统；8221-振膜组；8221a-球顶；8221b-振膜；8221b1-第一固定部；8221b2-折环；8221b3-第二固定部；8222-第一音圈；8222a-第一段；8222b-第二段；8222c-第五段；8222d-第六段；8223-第二音圈；8223a-第三段；8223b-第四段；8223c-第七段；8223d-第八段；8224-第一连接件；8224a-第一连接部；8224b-第二连接部；8225-第二连接件；8225a-第三连接部；8225b-第四连接部；

823-磁路系统；K-磁间隙；K1-第一磁间隙；K2-第二磁间隙；8231-第一磁体组件；8231a-第一磁体；8231b-第一导磁轭；8231c-第四导磁轭；8232-第二磁体组件；8232a-第二磁体；8232b-第二导磁轭；8232c-第三导磁轭；8233-第三磁体组件；8233a-第三磁体；8233b-第五导磁轭；8233c-第六导磁轭；8234-固定导磁轭。

具体实施方式

在本申请实施例中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。

在本申请实施例中，需要理解的是，所提到的方位用语，例如，“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。

在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”、“第七”、“第八”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”、“第七”、“第八”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

在本申请实施例中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

在本申请实施例中，“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本申请实施例中，需要说明的是，描述“垂直”、“平行”分别表示允许一定误差范围内的大致垂直和大致平行，该误差范围可以为分别相对于绝对垂直和绝对平行偏差角度小于或者等于5°、8°或者10°的范围，在此不做具体限定。

目前，电子设备中扬声器模组的普及率越来越高，扬声器模组用于将电子设备的音频信号转换成声音。扬声器模组可以包括壳体和内核。壳体内具有容纳空间，内核设置在壳体内并与壳体配合以围成扬声器模组的前腔和后腔。壳体可以起到固定和保护内核的作用，内核在通电工作时，可以推动前腔内的空气振动以形成声音信号，由此将音频电信号转换为声音信号，并传递到壳体的外侧。

请参阅图1和图2，图1为本申请相关技术提供的内核82的立体图，图2为图1所示内核在A-A处的剖面示意图。内核82包括盆架821、振膜组8221、第一音圈8222和磁路系统823。

盆架821用于支撑并固定振膜组8221和磁路系统823。具体的，盆架821可以呈环形框状，振膜组8221固定于盆架821的轴向一端端面。磁路系统823包括第一磁体8231a(中心磁体)、第二磁体8232a(边磁体)、第一导磁轭8231b(中心导磁轭)、第二导磁轭8232b(边缘导磁轭)和固定导磁轭8234。边磁体围绕中心磁体的一周设置。边磁体和边缘导磁轭组成边磁体组件，中心磁体和中心导磁轭组成中心磁体组件，边磁体组件和中心磁体组件之间限定出磁间隙K。中心导磁轭设置在中心磁体的朝向振膜组8221的表面上，边缘导磁轭设置在边磁体的朝向振膜组8221的表面上。固定导磁轭8234设置在中心磁体和边磁体的远离振膜组的表面上，中心导磁轭与中心磁体固定，中心磁体、边磁体与固定导磁轭8234固定，边缘导磁轭与边磁体固定，边缘导磁轭的外周边缘与盆架821的内周壁固定。

第一音圈8222所在的平面平行于振膜组8221所在的平面，第一音圈8222固定于振膜组8221，第一音圈8222的远离振膜组8221的部分伸入中心磁体和边磁体形成的磁间隙K内，这样一来，在第一音圈8222通电后，可以产生感应磁场，磁路系统823可以响应于该感应磁场且对第一音圈8222施加驱动力，第一音圈8222受到磁路系统823的磁力驱动作用而发生位移，从而驱动振膜组8221产生振动，以发出声音。

然而，上述方案中，由于第一音圈8222所在的表面平行于振膜组8221所在的表面，使得中心磁体和中心导磁轭与边磁体、边缘导磁轭相互间隔设置，因而，需要固定导磁轭8234支撑固定中心磁体和中心导磁轭。为了给第一音圈8222留出振动空间，固定导磁轭8234与振膜组8221之间的距离需要足够大。因此，在垂直于振膜组8221所在平面的方向上，磁路系统823的厚度为磁间隙K的深度和固定导磁轭8234的厚度的叠加，使得内核82的厚度较大，进而使得扬声器模组80的厚度较大，限制了电子设备100的薄型化设计。

为了克服上述问题，本申请实施例提供一种电子设备100，该电子设备100为具有声音播放功能的一类电子设备。具体的，该电子设备100包括但不限于手机、平板电脑(tablet personal computer)、笔记本电脑、膝上型电脑(laptop computer)、个人数码助理(personal digital assistant，PDA)、个人计算机、车载设备、可穿戴设备、随身听、收音机、电视机、音箱等。其中，可穿戴设备包括但不限于智能手环、智能手表、智能头戴显示器、智能眼镜等。

请参阅图3，图3为本申请一些实施例提供的电子设备100的立体图。本实施例以及下文各实施例是以电子设备100为手机进行示例性说明。电子设备100近似呈矩形板状。在此基础上，为了方便后文各实施例的描述，建立XYZ坐标系，定义电子设备100的宽度方向为X轴方向，电子设备100的长度方向为Y轴方向，电子设备100的厚度方向为Z轴方向。可以理解的是，电子设备100的坐标系设置可以根据实际需要进行灵活设置，在此不做具体限定。在其他一些实施例中，电子设备100的形状也可以为方形平板状、圆形平板状、椭圆形平板状等等，在此不做具体限定。

请参阅图3和图4，图4为图3所示电子设备100的分解结构示意图。在本实施例中，电子设备100包括屏幕10、背壳20、第一电路板30、第二电路板40、连接结构50、电池60、通用串行总线(universal serial bus，USB)器件70和扬声器模组80。

可以理解的是，图3和图4仅示意性的示出了电子设备100包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图3和图4的限制。在其他一些示例中，电子设备100也可以不包括屏幕10。

屏幕10用于显示图像、视频等。屏幕10包括透光盖板11和显示屏12(英文名称：panel，也称为显示面板)。透光盖板11与显示屏12层叠设置。透光盖板11主要用于对显示屏12起到保护以及防尘作用。透光盖板11的材质包括但不限于玻璃。显示屏12可以采用柔性显示屏，也可以采用刚性显示屏。例如，显示屏12可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示屏，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示屏，迷你发光二极管(miniorganic light-emitting diode)显示屏，微型发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏，微型有机发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏，量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，QLED)显示屏，液晶显示屏(liquid crystal display，LCD)。

背壳20形成电子设备的外壳，用于保护电子设备100的内部电子器件。背壳20可以包括背盖21和边框22。背盖21位于显示屏12远离透光盖板11的一侧，并与透光盖板11、显示屏12层叠且间隔设置。边框22位于背盖21与透光盖板11之间。边框22固定于背盖21上，在一些示例中，边框22可以通过粘胶固定连接于背盖21上。在另一些示例中，边框22也可以与背盖21为一体成型结构，即边框22与背盖21为一个结构件整体。透光盖板11可以通过胶粘固定于边框22上。透光盖板11、背盖21与边框22围成电子设备100的内部容纳空间。该内部容纳空间将显示屏12、第一电路板30、第二电路板40、连接结构50、电池60、USB器件70和扬声器模组80容纳在内。

在一些实施例中，请参阅图4，背壳20还可以包括中板23。中板23设置于上述内部容纳空间内，且中板23位于显示屏12远离透光盖板11的一侧。中板23的边缘与边框22固定。在一些示例中，中板23的边缘通过胶粘固定于边框22上。在另一些示例中，中板23也可以与边框22为一体成型结构，即中板23与边框22为一个结构件整体。中板23将上述内部容纳空间分隔为两个彼此独立的空间。其中一个空间位于透光盖板11与中板23之间，显示屏12位于该部分空间内。另一个空间位于中板23与背盖21之间，第一电路板30、第二电路板40、连接结构50、电池60、USB器件70和扬声器模组80容纳在该部分空间内。需要说明的是，中板23与边框22连接成的整体也称之为中框。中框用作电子设备100的结构“骨架”，第一电路板30、第二电路板40、电池60和扬声器模组80可以通过螺纹连接、卡接、焊接等方式固定于该中框上。在其他一些实施例中，背壳20也可以不包括中板23。

