CN116055961B - 内核、扬声器模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种内核、扬声器模组和电子设备。内核包括:振膜组、磁路系统、音圈、电连接件和缓冲材料；在振膜组的振动方向上，磁路系统和音圈位于振膜组的同一侧；磁路系统具有环形的磁间隙，音圈与振膜组相连，且音圈的部分位于磁间隙内；电连接件位于音圈的外周，且与音圈电连接，在振膜组的振动方向上，电连接件处于磁路系统与振膜组之间，电连接件的正对磁路系统的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。在本申请的内核中，可以利用振膜组与磁路系统之间原有的为振膜组的振动预留的振动空间来设置电连接件，从而可以减小内核的厚度，进而可以减小扬声器模组的厚度，有益于电子设备的薄型化设计。

Description

内核、扬声器模组和电子设备

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种内核、扬声器模组和电子设备。

背景技术

目前诸如个人电脑(personal computer，PC)、平板、手机等电子设备，因消费需求，需要设计得越来越轻薄。尤其是对于可折叠的电子设备来说，在折叠状态，电子设备的整体厚度较厚，因此对于可折叠的电子设备来说，轻薄化的需求更加的迫切。同时，随着消费需求的提高，还需要这些电子设备达成更佳的音效体验。因此，这就需要设计一款兼具轻薄化和音频效果的扬声器。

发明内容

本申请实施例提供一种内核、扬声器模组和电子设备，有利于减小电子设备的厚度，提高出音效果。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供一种内核，包括:振膜组、磁路系统、音圈、电连接件和缓冲材料；在振膜组的振动方向上，磁路系统和音圈位于振膜组的同一侧；磁路系统具有环形的磁间隙，音圈与振膜组相连，且音圈的部分位于磁间隙内；电连接件位于音圈的外周，且与音圈电连接，在振膜组的振动方向上，电连接件处于磁路系统与振膜组之间，电连接件的正对磁路系统的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。

在本申请实施例的内核中，将电连接件置于音圈的外周，且在振膜组的振动方向上，使得电连接件处于磁路系统与振膜组之间。这样一来，可以利用振膜组与磁路系统之间原有的为振膜组的振动预留的振动空间来设置电连接件，从而可以减小内核的厚度，进而可以减小扬声器模组的厚度，有益于电子设备的薄型化设计。此外，在振膜组的振动方向上，电连接件的与磁路系统正对的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。由于缓冲材料具有一定的变形能力，电连接件在音圈的带动下振动时，缓冲材料可以利用自身的变形来减弱对电连接件的振动所产生的干涉，从而有利于在不影响音圈和电连接件的移动的前提下，利用缓冲材料连接电连接件和磁路系统，可以至少在一定程度上防止电连接件拍打磁路系统，从而可以至少在一定程度上避免出现杂音，有利于提高内核的出音效果，同时还可以避免电连接件长期工作下发生疲劳断裂。

在本申请第一方面的一些实施例中，音圈具有两个引出端子，两个引出端子在音圈的周向上间隔开；电连接件包括两个电连接单元，两个电连接单元在音圈的周向上间隔分布，每个电连接单元均包括第一端部和连接枝节，两个电连接单元与两个引出端子一一对应，每个电连接单元借助自身的第一端部与对应的引出端子电连接；连接枝节包括活动段和固定段，活动段连接在第一端部和固定段之间且悬空设置，每个电连接单元的固定段通过缓冲材料连接于磁路系统。由于靠近第一端部的活动段在随着音圈的移动而振动时，其振动幅度比较大，通过使得活动段悬空，更加有利于活动段随着音圈的移动而移动，同时还可以防止活动段与内核的其它结构之间产生干涉，进而有利于防止电连接件与内核的其它结构之间产生拍打杂音。

在本申请第一方面的一些实施例中，磁路系统包括：中心磁体、边磁体和边缘导磁轭；边磁体围绕中心磁体的一周设置，边磁体的充磁方向与中心磁体的充磁方向相反，边磁体与中心磁体之间间隔开以形成磁间隙；边缘导磁轭层叠设置于边磁体的朝向振膜组的表面上，每个电连接单元的固定段通过缓冲材料连接于边缘导磁轭。

在本申请第一方面的一些实施例中，边磁体包括第一边磁体，第一边磁体处于中心磁体的一侧；边缘导磁轭包括第一边缘导磁轭，第一边缘导磁轭层叠固定于第一边磁体；两个电连接单元处于中心磁体的邻近第一边缘导磁轭的一侧，且每个电连接单元的固定段通过缓冲材料连接于第一边缘导磁轭。

在本申请第一方面的一些实施例中，磁路系统具有两个避让空间，两个避让空间与两个电连接单元一一对应，每个避让空间用于避让对应的电连接单元的活动段。从而实现活动段的悬空设置。

在本申请第一方面的一些实施例中，边磁体还包括第三边磁体和第四边磁体，在音圈的周向上，第三边磁体和第四边磁体位于第一边磁体的两侧，第三边磁体与第一边磁体之间以及第四边磁体与第一边磁体之间均间隔设置以分别形成间隔空间；边缘导磁轭还包括第三边缘导磁轭、第四边缘导磁轭、第一边缘磁轭部和第二边缘磁轭部，第三边缘导磁轭层叠设置于第三边磁体，第四边缘导磁轭层叠设置于第四边磁体，第一边缘磁轭部连接在第一边缘导磁轭和第三边缘导磁轭之间，第二边缘磁轭部连接在第一边缘导磁轭和第四边缘导磁轭之间，第一边缘磁轭部和第二边缘磁轭部的邻近中心磁体的一端分别具有让位缺口；其中，第一边缘磁轭部的让位缺口、以及第一边磁体和第三边磁体之间的间隔空间共同限定出其中一个避让空间；第二边缘磁轭部的让位缺口、以及第一边磁体和第四边磁体之间的间隔空间共同限定出另一个避让空间。由此，结构简单，便于装配。

在本申请第一方面的一些实施例中，边磁体还包括第三边磁体和第四边磁体，在音圈的周向上，第三边磁体和第四边磁体位于第一边磁体的两侧，第三边磁体与第一边磁体之间以及第四边磁体与第一边磁体之间均间隔设置以分别形成间隔空间；边缘导磁轭还包括第三边缘导磁轭和四边缘导磁轭，第三边缘导磁轭层叠设置于第三边磁体，第四边缘导磁轭层叠设置于第四边磁体；在音圈的周向上，第一边缘导磁轭与第三边缘导磁轭之间间隔开且二者相互独立。第一边缘导磁轭与第四边缘导磁轭之间间隔开且二者相互独立。这样一来，在音圈的周向上，第一边缘导磁轭与第三边缘导磁轭之间的间隔区域以及第一边磁体与第三边磁体之间的间隔空间可以共同限定出用于避让其中一个电连接单元的活动段的避让空间。在音圈的周向上，第一边缘导磁轭与第四边缘导磁轭之间的间隔区域以及第一边磁体与第四边磁体之间的间隔空间可以共同限定出用于避让另一个电连接单元的活动段的避让空间。

在本申请第一方面的一些实施例中，第一边缘导磁轭的在音圈的周向上的两端分别具有避让缺口，第一边缘导磁轭的两端的避让缺口与处于第一边缘导磁轭两侧的让位缺口一一对应且连通，每个避让缺口用于避让对应的电连接单元的活动段。这样一来，有利于利用避让缺口进一步对电连接单元的活动段进行避让，从而可以有利于增大每个电连接单元中悬空的活动段的尺寸，并且减小用于与第一边缘导磁轭连接的固定段的尺寸，从而更加有利于电连接件随着音圈的移动而振动。

在本申请第一方面的一些实施例中，第一边磁体的在音圈的周向上的两端分别具有避让开口，在振膜组的振动方向上，两个避让开口与两个避让缺口一一正对。由此，可以进一步防止边磁体对电连接件的振动干涉。

在本申请第一方面的一些实施例中，第一边缘导磁轭的朝向振膜组的表面具有两个连接区域和两个过渡区域，两个连接区域在两个避让缺口的排布方向上排布，且处于两个避让缺口之间，每个避让缺口与两个连接区域之间设置一个过渡区域，在由连接区域到避让缺口的方向上，每个过渡区域均朝向远离振膜组的方向倾斜延伸至对应的避让缺口；每个电连接单元与对应一个连接区域和一个过渡区域，每个电连接单元的固定段的一部分通过缓冲材料连接于对应的连接区域，每个电连接单元的固定段的另一部分位于对应的过渡区域的邻近振膜组的一侧。由此一来，通过设置过渡区域，在由连接区域到避让缺口的方向上，有利于连接枝节由与连接区域固定相连到悬空的逐渐过渡，当电连接件随着音圈的移动而振动时，有利于减弱连接枝节的振动弯折变形程度，避免连接枝节的过渡弯折断裂。

示例性的，每个电连接单元的固定段的另一部分通过缓冲材料连接于过渡区域。

当然，可以理解的是，每个电连接单元的固定段的另一部分与过渡区域之间也可以没有连接关系。

在本申请第一方面的一些实施例中，每个电连接单元还包括第二端部，第二端部与固定段的远离第一端部的一端相连；第一边缘导磁轭的远离音圈的一端具有让位开口，让位开口处于两个连接区域之间，在振膜组的振动方向上,两个电连接单元的第二端部处于让位开口的邻近振膜组的一侧，且与让位开口正对。这样一来，可以便于电连接单元的第二端部在让位开口处露出，以电连接单元连接到内核外部的电路中。

在本申请第一方面的一些实施例中，内核还包括盆架和两个导电件；盆架呈环形框状，音圈位于盆架内，磁路系统固定于盆架；盆架包括第一边部，电连接件位于第一边部与音圈之间；两个导电件均固定于第一边部，且在音圈的周向上间隔分布，每个导电件均包括第一端子和第二端子；电连接件包括两个电连接单元，两个电连接单元在音圈的周向上分布，每个电连接单元包括第二端部，两个电连接单元的第二端部与两个导电件的第一端子一一对应且电连接，两个导电件的第二端子由内核的外表面露出，以用作内核的外接端子。由此一来，可以实现电连接单元与外部电部的电连接。

