CN220021574U - 电路基板以及电子设备 - Google Patents

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CN220021574U
CN220021574U CN202190000852.4U CN202190000852U CN220021574U CN 220021574 U CN220021574 U CN 220021574U CN 202190000852 U CN202190000852 U CN 202190000852U CN 220021574 U CN220021574 U CN 220021574U
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CN
China
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waveguide
interlayer connection
connection conductors
circuit board
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池本伸郎
松本充弘
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
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    • H—ELECTRICITY
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种电路基板以及电子设备。第1波导管导体层设置于本体。第2波导管导体层设置于本体，并且位于第1波导管导体层之下。多个第1层间连接导体将第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，沿第1高频信号的第1传播方向排列。多个第2层间连接导体将第1波导管导体层和第2波导管导体层电连接，在第1正交方向上与多个第1层间连接导体分离的位置沿第1传播方向排列。本体包括具有多孔质构造的多孔质区域。在沿第1传播方向观察时，多孔质区域的至少一部分位于被第1波导管导体层、第2波导管导体层、第1层间连接导体以及第2层间连接导体包围的区域。多孔质区域包括多个独立气泡。

Description

电路基板以及电子设备
技术领域
本实用新型涉及具备波导管的电路基板以及电子设备。
背景技术
作为以往的关于电路基板的发明，例如已知有专利文献1所记载的波导。该波导具备基板、第1导电膜、第2导电膜以及多个柱状物。基板具有沿上下方向层叠有多个绝缘体层的构造。第1导电膜以及第2导电膜设置于基板。第1导电膜设置于第2导电膜之上。第1导电膜和第2导电膜隔着绝缘体层而相对。多个柱状物沿上下方向贯通多个绝缘体层。在沿上下方向观察时，多个柱状物沿着第1导电膜的四边排列。多个柱状物将第1导电膜和第2导电膜电连接。根据这种波导，能够利用被第1导电膜、第2导电膜和多个柱状物包围的区域来传播高频信号。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5948844号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
可是，专利文献1所记载的波导具有波导的制造工序变得复杂这样的问题。更详细而言，在近年来的电子设备的领域中，高频信号的频率有变高的倾向，高频信号的波长变短了。在该情况下，为了使得高频信号不从被第1导电膜、第2导电膜和多个柱状物包围的区域泄漏，以较短的间隔形成多个柱状物。因此，高精度地形成多个柱状物。其结果是，波导的制造工序复杂化。
因此，本实用新型的目的在于提供一种电路基板以及电子设备，能够抑制具有第1波导管的电路基板的制造工序的复杂化。
用于解决问题的技术方案
本实用新型的一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多孔质区域包括多个独立气泡。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述本体包括多个绝缘体层，
所述多个第1层间连接导体沿上下方向贯通一个以上的所述绝缘体层中的至少一个所述绝缘体层，
所述多个第2层间连接导体沿上下方向贯通一个以上的所述绝缘体层中的至少一个所述绝缘体层，
通过在上下方向上位于所述第1波导管导体层与所述第2波导管导体层之间的一个以上的所述绝缘体层是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了所述多孔质区域，
所述电路基板还具备：布线导体层，设置于所述本体，
一个以上的所述绝缘体层包括不具有多孔质构造的非多孔质绝缘体层，
所述布线导体层设置于所述非多孔质绝缘体层。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述本体的整体是所述多孔质区域，
所述电路基板还具备：第1保护层以及第2保护层，分别覆盖所述本体的上主面以及下主面。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述电路基板具有传播第2高频信号的第2波导管，
所述电路基板还具备：
第3波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第2波导管导体层之下；
多个第3层间连接导体，将所述第2波导管导体层和所述第3波导管导体层电连接，其中，所述多个第3层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第2高频信号的第2传播方向排列；以及
多个第4层间连接导体，将所述第2波导管导体层和所述第3波导管导体层电连接，其中，所述多个第4层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第2传播方向正交的第2正交方向上与所述多个第3层间连接导体分离的位置，沿所述第2传播方向排列，
所述第2波导管导体层、所述第3波导管导体层、所述多个第3层间连接导体以及所述多个第4层间连接导体是所述第2波导管。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述电路基板具有传播第2高频信号的第2波导管，
所述电路基板还具备：
多个第3层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第3层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第2高频信号的第2传播方向排列；以及
多个第4层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第4层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第2传播方向正交的第2正交方向上与所述多个第3层间连接导体分离的位置，沿所述第2传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第3层间连接导体以及所述第4层间连接导体是所述第2波导管。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多个第1层间连接导体和所述多个第2层间连接导体的所述第1正交方向上的距离在所述第1传播方向上周期性地变化。
本实用新型的另一个方式所涉及的电路基板具有传播第1高频信号的第1波导管，其中，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多个第1层间连接导体和所述多个第2层间连接导体的所述第1正交方向上的距离包括第1距离以及比所述第1距离短的第2距离，
在所述第1正交方向上仅分离了所述第2距离的多个所述第1层间连接导体以及多个所述第2层间连接导体，在所述第1传播方向上以所述第1高频信号的半波长的整数倍的间隔排列。
本实用新型的一个方式所涉及的电子设备具备上述任一个方式涉及的电路基板。
实用新型效果
根据本实用新型所涉及的电路基板以及电子设备，能够抑制具有第1波导管的电路基板的制造工序的复杂化。
附图说明
图1是电路基板10的分解立体图。
图2是图1的A-A处的电路基板10的剖视图。
图3是电子设备1的后视图。
图4是电路基板10a的剖视图。
图5是电路基板10b的剖视图。