当电子设备100不包括中板23时，第一电路板30、第二电路板40、电池60和扬声器模组80可以通过螺纹连接、卡接、焊接等方式固定于显示屏12朝向背盖21的表面，也可以通过螺纹连接、卡接、焊接等方式固定于背盖21的内表面。

第一电路板30可以为主机电路板。第一电路板30固定于电子设备100的内部，并与背盖21层叠且间隔设置。

第一电路板30可以为硬质电路板，也可以为柔性电路板，也可以为软硬结合电路板。第一电路板30可以采用FR-4介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，也可以采用FR-4和Rogers的混合介质板，等等。这里，FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板为一种高频板。第一电路板30用于设置电子元器件并实现电子元器件之间的电连接。其中，电子元器件例如可以为中央处理器(central processing unit，CPU)、图形处理器(graphics processing unit，GPU)、通用存储器(universal flash storage，UFS)、摄像头模组、听筒以及闪光灯模组等。

第二电路板40用于设置电子元器件并实现电子元器件之间的电连接。其中，电子元器件例如可以为天线(比如5G天线)射频前端、USB器件70等。第二电路板40可以为硬质电路板，也可以为柔性电路板，还可以为软硬结合电路板。第二电路板40可以采用FR-4介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，还可以采用FR-4和Rogers的混合介质板，等等。

第二电路板40通过连接结构50与第一电路板30电连接，以实现第二电路板40与第一电路板30之间的数据、信号传输。其中，连接结构50可以为柔性电路板(flexibleprinted circuit，FPC)。在其他实施例中，连接结构50也可以为导线或者漆包线。

电池60位于第一电路板30与第二电路板40之间。电池60用于向电子设备100内诸如显示屏12、第一电路板30、第二电路板40和扬声器模组80等电子器件提供电量。在一些实施例中，中板23朝向背盖21的表面设有电池安装槽，电池60安装于该电池安装槽内。

USB器件70连接于第二电路板40上。USB器件70为符合USB标准规范的接口器件。具体的，USB器件70可以为Mini USB器件、Micro USB器件，USB Type C器件等。USB器件70用于经由边框22上的插口221连接充电器以向电子设备100充电，也可以用于电子设备100与外围设备之间传输数据，还可以用于连接耳机，通过耳机播放音频。该USB器件70还可以用于连接其他电子设备100，例如增强现实(augmented reality，AR)设备等。

扬声器模组80用于将音乐、语音等音频电信号还原成声音，能够支持音频外放的功能。在一些实施例中，扬声器模组80与第二电路板40电连接。此时，第一电路板30发送的音频电信号经由第二电路板40传送至扬声器模组80，并进一步通过扬声器模组80转换成声音信号输出。具体的，扬声器模组80具有出声通道811。扬声器模组80输出的声音信号由该出声通道811输出。在其他实施例中，扬声器模组80也可以直接与第一电路板30通过FPC、导线、漆包线等连接结构50电连接。

请参阅图3和图4，电子设备100的边框22上设有出声孔222。该出声孔222与出声通道811连通。出声通道811输出的声音信号进一步由该出声孔222输出至电子设备100外。

请参阅图5和图6，图5为图4所示电子设备100中的扬声器模组80的立体图，图6为图5所示扬声器模组80的分解结构示意图。需要说明的是，图5和图6仅示意性的示出了扬声器模组80包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图5和图6的限定。另外，图5及后续附图中的坐标系与图3中的坐标系表示为同一坐标系。也即是，图5及后续附图中扬声器模组80内各个部件在该图所示坐标系下的方位关系，与当该扬声器模组80内各个部件应用于图3所示电子设备100内时，其在图3所示坐标系下的方位关系相同。

扬声器模组80包括壳体81和内核82。壳体81围设出容纳空间812，内核82设置于壳体81的容纳空间812内，壳体81可以起到固定和保护内核82的作用，扬声器模组80可以通过壳体81固定于电子设备100的内部。壳体81上设有前述出声通道811，内核82产生的声音可以通过出声通道811传递至壳体81，进而通过出声孔222传递至电子设备100外部。

壳体81的材料包括但不限于金属和塑胶。在一些示例中，壳体81的材料为塑胶，塑胶的成本低，且易于成型，有利于降低扬声器模组80的加工成本。壳体81可以为一个结构整体，也可以由多个部分装配形成。在一些实施例中，请参阅图5，壳体81包括第一壳体813、第二壳体814、第三壳体815和出音管816，第一壳体813与第二壳体814相连，第二壳体814与第三壳体815相连，且第一壳体813、第二壳体814与第三壳体815围设成上述容纳空间812。这样，壳体81可由第一壳体813、第二壳体814和第三壳体815装配形成，有利于降低壳体81的成型难度和装配难度。

具体的，请参阅图7和图8，图7为图6所示扬声器模组80的壳体81的部分结构的立体图，图8为图7所示壳体81的分解结构示意图。第一壳体813包括第一盖板8131和第一侧框8132。第一盖板8131呈平板状结构，第一侧框8132围绕第一盖板8131的外边缘一周设置。第一侧框8132与第一盖板8131之间围成第一容纳腔8133。第一侧框8132具有相对的第一端8132a与第二端8132b，第一端8132a与第一盖板8131相连，第二端8132b朝向远离第一盖板8131的方向延伸，前述出声通道811可以开设于第一侧框8132的朝向电子设备100的出声孔222的壁板上。图7和图8所示的实施例中，第一侧框8132与第一盖板8131相垂直。在其他实施例中，第一侧框8132也可以不与第一盖板8131垂直；出声通道811也可以开设于第一壳体813的其他位置。

在一些示例中，第一盖板8131与第一侧框8132为一体式结构，也即是第一盖板8131与第一侧框8132一体成型。这样，能简化第一壳体813的加工工艺，降低第一壳体813的加工成本。在另一些示例中，第一盖板8131与第一侧框8132也可以是分体式结构，第一盖板8131与第一侧框8132通过胶粘、卡接、螺钉连接等方式装配为一体。

出音管816具有相对的第三端8161和第四端8162。第三端8161与第一侧框8132连接，具体的，第三端8161与第一侧框8132开设有出声通道811的壁板连接；第四端8162与边框22连接，具体的，第四端8162与边框22上开设有出声孔222处连接，出音管816的内腔连通出声通道811和出声孔222。这样一来，从出声通道811传出的声音可以经过出音管816的内腔传输至出声孔222，可以减小声音在传递过程中的泄露，保证扬声器模组80的发声效果，进而保证电子设备100的发声效果。

图7和图8所示的实施例中，沿第一侧框8132的第一端8132a至第二端8132b的方向，出音管816自第三端8161至第四端8162逐渐远离第一盖板8131和第二侧框8132，这样一来，可以根据电子设备100内部的空间灵活地设置扬声器模组80的位置，降低将扬声器模组80组装于电子设备100的难度。在其他实施例中，出音管816也可以为其他的结构形状，本申请对此不做限定。

在一些示例中，出音管816的内腔的横截面积可以自第三端8161至第四端8162逐渐增大。这样一来，声音自出声通道811进入出音管816向电子设备100外部传递的过程中，气压逐渐增大，有利于提高扬声器模组80的低频性能。需要说明的是，出音管816的内腔的横截面积是指，用垂直于出音管816的轴线的平面截割出音管816得到的截面面积。

在一些示例中，出音管816可以与第一壳体813为一体式结构，也即是第一壳体813与出音管816一体成型，这样，能简化第一壳体813和出音管816的工艺，降低第一壳体813和出音管816的加工成本，同时能够保证第一壳体813整体的强度。在另一些示例中，第一壳体813也可以与出音管816为分体式结构，第一壳体813与出音管816通过胶粘、卡接、螺钉连接等方式装配为一体。

在一些示例中，请继续参阅图7和图8，沿与第一侧框8132的第一端8132a至第二端8132b的方向相垂直的方向，也即沿X轴方向，第一侧框8132上开设有两个出声通道811，相应地，出音管816上具有两个分别连通两个出声通道811的内腔通道。这样，从出声通道811传出的声音，可以分别经出音管816的两个内腔通道传递至出声孔222，有利于提高声音的立体性。同时，可防止出音管816的内腔和出声通道811沿X轴方向的尺寸过大导致出音管816和第一侧框8132的强度较小而容易变形。

在其他实施例中，壳体81也可以不包括出音管816，壳体81的开设有出声通道811的壁板直接与边框22连接，以使出声通道811与电子设备100的边框22上的出声孔222连通。