在本申请第一方面的一些实施例中，每个导电件均包括连接在第一端子和第二端子之间的连接段，每个导电件的连接段嵌设于第一边部的内部。这样一来，可以利用盆架起到绝缘的作用，对连接段进行防护，避免连接段与其它的导电的结构接触而出现短路。

在此基础上，连接段与盆架连接为一体。示例性的，连接段和上述的边缘导磁轭可以预埋于模具中，然后通过二次注塑工艺，在连接段的表面以及边缘导磁轭的表面注塑出盆架。

在本申请第一方面的一些实施例中，导电件与盆架连接为一体。由此，不但结构简单，而且有利于提高导电件与盆架的连接强度，简化加工工艺。示例性的，导电件可以预埋于模具中，然后通过二次注塑工艺在导电件的表面注塑出盆架。

在本申请第一方面的一些实施例中，第一边部的朝向音圈的表面设有支撑板，支撑板的朝向振膜组的表面具有两个第一嵌设槽，两个导电件的第一端子与两个第一嵌设槽一一对应，每个第一端子嵌设于对应的第一嵌设槽内；磁路系统包括第一边缘导磁轭，第一边缘导磁轭位于第一边部和音圈之间，第一边缘导磁轭的远离音圈的一端具有让位开口，支撑板位于让位开口内。这样一来，可以合理优化内核的结构布局，实现内核结构的紧凑性。

在本申请第一方面的一些实施例中，导电件、支撑板与盆架连接为一体。由此，不但结构简单，而且有利于提高导电件与盆架的连接强度，简化加工工艺。示例性的，导电件可以预埋于模具中，然后通过二次注塑工艺在导电件的表面注塑出盆架和支撑板。

在本申请第一方面的一些实施例中，导电件、边缘导磁轭、支撑板与盆架连接为一体。由此，不但结构简单，而且有利于提高导电件与盆架的连接强度，简化加工工艺。示例性的，导电件和边缘导磁轭可以预埋于模具中，然后通过二次注塑工艺在导电件和边缘导磁轭的表面注塑出盆架和支撑板。

在本申请第一方面的一些实施例中，第一边部的背离振膜组的表面具有两个第二嵌设槽，两个第二嵌设槽分别处于第一边部沿着盆架的周向两端，两个导电件的第二端子与两个第二嵌设槽一一对应，每个第二端子嵌设于对应的第二嵌设槽内。由此一来，可以便于第二端子与外部电路的电连接，同时还可以防止第二端子凸出于第一边部而与其它的结构之间产生干涉。

在本申请第一方面的一些实施例中，音圈和盆架均呈矩形框状，盆架的长度方向与音圈的长度方向一致；其中，在音圈的长度方向上，第一边部处于音圈的一侧，音圈具有两个引出端子，两个引出端子处于音圈的邻近第一边部的两个相邻的拐角处。

在本申请第一方面的一些实施例中，磁路系统包括：中心磁体、边磁体和边缘导磁轭；边磁体围绕中心磁体的一周设置，边磁体的充磁方向与中心磁体的充磁方向相反，边磁体与中心磁体之间间隔开以形成磁间隙；边缘导磁轭层叠设置于边磁体的朝向振膜组的表面上，电连接件通过缓冲材料连接于边缘导磁轭；内核还包括盆架，盆架呈环形框状，音圈位于盆架内，边缘导磁轭固定于盆架的内周壁上。

在本申请第一方面的一些实施例中，盆架与边缘导磁轭连接为一体。

在本申请第一方面的一些实施例中，缓冲材料为粘接胶。由此，粘接胶不但可以实现电连接件与磁路系统的连接，而且还可以起到一定的缓冲作用。

具体的，粘接胶选自液体胶水。例如，紫外固化胶、引线胶或白釉胶。

在本申请第一方面的一些实施例中，磁路系统还包括第二导磁轭。第二导磁轭设置在中心磁体的背离振膜组的表面以及边磁体的背离振膜组的表面上，并且与中心磁体和边磁体层叠设置。这样一来，第二导磁轭封堵磁间隙的远离振膜组的一端。通过设置第二导磁轭，可以利用第二导磁轭来约束磁力线，从而增大磁流强度，提高对振膜组的驱动强度。

具体的，第二导磁轭的外周边缘具有定位缺口。定位缺口为多个。盆架的底面具有多个定位凸块。多个定位缺口与多个定位凸块一一对应配合。具体而言，在实际的装配过程中，边缘导磁轭和盆架固定在一起形成部件A。中心磁体、边磁体、第一中心导磁轭和第二导磁轭可以装配在一起形成部件B，然后将部件B与部件A进行固定。在此过程中，可以利用定位缺口与定位凸块的配合起到定位的作用，从而可以提高内核的装配效率。

在本申请第一方面的一些实施例中，振膜组包括固定部、折环和球顶。固定部层叠固定于盆架的顶面，折环的外周边缘与固定部的内周边缘相连。折环的截面形状呈弧形或近似弧形。球顶由折环围绕。且球顶呈矩形平板状。由此，振膜组的结构简单。

在一些示例中，振膜组为一体成型件。也就是说，固定部、折环和球顶为一个整体的结构。这样设置，有利于提高振膜组的结构强度，提高振膜组的结构稳定性，并且还可以简化振膜组的加工工艺。

在另一些示例中，固定部、折环和球顶可以为独立成型件，固定部与折环之间可以通过胶粘相连，折环与球顶之间可以通过胶粘相连。振膜组的材质包括但不限于金属、塑料、植物纤维和动物纤维。

示例性的，盆架的材质包括但不限于塑胶。

示例性的，边磁体的材质为磁铁或磁钢。

示例性的，中心磁体的材质为磁铁或磁钢。

示例性的，边缘导磁轭的材质为低碳钢。

示例性的，第二导磁轭的材质为低碳钢。

第二方面，本申请提供一种扬声器模组，包括壳体和上述任一实施例中的内核，内核设置于壳体内，且壳体被振膜组分隔为前腔和后腔，音圈和磁路系统均位于后腔内，壳体上设有出声通道，前腔与出声通道连通。

在本申请实施例的扬声器模组中，通过设置上述的内核，在内核中，将电连接件置于音圈的外周，且在振膜组的振动方向上，使得电连接件处于磁路系统与振膜组之间。这样一来，可以利用振膜组与磁路系统之间原有的为振膜组的振动预留的振动空间来设置电连接件，从而可以减小内核的厚度，进而可以减小扬声器模组的厚度，有益于电子设备的薄型化设计。此外，在振膜组的振动方向上，电连接件的与磁路系统正对的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。由于缓冲材料具有一定的变形能力，电连接件在音圈的带动下振动时，缓冲材料可以利用自身的变形来减弱对电连接件的振动所产生的干涉，从而有利于在不影响音圈和电连接件的移动的前提下，利用缓冲材料连接电连接件和磁路系统，可以至少在一定程度上防止电连接件拍打磁路系统，从而可以至少在一定程度上避免出现杂音，有利于提高内核的出音效果，同时还可以避免电连接件长期工作下发生疲劳断裂。

第三方面，本申请提供一种电子设备，包括外壳、电路板和上述任一实施例中的扬声器模组，电路板和扬声器模组设置于外壳内，且扬声器模组与电路板电连接，外壳上设有出音孔，出声通道与出音孔连通。

在本申请实施例的电子设备中，通过设置上述的扬声器模组，在扬声器模组的内核中，将电连接件置于音圈的外周，且在振膜组的振动方向上，使得电连接件处于磁路系统与振膜组之间。这样一来，可以利用振膜组与磁路系统之间原有的为振膜组的振动预留的振动空间来设置电连接件，从而可以减小内核的厚度，进而可以减小扬声器模组的厚度，有益于电子设备的薄型化设计。此外，在振膜组的振动方向上，电连接件的与磁路系统正对的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。由于缓冲材料具有一定的变形能力，电连接件在音圈的带动下振动时，缓冲材料可以利用自身的变形来减弱对电连接件的振动所产生的干涉，从而有利于在不影响音圈和电连接件的移动的前提下，利用缓冲材料连接电连接件和磁路系统，可以至少在一定程度上防止电连接件拍打磁路系统，从而可以至少在一定程度上避免出现杂音，有利于提高内核的出音效果，同时还可以避免电连接件长期工作下发生疲劳断裂。

在第三方面的一些实施例中，电子设备为可折叠的电子设备。

在第三方面的一些实施例中，电子设备为可折叠的电子设备。

在第三方面的一些实施例中，电子设备包括折叠屏和支撑装置。折叠屏能够在展开状态与折叠状态之间切换。折叠屏包括第一部分、第二部分和连接在第一部分和第二部分之间的第三部分。当折叠屏处于展开状态时，第一部分、第二部分和第三部分共平面设置，且朝向相同。当折叠屏处于折叠状态时，第三部分处于折弯状态，第一部分与第二部分相对，支撑装置位于第一部分和第二部分之间。支撑装置包括外壳和转动机构。其中，外壳包括第一外壳和第二外壳。第一外壳用于固定并支撑第一部分。第二外壳用于固定并支撑第二部分。转动机构用于支撑第三部分。转动机构连接于第一外壳与第二外壳之间，第一外壳与第二外壳通过转动机构实现可转动连接。

