CN220098902U - 一种电路芯片防静电保护膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电路芯片防静电保护膜，包括PVC基材膜层和所述PVC基材膜层内部设置的抗静电胶层，所述抗静电胶层的内部设置有支撑保护组件，所述支撑保护组件用于加强支撑所述PVC基材膜层，所述抗静电胶层的底部设置有高分子薄膜层，支撑保护组件与抗静电胶层在增加压力的情况下可耐高压击穿，并拥有优秀的绝缘性、耐冲击、耐盐雾、耐酸碱、耐水性、耐电解液等特性，提高了保护膜体防静电的效果，且防静电性能优异；高分子薄膜层为TPU膜，其比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路芯片设备技术领域，具体为一种电路芯片防静电保护膜。
背景技术
电路芯片在加工过程中由于摩擦作用会产生较多的静电，可能击穿电路芯片，对电路芯片造成损坏，缺乏对电路芯片防静电保护效果，且缺少一定的支撑性，易发生破损。
比如，申请号：202221356144.7的专利申请公开了一种耐高温晶圆芯片保护膜，包括PVC基材膜层、聚酯高粘接力胶层、抗静电胶层、耐温胶层和离型膜层，所述PVC基材膜层的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层的下表面设置有所述抗静电胶层，所述抗静电胶层的下表面设置有所述耐温胶层，所述耐温胶层的下表面设置有所述离型膜层。所述耐高温晶圆芯片保护膜，对PVC基材膜层的粘接强度高，剥离后不残胶，能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对PVC粘接强度低、剥离后易残胶的问题。
然而，以上专利电路芯片在加工过程中由于摩擦作用会产生较多的静电，可能击穿电路芯片，对电路芯片造成损坏，缺乏对电路芯片防静电保护效果，且缺少一定的支撑性，易发生破损。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电路芯片防静电保护膜，支撑保护组件与抗静电胶层在增加压力的情况下可耐高压击穿，并拥有优秀的绝缘性、耐冲击、耐盐雾、耐酸碱、耐水性、耐电解液等特性，提高了保护膜体防静电的效果，且防静电性能优异；高分子薄膜层为TPU膜，其比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染，解决上述背景技术中提出的电路芯片在加工过程中由于摩擦作用会产生较多的静电，可能击穿电路芯片，对电路芯片造成损坏，缺乏对电路芯片防静电保护效果，且缺少一定的支撑性，易发生破损问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种电路芯片防静电保护膜，包括PVC基材膜层和所述PVC基材膜层内部设置的抗静电胶层，所述抗静电胶层的内部设置有支撑保护组件，所述支撑保护组件用于对所述PVC基材膜层实现加强支撑的目的，所述抗静电胶层的底部设置有高分子薄膜层，所述高分子薄膜层的底部设置有连接膜层，所述支撑保护组件包括内嵌在所述抗静电胶层内部的绝缘防护纳米涂层，且所述绝缘防护纳米涂层的底部设置有抗皱层。
优选的，还包括聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层设置在所述PVC基材膜层的底部。
优选的，所述高分子薄膜层设置为PU膜层，所述PU膜层的厚度为30～100μm。
优选的，所述连接膜层设置为抗拉伸连接膜层。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型支撑保护组件与抗静电胶层在增加压力的情况下可耐高压击穿，并拥有优秀的绝缘性、耐冲击、耐盐雾、耐酸碱、耐水性、耐电解液等特性，提高了保护膜体防静电的效果，且防静电性能优异。
2、本实用新型高分子薄膜层为TPU膜，其比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染。
附图说明
图1为本实用新型的结构立体示意图；
图2为本实用新型的结构立体剖视图；
图3为本实用新型的结构图1中A处局部放大示意图。
图中：1、PVC基材膜层；2、抗静电胶层；3、支撑保护组件；31、绝缘防护纳米涂层；32、抗皱层；4、高分子薄膜层；5、连接膜层；6、聚酯高粘接力胶层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种电路芯片防静电保护膜，包括PVC基材膜层1和PVC基材膜层1内部设置的抗静电胶层2，抗静电胶层2的内部设置有支撑保护组件3，支撑保护组件3用于加强支撑PVC基材膜层1，抗静电胶层2的底部设置有高分子薄膜层4，高分子薄膜层4的底部设置有连接膜层5；支撑保护组件3包括内嵌在抗静电胶层2内部的绝缘防护纳米涂层31，且绝缘防护纳米涂层31的底部设置有抗皱层32，需要说明的是，在增加压力的情况下可耐高压击穿，并拥有优秀的绝缘性、耐冲击、耐盐雾、耐酸碱、耐水性、耐电解液等特性，提高了保护膜体防静电的效果，同时抗皱层32具有移动的弹性支撑，缓解折叠造成的皱痕较重；高分子薄膜层4为TPU膜，其比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染。
还包括聚酯高粘接力胶层6，聚酯高粘接力胶层6设置在PVC基材膜层1的底部，通过设置聚酯高粘接力胶层6设置在PVC基材膜层1的底部，进而起到对电路芯片表面具有一定的吸附力。
高分子薄膜层4设置为PU膜层，PU膜层的厚度为30～100μm；需要说明的是，TPU膜比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染。
连接膜层5设置为抗拉伸连接膜层5，值得注意的是，连接膜层5设置为抗拉伸连接膜层5，具有优秀的断裂伸长率和均匀的各向拉伸性能。
本装置支撑保护组件3与抗静电胶层2在增加压力的情况下可耐高压击穿，并拥有优秀的绝缘性、耐冲击、耐盐雾、耐酸碱、耐水性、耐电解液等特性，提高了保护膜体防静电的效果，且防静电性能优异；
高分子薄膜层4为TPU膜，其比其它常规高分子薄膜的扩张性要好，其拉伸率和PVC膜能保持一致，不影响使用，且TPU膜不含增塑剂，离型剂对它的附着力比较好，不会产生硅离型污染。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种电路芯片防静电保护膜，包括PVC基材膜层(1)和所述PVC基材膜层(1)内部设置的抗静电胶层(2)，其特征在于：所述抗静电胶层(2)的内部设置有支撑保护组件(3)，所述支撑保护组件(3)用于支撑所述PVC基材膜层(1)，所述抗静电胶层(2)的底部设置有高分子薄膜层(4)，所述高分子薄膜层(4)的底部设置有连接膜层(5)，所述支撑保护组件(3)包括内嵌在所述抗静电胶层(2)内部的绝缘防护纳米涂层(31)，且所述绝缘防护纳米涂层(31)的底部设置有抗皱层(32)。
2.根据权利要求1所述的一种电路芯片防静电保护膜，其特征在于：还包括聚酯高粘接力胶层(6)，所述聚酯高粘接力胶层(6)设置在所述PVC基材膜层(1)的底部。
3.根据权利要求1所述的一种电路芯片防静电保护膜，其特征在于：所述高分子薄膜层(4)设置为PU膜层，所述PU膜层的厚度为30～100μm。
4.根据权利要求1所述的一种电路芯片防静电保护膜，其特征在于：所述连接膜层(5)设置为抗拉伸连接膜层(5)。
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