在上述基础上，请参阅图9和图10，图9为图6所示扬声器模组80的壳体81的部分结构的立体图，图10为图9所示壳体81的分解结构示意图。第二壳体814包括第二盖板8141和第二侧框8142，第二盖板8141呈平板状结构，第二侧框8142围绕第二盖板8141的外边缘一周设置。第二侧框8142具有相对的第五端8142a与第六端8142b，第五端8142a与第二盖板8141相连，第六端8142b与第一侧框8132的第二端8132b相连接。具体地，第六端8142b的端面与第一侧框8132的第二端8132b的端面相连接，由此，实现了第一壳体813和第二壳体814之间的连接。图9和图10所示的实施例中，第二侧框8142与第二盖板8141相垂直。在其他实施例中，第二侧框8142也可以不与第二盖板8141垂直。

在一些示例中，第二盖板8141与第二侧框8142为一体式结构，也即是第二盖板8141与第二侧框8142一体成型。这样，能简化第二壳体814的加工工艺，降低第二壳体814的加工成本。在另一些示例中，第二盖板8141与第二侧框8142也可以是分体式结构，第二盖板8141与第二侧框8142通过胶粘、卡接、螺钉连接等方式装配为一体。

在上述基础上，第三壳体815包括第三盖板8151和第三侧框8152，第三盖板8151呈平板状结构，第三侧框8152围绕第二盖板8141的外边缘一周设置。第三侧框8152与第三盖板8151之间围成第三容纳腔8153。第三侧框8152具有相对的第七端8152a与第八端8152b，第七端8152a与第三盖板8151相连，第八端8152b朝向远离第三盖板8151且靠近第一盖板8131的方向延伸。图9和图10所示的实施例中，第三侧框8152与第三盖板8151相垂直。在其他实施例中，第三侧框8152也可以不与第三盖板8151垂直。

在一些示例中，第三盖板8151和第三侧框8152为一体式结构，也即是第三盖板8151和第三侧框8152一体成型。这样，能简化第三壳体815的加工工艺，降低第三壳体815的加工成本。在另一些示例中，第三盖板8151和第三侧框8152也可以是分体式结构，第三盖板8151和第三侧框8152通过胶粘、卡接、螺钉连接等方式装配为一体。

在一些实施例中，第二盖板8141上开设有第一通孔8141a，第一通孔8141a的形状与第三盖板8151的外边缘的形状相适配，第三壳体815设置于第一通孔8141a处且与第二盖板8141相连接，具体地，第三盖板8151嵌于第一通孔8141a内，第三盖板8151和/或第三侧框8152与第二盖板8141通过胶粘、卡接、螺钉连接等方式装配为一体。基于此，第二盖板8141、第二侧框8142和第三侧框8152围设出第二容纳腔8143，第二容纳腔8143、第一容纳腔8133和第三容纳腔8153相连通，构成前述容纳空间812。

在另一些实施例中，第二壳体814和第三壳体815也可以为一体式结构，也即是第二壳体814和第三壳体815一体成型。

图9和图10所示的实施例中，第三壳体815作为扬声器模组80的外壳81的结构件，即可以将第三壳体815与第二壳体814进行组装形成壳体81的一部分，再与内核82进行组装，形成扬声器模组80。在其他实施例中，第三壳体815也可以作为内核82的结构件，即可以将第三壳体815与内核82的其他结构件组装形成内核82，内核82再与第二壳体814和第一壳体813组装形成扬声器模组80。

在上述基础上，请参阅图6和图11,图11为图6所示扬声器模组80的内核82的立体图。扬声器模组80的内核82包括盆架821、振动系统822和磁路系统823。

需要说明的是，下文描述内核82中各个部件所采用的“内”是指被描述部件靠近内核82的中心轴线的部位，“外”是指被描述部件远离内核82的中心轴线的部位，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。另外，下文描述内核82中各个部件的形状为“矩形”、“方形”均表示大致形状，相邻两边之间可以设有圆角，也可以不设圆角。

盆架821用作内核82的“支撑骨架”，用于支撑振动系统822和磁路系统823。请参阅图12，图12为图11所示内核82中盆架821的立体图。盆架821可以为环形的框架。图12所示的实施例中，盆架821呈矩环形。在其他实施例中，盆架821也可以呈其他形状。

具体的，请继续参阅图12，盆架821包括相对且间隔的第一环段8211和第二环段8212，以及相对且间隔设置的第三环段8213和第四环段8214。图12所示的实施例中，第一环段8211和第二环段8212沿X轴方向间隔设置，第三环段8213和第四环段8214沿Y轴方向间隔设置。盆架821由第一环段8211、第三环段8213、第二环段8212和第四环段8214依次相接围合形成。第一环段8211、第三环段8213、第二环段8212和第四环段8214可以一体成型，也即盆架821为一个一体结构件；第一环段8211、第三环段8213、第二环段8212和第四环段8214也可以为分体部件，通过粘接、卡接、螺纹连接等方式装配形成盆架821。在其他实施例中，第一环段8211、第三环段8213、第二环段8212和第四环段8214也可以沿其他方向设置，本申请对此不做限定。

盆架821包括沿其轴线方向相背设置的第一端面821a和第二端面821b，盆架821还包括相背设置的第一内侧面821c和第一外侧面821d，第一内侧面821c和第一外侧面821d连接在第一端面821a与第二端面821b之间。第一端面821a、第二端面821b、第一内侧面821c和第一外侧面821d均为环绕盆架821的周向设置的环形面。其中，第一端面821a朝向第一盖板8131，第二端面821b朝向第三盖板8151。盆架821与第一盖板8131相连接，且与第三壳体815的第三侧框8152的第八端8152b相连接。

为便于将盆架821精准地与第一壳体813进行组装，请参阅图13，图13为图7所示壳体81的从内向外看的立体图。第一盖板8131的朝向第一容纳腔8133的表面上设有定位凸筋8131a。盆架821可以固定连接在定位凸筋8131a上。

具体地，请继续参阅图13，定位凸筋8131a包括第一筋段8131a1、第二筋段8131a2和第三筋段8131a3。第一筋段8131a1与第二筋段8131a2相对且间隔设置，第三筋段8131a3连接在第一筋段8131a1与第二筋段8131a2之间，第三筋段8131a3与第一侧框8132上开设出声通道811的壁板相对且间隔设置。第一筋段8131a1的远离第三筋段8131a3的一端与第一侧框8132上开设出声通道811的壁板连接，第二筋段8131a2的远离第三筋段8131a3的一端与第一侧框8132上开设出声通道811的壁板连接。这样一来，定位凸筋8131a和第一侧框8132上开设出声通道811的壁板可以形成一个定位侧框，且定位凸筋8131a不会对出声通道811造成干涉。图13所示的实施例中，第一筋段8131a1、第二筋段8131a2沿X轴方向间隔设置，第三筋段8131a3与出声通道811沿Y轴方向间隔设置。

请继续参阅图13，第一筋段8131a1远离第一盖板8131的表面为台阶面，第一筋段8131a1的台阶面的靠近第二筋段8131a2一侧的高度小于远离第二筋段8131a2一侧的高度；第二筋段8131a2远离第一盖板8131的表面为台阶面，第二筋段8131a2的台阶面的靠近第一筋段8131a1一侧的高度小于远离第一筋段8131a1一侧的高度；第三筋段8131a3远离第一盖板8131的表面为台阶面，第三筋段8131a3的台阶面的靠近出声通道811一侧的高度小于远离出声通道811一侧的高度。第一筋段8131a1的台阶面、第三筋段8131a3的台阶面和第二筋段8131a2的台阶面依次相接，形成限位台阶8131a4。

在一些示例中，定位凸筋8131a可以与第一盖板8131一体成型。在另一些示例中，定位凸筋8131a也可以粘接于第一盖板8131上，本申请对此不做限定。

请参阅图14，图14为图12所示盆架821和图13所示壳体81的装配立体图。盆架821靠近第一端面821a的一端与定位凸筋8131a固定连接。具体的，盆架821的第一环段8211固定连接在第一筋段8131a1的限位台阶8131a4处，第二环段8212固定连接在第二筋段8131a2的限位台阶8131a4处，第三环段8213固定连接在第三筋段8131a3处的限位台阶8131a4处，第四环段8214的远离第三环段8213的表面与第一侧框8132上开设出声通道811的壁板贴合。这样一来，限位台阶8134a4能够对盆架821实现xyz三个方向的限位，保证盆架821与第一盖板8131之间连接的可靠性。在一些示例中，盆架821可以通过胶粘等方式固定于定位凸筋8131a上。可以理解的是，在其他实施例中，盆架821也可以直接与第一盖板8131连接。

