CN220858483U - 多层基板以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种抑制在层叠体产生破损的多层基板以及电子设备。多层基板具备：层叠体，具有在Z轴方向上层叠了包含第1树脂层的多个树脂层的构造；信号导体层，设置在层叠体；以及一个以上的贯通导体，在z轴方向上贯通第1树脂层。多个树脂层分别具有在z轴方向上排列的第1主面和第2主面。在第1树脂层的第1主面，设置有不与信号导体层相接且在z轴方向上观察与信号导体层重叠的一个以上的中空部。一个以上的中空部不在z轴方向上贯通第1树脂层。一个以上的中空部以及一个以上的贯通导体分别具有各自的与z轴方向正交的截面积分别在Z轴方向上越靠近第1树脂层的第1主面越大的锥形区域。锥形区域与第1树脂层的第1主面相接。

Description

多层基板以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及具备信号导体层的多层基板以及电子设备。

背景技术

作为以往的关于多层基板的发明，已知例如专利文献1记载的电路基板。该电路基板具备电介质基板以及线路导体。线路导体设置在电介质基板内。在电介质基板内设置有空间。在上下方向上观察，空间与线路导体重叠。像这样，通过在电介质基板内设置空间，从而可调整线路导体的周围的介电常数。其结果是，可调整在线路导体产生的特性阻抗。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2020/179476号公报

可是，在专利文献1记载的电路基板中，有如下要求，即，想要抑制电介质基板破损。

实用新型内容

实用新型要解决的问题

因此，本实用新型的目的在于，提供一种能够抑制层叠体破损的多层基板以及电子设备。

用于解决问题的技术方案

本实用新型的一个方式涉及的多层基板具备：

层叠体，具有在Z轴方向上层叠了包含第1树脂层的多个树脂层的构造；

信号导体层，设置在所述层叠体；以及

一个以上的贯通导体，在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述多个树脂层分别具有在所述Z轴方向上排列的第1主面和第2主面，

在所述第1树脂层的所述第1主面，设置有不与所述信号导体层相接且在所述Z轴方向上观察与所述信号导体层重叠的一个以上的中空部，

所述一个以上的中空部不在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述一个以上的中空部以及所述一个以上的贯通导体分别具有锥形区域，在所述锥形区域中，所述一个以上的中空部的与所述Z轴方向正交的截面积以及所述一个以上的贯通导体的与所述Z轴方向正交的截面积分别在所述Z轴方向上越靠近所述第1树脂层的所述第1主面越大，

所述锥形区域与所述第1树脂层的所述第1主面相接。

本实用新型的一个方式涉及的电子设备具备上述的多层基板。

实用新型效果

根据本实用新型，能够抑制层叠体破损。

附图说明

图1是多层基板10的分解立体图。

图2是多层基板10的A-A处的剖视图。

图3是多层基板10的B-B处的剖视图。

图4是多层基板10a的分解立体图。

图5是多层基板10a的C-C处的剖视图。

图6是多层基板10b的剖视图。

图7是多层基板10c的树脂层14b、14c的俯视图。

图8是多层基板10c的剖视图。

图9是多层基板10c的右端部附近的剖视图。

图10是多层基板10c的右端部附近的剖视图。

图11是多层基板10d的树脂层14b的俯视图。

图12是多层基板10d的剖视图。

图13是多层基板10e的树脂层14b的俯视图。

图14是多层基板10f的树脂层14b的俯视图。

图15是多层基板10g的剖视图。

图16是多层基板10h的剖视图。

图17是多层基板10i的剖视图。

图18是多层基板10j的剖视图。

图19是多层基板10k的剖视图。

图20是多层基板10l的剖视图。

图21是多层基板10m的剖视图。

图22是多层基板10n的剖视图。

图23是多层基板10o的剖视图。

图24是多层基板10p的主视图。

图25是多层基板10p的树脂层14b的俯视图。

图26是多层基板10q的树脂层14b的剖视图。

图27是多层基板10r的树脂层14b的剖视图。

图28是多层基板10s的树脂层14b的剖视图。

图29是多层基板10t的树脂层14b的剖视图。

图30是多层基板10u的树脂层14b的剖视图。

图31是多层基板10v的树脂层14b的剖视图。

图32是电子设备1的剖视图。

图33是变形例涉及的具备多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3以及多个贯通导体v4的多层基板10的剖视图。