图6是电路基板10c的剖视图。
图7是电路基板10d的剖视图。
图8是电路基板10e的剖视图。
图9是电路基板10f的剖视图。
图10是电路基板10g的剖视图。
图11是电路基板10h的剖视图。
图12是电路基板10i的剖视图。
图13是电路基板10j的剖视图。
图14是电路基板10k的剖视图。
图15是电路基板10l的俯视图。
图16是电路基板10m的后视图。
图17是电路基板10n的分解立体图。
具体实施方式
(实施方式)
[电路基板10的构造]
以下，参照附图来说明本实用新型的实施方式所涉及的电路基板10的构造。图1是电路基板10的分解立体图。图2是图1的A-A处的电路基板10的剖视图。另外，在图1中，对多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2中的代表性的第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2标注了参照附图标记。
电路基板10具有传播第1高频信号的第1波导管100。因此，在本说明书中，将第1高频信号的第1传播方向定义为左右方向。此外，将电路基板10的本体12的上主面以及下主面的法线方向定义为上下方向。上下方向和左右方向正交。将与上下方向以及左右方向正交的方向定义为前后方向。
以下，X是电路基板10的部件或者构件。在本说明书中，在没有特别说明的情况下，针对X的各部分，如以下那样进行定义。X的前部意味着X的前半部分。X的后部意味着X的后半部分。X的左部意味着X的左半部分。X的右部意味着X的右半部分。X的上部意味着X的上半部分。X的下部意味着X的下半部分。X的前端意味着X的前方向的端缘。X的后端意味着X的后方向的端缘。X的左端意味着X的左方向的端缘。X的右端意味着X的右方向的端缘。X的上端意味着X的上方向的端缘。X的下端意味着X的下方向的端缘。X的前端部意味着X的前端及其附近。X的后端部意味着X的后端及其附近。X的左端部意味着X的左端及其附近。X的右端部意味着X的右端及其附近。X的上端部意味着X的上端及其附近。X的下端部意味着X的下端及其附近。
首先，参照图1以及图2来说明电路基板10的构造。如图1所示，电路基板10具备本体12、第1保护层16a、第2保护层16b、第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35、多个连接导体层50、52、60、62(参照图2)、多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2、以及层间连接导体v5～v8。
本体12具有板形状。因此，本体12具有上主面以及下主面。本体12的上主面以及下主面的法线沿上下方向延伸。如图1所示，在沿上下方向观察时，本体12具有长方形形状，该长方形形状具有沿左右方向延伸的长边。因此，本体12的左右方向的长度比本体12的前后方向的长度长。但是，在沿上下方向观察时，本体12也可以具有向前方向或者后方向弯曲的形状。
如图1以及图2所示，本体12包括绝缘体层14a～14d。更详细而言，本体12具有绝缘体层14a～14d层叠为从上向下按照该顺序排列的构造。在沿上下方向观察时，绝缘体层14a～14d具有与本体12相同的长方形形状。绝缘体层14a～14d是具有挠性的电介质片。绝缘体层14a～14d的材料是聚酰亚胺、液晶聚合物等热塑性树脂。
第1波导管导体层18设置于本体12。更详细而言，第1波导管导体层18设置于绝缘体层14a的上主面。如图1所示，在沿上下方向观察时，第1波导管导体层18具有长方形形状，该长方形形状具有沿左右方向延伸的长边。因此，第1波导管导体层18的左右方向的长度比第1波导管导体层18的前后方向的长度长。
第2波导管导体层20设置于本体12。第2波导管导体层20设置于绝缘体层14d的下主面。由此，第2波导管导体层20位于第1波导管导体层18之下。在本说明书中，“第2波导管导体层20位于第1波导管导体层18之下”是指以下的状态。第2波导管导体层20的至少一部分配置于第1波导管导体层18向下方向平行移动时通过的区域内。因此，第2波导管导体层20既可以收纳在第1波导管导体层18向下方向平行移动时通过的区域内，也可以从第1波导管导体层18向下方向平行移动时通过的区域突出。在本实施方式中，第2波导管导体层20未从第1波导管导体层18向下方向平行移动时通过的区域突出。在沿上下方向观察时，第2波导管导体层20与第1波导管导体层18重叠。在沿上下方向观察时，第2波导管导体层20的外缘的整体与第1波导管导体层18的外缘的整体重叠。因此，如图1所示，在沿上下方向观察时，第2波导管导体层20具有长方形形状，该长方形形状具有沿左右方向延伸的长边。因此，第2波导管导体层20的左右方向的长度比第2波导管导体层20的前后方向的长度长。
多个第1层间连接导体v1将第1波导管导体层18和第2波导管导体层20电连接。多个第1层间连接导体v1设置于本体12。更详细而言，多个第1层间连接导体v1沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。多个第1层间连接导体v1的上端与第1波导管导体层18连接。多个第1层间连接导体v1的下端与第2波导管导体层20连接。此外，如图2所示，多个第1层间连接导体v1分别包括层间连接导体v11～v14。层间连接导体v11～v14分别沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。层间连接导体v11～v14串联连接为从上向下按照该顺序排列，由此形成了第1层间连接导体v1。另外，连接导体层50设置于绝缘体层14a的下主面。连接导体层50设置在层间连接导体v11的下端与层间连接导体v12的上端之间。连接导体层52设置于绝缘体层14b的下主面。连接导体层52设置在层间连接导体v12的下端与层间连接导体v13的上端之间。以上那样的多个第1层间连接导体v1沿左右方向(与上下方向正交的第1高频信号的第1传播方向)排列。在本实施方式中，在沿上下方向观察时，多个第1层间连接导体v1沿着第1波导管导体层18的后边以及第2波导管导体层20的后边沿左右方向排列为一列。
多个第2层间连接导体v2将第1波导管导体层18和第2波导管导体层20电连接。多个第2层间连接导体v2设置于本体12。更详细而言，多个第2层间连接导体v2沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。多个第2层间连接导体v2的上端与第1波导管导体层18连接。多个第2层间连接导体v2的下端与第2波导管导体层20连接。此外，如图2所示，多个第2层间连接导体v2分别包括层间连接导体v21～v24。层间连接导体v21～v24分别沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。层间连接导体v21～v24串联连接为从上向下按照该顺序排列，由此形成了第2层间连接导体v2。另外，连接导体层60设置于绝缘体层14a的下主面。连接导体层60设置在层间连接导体v21的下端与层间连接导体v22的上端之间。连接导体层62设置于绝缘体层14b的下主面。连接导体层62设置在层间连接导体v22的下端与层间连接导体v23的上端之间。以上那样的多个第2层间连接导体v2在前后方向(与上下方向以及第1传播方向正交的第1正交方向)上与多个第1层间连接导体v1分离的位置沿左右方向(第1传播方向)排列。在本实施方式中，多个第2层间连接导体v2位于多个第1层间连接导体v1之前。在沿上下方向观察时，多个第2层间连接导体v2沿着第1波导管导体层18的前边以及第2波导管导体层20的前边沿左右方向排列为一列。因此，多个第2层间连接导体v2位于多个第1层间连接导体v1之前。
第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2是第1波导管100。第1高频信号在被第1波导管100包围的区域内沿左右方向传播。第1波导管100的传播模式是TE10。
接地导体层29设置于本体12。接地导体层29设置在绝缘体层14d的下主面的左端部。在沿上下方向观察时，接地导体层29具有长方形形状。接地导体层29与第2波导管导体层20连接。更准确地说，接地导体层29与第2波导管导体层20构成为一体。
信号导体层24设置在接地导体层29之上。在沿上下方向观察时，信号导体层24与接地导体层29重叠。信号导体层24具有在绝缘体层14a的上主面沿左右方向延伸的线形状。由此，信号导体层24以及接地导体层29具有微带线构造。信号导体层24中的传播模式是准TEM模式。