在此基础上，请参阅图15，图15为图10所示壳体81中的第三壳体815和图12所示盆架821的装配立体图。盆架821靠近第二端面821b的一端可以通过外侧面与第三侧框8152的第八端8152b的内侧面相连接，也可以通过第二端面821b与第三侧框8152的第八端8152b的端面相连接。在一些示例中，盆架821可以通过胶粘等方式与第三壳体815的第三侧框8152固定连接。

在另一些实施例中，扬声器模组80的壳体81也可以不包括第二壳体814，第一壳体813的第一侧框8132和第三壳体815的第三侧框8152相连接，盆架821与第一侧框8152和第三侧框8152两者中的至少一者固定连接，也即，容纳空间812由第一容纳腔8133和第三容纳腔8153构成。

在上述基础上，请返回参阅图6。振动系统822包括振膜组8221、第一音圈8222和第二音圈8223。

振膜组8221为推动扬声器模组80内空气运动的主体。请参阅图11和图16，图16为图11所示内核82中振动系统822中的振膜组8221的立体图。振膜组8221包括球顶8221a和振膜8221b。

球顶8221a整体呈板状。具体的，球顶8221a呈矩形板状。球顶8221a的长度方向与X轴平行，球顶8221a的宽度方向与Y轴平行，球顶8221a的厚度方向与Z轴平行。

振膜8221b呈环状。具体的，振膜8221b整体呈与球顶8221a相适配的矩环状，振膜8221b围绕球顶8221a的边缘的一周设置。振膜8221b的长边延伸方向与X轴平行，振膜8221b的短边延伸方向与Y轴平行。请参阅图17，图17为图16所示振膜组8221在B-B处的剖面示意图。振膜8221b包括依次连接的第一固定部8221b1、折环8221b2及第二固定部8221b3。第一固定部8221b1位于折环8221b2的内侧，第二固定部8221b3位于折环8221b2的外侧。在一些示例中，振膜8221b为一体成型件。振膜8221b与球顶8221a可以通过胶粘等连接方式相连接。在其他示例中，振膜8221b与球顶8221a也可以为一体成型件。其中，第一固定部8221b1与球顶8221a固定连接，第二固定部8221b3与盆架821固定连接。

具体地，请参阅图18，图18为图5所示扬声器模组80在C-C处的剖面示意图。振膜8221b的第二固定部8221b3与盆架821的第二端面821b可以通过胶粘等连接方式相连接。如此，振膜组8221和前述第三壳体815围设出封闭的第一空腔8121，振膜组8221、第一壳体813和盆架821围设出第二空腔8122，第一壳体813、第二壳体814和盆架821围设出第三空腔8123，即第一空腔8121和第二空腔8122分别位于振膜组8221的两侧，第三空腔8123位于振膜组8221的周侧。在其他实施例中，定位凸筋8131a和第一侧框8132上开设出声通道811的壁板形成的定位侧框的远离第一盖板8131的一端也可以与第三壳体815中第三侧框8152的第八端8152b相连接，即，第二空腔8122由第一壳体813和振膜组8221围设形成，第三空腔8123由第一壳体813、第二壳体814和第三壳体815围设形成。

图18所示实施例中，出声通道811与第二空腔8122连通，即第二空腔8122为扬声器模组80的前腔，第一空腔8121为扬声器模组80的后腔。在此基础上，在一些实施例中，第三壳体815的第三侧框8152上具有连通结构(图中未示出)，连通结构连通第一空腔8121和第三空腔8123，这样一来，可以在不增加扬声器模组80的厚度的基础上，增大扬声器模组80的后腔的体积，有利于提高扬声器模组80的低频性能。

基于此，在一些实施例中，第三空腔8123内填充有吸音材料，第三侧框8152上的连通结构可以为只允许空气通过不允许吸音材料通过的网状结构。吸音材料可以是沸石材料、活性炭材料、或者其他的具有扩容效果的材料。这样一来，可以进一步增大扬声器模组80的后腔的体积，有利于提高扬声器模组80的性能。

前述振膜8221b的折环8221b2的截面形状呈弧形或近似弧形，折环8221b2的延伸轨迹与振膜8221b的延伸轨迹相同。振膜8221b的折环8221b2受到外力时能够发生形变，使得球顶8221a能够在Z轴方向上下振动，从而推动空气振动而发出声音。图18所示的实施例中，振膜8221b的折环8221b2向靠近第一盖板8131的方向凹陷设置，即折环8221b2朝向扬声器模组80的前腔凹陷。这样，有利于减小扬声器模组80的前腔的空气体积，增大扬声器模组80的后腔的体积，从而改善扬声器模组80的高频截止频率Fh，进而改善扬声器模组80的听感，同时提升扬声器模组80的低频性能。

可以理解的是，在其他实施例中，出声通道811也可以开设在第三壳体815的第三侧框8152上，与电子设备100的出声孔222连通，即第一空腔8121为扬声器模组80的前腔，第二空腔8122为扬声器模组80的后腔。

在上述基础上，第一音圈8222和第二音圈8223用于与磁路系统823配合以驱动振膜组8221振动，进而推动扬声器模组80前腔内的空气振动以发出声音。

在一些实施例中，第一音圈8222和第二音圈8223的结构相同。第一音圈8222和第二音圈8223由音圈线绕制而成。音圈线具有较优的塑性，塑性是指产生不可恢复形变的能力，塑性较优，便于绕制形成第一音圈8222和第二音圈8223。具体地，音圈线可以选择为漆包线。在其他实施例中，第一音圈8222和第二音圈8223的结构也可以不同。

请参阅图19和图20，图19为图11所示内核82的部分结构的立体图，图20为图19所示内核82在D-D处的剖面示意图。第一音圈8222大致呈矩形环状，第一音圈8222包括相对且间隔设置的第一段8222a和第二段8222b，以及相对且间隔设置的第五段8222c和第六段8222d，第一音圈8222由第一段8222a、第五段8222c、第二段8222b和第六段8222d依次相接围合而成。图19和图20所示的实施例中，第一段8222a和第二段8222b为第一音圈8222的长边段，且延伸方向与X轴平行；第五段8222c和第六段8222d为第一音圈8222的短边段，且延伸方向与Z轴平行。

在此基础上，第一音圈8222与振膜组8221相连接，且第一音圈8222所在的平面与振膜组8221所在的平面相垂直。请继续参阅图19。在一些实施例中，第一音圈8222的第一段8222a与振膜组8221的球顶8221a相连接。在一些示例中，振动系统822还包括第一连接件8224，第一连接件8224包括第一连接部8224a和第二连接部8224b，第一连接部8224a和第二连接部8224b可以为平板状且两者相互垂直，第一连接部8224a垂直于球顶8221a且与球顶8221a相连接，第二连接部8224b与第一连接部8224a远离球顶8221a的一端相连接。第一音圈8222的第一段8222a朝向振膜组8221的表面与第二连接部8224b远离振膜组8221的表面相连接，也即，第一音圈8222通过第一连接件8224与振膜组8221相连接。这样一来，可以减小第一音圈8222在Z轴方向上的尺寸，从而有利于减小内核82的厚度，进而有利于减小扬声器模组80的厚度。

请继续参阅图19和图20，第二音圈8223大致呈矩形环状，第二音圈8223包括相对且间隔设置的第三段8223a和第四段8223b，以及相对且间隔设置的第七段8223c和第八段8223d，第二音圈8223由第三段8223a、第七段8223c、第四段8223b和第八段8223d依次相接围合而成。图19和图20所示的实施例中，第三段8223a和第四段8223b为第二音圈8223的长边段，且延伸方向与X轴平行；第七段8223c和第八段8223d为第二音圈8223的短边段，且延伸方向与Z轴平行。

在此基础上，第二音圈8223与振膜组8221相连接，且第二音圈8223所在的平面与振膜组8221所在的平面相垂直。请继续参阅图18。在一些实施例中，第二音圈8223的第三段8223a与振膜组8221的球顶8221a相连接。在一些示例中，振动系统822还包括第二连接件8225，第二连接件8225包括第三连接部8225a和第四连接部8225b，第三连接部8225a和第四连接部8225b可以为平板状且两者相互垂直，第三连接部8225a垂直于球顶8221a且与球顶8221a相连接，第四连接部8225b与第三连接部8225a远离球顶8221a的一端相连接。第二音圈8223的第三段8223a朝向振膜组8221的表面与第四连接部8225b远离振膜组8221的表面相连接，也即，第二音圈8223通过第二连接件8225与振膜组8221相连接。这样一来，可以减小第二音圈8223在Z轴方向上的尺寸，从而有利于减小内核82的厚度，进而有利于减小扬声器模组80的厚度。