示例性的，电路板和扬声器模组设置于第一外壳内。

附图说明

图1为本申请一些相关技术提供的内核的立体图；

图2为根据图1所示的内核在A-A线处的截面结构示意图；

图3为根据图1所示的磁路系统和电连接件的相对关系示意图；

图4为本申请一些实施例提供的电子设备的立体图，其中该电子设备处于展开状态；

图5为根据图4所示的电子设备的立体图，其中，该电子设备处于折叠状态；

图6为根据图4所示的电子设备中的支撑装置的立体图；

图7为根据图6所示的电子设备第一外壳、电路板、扬声器模组和电池的分解示意图；

图8为根据图7所示的扬声器模组的结构示意图；

图9为根据图8所示的扬声器模组在B-B线处的截面结构示意图；

图10为根据图8所示的扬声器模组中内核的结构示意图；

图11为根据图10所示的内核的分解示意图；

图12为根据图10所示的内核在C-C线处的截面结构示意图；

图13为根据图11所示的盆架的立体图；

图14为根据图11所示的振膜组的立体图；

图15为根据图11所示的磁路系统的分解示意图；

图16为根据图11所示的音圈和盆架的相对位置关系示意图；

图17为根据图11所示的盆架、音圈、边缘导磁轭和电连接件的装配示意图；

图18为根据图15所示的边缘导磁轭的立体图；

图19为根据图11所示的音圈、电连接件、导电件和边缘导磁轭的配合示意图；

图20为根据图11中所示的电连接件、导电件、盆架和边缘导磁轭的分解示意图；

图21为根据图11所示的盆架、边缘导磁轭和导电件的连接示意图；

图22为本申请另一些实施例提供的磁路系统的分解示意图；

图23为根据本申请另一些实施例提供的磁路系统、音圈、盆架、电连接件的装配示意图。

附图标记：

100、电子设备；

10、支撑装置；11、第一外壳；111、第一中框；112、第一背盖；12、第二外壳；11a、出音孔；13、转动机构；

20、折叠屏；21、第一部分；22、第二部分；23、第三部分；

40、电路板；

60、电池

80、扬声器模组；80a、出声通道；81、壳体；82、内核；821、盆架；821a、第一边部；821a1、支撑板；821a2、第一嵌设槽；821b、第二边部；821c、第三边部；821d、第四边部；821e、顶面；821f、底面；821h、定位凸块；821k、第二嵌设槽；822、振膜组；8221、固定部；8222、折环；8223、球顶；823、音圈；823a、引出端子；824、磁路系统；824a、磁间隙；8241、中心磁体；8242、边磁体；8242a、第一边磁体；8242a1、避让开口；8242b、第二边磁体；8242c、第三边磁体；8242d、第四边磁体；8243、中心导磁轭；8244、边缘导磁轭；8244a、第一边缘导磁轭；8244a1、避让缺口；8244a2、连接区域；8244a3、过渡区域；8244a5、让位开口；8244b、第二边缘导磁轭；8244c、第三边缘导磁轭；8244d、第四边缘导磁轭；82441、第一边缘磁轭部；82441a、让位缺口；82442、第二边缘磁轭部；82443、第三边缘磁轭部；82444、第四边缘磁轭部；8245、第二导磁轭；82451、定位缺口；825、电连接件；8251、电连接单元；D1、第一端部；D2、第二端部；D3、连接枝节；826、第一配重平衡件；8261、配重平衡单元；827、缓冲材料；828、导电件；829、第二配重平衡件；83、电连接结构。

具体实施方式

在本申请实施例中，术语“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。

在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

在本申请实施例的描述中，术语“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a,b,或c中的至少一项(个)，可以表示：a,b,c,a-b,a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c可以是单个，也可以是多个。

在本申请实施例的描述中，术语“和/或”是指并且涵盖相关联的所列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。术语“和/或”，是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本申请中的字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。本申请实施例中所提到的方位用语，例如，“内”、“外”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。

在本申请实施例的描述中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

请参阅图1和图2，图1为本申请一些相关技术提供的内核82a的立体图，图2为根据图1所示的内核82a在A-A线处的截面结构示意图。需要说明的是，在“A-A线处”是指在A-A线及A-A线两端箭头所在的平面处，后文中对类似附图的说明应做相同理解，且后文中不再赘述。内核82a包括盆架82a1、振膜组82a2、音圈82a3、磁路系统82a4和电连接件82a5。

具体的，盆架82a1呈环形框状。振膜组82a2固定于盆架82a1的轴向一端端面。音圈82a3位于盆架82a1内。磁路系统82a4具有环形的磁间隙82a4a。音圈82a3的远离振膜组82a2的部分可以伸入磁间隙82a4a内，这样磁路系统82a4可与音圈82a3配合以驱动振膜组82a2同步振动。

请参阅图3，并且结合图2，图3为根据图1所示的磁路系统82a4和电连接件82a5的相对关系示意图。磁路系统82a4包括中心磁体82a41、边磁体82a42和边缘导磁轭82a44。边磁体82a42围绕中心磁体82a41的一周设置。边磁体82a42和中心磁体82a41之间限定出上述的磁间隙82a4a。边缘导磁轭82a44层叠设置在边磁体82a42的朝向振膜组82a2的表面上。边缘导磁轭82a44的外周边缘与盆架82a1的内周壁固定。边磁体82a42的外周边缘位于边缘导磁轭82a44的外周边缘的外周，形成加宽部H，以增大边磁体82a42的体积，提高磁路系统82a4的驱动力。加宽部H处于盆架82a1的背离振膜组82a2的一侧。

电连接件82a5的第一端部D1与音圈82a3电连接。电连接件82a5的第二端部D2固定于盆架82a1的朝向加宽部H的表面上。电连接件82a5还包括连接于第一端部D1和第二端部D2之间的连接枝节D3。连接枝节D3整体悬空。连接枝节D3的一部分处于加宽部H与振膜组82a2之间。

为了对电连接件82a5的第二端部D2进行避让，同时减小内核82a的厚度，加宽部H相对于边磁体82a42的其它部分凹陷设置。这样，导致边磁体82a42对应于加宽部H处的厚度减小，磁路系统82a4的驱动力减小，导致扬声器模组的出音效果变差。假如加宽部H相对于边磁体82a42的其它部分非凹陷设置，例如，整个边磁体82a42的朝向振膜组82a2的表面为与振膜组82a2平行的平面，则将电连接件82a5置于加宽部H与盆架82a1之间时又会导致内核82a的厚度较厚，不利于内核82a厚度的减薄，进而无益于电子设备的薄型化设计。此外，由于连接枝节D3的一部分处于加宽部H与振膜组82a2之间，当音圈82a3移动时，该部分随着音圈82a3的移动而拍打加宽部H，产生杂音，导致扬声器模组的出音效果变差。

为了解决上述技术问题，本申请的发明人对内核作出了改进。在本申请实施例的内核中，将电连接件置于音圈的外周，且在振膜组的振动方向上，使得电连接件处于磁路系统与振膜组之间。这样一来，可以利用振膜组与磁路系统之间原有的为振膜组的振动预留的振动空间来设置电连接件，从而可以减小内核的厚度，进而可以减小扬声器模组的厚度，有益于电子设备的薄型化设计。此外，在振膜组的振动方向上，电连接件的与磁路系统正对的部分通过缓冲材料连接于磁路系统。由于缓冲材料具有一定的变形能力，电连接件在音圈的带动下振动时，缓冲材料可以利用自身的变形来减弱对电连接件的振动所产生的干涉，从而有利于在不影响音圈和电连接件的移动的前提下，利用缓冲材料连接电连接件和磁路系统，防止电连接件拍打磁路系统，从而可以避免出现杂音，有利于提高内核的出音效果，同时还可以避免电连接件长期工作下发生疲劳断裂。此外，避免了相关技术中，加宽部H相对于边磁体82a42的其它部分凹陷设置而导致的磁路系统的厚度减小，驱动力减小的问题，有利于增大磁路系统的体积，提高驱动力，进而提高发声效果。

下面对本申请的电子设备的结构进行详细说明。

本申请提供一种电子设备，该电子设备为具有声音播放功能的一类电子设备。具体的，该电子设备包括但不限于手机、平板电脑(tablet personal computer)、膝上型电脑(laptop computer)、个人数码助理(personal digital assistant，PDA)、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、可穿戴设备、随身听、收音机、电视机、音箱等。其中，可穿戴设备包括但不限于智能手环、智能手表、智能头戴显示器、智能眼镜等。其中，该电子设备可以为可折叠的电子设备(例如，折叠手机)，对于可折叠的电子设备来说，在不同的使用需求下，可折叠的电子设备可以展开至展开状态，也可以折叠至折叠状态。当然，电子设备也可以是不可折叠的电子设备，例如直板手机。

请参阅图4，图4为本申请一些实施例提供的电子设备100的立体图，其中该电子设备100处于展开状态。在本实施例中，电子设备100为可折叠的手机。具体的，电子设备100包括折叠屏20和支撑装置10。

可以理解的是，图4仅示意性的示出了电子设备100包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图4的限制。

折叠屏20能够用于显示信息并为用户提供交互界面。在本申请各实施例中，折叠屏20可以但不限于为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示屏，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示屏，迷你发光二极管(mini organic light-emittingdiode)显示屏，微型发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏，微型有机发光二极管(micro organic light-emitting diode)显示屏，或量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，QLED)显示屏等。

折叠屏20能够在展开状态与折叠状态之间切换。折叠屏20在折叠状态时，可以折叠成第一部分21和第二部分22。折叠屏20还包括位于第一部分21与第二部分22之间的第三部分23。折叠屏20的至少第三部分23采用柔性材料制作。第一部分21和第二部分22可以采用柔性材料制作，也可以采用刚性材料制作，还可以部分采用刚性材料、部分采用柔性材料制作，在此不做具体限定。

当折叠屏20处于展开状态时，第一部分21、第二部分22和第三部分23共平面设置，且朝向相同。在此状态下，能够实现大屏显示，可以给用户提供更丰富的信息，带给用户更好的使用体验。

请参阅图5，图5为根据图4所示的电子设备100的立体图，其中，该电子设备100处于折叠状态。当折叠屏20处于折叠状态时，第三部分23处于折弯状态，第一部分21(图5中未示出)与第二部分22(图5中未示出)相对。在此状态下，折叠屏20对用户不可见，支撑装置10保护于折叠屏20外，以防止折叠屏20被硬物刮伤，此时可折叠的电子设备100为内折式电子设备。当然，在其它的示例中，可折叠的电子设备100还可以是外折式电子设备，也即在折叠状态，第一部分21和第二部分22相对，支撑装置10处于第一部分21和第二部分22之间。不管是内折式电子设备还是外折式电子设备，在折叠状态下，可以减小电子设备100的体积，便于电子设备100的收纳。