模式变换部22设置于绝缘体层14a的上主面。模式变换部22与信号导体层24以及第1波导管导体层18连接。更详细而言，模式变换部22是将信号导体层24的右端和第1波导管导体层18的左边电连接的导体层。模式变换部22具有模式变换部22的线宽随着从左向右而变大的锥形状。模式变换部22对第1高频信号的传播模式进行变换，使得第1高频信号从信号导体层24向第1波导管100传播，或者第1高频信号从第1波导管100向信号导体层24传播。在本实施方式中，在第1高频信号从信号导体层24向第1波导管100传播时，模式变换部22将第1高频信号的传播模式从准TEM模式变换为TE10模式。在第1高频信号从第1波导管100向信号导体层24传播时，模式变换部22将第1高频信号的传播模式从TE10模式变换为准TEM模式。
外部电极25设置于本体12的上主面。外部电极25设置于绝缘体层14a的上主面。外部电极25连接在信号导体层24的左端。在外部电极25，输入输出第1高频信号。
接地电极26、28设置于本体12的上主面。接地电极26、28设置于绝缘体层14a的上主面。在沿上下方向观察时，接地电极26、28具有长方形形状。接地电极26设置在外部电极25之后。接地电极28设置在外部电极25之前。接地电极26、28被连接到接地电位。
层间连接导体v5将接地电极26和接地导体层29电连接。层间连接导体v5沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。层间连接导体v5的上端与接地电极26连接。层间连接导体v5的下端与接地导体层29连接。
层间连接导体v6将接地电极28和接地导体层29电连接。层间连接导体v6沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。层间连接导体v6的上端与接地电极28连接。层间连接导体v6的下端与接地导体层29连接。
另外，模式变换部30、信号导体层32、外部电极33、接地电极34、36、接地导体层35以及层间连接导体v7、v8的构造与模式变换部22、信号导体层24、外部电极25、接地电极26、28、接地导体层29以及层间连接导体v5、v6的构造左右对称，所以省略说明。
第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35以及多个连接导体层50、52、60、62通过对粘贴于绝缘体层14a～14d的上主面或下主面的金属箔实施图案化而形成。金属箔例如是铜箔。此外，多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2以及层间连接导体v5～v8是通过在形成于绝缘体层14a～14d的贯通孔填充导电性膏之后利用加热处理使导电性膏固化而形成的过孔导体。
第1保护层16a覆盖了本体12的上主面。在本实施方式中，第1保护层16a通过覆盖绝缘体层14a的上主面的大致整个面，从而覆盖了第1波导管导体层18以及模式变换部22、30。但是，第1保护层16a未覆盖外部电极25、33以及接地电极26、28、34、36。第1保护层16a例如可以是通过涂敷树脂并且使其固化而形成的保护膜，也可以是粘贴有粘着带的多层构造保护膜。
第2保护层16b覆盖了本体12的下主面。在本实施方式中，第2保护层16b通过覆盖绝缘体层14d的下主面的大致整个面，从而覆盖了第2波导管导体层20。第2保护层16b例如是阻挡层、覆盖层。
可是，如图2所示，本体12包括具有多孔质构造的多孔质区域A。多孔质构造是在多孔质区域A的整体分散有多个小气泡P的构造。在本实施方式中，多孔质区域A包括多个独立气泡。独立气泡具有通过气泡P的整体被本体12的材料包围从而气泡P内的气体不能泄漏到本体12的外部的构造。此外，对于独立气泡，相邻的气泡P彼此不相连。多孔质区域A的空孔率例如为30％以上且80％以下。空孔率是气泡P的体积占本体12的整体体积的比例。在本体12的体积中，不包括第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35、多个连接导体层50、52、60、62、多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2以及层间连接导体v5～v8的体积。
在沿左右方向(第1传播方向)观察时，多孔质区域A的至少一部分位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域。在本实施方式中，通过在上下方向上位于第1波导管导体层18与第2波导管导体层20之间的绝缘体层14a～14d是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了多孔质区域A。本体12仅包括绝缘体层14a～14d。由此，本体12的整体是多孔质区域A。此外，被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域的整体是多孔质区域A。
[电子设备1的构造]
接下来，参照附图来说明具备电路基板10的电子设备1。图3是电子设备1的后视图。
在图3中，将非弯曲区间A11中的上下方向定义为Z轴方向。将非弯曲区间A11中的左右方向定义为X轴方向。将非弯曲区间A11中的前后方向定义为Y轴方向。
电子设备1例如是智能手机等无线通信终端。电子设备1具备电路基板10、200、202以及连接器204、206。电路基板10还具备连接器150、152。连接器150安装于外部电极25以及接地电极26、28。连接器152安装于外部电极33以及接地电极34、36。
本体12具有弯曲区间A10以及非弯曲区间A11、A12。非弯曲区间A11、弯曲区间A10以及非弯曲区间A12按照该顺序向X轴的正方向排列。弯曲区间A10包括本体12的X轴方向的中央。因此，第1波导管100的至少一部分设置在弯曲区间A10。弯曲区间A10相对于非弯曲区间A11而在Z轴的负方向(非弯曲区间A11中的上下方向)上弯曲。此外，弯曲区间A10相对于非弯曲区间A12而在Z轴的正方向(非弯曲区间A11中的上下方向)上弯曲。非弯曲区间A11、A12未在Z轴方向上弯曲。
连接器204安装于电路基板200的两个主面中的位于Z轴的负方向的主面。连接器204与连接器150连接。连接器206安装于电路基板202的两个主面中的位于Z轴的负方向的主面。连接器206与连接器152连接。由此，电路基板10将电路基板200和电路基板202电连接。
[效果]
根据电路基板10，能够抑制具有第1波导管100的电路基板10的制造工序的复杂化。更详细而言，在电路基板10中，本体12包括具有多孔质构造的多孔质区域A。在沿左右方向观察时，多孔质区域A的至少一部分位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2包围的区域。第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2是传播第1高频信号的第1波导管100。因此，多孔质区域A的至少一部分位于第1波导管100的内部。多孔质区域A的介电常数比不具有空孔的区域的介电常数低。因此，在电路基板10中，第1波导管100的内部的介电常数变低。由此，在第1波导管100内传播的第1高频信号的电磁波的波长变长。其结果是，为了抑制第1高频信号的电磁波的泄漏，也可以不缩短多个第1层间连接导体v1的间隔以及多个第2层间连接导体v2的间隔。也可以不高精度地形成多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2。如上所述，能够抑制具有第1波导管100的电路基板10的制造工序的复杂化。
在电路基板10中，本体12包括具有多孔质构造的多孔质区域A。多孔质区域A包括气泡P。因此，多孔质区域A容易变形。因此，根据电路基板10，能够容易地使本体12弯曲。特别是，第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2比本体12硬。因此，在本体12中，设置有第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的区域不易变形。因此，在电路基板10中，在沿左右方向观察时，多孔质区域A的至少一部分位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2包围的区域。多孔质区域A容易变形。由此，在电路基板10中，能够在设置有第1波导管100的区间内容易地使本体12弯曲。