在一些示例中，球顶8221a、第一连接件8224和第二连接件8225可以为一体结构件。在另一些示例中，球顶8221a、第一连接件8224和第二连接件8225也可以为分体结构件，通过胶粘等方式组装为一体，本申请对此不做限定。

在一些示例中，第一音圈8222和第二音圈8223均平行于第一基准面，第一音圈8222和第二音圈8223关于第一基准面对称设置，第一音圈8222关于第二基准面对称设置，第二音圈8223关于第二基准面对称设置，其中，第一基准面为过内核82的中心且平行于XZ平面的平面，第二基准面为过内核82的中心且平行于YZ平面的平面。这样一来，便于降低第一音圈8222和第二音圈8223与振膜组8221的设计及组装难度，且可使第一音圈8222和第二音圈8223对振膜组8221施加对称的驱动力，以保证振膜组8221的发声效果。

需要说明的是，在其他实施例中，第一音圈8222的第一段8222a也可以直接与球顶8221a固定连接。第二音圈8223的第三段8223a也可以直接与球顶8221a固定连接。第一音圈8222也可以是第五段8222c和第六段8222d与球顶8221a相连接。第二音圈8223也可以是第七段8223c和第八段8223d与球顶8221a相连接。

在上述基础上，内核82还包括第一外接端子(图中未示出)和第二外接端子(图中未示出)，第一外接端子和第二外接端子固定于盆架821上，且与电子设备100的第二电路板40电连接。第一音圈8222和第二音圈8223均与第一外接端子和第二外接端子电连接，以通过第一外接端子和第二外接端子接收来自第二电路板40的驱动信号，在磁路系统823的磁场作用下产生驱动力驱动振膜组8221振动。这样一来，内核82的外接端子数量较少，便于与第二电路板40电连接。

在一些实施例中，第一音圈8222和第二音圈8223串联于第一外接端子和第二外接端子之间。这样一来，第一音圈8222和第二音圈8223内的电流时刻相同，第一音圈8222和第二音圈8223驱动振膜组8221的同步性好，进而保证扬声器模组80的发声效果。

在另一些实施例中，第一音圈8222和第二音圈8223并联于第一外接端子和第二外接端子之间。这样一来，相对于第一音圈8222和第二音圈8223串联的方式，在保证第一外接端子和第二外接端子之间的音圈的电阻以及长度相同的情况下，可以增大第一音圈8222和第二音圈8223的电阻，从而减小第一音圈8222和第二音圈8223的线径，进而一方面减小第一音圈8222和第二音圈8223在Z轴方向上的尺寸，有利于扬声器模组80的薄型化；另一方面减小第一音圈8222和第二音圈8223在Y轴方向的尺寸，可以使得磁路系统823的磁间隙较小，磁场强度较大，有利于增加扬声器模组80的灵敏度；又一方面，减小第一音圈8222和第二音圈8223的重量，同样有利于增加扬声器模组80的灵敏度。

在上述基础上，请参阅图21和图22，图21为图11所示内核82的部分结构的分解结构示意图，图22为图11所示内核82在E-E处的剖面示意图。磁路系统823包括第一磁体组件8231、第二磁体组件8232和第三磁体组件8233。第二磁体组件8232和第三磁体组件8233分别设置于第一磁体组件8231的相对的两侧，也即，第三磁体组件8233设置于第一磁体组件8231远离第二磁体组件8232的一侧。图21和图22所示的实施例中，第二磁体组件8232和第三磁体组件8233沿Y轴方向分别设置于第一磁体组件8231的相对的两侧。

磁路系统823与第一音圈8222和第二音圈8223位于振膜组8221的同一侧。第一磁体组件8231和第二磁体组件8232之间形成第一磁间隙K1，第一磁间隙K1贯穿磁路系统823，第一音圈8222位于第一磁间隙K1内，具体地，第一音圈8222的第一段8222a和第二段8222b中的至少一个位于第一磁间隙K1内。第一磁体组件8231和第三磁体组件8233之间形成第二磁间隙K2，第二磁间隙K2贯穿磁路系统823，第二音圈8223位于第二磁间隙K2内，具体地，第二音圈8223的第三段8223a和第四段8223b中的至少一个位于第二磁间隙K2内。这样一来，第一音圈8222和第二音圈8223内通入电流时，第一音圈8222和第二音圈8223分别在第一磁间隙K1内的磁场和第二磁间隙K2内的磁场的作用下沿Z轴方向振动，进而驱动振膜组8221的球顶8221a沿Z轴方向振动而发出声音。

在一些实施例中，请返回参阅图18，本实施例中，磁路系统823、第一音圈8222和第二音圈8223均位于振膜组8221靠近第一壳体813的一侧，即磁路系统823、第一音圈8222和第二音圈8223均位于扬声器模组80的第二空腔8122(前腔)内。

这样一来，第二空腔8122与电子设备100的外部连通，有利于对第一音圈8222和第二音圈8223进行散热。此外，相对于磁路系统823、第一音圈8222和第二音圈8223位于第一空腔内，本实施例由于振膜组8221距离扬声器模组80的出声通道811的距离较远，使得振膜组8221在振动时，第二空腔8122(前腔)内各处气流的均匀性较好，扬声器模组80的发声性能较好；同时，磁路系统823靠近第一壳体813的第一盖板8131的表面可以距离第一盖板8131尽可能地近，第二空腔8122内的空气部分的高度只需预留为振膜组8221最大振幅即可，无需额外增加高度，因而有利于减小扬声器模组80的前腔的空气体积，增大扬声器模组80的后腔的体积，从而改善扬声器模组80的高频截止频率Fh，进而改善扬声器模组80的听感，同时提升扬声器模组80的低频性能。

可以理解的是，在其他实施例中，磁路系统823、第一音圈8222和第二音圈8223也可以均位于扬声器模组80的第一空腔8121内。

请参阅图21和图22，第一磁体组件8231包括第一磁体8231a和第一导磁轭8231b。第一磁体8231a可以作为磁路系统823的中心磁体。第一磁体8231a可以呈矩形平板状，第一磁体8231a的长边的延伸方向与X轴平行，第一磁体8231a的短边的延伸方向与Y轴平行。第一磁体8231a沿垂直于振膜组8221所在平面的方向充磁，即第一磁体8231a沿Z轴方向充磁。第一导磁轭8231b可以呈平板状，第一导磁轭8231b沿垂直于振膜组8221所在平面的方向层叠设置于第一磁体8231a的一侧表面上，也即，第一导磁轭8231b沿Z轴方向层叠设置于第一磁体8231a的一侧表面上。这样一来，第一导磁轭8231b能够约束磁力线，以增大第一磁间隙K1和第二磁间隙K2内的磁流强度，以提高第一音圈8222和第二音圈8223对振膜组8221的驱动强度。

图21和图22所示的实施例中，第一导磁轭8231b沿Z轴方向层叠设置于第一磁体8231a靠近振膜组8221一侧的表面上。在其他实施例中，第一导磁轭8231b也可以沿Z轴方向层叠设置于第一磁体8231a远离振膜组8221一侧的表面上。第一导磁轭8231b可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于第一磁体8231a的表面上。

在一些示例中，第一导磁轭8231b还可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式固定于盆架821上。在另一些示例中，第一导磁轭8231b还可以通过其他结构件间接地固定于盆架821上。这样一来，第一导磁轭8231b还可以作为连接支撑件将第一磁体8231a固定于盆架821上。

请继续参阅图21和图22，第二磁体组件8232包括第二磁体8232a和第二导磁轭8232b。第二磁体8232a可以作为磁路系统823的一个边磁体。第二磁体8232a可以呈矩形平板状，第二磁体8232a的长边的延伸方向与X轴平行，第二磁体8232a的短边的延伸方向与Y轴平行。第二磁体8232a沿垂直于振膜组8221所在平面的方向充磁，即第二磁体8232a沿Z轴方向充磁，且与第一磁体8231a的充磁方向相反。第二导磁轭8232b可以呈平板状，第二导磁轭8232b沿垂直于振膜组8221所在平面的方向层叠设置于第二磁体8232a的一侧表面上，也即，第二导磁轭8232b沿Z轴方向层叠设置于第二磁体8232a的一侧表面上。这样一来，第二导磁轭8232b能够约束磁力线，进一步增大第一磁间隙K1内的磁流强度，以提高第一音圈8222对振膜组8221的驱动强度。