附图标记说明

1：电子设备；

10、10a～10v：多层基板；

12：层叠体；

14a～14f：树脂层；

15a～15c：粘接层；

20：信号导体层；

22：第1接地导体层；

24：第2接地导体层；

26：第3接地导体层；

26b：第3接地导体层后部；

26f：第3接地导体层前部；

26l：第3接地导体层左部；

26r：第3接地导体层右部；

30a、30b：外部电极；

300：壳体；

A1、A3：第1区间；

A2：第2区间；

R1：区域；

S1、S4：顶面；

S2、S5：侧面；

S3、S6：底面；

Sa、Sb：内周面；

Sp1、Sp11、Sp12、Sp1b、Sp1f、Sp2、Sp2b、Sp2f、Sp3：中空部；

g：凹陷；

v1～v8、v10、v11、v21～v24、v101、v102：贯通导体；

TA：锥形区域。

具体实施方式

(实施方式)

[多层基板10的构造]

以下，参照附图对本实用新型的实施方式涉及的多层基板10的构造进行说明。图1是多层基板10的分解立体图。图2是多层基板10的A-A处的剖视图。图3是多层基板10的B-B处的剖视图。在图1以及图2中，仅对多个贯通导体v1～v4中的代表性的贯通导体v1～v4标注了参考附图标记。

在本说明书中，像以下那样定义方向。多层基板10的层叠体12的层叠方向为上下方向(Z轴方向)。上下方向(Z轴方向)为多层基板10的厚度方向。上方向为Z轴的正方向。下方向为Z轴的负方向。多层基板10的信号导体层20延伸的方向为左右方向(X轴方向)。左右方向(X轴方向)与上下方向(Z轴方向)正交。此外，与上下方向(Z轴方向)以及左右方向(X轴方向)正交的方向为前后方向(Y轴方向)。另外，本说明书的上下方向、前后方向以及左右方向也可以与多层基板10的实际使用时的上下方向、前后方向以及左右方向不一致。

首先，参照图1对多层基板10的构造进行说明。多层基板10是传输高频信号的高频信号线路。多层基板10在智能电话等电子设备中用于将两个电路电连接。如图1所示，多层基板10具有在左右方向上延伸的带形状。

如图1所示，多层基板10具备层叠体12、信号导体层20、第1接地导体层22、第2接地导体层24、第3接地导体层26、外部电极30a、30b、多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5、贯通导体v6、贯通导体v7、贯通导体v8、贯通导体v10以及贯通导体v11。

如图1所示，层叠体12具有带形状。因此，层叠体12具有朝向下方向(Z轴的负方向)依次排列的上主面(正主面)以及下主面(负主面)。换言之，层叠体12具有在上下方向(Z轴方向)上排列的第1层叠体主面和第2层叠体主面。例如，在将层叠体12的上主面(正主面)设为层叠体12的第1层叠体主面的情况下，层叠体12的下主面(负主面)成为层叠体12的第2层叠体主面。相反，在将层叠体12的下主面(负主面)设为层叠体12的第1层叠体主面的情况下，层叠体12的上主面(正主面)成为层叠体12的第2层叠体主面。在本实施方式中，将层叠体12的上主面(正主面)设为层叠体12的第1层叠体主面，将层叠体12的下主面(负主面)设为层叠体12的第2层叠体主面。此外，如图1所示，层叠体12具有在上下方向上层叠了树脂层14a～14d的构造。树脂层14a～14d从上向下依次排列。树脂层14a～14d具有朝向下方向(Z轴的负方向)依次排列的上主面(正主面)以及下主面(负主面)。

换言之，树脂层14a～14d分别具有在上下方向(Z轴方向)上排列的第1主面和第2主面。例如，在将树脂层14a的上主面(正主面)设为树脂层14a的第1主面的情况下，树脂层14a的下主面(负主面)成为树脂层14a的第2主面。同样地，在将树脂层14b的上主面(正主面)设为树脂层14b的第1主面的情况下，树脂层14b的下主面(负主面)成为树脂层14b的第2主面。此外，在将树脂层14c的上主面(正主面)设为树脂层14c的第1主面的情况下，树脂层14c的下主面(负主面)成为树脂层14c的第2主面。此外，在将树脂层14d的上主面(正主面)设为树脂层14d的第1主面的情况下，树脂层14d的下主面(负主面)成为树脂层14d的第2主面。