支撑装置10用于支撑折叠屏20，并允许折叠屏20在展开状态与折叠状态之间切换。请参阅图6，图6为根据图4所示的电子设备100中的支撑装置10的立体图。在本实施例中，支撑装置10包括外壳和转动机构13。其中，外壳包括第一外壳11和第二外壳12。可以理解的是，图6仅示意性的示出了支撑装置10包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图6的限制。

支撑装置10具有支撑面，支撑面可以用于支撑折叠屏20。通过支撑面的支撑，在展开状态时，可以使得折叠屏20呈平板状，并且使得折叠屏20的显示面为平面。

第一外壳11用于固定并支撑图1中折叠屏20的第一部分21。具体的，第一外壳11具有支撑面M1，第一外壳11通过支撑面M1固定并支撑图1中折叠屏20的第一部分21。示例性的，支撑面M1与第一部分21的连接关系包括但不限于胶粘。

第二外壳12用于固定并支撑图1中折叠屏20的第二部分22。具体的，第二外壳12具有支撑面M2，第二外壳12通过支撑面M2固定并支撑图1中折叠屏20的第二部分22。示例性的，支撑面M2与第二部分22的连接关系包括但不限于胶粘。第一外壳11和/或第二外壳12可以形成有安装空间。

转动机构13用于支撑折叠屏20的第三部分23。并且，转动机构13连接于第一外壳11与第二外壳12之间，第一外壳11与第二外壳12通过转动机构13实现可转动连接，从而实现第一外壳11和第二外壳12之间的相对转动。

请参阅图7，图7为根据图6中所示的电子设备100的第一外壳11、电路板40、扬声器模组80和电池60的分解示意图。电子设备100还包括电路板40、电池60和扬声器模组80。第一外壳11的安装空间用于容纳电路板40、电池60和扬声器模组80。下面以电路板40、电池60和扬声器模组80位于第一外壳11内为例进行说明。本领域技术人员可以理解的是，电路板40、电池60和扬声器模组80还可以位于第二外壳12内。或者，电路板40和扬声器模组80位于第一外壳11内，电池60位于第二外壳12内。

第一外壳11大体呈长方体状。为了方便下文各实施例的描述，建立XYZ坐标系。具体的，定义第一外壳11的宽度方向为X轴方向，定义第一外壳11的长度方向为Y轴方向，定义第一外壳11的厚度方向为Z轴方向，X轴、Y轴和Z轴相互垂直。可以理解的是，第一外壳11的坐标系设置可以根据实际需要进行灵活设置，在此不做具体限定。

具体的，第一外壳11包括第一中框111和第一背盖112。支撑面M1位于第一中框111上。第一背盖112固定于第一中框111背离支撑面M1的一侧，第一背盖112的背离第一中框111的支撑面M1的表面为外观面。第一外壳11上的安装空间由第一中框111与第一背盖112限定出。

电路板40用于集成控制芯片。电路板可以通过螺纹连接、卡接、胶粘或焊接等方式固定于安装空间内。一些实施例中，电路板40与折叠屏20电连接，电路板40用于控制折叠屏20显示图像或视频。电路板40可以为硬质电路板，也可以为柔性电路板，还可以为软硬结合电路板。电路板可以采用FR-4介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，还可以采用FR-4和Rogers的混合介质板，等等。这里，FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板为一种高频板。

电池60固定于安装空间内。示例性的，电池60通过卡接、胶粘或螺钉连接等方式固定于安装空间内。电池60用于为电路板40、折叠屏20和扬声器模组80等提供电量。

扬声器模组80用于将音乐、语音等音频电信号还原成声音，使得电子设备100能够支持音频外放。扬声器模组80与电路板40电连接。具体的，请参阅图7，扬声器模组80具有出声通道80a。扬声器模组80输出的声音信号由该出声通道80a输出。第一中框111的侧边上设有出音孔11a。该出音孔11a与出声通道80a连通。出声通道80a输出的声音信号进一步由该出音孔11a输出至电子设备100外。

扬声器模组80固定于安装空间内。请继续参阅图7，扬声器模组80与电路板40并排布置于XY平面内，并且扬声器模组80的一部分与电路板40在X轴方向上排布。扬声器模组80的另一部分与副电路板40在Y轴方向上排布。

请参阅图8和图9，图8为根据图7中所示的扬声器模组80的结构示意图，图9为根据图8中所示的扬声器模组80在B-B线处的截面结构示意图。在该实施例中，扬声器模组80包括壳体81、内核82和电连接结构83。

需要说明的是，图8-图9仅示意性的示出了扬声器模组80包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图8-图9的限定。另外，图8中的坐标系与图7中的坐标系表示为同一坐标系。也即是，图8中扬声器模组80内各个部件在图7所示坐标系下的方位关系，与当该扬声器模组80应用于图7所示电子设备100内时，其内各个部件在图7所示坐标系下的方位关系相同。

壳体81用于支撑并固定内核82，内核82位于壳体81内。壳体81与内核82配合可以围成扬声器模组80的前腔C1和后腔C2。出声通道80a形成于壳体81上，并且与前腔C1连通。

壳体81的材质包括但不限于金属、塑料或金属与塑料的结合。一些实施例中，壳体81的材料为塑胶，塑胶的成本低，且易于成型，有利于降低扬声器模组80的加工成本。

壳体81可以为一个结构整体，也可以由多个部分装配形成。这样设置，有利于降低壳体81的成型难度和装配难度。

壳体81上可以形成有过线孔(图未示出)，电连接结构83的一端经由过线孔伸入壳体81内与内核82电连接，电连接结构83的位于壳体81外的一端与电路板40电连接。

电连接结构83包括但不限于柔性电路板(flexible printed circuit，FPC)、导线、漆包线、由多根导线通过柔性结构连接形成的结构。在图8-图9所示的实施例中，电连接结构83为柔性电路板。

内核82在通电工作时，可以推动前腔C1内的空气振动以形成声音，由此将音频电信号转换为声音信号,该声音可由出声通道80a传递到壳体81的外侧。其中，内核82为扬声器模组80内产生声音的核心部件，其厚度及音频性能直接影响了扬声器模组80的厚度及音频性能，因此下文主要对内核82的结构进行介绍。

请参阅图10和图11，图10为根据图8所示的扬声器模组80中内核82的结构示意图，图11为根据图10所示的内核的分解示意图。内核82包括：盆架821、振膜组822、磁路系统824、音圈823、电连接件825和缓冲材料(图10和图11中未示出)。

需要说明的是，图10-图11仅示意性的示出了内核82包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小、实际位置和实际构造不受图10-图11的限定。另外，图10-图11中的坐标系与图8-图9中的坐标系表示为同一坐标系。

盆架821用作内核82的“支撑骨架”，用于支撑振膜组822、音圈823，并固定磁路系统824。并且，盆架821可以与壳体81固定连接，以将内核82固定于壳体81内。

盆架821在XY方向上延伸成矩形框状。当然，本申请不限于此，在其它的示例中，盆架821还可以呈平行四边形框状、圆形框状、长圆形框状或异形框状，只要保证盆架821呈环形框状即可。值得说明的是，本文中所述的“矩形”应做广义理解，矩形的相邻的两个直角边之间可以是相交且垂直的，也可以是通过圆角过渡的。

盆架821的材质包括但不限于塑胶。

请参阅图12，图12为根据图10所示的内核82在C-C线处的截面结构示意图。盆架821具有顶面821e和底面821f。盆架821的顶面821e和底面821f在Z轴方向上相背设置。其中，盆架821的顶面821e是指当内核82应用于扬声器模组80内时靠近前腔C1的部位，盆架821的底面821f是指当内核82应用于扬声器模组80内时远离前腔C1的部位。

可以理解的是，在其它的示例中，内核82也可以不包括盆架821。而是利用扬声器模组80的壳体81来支撑并固定音圈823、振膜组822、磁路系统824等。

振膜组822为推动扬声器模组80前腔C1内空气运动的主体。在将图10-图12所示内核82应用于图8-图9所示扬声器模组80内时，内核82借助该振膜组822将扬声器模组80的壳体81内的后腔C2和前腔C1分隔开。也即，在振膜组822的振动方向(也即Z轴方向)上，振膜组822的两侧分别为前腔C1和后腔C2。音圈823和磁路系统824均位于后腔C2内，由此，磁路系统824和音圈823位于振膜组822的同一侧。

请继续参阅图12，振膜组822的外周边缘固定于盆架821的顶面821e。音圈823位于盆架821内。音圈823与振膜组822相连。示例性的，音圈823与振膜组822之间的连接方式包括但不限于胶粘。

磁路系统824固定于盆架821。且磁路系统824具有环形的磁间隙824a。音圈823的远离振膜组822的部分可以伸入磁间隙824a内。音圈823用于与磁路系统824配合以同步驱动振膜组822振动，进而推动扬声器模组80前腔C1内空气运动以产生声音。具体而言，音圈823与电连接件825电连接，音圈823可以借助电连接件825与图8-图9中的电连接结构83电连接，在音圈823通电后，可以产生感应磁场，磁路系统824可以响应于该感应磁场并且对音圈823施加驱动力，音圈823受到磁路系统824的磁力驱动作用而在Z轴方向上发生位移，从而驱动振膜组822产生振动，以驱动前腔C1内的空气振动形成声音，该声音由出声通道80a输出。

请继续参阅图12,电连接件825位于音圈823的外周。在振膜组822的振动方向(也即Z轴方向)上，电连接件825处于磁路系统824与振膜组822之间。电连接件825的正对磁路系统824的部分通过缓冲材料827连接于磁路系统824。