图21和图22所示的实施例中，第二导磁轭8232b沿Z轴方向层叠设置于第二磁体8232a靠近振膜组8221一侧的表面上。在其他实施例中，第二导磁轭8232b也可以沿Z轴方向层叠设置于第二磁体8232a远离振膜组8221一侧的表面上。第二导磁轭8232b可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于第二磁体8232a的表面上。

在一些示例中，第二导磁轭8232b还可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式固定于盆架821上。在另一些示例中，第二导磁轭8232b还可以通过其他结构件间接地固定于盆架821上。这样一来，第二导磁轭8232b还可以作为连接支撑件将第二磁体8232a固定于盆架821上。

请继续参阅图21和图22，第三磁体组件8233包括第三磁体8233a和第五导磁轭8233b。第三磁体8233a可以作为磁路系统823的另一个边磁体。第三磁体8233a可以呈矩形平板状，第三磁体8233a的长边的延伸方向与X轴平行，第三磁体8233a的短边的延伸方向与Y轴平行。第三磁体8233a沿垂直于振膜组8221所在平面的方向充磁，即第三磁体8233a沿Z轴方向充磁，且与第一磁体8231a的充磁方向相反。第五导磁轭8233b可以呈平板状，第五导磁轭8233b沿垂直于振膜组8221所在平面的方向层叠设置于第三磁体8233a的一侧表面上，也即，第五导磁轭8233b沿Z轴方向层叠设置于第三磁体8233a的一侧表面上。这样一来，第五导磁轭8233b能够约束磁力线，进一步增大第二磁间隙K2内的磁流强度，以提高第二音圈8223对振膜组8221的驱动强度。

图21和图22所示的实施例中，第五导磁轭8233b沿Z轴方向层叠设置于第三磁体8233a靠近振膜组8221一侧的表面上。在其他实施例中，第五导磁轭8233b也可以沿Z轴方向层叠设置于第三磁体8233a远离振膜组8221一侧的表面上。第五导磁轭8233b可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于第三磁体8233a的表面上。

在一些示例中，第五导磁轭8233b还可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式固定于盆架821上。在另一些示例中，第五导磁轭8233b还可以通过其他结构件间接地固定于盆架821上。这样一来，第五导磁轭8233b还可以作为连接支撑件将第三磁体8233a固定于盆架821上。

综上所述，电子设备100的内核82，通过将第一导磁轭8231b层叠设置于第一磁体8231a的表面，将第二导磁轭8232b层叠设置于第二磁体8232a的表面，将第五导磁轭8233b层叠设置于第三磁体8233a的表面，且第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b固定于盆架821，使得第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b既可以约束磁力线，增加第一磁间隙K1和第二磁间隙K2内的磁流强度以增大音圈对振膜组8221的驱动力，又可以作为第一磁体8231a、第二磁体8232a和第三磁体8233a的连接支撑件。

在此基础上，通过使第一音圈8222所在的平面以及第二音圈8223所在的平面垂直于振膜组8221所在的平面，使得相对于相关技术的内核82中第一音圈8222所在平面平行于振膜组8221所在平面的技术方案，本申请实施例在保证第一音圈8222和第二音圈8223的振动空间的基础上，无需在第一磁体8231a、第二磁体8232a和第三磁体8233a远离振膜组8221一侧的表面额外设置一个导磁轭以支撑连接第一磁体8231a、第二磁体8232a和第三磁体8233a，因而磁路系统823的厚度可以与第一磁间隙K1和第二磁间隙K2的深度近似相同，从而使得内核82在厚度方向的尺寸减小，进而使得扬声器模组80的厚度减小，有利于实现电子设备100的薄型化。

此外，通过使用第一音圈8222和第二音圈8223两个音圈驱动振膜组8221振动，相对于仅使用第一音圈8222或第二音圈8223对驱动振膜组8221振动，能够增大对振膜组8221的驱动力，有利于提高扬声器模组80的灵敏度。

第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b可以均位于相应的磁体的同一侧，也可以位于相应的磁体的不同侧。

在一些实施例中，请继续参阅图21和图22，第一导磁轭8231b位于第一磁体8231a靠近振膜组8221的一侧，第二导磁轭8232b位于第二磁体8232a靠近振膜组8221的一侧，第五导磁轭8233b位于第三磁体8233a靠近振膜组8221的一侧。在此基础上，第一音圈8222的第一段8222a位于第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b形成的间隙内，第二音圈8223的第三段8223a位于第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b形成的间隙内。这样一来，第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b形成的间隙内的磁流强度较大，第一音圈8222通电时，第一段8222a会对振膜组8221具有较强的驱动力。同理，第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b形成的间隙内的磁流强度较大，第二音圈8223通电时，第三段8223a会对振膜组8221具有较强的驱动力，从而保证扬声器模组80的灵敏度。

在另一些实施例中，请参阅图23，图23为本申请另一些实施例提供的内核82的剖面示意图。第一导磁轭8231b位于第一磁体8231a远离振膜组8221的一侧，第二导磁轭8232b位于第二磁体8232a远离振膜组8221的一侧，第五导磁轭8233b位于第三磁体8233a远离振膜组8221的一侧。在此基础上，第一音圈8222的第二段8222b位于第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b形成的间隙内，第二音圈8223的第四段8223b位于第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b形成的间隙内。这样一来，第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b形成的间隙内的磁流强度较大，第一音圈8222通电时，第二段8222b会对振膜组8221具有较强的驱动力。同理，第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b形成的间隙内的磁流强度较大，第二音圈8223通电时，第四段8223b会对振膜组8221具有较强的驱动力，从而保证扬声器模组80的灵敏度。

在其他实施例中，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b中的两者可以位于相应的磁体靠近振膜组8221的一侧，另一者位于相应的磁体远离振膜组8221的一侧；或者，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b中的两者可以位于相应的磁体远离振膜组8221的一侧，另一者位于相应的磁体靠近振膜组8221的一侧。

在一些实施例中，请返回参阅图21，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b位于同一平面内，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b为一体成型件。这样一来，便于设计及加工第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b，也便于组装磁路系统823，以及将磁路系统823与盆架821进行组装。

具体地，可以通过在矩形的导磁板上开设两个沿X轴方向延伸的长条孔形成第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b，两个长条孔分别为第一磁间隙K1和第二磁间隙K2的一部分。第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b整体的相邻的两个边缘可以分别平行于X轴和Y轴。这样一来，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b的加工工艺简单，可以高效地进行大批量生产。

基于此，在一些示例中，请参阅图21和图22，盆架821的第三环段8213处的第一端面821a具有第一安装槽8213a，第一安装槽8213a贯穿第三环段8213处的第一内侧面821c和第一外侧面821d。盆架821的第四环段8214处的第一端面821a具有第二安装槽8214a，第二安装槽8214a贯穿第四环段8214处的第一内侧面821c和第一外侧面821d。盆架821的第一环段8211处的第一内侧面821c具有第三安装槽8211a，第三安装槽8211a贯穿第三环段8213和第四环段8214处的第一外侧面821d；盆架821的第二环段8212处的第一内侧面821c具有第四安装槽8212a，第四安装槽8212a贯穿第三环段8213和第四环段8214处的第一外侧面821d。第一安装槽8213a远离第一端面821a的槽壁、第三安装槽8211a远离第一端面821a的槽壁、第二安装槽8214a远离第一端面821a的槽壁和第四安装槽8212a远离第一端面821a的槽壁依次相接且共面。

在此基础上，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b整体的沿X方向的两端分别嵌入第三安装槽8211a和第四安装槽8212a内，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b整体的靠近振膜组8221的表面与第一安装槽8213a远离第一端面821a的槽壁贴合。第二磁体8232a嵌入第一安装槽8213a内，第三磁体8233a嵌入第二安装槽8214a内；沿X轴方向：第二磁体8232a的两端与第一安装槽8213a的两个槽壁贴合，第三磁体8233a的两端与第二安装槽8214a的槽壁贴合。这样一来，可以使磁路系统823沿Y方向的两个边缘与盆架821的第一外侧面821d平齐，以尽可能地减小内核82的尺寸，进而利于扬声器模组80的尺寸。此外，还可以使盆架821的第一环段8211和第二环段8212与第一磁体8231a之间的间隙尽可能小，从而使得内核82的结构更加紧凑。