相反，在将树脂层14a的下主面(负主面)设为树脂层14a的第1主面的情况下，树脂层14a的上主面(正主面)成为树脂层14a的第2主面。同样地，在将树脂层14b的下主面(负主面)设为树脂层14b的第1主面的情况下，树脂层14b的上主面(正主面)成为树脂层14b的第2主面。此外，在将树脂层14c的下主面(负主面)设为树脂层14c的第1主面的情况下，树脂层14c的上主面(正主面)成为树脂层14c的第2主面。此外，在将树脂层14d的下主面(负主面)设为树脂层14d的第1主面的情况下，树脂层14d的上主面(正主面)成为树脂层14d的第2主面。另外，关于上主面(正主面)以及下主面(负主面)和第1主面以及第2主面的对应，也可以按每个树脂层进行设定。在本实施方式中，将树脂层14a的上主面(正主面)设为树脂层14a的第1主面，将树脂层14a的下主面(负主面)设为树脂层14a的第2主面。将树脂层14b的上主面(正主面)设为树脂层14b的第1主面，将树脂层14b的下主面(负主面)设为树脂层14b的第2主面。将树脂层14c的下主面(负主面)设为树脂层14c的第1主面，将树脂层14c的上主面(正主面)设为树脂层14c的第2主面。将树脂层14d的下主面(负主面)设为树脂层14d的第1主面，将树脂层14d的上主面(正主面)设为树脂层14d的第2主面。

在上下方向上观察，树脂层14a～14d具有与层叠体12的形状相同的带形状。树脂层14a～14d是具有挠性的电介质片。树脂层14a～14d的材料为树脂。在本实施方式中，树脂层14a～14d的材料为热塑性树脂。热塑性树脂例如为液晶聚合物、PTFE(聚四氟乙烯)等。因此，在树脂层14a～14d中，在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此熔接。此外，树脂层14a～14d的材料也可以为聚酰亚胺。由此，层叠体12具有挠性。此外，树脂层14a、14d的材料也可以与树脂层14b、14c的材料不同。树脂层14b、14c的材料例如为介质损耗小的树脂。树脂层14a、14d的材料例如为强度优异的树脂，以便进行表面保护。

如图1所示，信号导体层20设置在层叠体12。更详细地，信号导体层20位于树脂层14b(第1树脂层)的下主面(负主面)。信号导体层20具有线形状。信号导体层20在左右方向(X轴方向)上延伸。在信号导体层20传输高频信号。

第1接地导体层22具有朝向下方向(Z轴的负方向)依次排列的上主面(正主面)以及下主面(负主面)。换言之，第1接地导体层22具有在上下方向(Z轴方向)上排列的第1接地导体层主面和第2接地导体层主面。例如，在将第1接地导体层22的上主面(正主面)设为第1接地导体层22的第1接地导体层主面的情况下，第1接地导体层22的下主面(负主面)成为第1接地导体层22的第2接地导体层主面。相反，在将第1接地导体层22的下主面(负主面)设为第1接地导体层22的第1接地导体层主面的情况下，第1接地导体层22的上主面(正主面)成为第1接地导体层22的第2接地导体层主面。在本实施方式中，将第1接地导体层22的上主面(正主面)设为第1接地导体层22的第1接地导体层主面，将第1接地导体层22的下主面(负主面)设为第1接地导体层22的第2接地导体层主面。如图1所示，第1接地导体层22设置在层叠体12。更详细地，第1接地导体层22位于比信号导体层20靠上的位置。在本实施方式中，第1接地导体层22位于树脂层14a的下主面。即，第1接地导体层22与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)接触。第1接地导体层22覆盖树脂层14a的下主面的大致整个面。由此，在上下方向上观察，第1接地导体层22与信号导体层20重叠。第1接地导体层22与接地电位连接。

第2接地导体层24具有朝向下方向(Z轴的负方向)依次排列的上主面(正主面)以及下主面(负主面)。换言之，第2接地导体层24具有在上下方向(Z轴方向)上排列的第1接地导体层主面和第2接地导体层主面。例如，在将第2接地导体层24的上主面(正主面)设为第2接地导体层24的第1接地导体层主面的情况下，第2接地导体层24的下主面(负主面)成为第2接地导体层24的第2接地导体层主面。相反，在将第2接地导体层24的下主面(负主面)设为第2接地导体层24的第1接地导体层主面的情况下，第2接地导体层24的上主面(正主面)成为第2接地导体层24的第2接地导体层主面。在本实施方式中，将第2接地导体层24的下主面(负主面)设为第2接地导体层24的第1接地导体层主面，将第2接地导体层24的上主面(正主面)设为第2接地导体层24的第2接地导体层主面。如图1所示，第2接地导体层24设置在层叠体12。更详细地，第2接地导体层24位于比信号导体层20靠下的位置。在本实施方式中，第2接地导体层24位于树脂层14d的上主面。即，第2接地导体层24与树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)接触。第2接地导体层24覆盖树脂层14d的上主面的大致整个面。此外，在上下方向上观察，第2接地导体层24与信号导体层20重叠。第2接地导体层24与接地电位连接。由此，信号导体层20、第1接地导体层22以及第2接地导体层24具有带状线构造。