这样一来，可以利用振膜组822与磁路系统824之间原有的为振膜组822的振动预留的振动空间来设置电连接件825，从而可以减小内核82的厚度，进而可以减小扬声器模组80的厚度，有益于电子设备100的薄型化设计。此外，在振膜组822的振动方向上，电连接件825的与磁路系统824正对的部分通过缓冲材料827连接于磁路系统824。由于缓冲材料827具有一定的变形能力，电连接件825在音圈823的带动下振动时，缓冲材料827可以利用自身的变形来减弱对电连接件825的振动所产生的干涉，从而有利于在不影响音圈823和电连接件825的移动的前提下，利用缓冲材料827连接在电连接件825和磁路系统824之间，可以在一定程度上防止电连接件825拍打磁路系统824，从而可以至少在一定程度上避免出现杂音，有利于提高内核82的出音效果，同时还可以避免电连接件825长期工作下发生疲劳断裂。此外，避免了相关技术中，加宽部H相对于边磁体82a42的其它部分凹陷设置而导致的磁路系统的厚度减小，驱动力减小的问题，有利于增大磁路系统824的体积，提高驱动力，进而提高发声效果。

可以理解的是，在一些示例中，在振膜组822的振动方向上，缓冲材料827整体可以处于电连接件825的正对磁路系统824的部分与磁路系统824之间。在另一些示例中，缓冲材料827的一部分可以处于电连接件825的远离磁路系统824的一侧，缓冲材料827的另一部分处于磁路系统824的朝向振膜组822的表面的未被电连接件825覆盖的部分上。在再一些示例中，缓冲材料827的一部分处于电连接件825的正对磁路系统824的部分与磁路系统824之间，缓冲材料827的另一部分处于磁路系统824的朝向振膜组822的表面的未被电连接件825覆盖的部分上。在其它示例中，缓冲材料827的其中一部分处于电连接件825的正对磁路系统824的部分与磁路系统824之间，缓冲材料827的其中另一部分处于磁路系统824的朝向振膜组822的表面的未被电连接件825覆盖的部分上，缓冲材料827的其余部分处于电连接件825的远离磁路系统824的一侧表面上。只要保证电连接件825可以通过缓冲材料827连接于磁路系统824即可。

在一些示例中，缓冲材料827可以为粘接胶。例如，该粘接胶选自液体胶水，例如紫外固化胶、引线胶或白釉胶。在另一些示例中，缓冲材料827还可以选自泡棉、橡胶或硅胶。

请参阅图13，图13为根据图11所示的盆架821的立体图。盆架821为矩形框状。盆架821的顶面821e和底面821f均为沿盆架821的周向延伸的矩形环。

盆架821包括相对的第一边部821a和第二边部821b，以及相对的第三边部821c和第四边部821d。盆架821由第一边部821a、第三边部821c、第二边部821b、第四边部821d依次连接并围合形成。其中，第三边部821c和第四边部821d的延伸方向与X轴平行，并且第三边部821c和第四边部821d在Y轴方向上间隔排布。第一边部821a和第二边部821b的延伸方向与Y轴平行，并且第一边部821a和第二边部821b在X轴方向上间隔排布。第三边部821c和第四边部821d的长度大于第一边部821a和第二边部821b的长度。也即，盆架821的长度方向与X轴平行，盆架821的宽度方向与Y轴平行。

当然，可以理解的是，在其它的示例中，第三边部821c和第四边部821d的长度小于第一边部821a和第二边部821b的长度。也即，盆架821的长度方向与Y轴方向，盆架821的宽度方向与X轴平行。

盆架821可以为一个结构件整体，这样，有利于提高盆架821的结构强度。当然，本申请不限于此，盆架821也可以由多个部分装配形成。这样，有利于降低盆架821的加工难度和成型难度。盆架821的多个部分之间可通过粘接、卡接、螺纹连接等方式装配形成。

第一边部821a的朝向音圈823的表面，也即第一边部821a的朝向第二边部821b的表面设有支撑板821a1。支撑板821a1向靠近音圈823的方向延伸。具体的，支撑板821a1设置于第一边部821a的内表面的远离振膜组822的一端，且支撑板821a1处于第一边部821a在Y轴方向上的中部。

需要说明的是，“中部”应做广义理解，“支撑板821a1处于第一边部821a在Y轴方向上的中部”是指支撑板821a1在Y轴方向上的两端偏离第一边部821a的在Y轴方向上的两端。示例性的，为了提高磁路系统824对音圈823提供的驱动力的均匀性，支撑板821a1和第一边部821a整体在Y轴方向上对称设置。

在一些示例中，支撑板821a1与盆架821为一体成型件，这样设置，有利于简化加工工艺，降低生产成本。在另一些示例中，支撑板821a1与盆架821还可以通过胶粘、焊接、卡接等方式相连，这样可以简化支撑板821a1与盆架821的模具结构，降低成型难度。支撑板821a1的材质包括但不限于塑胶。

支撑板821a1的朝向振膜组822的表面具有两个第一嵌设槽821a2。两个第一嵌设槽821a2在Y轴方向上上间隔开。示例性的，每个第一嵌设槽821a2的形状包括但不限于矩形、圆形、椭圆形、长圆形或异形。

盆架821的底面821f设有多个定位凸块821h。多个定位凸块821h在盆架821的周向上间隔开分布。其中，“多个”是指两个或两个以上。具体的，请参阅图14，定位凸块821h为四个。其中两个定位凸块821h间隔设置于第三边部821c的底面。另外两个定位凸块821h间隔设置于第四边部821d的底面。

请参阅图14，图14为根据图11所示的振膜组822的立体图。振膜组822包括固定部8221、折环8222和球顶8223。

为了与盆架821的形状相适应，固定部8221形成为矩形环状。固定部8221层叠固定于盆架821的顶面821e(结合图12)。固定部8221与盆架821的顶面821e的连接方式包括但不限于胶粘、卡接、焊接或螺钉连接。

折环8222的外周边缘与固定部8221的内周边缘相连。折环8222的截面形状呈弧形或近似弧形。为了与盆架821的形状相适应，折环8222在盆架821的周向上的延伸轨迹呈矩形。折环8222的延伸轨迹的长边延伸方向与X轴平行，折环8222的延伸轨迹的短边延伸方向与Y轴平行。在振膜组822的振动方向(也即Z轴方向上)上，电连接件825处于折环8222与磁路系统824之间。

折环8222在从盆架821的顶面821e到盆架821的底面821f的方向上凸出设置(结合图12)，也即折环8222朝向盆架821的底面821f所朝向的一侧凸出。从而使得内核82能够节约其上部空间，由此可以节省前腔C1空间。可以减小内核82的厚度，进而有利于减小扬声器模组80的厚度，有益于电子设备100的薄型化设计。

当然，可以理解的是，在其它实施例中，折环8222在从盆架821的底面821f到盆架821的顶面821e的方向上凸出设置，也即折环8222向盆架821的顶面821e所朝向的一侧凸出。这样，释放了振膜组822的下方空间，有利于防止折环8222与电连接件825之间产生干涉，并且允许位于振膜组822下方的磁路系统824设置更大的高度尺寸，从而增加内核82的磁感应强度，提高内核82的灵敏度。

球顶8223由折环8222围绕。且球顶8223呈矩形平板状。球顶8223的长度方向与X轴平行，球顶8223的宽度方向与Y轴平行。

可以理解的是，振膜组822的形状不限于上文中所描述的，当盆架821的外形改变时，振膜组822的形状可以随之进行适应性的调整。

在一些示例中，振膜组822为一体成型件。也就是说，固定部8221、折环8222和球顶8223为一个整体的结构。这样设置，有利于提高振膜组822的结构强度，提高振膜组822的结构稳定性，并且还可以简化振膜组822的加工工艺。当然，本申请不限于此，固定部8221、折环8222和球顶8223还可以为独立成型件，固定部8221与折环8222之间可以通过胶粘相连，折环8222与球顶8223之间可以通过胶粘相连。振膜组822的材质包括但不限于金属、塑料、植物纤维和动物纤维。

请参阅图15，图15为根据图11所示的磁路系统824的分解示意图。磁路系统824包括中心磁体8241、边磁体8242、第一导磁轭和第二导磁轭8245。

中心磁体8241形成矩形平板状结构。中心磁体8241的长度方向与盆架821的长度方向一致，中心磁体8241的宽度方向与盆架的宽度方向一致。也即，中心磁体8241的长度方向与X轴平行，中心磁体8241的宽度方向与Y轴平行。中心磁体8241可以为磁铁或磁钢。

边磁体8242围绕中心磁体8241的一周设置。边磁体8242和中心磁体8241之间限定出上述的磁间隙824a(结合图12)。边磁体8242可以为磁铁或磁钢。边磁体8242的充磁方向(由南极到北极的方向，即由S极至N极的方向)与中心磁体8241的充磁方向相反。示例性的，结合图12，中心磁体8241靠近振膜组822的一端为南极(S)、远离振膜组822的一端为北极(N)，边磁体8242靠近振膜组822的一端为北极(N)、远离振膜组822的一端为南极(S)。这样，可以在中心磁体8241和边磁体8242之间形成磁回路。在音圈823通电时，音圈823在磁间隙824a内的磁场作用下，驱动振膜组822振动。

边磁体8242包括间隔开且相互独立的第一边磁体8242a、第二边磁体8242b、第三边磁体8242c和第四边磁体8242d。第一边磁体8242a和第二边磁体8242b分别设置于中心磁体8241的长度方向(也即X轴方向)的相对两侧，第一边磁体8242a和第二边磁体8242b相对中心磁体8241对称设置。第三边磁体8242c和第四边磁体8242d分别设置于中心磁体8241的宽度方向的相对两侧，且第三边磁体8242c和第四边磁体8242d相对中心磁体8241对称设置。当然，在其它的示例中，第一边磁体8242a和第二边磁体8242b还可以分别设置于中心磁体8241的宽度方向的相对两侧，第三边磁体8242c和第四边磁体8242d分别设置于中心磁体8241的长度方向的相对两侧，只要保证第一边磁体8242a和第二边磁体8242b处于中心磁体8241的相对两侧，第三边磁体8242c和第四边磁体8242d处于中心磁体8241的另外相对两侧，也即第一边磁体8242a和第二边磁体8242b的排列方向垂直第三边磁体8242c、第四边磁体8242d的排列方向即可。

由此一来，第一边磁体8242a、第三边磁体8242c、第二边磁体8242b和第四边磁体8242d在音圈823的周向上依次排布，且间隔。第一边磁体8242a与第三边磁体8242c之间、第三边磁体8242c与第二边磁体8242b之间、第二边磁体8242b与第四边磁体8242d之间以及第四边磁体8242d与第一边磁体8242a之间可以形成间隔空间。