在其他示例中，盆架821也可以不具有第一安装槽8213a、第三安装槽8211a、第二安装槽8214a和第四安装槽8212a，盆架821围绕磁路系统823一周设置，可以通过在盆架821的第一内侧面821c上设置支撑板，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b整体与支撑板进行连接以实现与盆架821的固定连接。

可以理解的是，在其他实施例中，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b也可以为分体结构，各自固定于盆架821。

磁路系统823中的第一磁体8231a、第二磁体8232a和第三磁体8233a的厚度可以不同。

在一些实施例中，请继续参阅图21和图22，磁路系统823中，第二磁体组件8232还包括第三导磁轭8232c，第三导磁轭8232c层叠设置于第二磁体8232a远离第二导磁轭8232b的一侧表面上。第三磁体组件8233还包括第六导磁轭8233c，第六导磁轭8233c层叠设置于第三磁体8233a远离第五导磁轭8233b的一侧表面上。这样一来，第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c能够约束磁力线，防止扬声器模组80漏磁，同时，还能够进一步增大第一磁间隙K1和第二磁间隙K2之间的磁流强度。

图21和图22所示的实施例中，第三导磁轭8232c呈矩形平板状，第三导磁轭8232c的长边与X轴平行，短边与Y轴平行。第三导磁轭8232c可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于第二磁体8232a的表面上。第六导磁轭8233c呈矩形平板状，第六导磁轭8233c的长边与X轴平行，短边与Y轴平行。第六导磁轭8233c可以通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于第三磁体8233a的表面上。在其他实施例中，第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c也可以呈其他形状。

在此基础上，在一些实施例中，请继续参阅图21和图22，第一磁体8231a的厚度大于第二磁体8232a的厚度，第一磁体8231a的厚度大于第三磁体8233a的厚度。这样一来，在兼顾内核82的薄型化的基础上，可以尽可能地增加第一磁体8231a的厚度，以使磁路系统823具有尽可能大地磁场强度，以使第一音圈8222和第二音圈8223在磁路系统823提供的磁场的作用下，对振膜组8221具有尽可能大地驱动力，保证扬声器模组80的灵敏度。

第二磁体8232a的厚度和第三导磁轭8232c的厚度之和可以小于或等于第一磁体8231a的厚度。第三磁体8233a的厚度和第六导磁轭8233c的厚度之和可以小于或等于第一磁体8231a的厚度。本申请对此不做限定。

在另一些实施例中，请参阅图24和图25，图24为本申请又一些实施例提供的内核82的剖面示意图，图25为图24所示内核82中的磁路系统823的分解结构示意图。磁路系统823中，第一磁体组件8231还包括第四导磁轭8231c，第四导磁轭8231c层叠设置于第一磁体8231a远离第一导磁轭8231b的一侧表面上。这样一来，第四导磁轭8231c同样能够约束磁力线，防止扬声器模组80漏磁，同时，还能够进一步增大第一磁间隙K1和第二磁间隙K2之间的磁流强度。

在此基础上，在一些实施例中，请继续参阅图24和图25，第一磁体8231a的厚度小于第二磁体8232a的厚度，第一磁体8231a的厚度小于第三磁体8233a的厚度。这样一来，在兼顾内核82的薄型化的基础上，可以尽可能地增加第二磁体8232a和第三磁体8233a的厚度，以使磁路系统823具有尽可能大地磁场强度，以使第一音圈8222和第二音圈8223在磁路系统823提供的磁场的作用下，对振膜组8221具有尽可能大地驱动力，保证扬声器模组80的灵敏度。

第一磁体8231a的厚度和第三导磁轭8232c的厚度之和可以小于或等于第二磁体8232a的厚度。第一磁体8231a的厚度和第三导磁轭8232c的厚度之和可以小于或等于第三磁体8233a的厚度。本申请对此不做限定。

磁路系统823中的第一磁体8231a、第二磁体8232a和第三磁体8233a的厚度也可以相同。请参阅图26和图27，图26为本申请又一些实施例提供的内核82的剖面示意图，图27为图26所示内核82中的磁路系统823的分解结构示意图。本实施例中，磁路系统823中，第一磁体组件8231还包括第四导磁轭8231c，第二磁体组件8232还包括第三导磁轭8232c，第三磁体组件8233还包括第六导磁轭8233c。第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c在相应的磁体上的设置方式及位置与前述实施例相同，此处不再赘述。这样一来，第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c能够约束磁力线，防止扬声器模组80漏磁，同时，还能够进一步增大第一磁间隙K1和第二磁间隙K2之间的磁流强度。

与前述实施例不同的是，图26和图27所示的实施例中，第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c可以位于同一平面内，第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c为一体成型件。这样一来，便于设计及加工第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c，也便于组装磁路系统823，以及将磁路系统823与盆架821进行组装。

具体地，可以通过在矩形的导磁板上开设两个沿X轴方向延伸的长条孔形成第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c，两个长条孔分别为第一磁间隙K1和第二磁间隙K2的一部分。第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c整体的相邻的两个边缘可以分别平行于X轴和Y轴。这样一来，第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c的加工工艺简单，可以高效地进行大批量生产。

可以理解的是，在其他实施例中，第四导磁轭8231c、第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c也可以为分体结构，本申请对此不做限定。

为了提高扬声器模组80的灵敏度，在上述基础上，请参阅图28和图29，图28为图22所示内核82的磁力线发射示意图，图29为图28所示内核82的穿过第一音圈8222或第二音圈8223的磁通量曲线图。本实施例中，第一导磁轭8231b、第二导磁轭8232b和第五导磁轭8233b均位于相应的磁体靠近振膜组8221的一侧，第三导磁轭8232c和第六导磁轭8233c均位于相应的磁体远离振膜组8221的一侧。

在此基础上，第三导磁轭8232c在第一平面内的正投影与第一音圈8222的第二段8222b在第一平面内的正投影交叠，第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b在第一平面内的正投影与第一音圈8222的第一段8222a交叠。也即，第一音圈8222的第一段8222a位于第一导磁轭8231b和第二导磁轭8232b形成的间隙内，第一音圈8222的第二段8222b位于第三导磁轭8232c和第一磁体8231a形成的间隙内。

第六导磁轭8233c在第二平面内的正投影与第二音圈8223的第四段8223b在第二平面内的正投影交叠，第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b在第二平面内的正投影与第二音圈8223的第三段8223a在第二平面内的正投影交叠。也即，第二音圈8223的第三段8223a位于第一导磁轭8231b和第五导磁轭8233b形成的间隙内，第二音圈8223的第四段8223b位于第六导磁轭8233c和第一磁体8231a形成的间隙内。可以理解的是，第一平面和第二平面可以为前述的第一基准面。

这样一来，第一音圈8222的第一段8222a和第二段8222b均处于第一磁间隙K1内磁流密度较大的区域，第一音圈8222的第一段8222a和第二段8222b内的电流方向相反，穿过第一段8222a的磁力线方向和穿过第二段8222b的磁力线的方向相反，因此，第一音圈8222的第一段8222a对振膜组8221的驱动力和第二段8222b对振膜组8221的驱动力的方向相同，使得第一音圈8222的第一段8222a和第二段8222b可以叠加对振膜组8221施加驱动力。同理，第二音圈8223的第三段8223a对振膜组8221的驱动力和第四段8223b对振膜组8221的驱动力的方向相同，使得第二音圈8223的第三段8223a和第四段8223b可以叠加对振膜组8221施加驱动力。因此，在实现扬声器模组80薄型化的基础上，可以提高扬声器模组80的灵敏度。

此外，请参阅图29，图29中以第一音圈8222为例，图中横坐标为第一音圈8222的位移(mm)，其中，第一音圈8222的正方向位移为图28中Z轴的正方向的位移，第一音圈8222的负方向位移为图28中Z轴的负方向的位移；图中纵坐标为穿过第一音圈8222的磁通量(Wb/m)。由图29可知，第一音圈8222在振动时，穿过第一音圈8222的磁通量的衰减(第一音圈8222在零位移处的磁通量与在位移最大时的磁通量的差)更小，有利于提高扬声器模组80的灵敏度。