如图1所示，第3接地导体层26设置在层叠体12。更详细地，第3接地导体层26的上下方向上的位置与信号导体层20的上下方向上的位置相同。在本实施方式中，第3接地导体层26位于树脂层14b的下主面。此外，在上下方向上观察，第3接地导体层26具有包围信号导体层20的周围的环形状。因此，第3接地导体层26包含第3接地导体层前部26f、第3接地导体层后部26b、第3接地导体层左部26l以及第3接地导体层右部26r。第3接地导体层前部26f位于比信号导体层20靠前的位置。第3接地导体层后部26b位于比信号导体层20靠后的位置。第3接地导体层前部26f以及第3接地导体层后部26b分别在左右方向上延伸。第3接地导体层左部26l位于比信号导体层20靠左的位置。第3接地导体层右部26r位于比信号导体层20靠右的位置。第3接地导体层左部26l以及第3接地导体层右部26r分别在前后方向上延伸。第3接地导体层26与接地电位连接。

多个贯通导体v1在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b(第1树脂层)。树脂层14b(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，多个贯通导体v1位于比信号导体层20靠前的位置。多个贯通导体v1在左右方向上排成一列。在上下方向上观察，多个贯通导体v1具有长方形状，该长方形状具有在左右方向上延伸的两条长边以及在前后方向上延伸的两条短边。多个贯通导体v1的上端与第1接地导体层22接触。多个贯通导体v1的下端与第3接地导体层前部26f接触。

多个贯通导体v2在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c(第1树脂层)。树脂层14c(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，多个贯通导体v2位于比信号导体层20靠前的位置。多个贯通导体v2在左右方向上排成一列。此外，在上下方向上观察，多个贯通导体v2分别与多个贯通导体v1重叠。在上下方向上观察，多个贯通导体v2具有长方形状，该长方形状具有在左右方向上延伸的两条长边以及在前后方向上延伸的两条短边。多个贯通导体v2的上端与第3接地导体层前部26f接触。多个贯通导体v2的下端与第2接地导体层24接触。

多个贯通导体v3在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b(第1树脂层)。树脂层14b(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，多个贯通导体v3位于比信号导体层20靠后的位置。多个贯通导体v3在左右方向上排成一列。在上下方向上观察，多个贯通导体v3具有长方形状，该长方形状具有在左右方向上延伸的两条长边以及在前后方向上延伸的两条短边。多个贯通导体v3的上端与第1接地导体层22接触。多个贯通导体v3的下端与第3接地导体层后部26b接触。

多个贯通导体v4在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c(第1树脂层)。树脂层14c(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，多个贯通导体v4位于比信号导体层20靠后的位置。多个贯通导体v4在左右方向上排成一列。此外，在上下方向上观察，多个贯通导体v4分别与多个贯通导体v3重叠。在上下方向上观察，多个贯通导体v4具有长方形状，该长方形状具有在左右方向上延伸的两条长边以及在前后方向上延伸的两条短边。多个贯通导体v4的上端与第3接地导体层后部26b接触。多个贯通导体v4的下端与第2接地导体层24接触。

贯通导体v5在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b(第1树脂层)。树脂层14b(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，贯通导体v5位于比信号导体层20靠左的位置。在上下方向上观察，贯通导体v5具有长方形状，该长方形状具有在前后方向上延伸的两条长边以及在左右方向上延伸的两条短边。贯通导体v5的上端与第1接地导体层22接触。贯通导体v5的下端与第3接地导体层左部26l接触。

贯通导体v6在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c(第1树脂层)。树脂层14c(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，贯通导体v6位于比信号导体层20靠左的位置。此外，在上下方向上观察，贯通导体v6与贯通导体v5重叠。在上下方向上观察，贯通导体v6具有长方形状，该长方形状具有在前后方向上延伸的两条长边以及在左右方向上延伸的两条短边。贯通导体v6的上端与第3接地导体层左部26l接触。贯通导体v6的下端与第2接地导体层24接触。

贯通导体v7在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b(第1树脂层)。树脂层14b(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，贯通导体v7位于比信号导体层20靠右的位置。在上下方向上观察，贯通导体v7具有长方形状，该长方形状具有在前后方向上延伸的两条长边以及在左右方向上延伸的两条短边。贯通导体v7的上端与第1接地导体层22接触。贯通导体v7的下端与第3接地导体层右部26r接触。