可以理解的是，边磁体8242的构造不限于此，在其它一些实施例中，边磁体8242可以呈闭环形。

请继续参阅图15，第一导磁轭包括间隔开的第一中心导磁轭8243和边缘导磁轭8244。

第一中心导磁轭8243层叠设置于中心磁体8241的朝向振膜组822的表面上。具体的，第一中心导磁轭8243可通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于中心磁体8241。通过将第一中心导磁轭8243设在中心磁体8241上来约束磁力线，能够增大上述磁间隙824a内的磁流强度，提高对振膜组822的驱动强度。当然，可以理解的是，在其它的示例中，也可以不设置第一中心导磁轭8243。

第一中心导磁轭8243形成为矩形平板状结构或矩形平板状。第一中心导磁轭8243的长度方向与X轴平行，第一中心导磁轭8243的宽度方向与Y轴平行。第一中心导磁轭8243的材料可以为低碳钢。低碳钢的含碳量通常低于0.04％，其中包括电磁纯铁、电解铁和羰基铁。其特点是饱和磁化强度高，价格低廉，加工性能好。

边缘导磁轭8244层叠设置在边磁体8242的朝向振膜组822的表面上。具体的，边缘导磁轭8244可通过胶粘、卡接、螺纹连接等方式设置于边磁体8242的朝向振膜组822的表面。边缘导磁轭8244处于第一中心导磁轭8243的外周，且与第一中心导磁轭8243间隔开，以便于为音圈823插入磁间隙824a内提供避让。在本申请的实施例中，可以通过边缘导磁轭8244约束磁力线，增大上述磁间隙824a内的磁流强度，提高对振膜组822的驱动强度。边缘导磁轭8244的材料可以为低碳钢。电连接件825通过缓冲材料827连接于边缘导磁轭8244。

边缘导磁轭8244的外周边缘固定于盆架821的内周壁上。具体的，边缘导磁轭8244固定于盆架821的内周壁的远离振膜组822的一端。在一些示例中，盆架821与边缘导磁轭8244连接为一体件。例如，盆架821为塑胶材质，边缘导磁轭8244可以预埋于模具中，通过二次注塑工艺在边缘导磁轭8244上一体地注塑出盆架821，从而使得盆架821与边缘导磁轭8244连接为一体。当然，可以理解的是，在其它的示例中，盆架821与边缘导磁轭8244还可以通过胶粘、卡接、或螺钉连接等方式相连。

具体的，边缘导磁轭8244包括第一边缘导磁轭8244a、第二边缘导磁轭8244b、第三边缘导磁轭8244c和第四边缘导磁轭8244d。第一边缘导磁轭8244a层叠固定于第一边磁体8242a，第一边缘导磁轭8244a处于音圈823与第一边部821a之间，且固定于第一边部821a。第二边缘导磁轭8244b层叠固定于第二边磁体8242b，第二边缘导磁轭8244b处于音圈823与第二边部821b之间,且固定于第二边部821b。第三边缘导磁轭8244c层叠固定于第三边磁体8242c，第三边缘导磁轭8244c处于音圈823与第三边部821c之间，且固定于第三边部821c。第四边缘导磁轭8244d层叠固定于第四边磁体8242d,第四边缘导磁轭8244d处于音圈823与第四边部821d之间，且固定于第四边部821d。第一边缘导磁轭8244a和第二边缘导磁轭8244b相对于音圈823对称设置。第三边缘导磁轭8244c和第四边缘导磁轭8244d相对于音圈823对称设置。电连接件824处于中心磁体8241的邻近第一边缘导磁轭8244a的一侧。

为了提高边缘导磁轭8244的结构强度以及提高边缘导磁轭8244对磁力线的约束能力，边缘导磁轭8244还包括第一边缘磁轭部82441、第二边缘磁轭部82442、第三边缘磁轭部82443和第四边缘磁轭部82444。其中，第一边缘磁轭部82441连接于第一边缘导磁轭8244a和第三边缘导磁轭8244c之间。由此一来，在Z轴方向上，第一边缘磁轭部82441与处于第一边磁体8242a和第三边磁体8242c之间的间隔空间相对。

第二边缘磁轭部82442连接于第一边缘导磁轭8244a与第四边缘导磁轭8244d之间。由此一来，在Z轴方向上，第二边缘磁轭部82442与处于第一边磁体8242a和第四边磁体8242d之间的间隔空间相对。

第三边缘磁轭部82443连接于第二边缘导磁轭8244b与第三边缘导磁轭8244c之间。由此一来，在Z轴方向上，第三边缘磁轭部82443与处于第二边磁体8242b和第三边磁体8242c之间的间隔空间相对。

第四边缘磁轭部82444连接于第四边缘导磁轭8244d与第二边缘导磁轭8244b之间。由此一来，在Z轴方向上，第四边缘磁轭部82444与处于第二边磁体8242b和第四边磁体8242d之间的间隔空间相对。

当然，可以理解的是，在其它的示例中，边缘导磁轭8244也可以不包括第一边缘磁轭部82441、第二边缘磁轭部82442、第三边缘磁轭部82443和第四边缘磁轭部82444，而是仅仅包括第一边缘导磁轭8244a、第二边缘导磁轭8244b、第三边缘导磁轭8244c和第四边缘导磁轭8244d。并且，第一边缘导磁轭8244a、第二边缘导磁轭8244b、第三边缘导磁轭8244c和第四边缘导磁轭8244d在音圈823的周向上间隔相互独立。

第二导磁轭8245设置在中心磁体8241的背离振膜组822的表面以及边磁体8242的背离振膜组822的表面上，并且与中心磁体8241和边磁体8242层叠设置。这样一来，第二导磁轭8245封堵磁间隙824a的远离振膜组822的一端(结合图12)。通过设置第二导磁轭8245，可以利用第二导磁轭8245来约束磁力线，从而增大磁流强度，提高对振膜组822的驱动强度。

第二导磁轭8245的形状包括但不限于矩形、圆角矩形、或异形。第二导磁轭8245的材料可以为低碳钢。

示例性的，请参阅图15，第二导磁轭8245的外周边缘具有定位缺口82451。定位缺口82451为多个。多个定位缺口82451与图13中的多个定位凸块821h一一对应配合。具体而言，在实际的装配过程中，边缘导磁轭8244和盆架821固定在一起形成部件A。中心磁体8241、边磁体8242、第一中心导磁轭8243和第二导磁轭8245可以装配在一起形成部件B，然后将部件B与部件A进行固定。在此过程中，可以利用定位缺口82451与定位凸块821h的配合起到定位的作用，从而可以提高内核82的装配效率。

请参阅图16，图16为根据图11所示的音圈823和盆架821的相对位置关系示意图。为了与盆架821的外形相适应，音圈823呈矩形框状。音圈823的长度方向与盆架821的长度方向一致。音圈823的宽度方向与盆架821的宽度方向一致。也即，音圈823的长边的延伸方向与X轴平行，音圈823的短边的延伸方向与Y轴方向平行。由此一来，盆架821的第一边部821a和第二边部821b处于音圈823的长度方向的两侧，盆架821的第三边部821c和第四边部821d处于音圈823的宽度方向的两侧。

音圈823具有两个引出端子823a。两个引出端子823a中的其中一个引出端子823a为正极引出端子，另一个引出端子823a为负极引出端子。两个引出端子823a处于音圈823的邻近第一边部821a的两个相邻的拐角处。当然，可以理解的是，在其它的示例中，两个引出端子823a还可以处于音圈823的其它位置，只要保证两个引出端子823a在音圈823的周向上间隔开即可。

请参阅图17，图17为根据图11所示的盆架、音圈、边缘导磁轭和电连接件的装配示意图。电连接件825处于第一边部821a和音圈823之间。同时由于第一边缘导磁轭8244a也处于第一边部821a和音圈823之间，这样一来，电连接件825的正对第一边缘导磁轭8244a的部分通过缓冲材料827连接于第一边缘导磁轭8244a。

具体的，电连接件825包括两个电连接单元8251。两个电连接单元8251在音圈823的周向上间隔分布。具体的，两个电连接单元8251沿着第一边部821a的长度方向(也即Y轴方向)上间隔开设置，且两个电连接单元8251在Y轴方向上对称设置。

每个电连接单元8251具有一个第一端部D1、一个第二端部D2以及连接在第一端部D1和第二端部D2之间的连接枝节D3。两个电连接单元8251的第一端部D1与音圈823的两个引出端子823a一一对应。两个电连接单元8251借助自身的第一端部D1分别电连接于音圈823的邻近第一边部821a的两个拐角位置的引出端子823a。

示例性的，为了提高电连接件825与音圈823的固定效果，两个电连接件825的第一端部D1可以一一固定于音圈823的邻近第一边部821a的两个拐角位置。且与位于拐角位置的引出端子823a电连接。具体的，第一端部D1与引出端子823a之间可以通过焊接、胶粘等方式实现电连接。

在本申请的实施例中，通过使得电连接件825包括两个间隔分布的电连接单元8251，这样，两个电连接单元8251可以分别与音圈823的正极引出端子和负极引出端子电连接，从而提高电连接的可靠性。当然，本申请不限于此，在其它的实施例中，电连接件825还可以为一体件。

为了避免电连接件825阻碍音圈823的运动，在一些实施例中，电连接件825为柔性结构，该柔性结构83包括但不限于FPC以及由多根导线通过柔性结构连接形成的结构。

请继续参阅图17，每个电连接单元8251的连接枝节D3包括活动段D31和固定段D32。每个电连接单元8251的活动段D31的一端与对应的第一端部D1相连。且活动段D31悬空设置。由于靠近第一端部D1的活动段D31在随着音圈823的移动而振动时，其振动幅度比较大，通过使得活动段D31悬空，有利于防止磁路系统824对电连接单元8251随着音圈823的振动而产生的干涉作用，进而有利于防止电连接825拍打磁路系统824产生杂音。