根据电路基板10，能够抑制多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的破损，并且能够抑制第1波导管导体层18以及第2波导管导体层20从本体12剥离。更详细而言，本体12包括具有多孔质构造的多孔质区域A。多孔质区域A包括气泡P。因此，当本体12在Z轴方向上弯曲时，可降低对多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2、第1波导管导体层18以及第2波导管导体层20施加的应力。由此，根据电路基板10，能够抑制多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的破损，并且能够抑制第1波导管导体层18以及第2波导管导体层20从本体12剥离。
根据电路基板10，可降低第1波导管100的传播损失。更详细而言，本体12包括具有多孔质构造的多孔质区域A。在沿左右方向观察时，多孔质区域A的至少一部分位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2包围的区域。因此，多孔质区域A的至少一部分位于第1波导管100的内部。多孔质区域A的介质损耗角正切比不具有空孔的区域的介质损耗角正切低。因此，在电路基板10中，第1波导管100的内部的介质损耗角正切变低。由此，可降低第1波导管100的传播损失。
根据电路基板10，能够形成模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35以及多个连接导体层50、52、60、62。更详细而言，一般的波导管不具有层叠构造。因此，大多情况难以形成模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35以及多个连接导体层50、52、60、62。另一方面，在电路基板10中，本体12包括多个绝缘体层14a～14d。即，本体12具有层叠构造。因此，能够形成模式变换部22、30、信号导体层24、32、外部电极25、33、接地电极26、28、34、36、接地导体层29、35以及多个连接导体层50、52、60、62。
根据电路基板10，因为多孔质区域A包括多个独立气泡，所以可抑制气体以及液体侵入本体12内。
根据电路基板10，能够容易地形成多孔质区域A。更详细而言，通过在上下方向上位于第1波导管导体层18与第2波导管导体层20之间的绝缘体层14a～14d是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了多孔质区域A。由此，通过层叠绝缘体层14a～14d，从而能够形成多孔质区域A。因此，根据电路基板10，能够容易地形成多孔质区域A。
根据电路基板10，可更有效地抑制气体以及液体侵入本体12内。更详细而言，本体12的整体是多孔质区域A。而且，第1保护层16a以及第2保护层16b分别覆盖了本体12的上主面以及下主面。由此，可降低本体12中多孔质区域A露出的面积。其结果是，根据电路基板10，可更有效地抑制气体以及液体侵入本体12内。
根据电路基板10，在第1保护层16a以及第2保护层16b的材料比绝缘体层14a～14d的材料硬的情况下，可抑制本体12在Z轴方向上弯曲。由此，能够抑制第1波导管100变形。另一方面，在第1保护层16a以及第2保护层16b的材料比绝缘体层14a～14d的材料软的情况下，当本体12在Z轴方向上弯曲时，代替绝缘体层14a～14d变形较大，而变为第1保护层16a以及第2保护层16b变形较大。由此，能够抑制第1波导管100变形。
根据电路基板10，可抑制电路基板10中不匹配时的特性劣化。更详细而言，模式变换部22、30分别对第1高频信号的传播模式进行变换，使得第1高频信号从信号导体层24、32向第1波导管100传播，或者第1高频信号从第1波导管100向信号导体层24、32传播。由此，在第1波导管100与外部电极25、33之间变得不易产生不匹配。因此，根据电路基板10，可抑制电路基板10中不匹配时的特性劣化。
在电路基板10中，绝缘体层14a～14d的材料是热塑性树脂。因此，能够在不使用粘合剂的情况下将绝缘体层14a～14d粘接。
(第1变形例)
以下，对第1变形例所涉及的电路基板10a进行说明。图4是电路基板10a的剖视图。
电路基板10a与电路基板10的不同点在于，多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2以及层间连接导体v5～v8是通孔导体。通孔导体通过以下的工序来制作。在绝缘体层14a～14d的层叠以及压接后，通过激光束来形成沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d的贯通孔。之后，在贯通孔的内周面实施镀敷。另外，电路基板10a的其他构造与电路基板10相同，所以省略说明。
在电路基板10a中，多个第1层间连接导体v1、多个第2层间连接导体v2以及层间连接导体v5～v8是通孔导体。因此，不需要多个连接导体层50、52、60、62。由此，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2能够靠近本体12的后面以及前面。因此，能够使多个第1层间连接导体v1与多个第2层间连接导体v2的前后方向的距离更大。其结果是，第1波导管100的前后方向的宽度变大，可降低第1波导管100的传播损失。
(第2变形例)
以下，对第2变形例所涉及的电路基板10b进行说明。图5是电路基板10b的剖视图。
电路基板10b与电路基板10a的不同点在于，本体12包括一个绝缘体层14a。在该情况下，通过在上下方向上位于第1波导管导体层18与第2波导管导体层20之间的一个绝缘体层14a是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了多孔质区域A。像这样，本体12只要包括一个以上的绝缘体层即可。此外，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2只要沿上下方向贯通一个以上的绝缘体层中的至少一个绝缘体层即可。
此外，第1波导管导体层18设置于绝缘体层14a的上主面。第2波导管导体层20设置于绝缘体层14a的下主面。电路基板10b的其他构造与电路基板10a相同，所以省略说明。
根据电路基板10b，不需要多个绝缘体层的层叠工序以及压接工序。因此，容易制作电路基板10b。进而，若存在多个绝缘体层，则变得存在多个绝缘体层的上主面以及多个绝缘体层的下主面。在绝缘体层的上主面以及下主面有时形成表皮层。在表皮层中，存在空孔率下降的倾向。但是，在电路基板10b中，本体12仅包括一个绝缘体层14a。因此，能够将本体12中的表皮层的产生抑制在最低限度。因此，能够抑制多孔质区域A的空孔率下降。
(第3变形例)
以下，对第3变形例所涉及的电路基板10c进行说明。图6是电路基板10c的剖视图。
电路基板10c与电路基板10的不同点在于，还具备绝缘体层15a、15b以及布线导体层70a～70e、71。更详细而言，本体12还包括作为不具有多孔质构造的非多孔质绝缘体层的绝缘体层15a、15b。因此，多孔质区域A占据本体12的一部分。绝缘体层15a层叠于绝缘体层14a之上。绝缘体层15b层叠于绝缘体层14d之下。绝缘体层15a、15b的材料和绝缘体层14a～14d的材料可以相同，也可以不同。
布线导体层70a～70e、71设置于本体12。在本变形例中，布线导体层70a～70e设置于作为非多孔质绝缘体层的绝缘体层15a的上主面。布线导体层71设置于作为非多孔质绝缘体层的绝缘体层15b的下主面。布线导体层70a～70e、71例如是信号导体层、接地导体层、电源导体层等。电路基板10c的其他构造与电路基板10相同，所以省略说明。
根据电路基板10c，可更有效地抑制气体以及液体侵入本体12内。更详细而言，绝缘体层15a层叠于绝缘体层14a之上。绝缘体层15b层叠于绝缘体层14d之下。由此，可降低本体12中多孔质区域A露出的面积。其结果是，根据电路基板10c，可更有效地抑制气体以及液体侵入本体12内。
根据电路基板10c，在绝缘体层15a、15b的材料比绝缘体层14a～14d的材料硬的情况下，可抑制本体12在Z轴方向上弯曲。由此，能够抑制第1波导管100变形。另一方面，在绝缘体层15a、15b的材料比绝缘体层14a～14d的材料软的情况下，当本体12在Z轴方向上弯曲时，代替绝缘体层14a～14d变形较大，而变为绝缘体层15a、15b变形较大。由此，可抑制第1波导管100变形。