贯通导体v8在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c(第1树脂层)。树脂层14c(第1树脂层)是树脂层14a～14d中的与位于上下方向(Z轴方向)上的两端的树脂层14a、14d不同的树脂层。在上下方向上观察，贯通导体v8位于比信号导体层20靠右的位置。此外，在上下方向上观察，贯通导体v8与贯通导体v7重叠。在上下方向上观察，贯通导体v8具有长方形状，该长方形状具有在前后方向上延伸的两条长边以及在左右方向上延伸的两条短边。贯通导体v8的上端与第3接地导体层右部26r接触。贯通导体v8的下端与第2接地导体层24接触。

此外，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有四棱台形状。多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有增加区间AI。在增加区间AI中，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而增加。增加区间AI的上端(Z轴的正方向的端)在上下方向(Z轴方向)上位于树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)。此外，增加区间AI的下端在上下方向上位于树脂层14b的下主面。因此，如图2所示，多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3的与上下方向正交的截面积随着朝向上方向而增加。因而，多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3的上端的面积大于多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3的下端的面积。

换言之，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7分别具有锥形区域TA。更详细地，多个贯通导体v1的锥形区域TA是如下的区域，即，多个贯通导体v1的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)越大。同样地，多个贯通导体v3的锥形区域TA是如下的区域，即，多个贯通导体v3的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)越大。此外，贯通导体v5的锥形区域TA是如下的区域，即，贯通导体v5的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)越大。此外，贯通导体v7的锥形区域TA是如下的区域，即，贯通导体v7的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)越大。多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7各自的锥形区域TA与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)相接。

此外，多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8具有四棱台形状。多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8具有减少区间AD。在减少区间AD中，多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少。减少区间AD的下端(Z轴的负方向的端)在上下方向(Z轴方向)上位于树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)。此外，减少区间AD的上端在上下方向上位于树脂层14c的上主面。因此，如图2所示，多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少。因而，多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4的上端的面积小于多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4的下端的面积。

换言之，多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8分别具有锥形区域TA。更详细地，多个贯通导体v2的锥形区域TA是如下的区域，即，多个贯通导体v2的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)越大。同样地，多个贯通导体v4的锥形区域TA是如下的区域，即，多个贯通导体v4的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的下主面(负主面)越大。此外，贯通导体v6的锥形区域TA是如下的区域，即，贯通导体v6的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)越大。此外，贯通导体v8的锥形区域TA是如下的区域，即，贯通导体v8的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)越大。多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8各自的锥形区域TA与树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)相接。

像以上那样的多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5、贯通导体v6、贯通导体v7以及贯通导体v8将第1接地导体层22、第2接地导体层24以及第3接地导体层26电连接。而且，第1接地导体层22、第2接地导体层24以及第3接地导体层26与接地电位连接。

外部电极30a、30b与未图示的外部电路电连接。外部电路是设置在多层基板10外的电气电路。外部电极30a、30b设置在层叠体12。外部电极30a、30b从层叠体12的上主面(正主面)露出。更详细地，外部电极30a位于树脂层14b的上主面的左端附近。外部电极30b位于树脂层14b的上主面的右端附近。在上下方向上观察，外部电极30a、30b具有长方形状。不过，外部电极30a、30b与第1接地导体层22不接触。在外部电极30a、30b通过焊料而安装未图示的连接器。该连接器与未图示的电路基板的连接器连接。由此，多层基板10和未图示的电路基板电连接。另外，多层基板10也可以不经由连接器而通过表面安装与电路基板连接。

在树脂层14a设置有开口ha～hj。开口ha～he设置在树脂层14a的左端部。开口ha～he在上下方向上贯通树脂层14a。开口hb位于开口ha之左。开口hc位于开口ha之右。开口hd位于开口ha之前。开口he位于开口ha之后。外部电极30a从开口ha露出。第1接地导体层22从开口hb～he露出。开口hf～hj具有与开口ha～he左右对称的构造，因此省略说明。

贯通导体v10在上下方向上贯通树脂层14b。在上下方向上观察，贯通导体v10与信号导体层20的左端部以及外部电极30a重叠。在上下方向上观察，贯通导体v10具有长方形状。贯通导体v10的上端与外部电极30a接触。贯通导体v10的下端与信号导体层20的左端部接触。由此，信号导体层20与外部电极30a电连接。

贯通导体v11在上下方向上贯通树脂层14b。在上下方向上观察，贯通导体v11与信号导体层20的右端部以及外部电极30b重叠。在上下方向上观察，贯通导体v11具有长方形状。贯通导体v11的上端与外部电极30b接触。贯通导体v11的下端与信号导体层20的右端部接触。由此，信号导体层20与外部电极30b电连接。