请继续参阅图17，并且结合图18，图18为根据图15所示的边缘导磁轭的立体图。第一边缘磁轭部82441的邻近中心磁体8241的一端和第二边缘磁轭部82442的邻近中心磁体8241的一端均具有让位缺口82441a。第一边缘磁轭部82441的让位缺口82441a以及第一边磁体8242a与第三边磁体8242c之间的间隔空间可以共同限定出用于避让其中一个电连接单元8251的活动段D31的避让空间。与此同时，第二边缘磁轭部82442的让位缺口82441a以及第一边磁体8242a与第四边磁体8242d之间的间隔空间可以共同限定出用于避让另一个电连接单元8251的活动段D31的避让空间，从而实现活动段D31的悬空。

具体的，每个电连接单元8251的活动段D31沿着音圈823的周向延伸。示例性的，每个电连接单元8251的活动段D31形成为向远离音圈823的方向拱起的弧形。

每个电连接单元8251的固定段D32与活动段D31的另一端相连。且每个电连接单元8251的固定段D32朝向另一个电连接单元8251的方向延伸。每个电连接单元8251的固定段D32通过缓冲材料827连接于第一边缘导磁轭8244a。

由此一来，在本申请的实施例的内核82中，通过使得电连接单元8251的活动段D31悬空，而固定段D32固定，与整个电连接单元8251的连接枝节D3均悬空相比，有利于减小悬空的连接枝节D3的尺寸，从而有利于减小磁路系统824上对电连接单元8251进行避让所设置的空间，有利于增大磁路系统824的体积，提高驱动力，从而提高扬声器模组80的声学性能。

在此基础上，为了进一步地对活动段D31进行避让，请继续参阅图17和图18，第一边缘导磁轭8244a的在Y轴方向上的两端分别具有避让缺口8244a1。两个避让缺口8244a1与处第一边缘导磁轭8244a的在Y轴方向的两端的让位缺口82441a一一对应且连通。两个电连接单元8251的活动段D31与两个避让缺口8244a1一一对应。每个电连接单元8251的活动段D31的一部分与对应的让位缺口82441a正对，且另一部分与对应的避让缺口8244a1正对。

这样一来，有利于利用避让缺口8244a1进一步对电连接单元8251的活动段D31进行避让，从而可以有利于增大每个电连接单元8251中悬空的活动段D31的尺寸，并且减小用于与第一边缘导磁轭8244a连接的固定段D32的尺寸，从而更加有利于电连接件825随着音圈823的移动而振动。

进一步的，为了进一步防止边磁体8242对电连接件825的振动干涉，请返回参阅图15，第一边磁体8242a在Y轴方向的两端分别具有避让开口8242a1，在振膜组822的振动方向上，两个避让开口8242a1与两个避让缺口8244a1一一正对。

请继续参阅图17，并且结合图18，第一边缘导磁轭8244a的朝向振膜组822的表面具有两个连接区域8244a2和两个过渡区域8244a3。两个连接区域8244a2在两个避让缺口8244a1的排布方向上排布。在Y轴方向上，两个连接区域8244a2处于两个避让缺口8244a1之间。每个避让缺口8244a1与所述两个连接区域8244a2之间设置一个过渡区域8244a3。在由连接区域8244a2到避让缺口8244a1的方向上，每个过渡区域8244a3均朝向远离振膜组822的方向倾斜延伸至对应的避让缺口8244a1。

两个电连接单元8251的固定段D32与两个连接区域8244a2一一对应，每个电连接单元8251的固定段D32的一部分通过缓冲材料827连接于对应的连接区域8244a2。每个电连接单元8251的固定段D32的另一部分位于对应的过渡区域8244a3的邻近振动组822的一侧。

由此一来，通过设置过渡区域8244a3，在由连接区域8244a2到避让缺口8244a1的方向上，有利于连接枝节D3由与连接区域8244a2固定相连到悬空的逐渐过渡，当电连接件825随着音圈823的移动而振动时，有利于减弱连接枝节D3的振动弯折变形程度，避免连接枝节D3的弯折断裂。

示例性的，每个电连接单元8251的固定段D32的另一部分通过缓冲材料827连接于过渡区域8244a3。由此，可以防止电连接单元8251拍打过渡区域而产生杂音。当然，可以理解的是，在其它的示例中，每个电连接单元8251的固定段D32的另一部分与过渡区域8244a3之间无连接关系。

在上述实施例的基础上，为了便于将电连接件825与电连接结构83进行电连接，请参阅图19和图20，图19为根据图11所示的音圈823、电连接件825、导电件828和边缘导磁轭8244的配合示意图；图20为根据图11中所示的电连接件825、导电件828、盆架821和边缘导磁轭8244的分解示意图。内核82还包括两个导电件828。导电件828的材质包括但不限于金属，例如钢、铜或铝。两个导电件均固定于第一边部821a，且在Y轴方向上间隔开。每个导电件828均包括第一端子M1、第二端子M2以及连接在第一端子M1和第二端子M2之间的连接段M3。两个电连接单元8251的第二端部D2与两个导电件828的第一端子M1一一对应且电连接。两个导电件828的第二端子M2由内核82的外表面所露出，以便于两个导电件828的第二端子M2用作内核82的外接端子。

这样一来，两个导电件828的第二端子M2可与图8中的电连接结构83电连接，从而将实现内核82与电路板的电连接。

在上述实施例的基础上，为了合理优化内核82的结构布局，实现内核82结构的紧凑性，便于导电件828的第一端子M1与电连接单元8251的第二端部D2的电连接。两个导电件828的第一端子M1与两个第一嵌设槽821a2一一对应。每个第一端子M1嵌设于对应的第一嵌设槽821a2内。第一边缘导磁轭8244a的远离第二边缘导磁轭8244b的一端具有让位开口8244a5。让位开口8244a5处于两个连接区域8244a2之间。支撑板821a1位于让位开口8244a5内。在振膜组822的振动方向上，两个第二电连接单元8251的第二端部D2处于让位开口8244a5的邻近振膜组822的一侧，且两个第二电连接单元8251的第二端部D2与让位开口8244a5正对，以便于两个第二电连接单元8251的第二端部D2与两个导电件828的第一端子M1的一一对应且电连接。

由此一来，让位开口8244a5可以起到避让支撑板821a1以及第二端子M2的作用，避免了短路问题的发生。

示例性的，第二端部D2与第一端子M1之间的连接方式包括但不限于焊接、胶粘等，只要能够保证第二端部D2与第一端子M1之间的相对固定和电连接即可。

在此基础上，为了便于对第二端子M2的固定，请参阅图21，图21为根据图11所示的盆架821、边缘导磁轭8244和导电件828的连接示意图。第一边部821a的背离振膜组822的表面具有两个第二嵌设槽821k。两个第二嵌设槽821k处于第一边部821a的在Y轴方向上的两端。两个导电件828的第二端子M2与两个第二嵌设槽821k一一对应。每个第二端子M2嵌设于对应的第二嵌设槽821k内。

具体的，连接段M3嵌设于第一边部821a中。也就是说，连接段M3位于第一边部821a的表面的内部，连接段M3仅仅与第一端子M1和第二端子M2相连的端面由第一边部821a的表面露出。

这样一来，可以利用盆架821起到绝缘的作用，对连接段M3进行防护，避免连接段M3与其它的导电的结构接触而出现短路。

为了便于连接段M3嵌设于第一边部821a内，防止连接段M3的除了与第一端子M1和第二端子M2相连的端面以外的其它部分由第一边部821a的表面露出。连接段M3在由盆架的底面821f到盆架的顶面821e的方向上拱起。示例性的，连接段M3形成为弧形、“V”形或“U”形。

在此基础上，导电件828与盆架821连接为一体。示例性的，导电件828和上述的边缘导磁轭8244可以预埋于模具中，然后通过二次注塑工艺，在导电件828的表面以及边缘导磁轭8244的表面注塑出盆架821和支撑板821a1。

在上述任一实施例的基础上，为了确保内核82在X轴方向上的对称设置，以便于保证磁路系统824驱动音圈823移动时，音圈823受力的均匀性，请继续参阅图20，内核82还包括第一配重平衡件826。第一配重平衡件826与电连接件825的结构相同。且第一配重平衡件826与电连接件825相对音圈823对称设置。具体的，第一配重平衡件826包括两个第一配重平衡单元8261。两个配重平衡单元8261沿第二边部821b的延伸方向间隔开设置且在Y轴方向上对称设置。两个配重平衡单元8261与第二边部821b的相对位置关系与两个电连接单元8251与第一边部821a的相对位置关系相同，两个配重平衡单元8261与磁路系统824的连接关系、位置关系等与两个电连接单元8251的磁路系统824的连接关系、位置关系等均相同，此处不再赘述。

在此基础上，请继续参阅图20，当内核82包括两个导电件828时，为了确保内核82的对称设置，以便于保证磁路系统824驱动音圈823移动时，音圈823受力的均匀性，内核82还包括两个第二配重平衡件829。第二配重平衡件829与导电件828的结构相同。两个第二配重平衡件829与两个导电件828相对于音圈823对称设置。第二配重平衡件829与第一配重平衡件826的连接关系和位置关系参照导电件828与电连接件825的连接关系和位置关系，第二配重平衡件829与第二边部821b的连接关系和位置关系参照导电件828和第一边部821a的连接关系和位置关系，此处不再赘述。

请参阅图22和图23，图22为本申请另一些实施例提供的磁路系统的分解示意图，图23为根据本申请另一些实施例提供的磁路系统、音圈、盆架、电连接件的装配示意图。图22和图23所示的实施例与图10-图21中所示的实施例的不同之处在于：边缘导磁轭8244不包括第一边缘磁轭部82441、第二边缘磁轭部82442、第三边缘磁轭部82443和第四边缘磁轭部82444。在音圈823的周向上，第一边缘导磁轭8244a与第三边缘导磁轭8244c之间间隔开且二者相互独立。第一边缘导磁轭8244a与第四边缘导磁轭8244d之间间隔开且二者相互独立。这样一来，在音圈823的周向上，第一边缘导磁轭8244a与第三边缘导磁轭8244c之间的间隔区域以及第一边磁体8242a与第三边磁体8242c之间的间隔空间可以共同限定出用于避让其中一个电连接单元8251的活动段D31的避让空间。在音圈823的周向上，第一边缘导磁轭8244a与第四边缘导磁轭8244d之间的间隔区域以及第一边磁体8242a与第四边磁体8242d之间的间隔空间可以共同限定出用于避让另一个电连接单元8251的活动段D31的避让空间。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (22)