根据电路基板10c，在绝缘体层15a的上主面设置有布线导体层70a～70e。由此，电路基板10c中的电路设计的自由度提高。
(第4变形例)
以下，对第4变形例所涉及的电路基板10d进行说明。图7是电路基板10d的剖视图。
电路基板10d与电路基板10c的不同点在于，具备绝缘体层14e、14f来代替绝缘体层15a、15b。更详细而言，本体12包括作为具有多孔质构造的多孔质绝缘体层的绝缘体层14e、14f来代替绝缘体层15a、15b。绝缘体层14e层叠于绝缘体层14a之上。绝缘体层14f层叠于绝缘体层14d之下。绝缘体层14e、14f的材料与绝缘体层14a～14d的材料相同。
布线导体层70a～70e、71设置于本体12。在本变形例中，布线导体层70a～70e设置于作为多孔质绝缘体层的绝缘体层14e的上主面。布线导体层71设置于作为多孔质绝缘体层的绝缘体层14f的下主面。布线导体层70a～70e、71例如是信号导体层、接地导体层、电源导体层等。电路基板10d的其他构造与电路基板10c相同，所以省略说明。
根据电路基板10d，本体12的绝缘体层14a～14f全部是相同构造的绝缘体层。因此，绝缘体层14a～14f的杨氏模量以及热膨胀系数均等。因此，在本体12弯曲时，可抑制由于杨氏模量之差而在绝缘体层14a～14f中产生内部应力。此外，在本体12被加热时，可抑制由于热膨胀系数之差而在绝缘体层14a～14f中产生内部应力。
(第5变形例)
以下，对第5变形例所涉及的电路基板10e进行说明。图8是电路基板10e的剖视图。
电路基板10e与电路基板10a的不同点在于：不具备绝缘体层14d；以及还具备第1粘接层80a、80b。更详细而言，本体12包括绝缘体层14a～14c以及第1粘接层80a、80b。第2波导管导体层20设置于绝缘体层14c的下主面。第1粘接层80a将上下方向上相邻的绝缘体层14a和绝缘体层14b粘接。第1粘接层80b将上下方向上相邻的绝缘体层14b和绝缘体层14c粘接。即，第1粘接层80a、80b将上下方向上相邻的多孔质绝缘体层彼此粘接。第1粘接层80a、80b的材料例如是环氧树脂。电路基板10e的其他构造与电路基板10a相同，所以省略说明。
根据电路基板10e，在粘接绝缘体层14a～14c时，使用了第1粘接层80a、80b。由此，在形成本体12时，不需要在高温状态以及高压状态下对绝缘体层14a～14c实施热压接。其结果是，可抑制多孔质区域A内的气泡P的变形。
(第6变形例)
以下，对第6变形例所涉及的电路基板10f进行说明。图9是电路基板10f的剖视图。
电路基板10f与电路基板10e的不同点在于，还具备第2粘接层114a、114b。更详细而言，本体12还包括第2粘接层114a、114b。第2粘接层114a将第1波导管导体层18与绝缘体层14a粘接。第2粘接层114b将第2波导管导体层20与绝缘体层14c粘接。第2粘接层114a、114b的材料例如是环氧树脂。电路基板10f的其他构造与电路基板10e相同，所以省略说明。
根据电路基板10f，在粘接绝缘体层14a～14c时，使用了第1粘接层80a、80b。由此，在形成本体12时，不需要在高温状态以及高压状态下对绝缘体层14a～14c实施热压接。其结果是，可抑制多孔质区域A内的气泡P的变形。
(第7变形例)
以下，对第7变形例所涉及的电路基板10g进行说明。图10是电路基板10g的剖视图。
电路基板10g与电路基板10的不同点在于，还具有传播第2高频信号的第2波导管300。更详细而言，本体12还包括绝缘体层14h～14k。此外，本体12不包括绝缘体层14d。绝缘体层14a～14c、14h～14k层叠为从上向下按照该顺序排列。绝缘体层14a～14c、14h～14k是多孔质绝缘体层。第2波导管导体层20设置于绝缘体层14h的上主面。
电路基板10g还具备第3波导管导体层118、多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102。第3波导管导体层118设置于本体12。在本变形例中，第3波导管导体层118设置于绝缘体层14k的下主面。由此，第3波导管导体层118位于第2波导管导体层20之下。
多个第3层间连接导体v101将第2波导管导体层20和第3波导管导体层118电连接。多个第3层间连接导体v101设置于本体12。多个第3层间连接导体v101沿上下方向贯通绝缘体层14h～14k。多个第3层间连接导体v101沿左右方向排列。
多个第4层间连接导体v102将第2波导管导体层20和第3波导管导体层118电连接。多个第4层间连接导体v102设置于本体12。多个第4层间连接导体v102沿上下方向贯通绝缘体层14h～14k。多个第4层间连接导体v102在前后方向上与第3层间连接导体v101分离的位置沿左右方向排列。
以上那样的第2波导管导体层20、第3波导管导体层118、多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102是第2波导管300。
(第8变形例)
以下，对第8变形例所涉及的电路基板10h进行说明。图11是电路基板10h的剖视图。
电路基板10h与电路基板10的不同点在于，还具有传播第2高频信号的第2波导管300。更详细而言，电路基板10h还具备多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102。多个第3层间连接导体v101位于多个第2层间连接导体v2之前。多个第3层间连接导体v101将第1波导管导体层18和第2波导管导体层20电连接。多个第3层间连接导体v101设置于本体12。多个第3层间连接导体v101沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。多个第3层间连接导体v101沿左右方向排列。
多个第4层间连接导体v102将第1波导管导体层18和第2波导管导体层20电连接。多个第4层间连接导体v102设置于本体12。多个第4层间连接导体v102沿上下方向贯通绝缘体层14a～14d。多个第4层间连接导体v102在前后方向上与多个第3层间连接导体v101分离的位置沿左右方向排列。多个第4层间连接导体v102位于多个第3层间连接导体v101之前。
以上那样的第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102是第2波导管300。
(第9变形例)
以下，对第9变形例所涉及的电路基板10i进行说明。图12是电路基板10i的剖视图。
电路基板10i与电路基板10的不同点在于，还具备表面保护膜400。表面保护膜400设置在多个第1层间连接导体v1的周围以及多个第2层间连接导体v2的周围。当通过激光束的照射而在绝缘体层14a～14d形成贯通孔时，贯通孔的内周面由于激光束的热而熔融，从而形成表面保护膜400。由此，表面保护膜400不包括或者几乎不包括气泡P。表面保护膜400抑制了在形成多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2时导电性膏的溶剂侵入本体12内。另外，电路基板10i的其他构造与电路基板10相同，所以省略说明。
另外，表面保护膜400也可以通过在贯通孔的内周面涂敷溶剂来形成。
(第10变形例)
以下，对第10变形例所涉及的电路基板10j进行说明。图13是电路基板10j的剖视图。
电路基板10j与电路基板10b的不同点在于，还具备表面保护膜400。表面保护膜400设置在多个第1层间连接导体v1的周围以及多个第2层间连接导体v2的周围。当通过激光束的照射而在绝缘体层14a形成贯通孔时，贯通孔的内周面由于激光束的热而熔融，从而形成表面保护膜400。由此，表面保护膜400不包括或者几乎不包括气泡P。由此，表面保护膜400抑制了在形成多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2时镀敷液侵入本体12内。另外，电路基板10j的其他构造与电路基板10b相同，所以省略说明。
另外，表面保护膜400也可以通过在贯通孔的内周面涂敷溶剂来形成。
(第11变形例)
以下，对第11变形例所涉及的电路基板10k进行说明。图14是电路基板10k的剖视图。
电路基板10k与电路基板10d的不同点在于，具备保护膜16c来代替第1保护层16a以及第2保护层16b。保护膜16c覆盖了本体12的大致整个面。因此，保护膜16c覆盖了本体12的上主面、下主面、前面、后面、左面以及右面。但是，保护膜16c未覆盖外部电极25、33以及接地电极26、28、34、36。保护膜16c的材料与第1保护层16a的材料以及第2保护层16b的材料相同。另外，电路基板10k的其他构造与电路基板10d相同，所以省略说明。