在一些实施例中，磁路系统823可以为对称结构，磁路系统823关于第一基准面对称，且关于第二基准面对称。这样一来，可以降低磁路系统823的设计难度及组装难度，也可以使第一音圈8222和第二音圈8223对振膜组8221施加对称的驱动力，保证扬声器模组80的发声性能。

以上实施例以振动系统822包括第一音圈8222和第二音圈8223为例进行的说明。在其他实施例中，振动系统822也可以不包括第二音圈8223，第一音圈8222位于第一基准面内。相应地，磁路系统823也可以不包括第三磁体组件8233，其余结构可以与上述实施例相同，也即扬声器模组80的内核82中，振膜组8221通过一个第一音圈8222进行驱动以振动发出声音。

同理，在又一些实施例中，振动系统822还可以包括沿Y方向间隔设置于第一磁体组件8231两侧的第三音圈和第四音圈，磁路系统823还可以包括沿Y方向间隔设置于第一磁体组件8231两侧的第四磁体组件和第五磁体组件，第三音圈位于第一磁体组件和第四磁体组件形成的第三磁间隙中，第四音圈位于第一磁体组件和第五磁体组件形成的第四磁间隙中。其中，第三音圈和第四音圈的结构及与振膜组8221的连接结构可以与第一音圈8222和第二音圈8223相同，第四磁体组件和第五磁体组件的结构可以与第二磁体组件和第三磁体组件相同，此处不再赘述。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (19)

1.一种内核，其特征在于，包括：

振膜组；

第一音圈，所述第一音圈与所述振膜组相连接；所述第一音圈所在的平面与所述振膜组所在的平面相垂直；

磁路系统，所述磁路系统与所述第一音圈位于所述振膜组的同一侧；所述磁路系统具有第一磁间隙，所述第一磁间隙沿垂直于所述振膜组所在平面的方向贯穿所述磁路系统；其中，所述第一音圈位于所述第一磁间隙内，所述第一音圈与所述磁路系统配合以驱动所述振膜组振动。

2.根据权利要求1所述的内核，其特征在于，

所述内核还包括：盆架，所述振膜组与所述盆架相连接；

所述磁路系统包括第一磁体组件和第二磁体组件；所述第一磁体组件包括第一导磁轭和第一磁体，所述第一导磁轭沿垂直于所述振膜组所在平面的方向层叠设置于所述第一磁体的一侧表面上，且固定于所述盆架；所述第二磁体组件包括第二导磁轭和第二磁体，所述第二导磁轭沿垂直于所述振膜组所在平面的方向层叠设置于所述第二磁体的一侧表面上，且固定于所述盆架；所述第一磁体和所述第二磁体沿垂直于所述振膜组所在平面的方向充磁且充磁方向相反，所述第一磁体组件和所述第二磁体组件之间形成所述第一磁间隙。

3.根据权利要求2所述的内核，其特征在于，

所述第一导磁轭位于所述第一磁体靠近所述振膜组的一侧，所述第二导磁轭位于所述第二磁体靠近所述振膜组的一侧；或，

所述第一导磁轭位于所述第一磁体远离所述振膜组的一侧，所述第二导磁轭位于所述第二磁体远离所述振膜组的一侧；

其中，部分所述第一音圈位于所述第一导磁轭和所述第二导磁轭形成的间隙内。

4.根据权利要求3所述的内核，其特征在于，

所述第二磁体组件还包括：第三导磁轭，所述第三导磁轭层叠设置于所述第二磁体远离所述第二导磁轭的一侧表面上。

5.根据权利要求4所述的内核，其特征在于，

沿垂直于所述振膜组所在平面的方向，所述第一磁体的厚度大于所述第二磁体的厚度。

6.根据权利要求3所述的内核，其特征在于，

所述第一磁体组件还包括：第四导磁轭，所述第四导磁轭层叠设置于所述第一磁体远离所述第一导磁轭的一侧表面上。

7.根据权利要求4所述的内核，其特征在于，

所述第一音圈包括沿垂直于所述振膜组所在平面分布的第一段和第二段，所述第一段相对于所述第二段更靠近所述振膜组；

所述第三导磁轭位于所述第二磁体远离所述振膜组的一侧；所述第三导磁轭在第一平面内的正投影与所述第二段在第一平面内的正投影交叠，所述第一导磁轭和所述第二导磁轭在第一平面内的正投影与所述第一段交叠；所述第一平面平行于所述第一音圈所在的平面。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的内核，其特征在于，

所述磁路系统还包括：第三磁体组件，所述第三磁体组件设置于所述第一磁体组件远离所述第二磁体组件的一侧，所述第三磁体组件包括第五导磁轭和第三磁体，所述第五导磁轭沿垂直于所述振膜组所在平面的方向层叠设置于所述第三磁体的一侧表面上，且固定于所述盆架；所述第三磁体沿垂直于所述振膜组所在平面的方向充磁且与所述第一磁体的充磁方向相反；所述第三磁体组件与所述第一磁体组件形成第二磁间隙，所述第二磁间隙沿垂直于所述振膜组所在平面的方向贯穿所述磁路系统；

所述内核还包括：第二音圈，所述第二音圈与所述第一音圈位于所述振膜组的同一侧；所述第二音圈所在的平面与所述振膜组所在的平面相垂直；所述第二音圈位于所述第二磁间隙内。

9.根据权利要求8所述的内核，其特征在于，

所述第一导磁轭、所述第二导磁轭和所述第五导磁轭位于同一平面内；

所述第一导磁轭、所述第二导磁轭和所述第五导磁轭为一体成型件。

10.根据权利要求8所述的内核，其特征在于，

所述第三磁体组件还包括：第六导磁轭，所述第六导磁轭层叠设置于所述第三磁体远离所述第五导磁轭一侧的表面上。

11.根据权利要求10所述的内核，其特征在于，

沿垂直于所述振膜组所在平面的方向，所述第一磁体的厚度大于所述第三磁体的厚度。

12.根据权利要求10所述的内核，其特征在于，

所述第二音圈包括沿垂直于所述振膜组所在平面分布的第三段和第四段，所述第三段相对于所述第四段更靠近所述振膜组；

所述第六导磁轭位于所述第三磁体远离所述振膜组的一侧；所述第六导磁轭在第二平面内的正投影与所述第四段在第二平面内的正投影交叠，所述第一导磁轭和所述第五导磁轭在第二平面内的正投影与所述第三段在第二平面内的正投影交叠；所述第二平面平行于所述第二音圈所在的平面。

13.根据权利要求8所述的内核，其特征在于，

所述内核还包括第一外接端子和第二外接端子；

所述第一音圈和所述第二音圈串联于所述第一外接端子和所述第二外接端子之间；或，

所述第一音圈和所述第二音圈并联于所述第一外接端子和所述第二外接端子之间。

14.根据权利要求2-7中任一项所述的内核，其特征在于，所述内核还包括：

第三壳体，所述第三壳体设置于所述振膜组远离所述磁路系统的一侧；所述第三壳体包括第三盖板和第三侧框，所述第三侧框绕所述第三盖板的外边缘一周设置，所述第三侧框的两端分别与所述第三盖板和所述盆架相连接以围设出第一空腔；所述第三侧框具有连通结构，所述连通结构连通所述第一空腔的内外两侧。

15.一种扬声器模组，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体具有出声通道；

如权利要求1-13中任一项所述的内核，所述内核设置于所述壳体内，所述内核将所述壳体的内部空间分隔为前腔和后腔，至少部分所述前腔和至少部分所述后腔分别位于所述振膜组的两侧；

其中，所述出声通道连通所述前腔和所述壳体外部。

16.根据权利要求15所述的扬声器模组，其特征在于，

所述第一音圈和所述磁路系统位于所述前腔内。

17.一种扬声器模组，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体具有出声通道；

如权利要求14所述的内核，所述内核设置于所述壳体内；

所述壳体和所述内核围设出第二空腔和第三空腔，所述第二空腔位于所述振膜组远离所述第一空腔的一侧，所述第三空腔位于所述振膜组的周侧，所述第三空腔和所述第一空腔通过所述连通结构连通；

其中，所述第一音圈和所述磁路系统位于所述第二空腔内；所述出声通道连通所述第二空腔和所述壳体外部。

18.根据权利要求17所述的扬声器模组，其特征在于，

所述第三空腔内填充有吸音材料。

19.一种电子设备，其特征在于，包括：

外壳，所述外壳具有出声孔；

如权利要求15-18中任一项所述的扬声器模组，所述扬声器模组设置于所述外壳内，所述扬声器模组的所述出声通道与所述出声孔相连通。

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