像以上那样的信号导体层20、第1接地导体层22、第2接地导体层24、第3接地导体层26以及外部电极30a、30b通过对粘附于树脂层14a、14b、14d的上主面或下主面的金属箔实施图案化而形成。金属箔例如是铜箔。多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5～v8、v10、v11通过如下方式而形成，即，对在上下方向上贯通树脂层14a～14c的贯通孔填充导电性膏，并通过加热使导电性膏固化。不过，多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5～v8、v10、v11也可以通过对在上下方向上贯通树脂层14a～14c的贯通孔实施镀敷而形成。此外，也可以代替导电性膏而使用焊料。

如图2以及图3所示，在层叠体12设置有中空部Sp1，该中空部Sp1是不存在树脂的空洞。中空部Sp1设置在树脂层14b(第1树脂层)。更详细地，中空部Sp1设置在树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)。不过，中空部Sp1不在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b(第1树脂层)。因此，中空部Sp1从树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)朝向下方向(Z轴的负方向)延伸。由此，树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)的一部分具有向下方向(Z轴的负方向)凹陷的形状。此外，树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)的该一部分形成与中空部Sp1的内周面Sa相接的内壁。而且，中空部Sp1的下端(Z轴的负方向的端)位于比树脂层14b(第1树脂层)的下主面(负主面)靠上的位置。

中空部Sp1位于比信号导体层20靠上(Z轴的正方向)的位置。因此，中空部Sp1不与信号导体层20相接。如图1所示，中空部Sp1沿着信号导体层20在左右方向上延伸。如图2以及图3所示，在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp1与信号导体层20重叠。不过，在上下方向上观察，信号导体层20的左端部以及右端部与中空部Sp1不重叠。此外，在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp1与多个贯通导体v1、多个贯通导体v3以及贯通导体v5、v7不重叠。此外，在前后方向(Y轴方向)上观察，中空部Sp1与多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3重叠。

中空部Sp1的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而增加。如图2以及图3所示，这样的中空部Sp1的内周面Sa包含顶面S1、侧面S2以及底面S3。顶面S1是朝着下方向的面。顶面S1是第1接地导体层22的下主面(负主面)的一部分。底面S3与顶面S1彼此相向。侧面S2在上下方向(Z轴方向)上延伸。不过，侧面S2相对于上下方向倾斜。侧面S2将顶面S1和底面S3相连。侧面S2是树脂层14b(第1树脂层)的一部分。而且，侧面S2与顶面S1形成锐角。不过，树脂层14a～14d通过热压接而被一体化。因此，在树脂层14a～14d的热压接后，中空部Sp1的与左右方向正交的剖面形状有时从图2所示的梯形变形。因而，侧面S2和顶面S1的接合部以及侧面S2和底面S3的接合部也可以是曲面。

换言之，中空部Sp1具有锥形区域TA。更详细地，中空部Sp1的锥形区域TA是如下的区域，即，中空部Sp1的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)越大。中空部Sp1的锥形区域TA与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)相接。

如图2以及图3所示，在层叠体12设置有中空部Sp2，该中空部Sp2是不存在树脂的空洞。中空部Sp2设置在树脂层14c(第1树脂层)。更详细地，中空部Sp2设置在树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)。不过，中空部Sp2不在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c(第1树脂层)。因此，中空部Sp2从树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)朝向上方向(Z轴的正方向)延伸。由此，树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)的一部分具有向上方向(Z轴的正方向)凹陷的形状。此外，树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)的该一部分形成与中空部Sp2的内周面Sb相接的内壁。而且，中空部Sp2的上端(Z轴的正方向的端)位于比树脂层14c(第1树脂层)的上主面(正主面)靠下的位置。

中空部Sp2位于比信号导体层20靠下(Z轴的负方向)的位置。因此，中空部Sp2不与信号导体层20相接。如图1所示，中空部Sp2沿着信号导体层20在左右方向上延伸。如图2以及图3所示，在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp2与信号导体层20重叠。不过，在上下方向上观察，信号导体层20的左端部以及右端部与中空部Sp2不重叠。在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp2与多个贯通导体v2、多个贯通导体v4以及贯通导体v6、v8不重叠。此外，在前后方向(Y轴方向)上观察，中空部Sp2与多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4重叠。

中空部Sp2的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少。如图2以及图3所示，这样的中空部Sp2的内周面Sb包含顶面S4、侧面S5以及底面S6。顶面S4是朝着上方向的面。顶面S4是第2接地导体层24的上主面(正主面)的一部分。底面S6与顶面S4彼此相向。侧面S5在上下方向(Z轴方向)上延伸。侧面S5将顶面S4和底面S6相连。侧面S5是树脂层14c(第1树脂层)的一部分。而且，侧面S5与顶面S4形成锐角。