根据电路基板10k，通过保护膜16c覆盖了本体12的大致整个面。因此，可更有效地抑制气体以及液体侵入本体12内。
(第12变形例)
以下，对第12变形例所涉及的电路基板10l进行说明。图15是电路基板10l的俯视图。另外，在图15中，图示为能够视觉辨认第1波导管导体层18、多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2。
电路基板10l与电路基板10的不同点在于，多个第1层间连接导体v1的排列方法以及多个第2层间连接导体v2的排列方法。更详细而言，在电路基板10中，多个第1层间连接导体v1与多个第2层间连接导体v2的前后方向上的距离均等。另一方面，在电路基板10l中，多个第1层间连接导体v1与多个第2层间连接导体v2的前后方向(第1正交方向)上的距离，在左右方向(第1传播方向)上周期性地变化。多个第1层间连接导体v1与多个第2层间连接导体v2的前后方向(第1正交方向)上的距离，包括第1距离D1以及比第1距离D1短的第2距离D2。在前后方向(第1正交方向)上仅分离了第2距离D2的多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2，在左右方向(第1传播方向)上以第1高频信号的半波长(λ/2)的整数倍的间隔进行排列。另外，在前后方向(第1正交方向)上仅分离了第2距离D2的多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2，在左右方向(第1传播方向)上以第1高频信号的半波长的间隔进行排列。
电路基板10l具备仅使具有特定频率的第1高频信号通过的滤波器功能。更详细而言，在第1波导管100中，在前后方向(第1正交方向)上仅分离了第2距离D2的多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2，反射第1高频信号。由此，在第1波导管100中产生驻波。在前后方向(第1正交方向)上仅分离了第2距离D2的多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2，出现驻波的波节。由此，驻波的半波长的整数倍与前后方向上仅分离了第2距离D2的多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的左右方向上的间隔一致。换言之，电路基板10l具备仅使形成了该驻波的第1高频信号通过的滤波器功能。
(第13变形例)
以下，对第13变形例所涉及的电路基板10m进行说明。图16是电路基板10m的后视图。
电路基板10m与电路基板10的不同点在于，还具备部件500。部件500安装于本体12的上主面。部件500可以是电感器、电容器等电子部件，也可以是半导体元件，还可以是天线。
(第14变形例)
以下，对第14变形例所涉及的电路基板10n进行说明。图17是电路基板10n的分解立体图。
电路基板10n与电路基板10的不同点在于，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的布局。更详细而言，如图17所示，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的位置也可以按每个绝缘体层14a～14d沿左右方向偏离。即，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2也可以具有锯齿形状。另外，电路基板10n的其他构造与电路基板10相同，所以省略说明。此外，在电路基板10n中，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2的位置也可以按每个绝缘体层14a～14d沿前后方向偏离。
(其他实施方式)
本实用新型所涉及的电路基板不限于电路基板10、10a～10n，能够在其主旨的范围内进行变更。另外，也可以任意组合电路基板10、10a～10n的构造。
另外，在电路基板10g中，本体12也可以包括绝缘体层14h，不包括绝缘体层14i～14k。在该情况下，多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102沿上下方向贯通一个以上的绝缘体层14h中的至少一个绝缘体层14h。在该情况下，第2波导管的厚度变得小于第1波导管的厚度。若波导管的厚度变小，则低频率的高频信号的损失变大。因此，第2波导管所传输的高频信号的频率也可以比第1波导管所传递的高频信号的频率高。
另外，在电路基板10h中，本体12也可以仅包括绝缘体层14a，不包括绝缘体层14b～14d。在该情况下，多个第3层间连接导体v101以及多个第4层间连接导体v102沿上下方向贯通一个以上的绝缘体层14a中的至少一个绝缘体层14a。
另外，在电路基板10g、10h中，第2波导管300所传播的第2高频信号的第2传播方向也可以与第1波导管100所传播的第1高频信号的第1传播方向不同。即，第2波导管300所传播的第2高频信号的第2传播方向也可以是左右方向以外的方向。但是，第2传播方向与上下方向正交。在该情况下，多个第3层间连接导体v101沿第2传播方向排列。此外，多个第4层间连接导体v102在与上下方向以及第2传播方向正交的第2正交方向上与多个第3层间连接导体v101分离的位置沿第2传播方向排列。
另外，在电路基板10、10a～10n中，外部电极25、33以及接地电极26、28、34、36也可以设置于本体12的下主面。
另外，在电路基板10m中，部件500也可以安装于本体12的下主面。
另外，第1保护层16a、第2保护层16b以及保护膜16c不是必须的结构。此外，第1保护层16a、第2保护层16b以及保护膜16c不是本体12的一部分。因此，第1保护层16a的材料、第2保护层16b的材料以及保护膜16c的材料与本体12的材料不同。
另外，在电路基板10、10a～10n中，在沿左右方向观察时，多孔质区域A的一部分位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域。即，在电路基板10、10a～10m中，在沿左右方向观察时，多孔质区域A从被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域突出。但是，在沿左右方向观察时，多孔质区域A的整体也可以位于被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域。此外，在沿左右方向观察时，多孔质区域A也可以占据被第1波导管导体层18、第2波导管导体层20、第1层间连接导体v1以及第2层间连接导体v2包围的区域的一部分。
另外，在电路基板10、10a～10n中，第1高频信号的第1传播方向也可以不与左右方向一致。在沿上下方向观察时，第1波导管100也可以弯曲。在该情况下，第1高频信号的第1传播方向根据第1波导管100的位置而不同。
另外，在电路基板10、10a～10n中，通过在上下方向上位于第1波导管导体层18与第2波导管导体层20之间的一个以上的绝缘体层是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了多孔质区域A。但是，也可以通过其他方式来形成多孔质区域A。例如，也可以通过绝缘体层14a～14d的一部分具有多孔质构造从而形成多孔质区域A。
另外，在电路基板10、10a～10n中，绝缘体层14a～14j的材料也可以是热塑性树脂以外的材料。
另外，在电路基板10、10a～10n中，模式变换部22、30的构造不限于图1所示的构造。模式变换部22、30例如也可以具有专利文献1所记载的构造。
另外，在电路基板10、10a～10n中，多个第1层间连接导体v1也可以不沿左右方向排列为1列。多个第1层间连接导体v1也可以沿左右方向排列为多列。多个第2层间连接导体v2也可以不沿左右方向排列为1列。多个第2层间连接导体v2也可以沿左右方向排列为多列。
另外，在电路基板10、10a～10n中，多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2也可以不具有圆柱形状。多个第1层间连接导体v1以及多个第2层间连接导体v2例如也可以具有沿上下方向延伸的板形状。
另外，在电路基板10、10a～10n中，第1波导管100也可以不设置于弯曲区间A10。
另外，在电路基板10、10a～10n中，也可以在第1波导管导体层18与第2波导管导体层20之间设置不具有多孔质构造的非多孔质绝缘体层。