1.一种内核，其特征在于，包括:振膜组、磁路系统、音圈、电连接件和缓冲材料；

在所述振膜组的振动方向上，所述磁路系统和所述音圈位于所述振膜组的同一侧，所述磁路系统与所述振膜组之间形成有振动空间；

所述磁路系统具有环形的磁间隙，所述音圈与所述振膜组相连，且所述音圈的部分位于所述磁间隙内；

所述电连接件位于所述音圈的外周，且与所述音圈电连接，在所述振膜组的振动方向上，所述电连接件处于所述磁路系统与所述振膜组之间的所述振动空间内，所述电连接件的正对所述磁路系统的部分通过所述缓冲材料连接于所述磁路系统。

2.根据权利要求1所述的内核，其特征在于，所述音圈具有两个引出端子，两个所述引出端子在所述音圈的周向上间隔开；

所述电连接件包括两个电连接单元，两个所述电连接单元在所述音圈的周向上间隔分布，每个所述电连接单元均包括第一端部和连接枝节，两个所述电连接单元与两个所述引出端子一一对应，每个所述电连接单元借助自身的所述第一端部与对应的所述引出端子电连接；

所述连接枝节包括活动段和固定段，所述活动段连接在所述第一端部和所述固定段之间且悬空设置，每个所述电连接单元的所述固定段通过所述缓冲材料连接于所述磁路系统。

3.根据权利要求2所述的内核，其特征在于，所述磁路系统包括：中心磁体、边磁体和边缘导磁轭；

所述边磁体围绕所述中心磁体的一周设置，所述边磁体的充磁方向与所述中心磁体的充磁方向相反，所述边磁体与所述中心磁体之间间隔开以形成所述磁间隙；

所述边缘导磁轭层叠设置于所述边磁体的朝向所述振膜组的表面上，每个所述电连接单元的所述固定段通过所述缓冲材料连接于所述边缘导磁轭。

4.根据权利要求3所述的内核，其特征在于，所述边磁体包括第一边磁体，所述第一边磁体处于所述中心磁体的一侧；

所述边缘导磁轭包括第一边缘导磁轭，所述第一边缘导磁轭层叠固定于所述第一边磁体；

两个所述电连接单元处于所述中心磁体的邻近所述第一边缘导磁轭的一侧，且每个所述电连接单元的所述固定段通过所述缓冲材料连接于所述第一边缘导磁轭。

5.根据权利要求4所述的内核，其特征在于，所述磁路系统具有两个避让空间，两个所述避让空间与两个所述电连接单元一一对应，每个所述避让空间用于避让对应的所述电连接单元的所述活动段。

6.根据权利要求5所述的内核，其特征在于，所述边磁体还包括第三边磁体和第四边磁体，在所述音圈的周向上，所述第三边磁体和所述第四边磁体位于所述第一边磁体的两侧，所述第三边磁体与所述第一边磁体之间以及所述第四边磁体与所述第一边磁体之间均间隔设置以分别形成间隔空间；

所述边缘导磁轭还包括第三边缘导磁轭、第四边缘导磁轭、第一边缘磁轭部和第二边缘磁轭部，所述第三边缘导磁轭层叠设置于所述第三边磁体，所述第四边缘导磁轭层叠设置于所述第四边磁体，所述第一边缘磁轭部连接在所述第一边缘导磁轭和所述第三边缘导磁轭之间，所述第二边缘磁轭部连接在所述第一边缘导磁轭和所述第四边缘导磁轭之间，所述第一边缘磁轭部和所述第二边缘磁轭部的邻近所述中心磁体的一端分别具有让位缺口；

其中，所述第一边缘磁轭部的所述让位缺口、以及所述第一边磁体和所述第三边磁体之间的所述间隔空间共同限定出其中一个所述避让空间；

所述第二边缘磁轭部的所述让位缺口、以及所述第一边磁体和所述第四边磁体之间的所述间隔空间共同限定出另一个所述避让空间。

7.根据权利要求6所述的内核，其特征在于，所述第一边缘导磁轭的在所述音圈的周向上的两端分别具有避让缺口，所述第一边缘导磁轭的两端的所述避让缺口与处于所述第一边缘导磁轭两侧的所述让位缺口一一对应且连通，每个所述避让缺口用于避让对应的所述电连接单元的所述活动段。

8.根据权利要求7所述的内核，其特征在于，所述第一边磁体的在所述音圈的周向上的两端分别具有避让开口，在所述振膜组的振动方向上，两个所述避让开口与两个所述避让缺口一一正对。

9.根据权利要求7或8所述的内核，其特征在于，所述第一边缘导磁轭的朝向所述振膜组的表面具有两个连接区域和两个过渡区域，两个所述连接区域在两个所述避让缺口的排布方向上排布，且处于两个所述避让缺口之间，每个所述避让缺口与所述两个连接区域之间设置一个所述过渡区域，在由所述连接区域到所述避让缺口的方向上，每个所述过渡区域均朝向远离所述振膜组的方向倾斜延伸至对应的所述避让缺口；

每个所述电连接单元对应有一个所述连接区域和一个所述过渡区域，每个所述电连接单元的所述固定段的一部分通过所述缓冲材料连接于对应的所述连接区域，且所述固定段的另一部分位于对应的所述过渡区域的邻近所述振膜组的一侧。

10.根据权利要求9所述的内核，其特征在于，每个所述电连接单元的所述固定段的另一部分通过所述缓冲材料连接于所述过渡区域。

11.根据权利要求9所述的内核，其特征在于，每个所述电连接单元还包括第二端部，所述第二端部与所述固定段的远离所述第一端部的一端相连；

所述第一边缘导磁轭的远离所述音圈的一端具有让位开口，所述让位开口处于两个所述连接区域之间，两个所述电连接单元的所述第二端部处于所述让位开口的邻近所述振膜组的一侧，且在所述振膜组的振动方向上，与所述让位开口正对。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的内核，其特征在于，还包括盆架和两个导电件；

所述盆架呈环形框状，所述音圈位于所述盆架内，所述磁路系统固定于所述盆架；

所述盆架包括第一边部，所述电连接件位于所述第一边部与所述音圈之间；

两个所述导电件均固定于所述第一边部，且在所述音圈的周向上间隔分布，每个所述导电件均包括第一端子和第二端子；

所述电连接件包括两个电连接单元，两个所述电连接单元在所述音圈的周向上分布，每个所述电连接单元包括第二端部，两个所述电连接单元的所述第二端部与两个所述导电件的所述第一端子一一对应且电连接，两个所述导电件的所述第二端子由所述内核的外表面露出，以用作所述内核的外接端子。

13.根据权利要求12所述的内核，其特征在于，每个所述导电件均包括连接在所述第一端子和所述第二端子之间的连接段，每个所述导电件的所述连接段嵌设于所述第一边部的内部。

14.根据权利要求12所述的内核，其特征在于，所述导电件与所述盆架连接为一体。

15.根据权利要求12所述的内核，其特征在于，所述第一边部的朝向所述音圈的表面设有支撑板，所述支撑板的朝向所述振膜组的表面具有两个第一嵌设槽，两个所述导电件的所述第一端子与两个所述第一嵌设槽一一对应，每个所述第一端子嵌设于对应的所述第一嵌设槽内；

所述磁路系统包括第一边缘导磁轭，所述第一边缘导磁轭位于所述第一边部和所述音圈之间，所述第一边缘导磁轭的远离所述音圈的一端具有让位开口，所述支撑板位于所述让位开口内。

16.根据权利要求15所述的内核，其特征在于，所述第一边部的背离所述振膜组的表面具有两个第二嵌设槽，两个所述第二嵌设槽分别处于所述第一边部沿着所述盆架的周向两端，两个所述导电件的第二端子与两个所述第二嵌设槽一一对应，每个所述第二端子嵌设于对应的所述第二嵌设槽内。

17.根据权利要求12所述的内核，其特征在于，所述音圈和所述盆架均呈矩形框状，所述盆架的长度方向与所述音圈的长度方向一致；

其中，在所述音圈的长度方向上，所述第一边部处于所述音圈的一侧；

所述音圈具有两个引出端子，所述两个引出端子处于所述音圈的邻近所述第一边部的两个相邻的拐角处。

18.根据权利要求1-8中任一项所述的内核，其特征在于，所述磁路系统包括：中心磁体、边磁体和边缘导磁轭；

所述边磁体围绕所述中心磁体的一周设置，所述边磁体的充磁方向与所述中心磁体的充磁方向相反，所述边磁体与所述中心磁体之间间隔开以形成所述磁间隙；

所述边缘导磁轭层叠设置于所述边磁体的朝向所述振膜组的表面上，所述电连接件通过所述缓冲材料连接于所述边缘导磁轭；

所述内核还包括盆架，所述盆架呈环形框状，所述音圈位于所述盆架内，所述边缘导磁轭固定于所述盆架的内周壁上。

19.根据权利要求18所述的内核，其特征在于，所述盆架与所述边缘导磁轭连接为一体。

20.根据权利要求1-8中任一项所述的内核，其特征在于，所述缓冲材料为粘接胶。

21.一种扬声器模组，其特征在于，包括壳体和权利要求1-20中任一项所述的内核，所述内核设置于所述壳体内，且所述壳体被所述振膜组分隔为前腔和后腔，所述音圈和磁路系统均位于所述后腔内，所述壳体上设有出声通道，所述前腔与所述出声通道连通。

22.一种电子设备，其特征在于，包括外壳、电路板和权利要求21所述的扬声器模组，所述电路板和所述扬声器模组设置于所述外壳内，且所述扬声器模组与所述电路板电连接，所述外壳上设有出音孔，所述出声通道与所述出音孔连通。