换言之，中空部Sp2具有锥形区域TA。更详细地，中空部Sp2的锥形区域TA是如下的区域，即，中空部Sp2的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积在上下方向(Z轴方向)上越靠近树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)越大。中空部Sp2的锥形区域TA与树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)相接。

[效果]

根据多层基板10，能够降低在多层基板10产生的介质损耗。更详细地，在多层基板10中，在上下方向上观察，中空部Sp1与信号导体层20重叠。由此，信号导体层20的周围的介电常数变低。其结果是，在多层基板10中可降低介质损耗。

可是，在多层基板中，若在层叠体设置有中空部，则层叠体的强度下降。其结果是，变得在层叠体容易产生破损。因此，中空部Sp1具有如下的锥形区域TA，即，中空部Sp1的与上下方向正交的截面积在上下方向上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)(第1树脂层的第1主面)越大。由此，侧面S2相对于上下方向倾斜。其结果是，在从上下方向对层叠体12施加了力的情况下，施加于侧面S2的力被分散。由此，可抑制在层叠体12产生破损。不过，在中空部Sp1的上部，中空部Sp1的前后方向以及左右方向上的大小大。因此，中空部Sp1的上部附近处的层叠体12的强度容易变低。因此，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有如下的锥形区域TA，即，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7的与上下方向正交的截面积在上下方向上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)(第1树脂层的第1主面)越大。这样的多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7各自的锥形区域TA与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)相接。多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有比树脂层14a高的强度。由此，可抑制中空部Sp1的上部附近处的层叠体12的强度的下降。通过以上，可抑制在层叠体12产生破损。

此外，根据多层基板10，可抑制在信号导体层20产生的特性阻抗从所希望的特性阻抗(50Ω)变动。多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有锥形区域TA。在锥形区域TA中，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7的与上下方向正交的截面积在上下方向上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)(第1树脂层的第1主面)越大。这样的多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7各自的锥形区域TA与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)相接。换言之，在锥形区域TA的下部，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7的前后方向以及左右方向上的大小小。因此，可抑制多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7过于靠近信号导体层20，可抑制形成在多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7与信号导体层20之间的电容的增大。其结果是，可抑制在信号导体层20产生的特性阻抗从所希望的特性阻抗(50Ω)变动。此外，因为可抑制形成在多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7与信号导体层20之间的电容的增大，所以能够使信号导体层20变宽。其结果是，可降低信号导体层20的导体损耗。

此外，在多层基板10中，中空部Sp1的与上下方向正交的截面积在上下方向上越靠近树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)(第1树脂层的第1主面)越大。由此，侧面S2相对于上下方向倾斜。因而，高频信号若在侧面S2处反射则向相对于左右方向倾斜的方向行进。其结果是，变得在多层基板10中不易产生驻波。

此外，在多层基板10中，中空部Sp1不在上下方向上贯通树脂层14b。因此，可抑制树脂层14b从树脂层14c剥离。

此外，在多层基板10中，信号导体层20位于树脂层14b与树脂层14c之间。由此，信号导体层20变得不易暴露于空气。因而，在信号导体层20不易产生腐蚀等劣化。此外，树脂层14b、14c具有高的柔性。因此，信号导体层20以及树脂层14b、14c变得不易由于冲击而破损。

此外，根据多层基板10，在树脂层14a～14d中，在上下方向上相邻的树脂层彼此熔接。由此，变得不需要用于粘接树脂层14a～14d的粘接层。可降低由于存在粘接层而产生的传输损耗。此外，水分变得难以侵入到树脂层14a～14d的间隙，因此不易产生信号导体层20的腐蚀。另外，在图2中，在树脂层14a～14d和第1接地导体层22以及第2接地导体层24的左侧以及右侧存在空隙。然而，也可以不存在这些空隙。

此外，在多层基板10中，多个贯通导体v1的下端以及多个贯通导体v3的下端与第3接地导体层26接触。进而，第3接地导体层26位于树脂层14b的下主面。由此，在形成多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3时，形成在树脂层14b的多个贯通孔的下端被第3接地导体层26覆盖。其结果是，能够对片状态的树脂层14b的贯通孔填充导电性膏。

此外，在多层基板10中，树脂层14a～14d的材料例如为液晶聚合物、PTFE。这些材料具有小的介电常数以及小的介电损耗角正切。因此，可降低多层基板10的传输损耗。