另外，电路基板10、10a～10n不限于传输线路，也可以是复合基板。因此，电路基板10、10a～10n也可以除了第1波导管以及第2波导管之外还具备用于构成其他电路的导体层。
另外，电路基板10h也可以不具备多个第3层间连接导体v101。在该情况下，多个第2层间连接导体v2实现多个第3层间连接导体v101的作用。
附图标记说明
1：电子设备；
10、10a～10n：电路基板；
12：本体；
14a～14k、15a、15b：绝缘体层；
16a：第1保护层；
16b：第2保护层；
16c：保护膜；
18：第1波导管导体层；
20：第2波导管导体层；
22、30：模式变换部；
24、32：信号导体层；
25、33：外部电极；
26、28、34、36：接地电极；
29、35：接地导体层；
50、52、60、62：连接导体层；
70a～70e：布线导体层；
80a、80b：第1粘接层；
100：第1波导管；
114a、114b：第2粘接层；
118：第3波导管导体层；
150、152、204、206：连接器；
200、202：电路基板；
300：第2波导管；
400：表面保护膜；
500：部件；
A：多孔质区域；
A10：弯曲区间；
A11、A12：非弯曲区间；
P：气泡；
v1：第1层间连接导体；
v101：第3层间连接导体；
v102：第4层间连接导体；
v2：第2层间连接导体；
v5～v8、v11～v14、v21～v24：层间连接导体。

Claims (58)

1.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多孔质区域包括多个独立气泡。
2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：
接地导体层，设置于所述本体；
信号导体层，设置于所述接地导体层之上，并且在沿上下方向观察时，与所述接地导体层重叠；以及
模式变换部，与所述信号导体层以及所述第1波导管导体层连接，其中，所述模式变换部对所述第1高频信号的传播模式进行变换，使得所述第1高频信号从所述信号导体层向所述第1波导管传播，或者所述第1高频信号从所述第1波导管向所述信号导体层传播。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
4.根据权利要求3所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
5.根据权利要求4所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
6.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
7.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间向所述非弯曲区间中的上下方向弯曲。
8.根据权利要求7所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
9.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述本体包括多个绝缘体层，
所述多个第1层间连接导体沿上下方向贯通一个以上的所述绝缘体层中的至少一个所述绝缘体层，
所述多个第2层间连接导体沿上下方向贯通一个以上的所述绝缘体层中的至少一个所述绝缘体层，
通过在上下方向上位于所述第1波导管导体层与所述第2波导管导体层之间的一个以上的所述绝缘体层是具有多孔质构造的多孔质绝缘体层，从而形成了所述多孔质区域，
所述电路基板还具备：布线导体层，设置于所述本体，
一个以上的所述绝缘体层包括不具有多孔质构造的非多孔质绝缘体层，
所述布线导体层设置于所述非多孔质绝缘体层。
10.根据权利要求9所述的电路基板，其特征在于，
所述本体还包括：第1粘接层，将上下方向上相邻的所述多孔质绝缘体层彼此粘接。
11.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
所述本体还包括：第2粘接层，将所述第1波导管导体层粘接于所述绝缘体层。
12.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
一个以上的所述绝缘体层的材料是热塑性树脂。
13.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：
接地导体层，设置于所述本体；
信号导体层，设置于所述接地导体层之上，并且在沿上下方向观察时，与所述接地导体层重叠；以及
模式变换部，与所述信号导体层以及所述第1波导管导体层连接，其中，所述模式变换部对所述第1高频信号的传播模式进行变换，使得所述第1高频信号从所述信号导体层向所述第1波导管传播，或者所述第1高频信号从所述第1波导管向所述信号导体层传播。
14.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
15.根据权利要求14所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
16.根据权利要求15所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
17.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
18.根据权利要求9或10所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
19.根据权利要求18所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
20.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述本体的整体是所述多孔质区域，
所述电路基板还具备：第1保护层以及第2保护层，分别覆盖所述本体的上主面以及下主面。
21.根据权利要求20所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：
接地导体层，设置于所述本体；
信号导体层，设置于所述接地导体层之上，并且在沿上下方向观察时，与所述接地导体层重叠；以及
模式变换部，与所述信号导体层以及所述第1波导管导体层连接，其中，所述模式变换部对所述第1高频信号的传播模式进行变换，使得所述第1高频信号从所述信号导体层向所述第1波导管传播，或者所述第1高频信号从所述第1波导管向所述信号导体层传播。
22.根据权利要求20或21所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
23.根据权利要求22所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
24.根据权利要求23所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
25.根据权利要求20或21所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
26.根据权利要求20或21所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
27.根据权利要求26所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
28.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述电路基板具有传播第2高频信号的第2波导管，
所述电路基板还具备：
第3波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第2波导管导体层之下；
多个第3层间连接导体，将所述第2波导管导体层和所述第3波导管导体层电连接，其中，所述多个第3层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第2高频信号的第2传播方向排列；以及
多个第4层间连接导体，将所述第2波导管导体层和所述第3波导管导体层电连接，其中，所述多个第4层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第2传播方向正交的第2正交方向上与所述多个第3层间连接导体分离的位置，沿所述第2传播方向排列，
所述第2波导管导体层、所述第3波导管导体层、所述多个第3层间连接导体以及所述多个第4层间连接导体是所述第2波导管。
29.根据权利要求28所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：
接地导体层，设置于所述本体；
信号导体层，设置于所述接地导体层之上，并且在沿上下方向观察时，与所述接地导体层重叠；以及
模式变换部，与所述信号导体层以及所述第1波导管导体层连接，其中，所述模式变换部对所述第1高频信号的传播模式进行变换，使得所述第1高频信号从所述信号导体层向所述第1波导管传播，或者所述第1高频信号从所述第1波导管向所述信号导体层传播。
30.根据权利要求28或29所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
31.根据权利要求30所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
32.根据权利要求31所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
33.根据权利要求28或29所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
34.根据权利要求28或29所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
35.根据权利要求34所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
36.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述电路基板具有传播第2高频信号的第2波导管，
所述电路基板还具备：
多个第3层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第3层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第2高频信号的第2传播方向排列；以及
多个第4层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第4层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第2传播方向正交的第2正交方向上与所述多个第3层间连接导体分离的位置，沿所述第2传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第3层间连接导体以及所述第4层间连接导体是所述第2波导管。
37.根据权利要求36所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：
接地导体层，设置于所述本体；
信号导体层，设置于所述接地导体层之上，并且在沿上下方向观察时，与所述接地导体层重叠；以及
模式变换部，与所述信号导体层以及所述第1波导管导体层连接，其中，所述模式变换部对所述第1高频信号的传播模式进行变换，使得所述第1高频信号从所述信号导体层向所述第1波导管传播，或者所述第1高频信号从所述第1波导管向所述信号导体层传播。
38.根据权利要求36或37所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
39.根据权利要求38所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
40.根据权利要求39所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
41.根据权利要求36或37所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
42.根据权利要求36或37所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
43.根据权利要求42所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
44.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多个第1层间连接导体和所述多个第2层间连接导体的所述第1正交方向上的距离在所述第1传播方向上周期性地变化。
45.根据权利要求44所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
46.根据权利要求45所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
47.根据权利要求46所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
48.根据权利要求44至47中任一项所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
49.根据权利要求44至47中任一项所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
50.根据权利要求49所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
51.一种电路基板，具有传播第1高频信号的第1波导管，其特征在于，所述电路基板具备：
本体，具备具有沿上下方向延伸的法线的上主面以及下主面；
第1波导管导体层，设置于所述本体；
第2波导管导体层，设置于所述本体，并且位于所述第1波导管导体层之下；
多个第1层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第1层间连接导体设置于所述本体，并且沿与上下方向正交的所述第1高频信号的第1传播方向排列；以及
多个第2层间连接导体，将所述第1波导管导体层和所述第2波导管导体层电连接，其中，所述多个第2层间连接导体设置于所述本体，并且在与上下方向以及所述第1传播方向正交的第1正交方向上与所述多个第1层间连接导体分离的位置，沿所述第1传播方向排列，
所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述多个第1层间连接导体以及所述多个第2层间连接导体是所述第1波导管，
所述本体包括具有多孔质构造的多孔质区域，
在沿所述第1传播方向观察时，所述多孔质区域的至少一部分位于被所述第1波导管导体层、所述第2波导管导体层、所述第1层间连接导体以及所述第2层间连接导体包围的区域，
所述多个第1层间连接导体和所述多个第2层间连接导体的所述第1正交方向上的距离包括第1距离以及比所述第1距离短的第2距离，
在所述第1正交方向上仅分离了所述第2距离的多个所述第1层间连接导体以及多个所述第2层间连接导体，在所述第1传播方向上以所述第1高频信号的半波长的整数倍的间隔排列。
52.根据权利要求51所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：外部电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且输入输出所述第1高频信号。
53.根据权利要求52所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：连接器，安装于所述外部电极。
54.根据权利要求53所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备：接地电极，设置于所述本体的上主面或者下主面，并且被连接到接地电位，
所述连接器安装于所述接地电极。
55.根据权利要求51至54中任一项所述的电路基板，其特征在于，
所述电路基板还具备安装于所述本体的上主面或者下主面的部件。
56.根据权利要求51至54中任一项所述的电路基板，其特征在于，
所述本体具有弯曲区间以及非弯曲区间，
所述弯曲区间相对于所述非弯曲区间而在所述非弯曲区间中的上下方向上弯曲。
57.根据权利要求56所述的电路基板，其特征在于，
所述第1波导管的至少一部分设置于所述弯曲区间。
58.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至57中任一项所述的电路基板。
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