此外，在多层基板10中，第3接地导体层前部26f通过多个贯通导体v1以及多个贯通导体v2而与第1接地导体层22以及第2接地导体层24电连接。由此，可降低在第3接地导体层前部26f产生的电感成分。其结果是，由电感成分以及寄生电容形成的谐振电路的谐振频率变高。因而，谐振电路的谐振频率大幅远离高频信号的频率。此外，可降低在第3接地导体层前部26f产生的电感成分，因此也可以减小第3接地导体层前部26f的前后方向上的宽度。由此，多层基板10的前后方向上的宽度变小。

(第1变形例)

以下，参照附图对第1变形例涉及的多层基板10a进行说明。图4是多层基板10a的分解立体图。图5是多层基板10a的C-C处的剖视图。

多层基板10a与多层基板10的不同点在于，中空部Sp1的数量为多个，以及中空部Sp2的数量为多个。更详细地，在多层基板10a中，多个中空部Sp1设置在树脂层14b。多个中空部Sp1在左右方向上排成一列。在上下方向上观察，多个中空部Sp1与信号导体层20重叠。因此，多个中空部Sp1沿着信号导体层20排列。而且，在上下方向(Z轴方向)上观察，相邻的两个中空部Sp1的左端(X轴方向的正方向的端)之间的距离P1为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下。

此外，多个中空部Sp2设置在树脂层14c。多个中空部Sp2在左右方向上排成一列。在上下方向上观察，多个中空部Sp2与信号导体层20重叠。因此，多个中空部Sp2沿着信号导体层20排列。而且，在上下方向(Z轴方向)上观察，相邻的两个中空部Sp2的左端(X轴方向的正方向的端)之间的距离P2为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下。多层基板10a的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10a能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10a，能够抑制多层基板10a的内部中的损耗。更详细地，在设置有中空部Sp1的第1区间A11中产生于信号导体层20的特性阻抗与在未设置中空部Sp1的第2区间A12中产生于信号导体层20的特性阻抗不同。因此，在第1区间A11和第2区间A12的边界处容易产生高频信号的反射。因为在反射方向上也有特性阻抗的变化，所以进行了反射的高频信号还会反射。像这样，产生多重反射。当第1区间A11和第2区间A12的左右方向上的长度(即，特性阻抗变化的周期)为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/4倍时，原来的高频信号和进行了多重反射的高频信号的相位错开1/2，成为相反相位而彼此抵消。其结果是，高频信号的强度变小。因此，在上下方向(Z轴方向)上观察，相邻的两个中空部Sp1的左端(X轴方向的正方向的端)之间的距离P1优选为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下。

(第2变形例)

以下，参照附图对第2变形例涉及的多层基板10b进行说明。图6是多层基板10b的剖视图。

多层基板10b与多层基板10的不同点在于，在中空部Sp1中底面S3和侧面S2的边界为曲面，以及在中空部Sp2中底面S6和侧面S5的边界为曲面。多层基板10b的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10b能够达到与多层基板10相同的作用效果。

在多层基板10b中，在中空部Sp1中底面S3和侧面S2的边界为曲面。因此，在底面S3和侧面S2的边界部产生了拉伸应力时，应力分散，因此多层基板10b不易破损。此外，对于压缩应力也同样地，因为应力被分散，所以能够抑制中空部Sp1变形。进而，因为介电常数的变化变得平缓，所以能够抑制高频信号的反射。

(第3变形例)

以下，参照附图对第3变形例涉及的多层基板10c进行说明。图7是多层基板10c的树脂层14b、14c的俯视图。图8是多层基板10c的剖视图。图9以及图10是多层基板10c的右端部附近的剖视图。

多层基板10c在中空部Sp1、Sp2的形状上与多层基板10不同。更详细地，在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp1的最大宽度小于贯通导体v1、v3的最大宽度。在本实施方式中，在上下方向上观察，多个中空部Sp1具有圆形状。因此，在上下方向上观察，中空部Sp1的直径比贯通导体v1、v3的左右方向上的长度短。由此，在上下方向上观察，中空部Sp1的面积小于贯通导体v1、v3的面积。在多层基板10c中，在上下方向上观察，这样的小的多个中空部Sp1均匀地分散在信号导体层20的周围。此外，在上下方向(Z轴方向)上观察，多个中空部Sp1包围信号导体层20和外部电极30a、30b重叠的部分。

在上下方向(Z轴方向)上观察，中空部Sp2的最大宽度小于贯通导体v2、v4的最大宽度。在本实施方式中，在上下方向上观察，多个中空部Sp2具有圆形状。因此，在上下方向上观察，中空部Sp2的直径比贯通导体v2、v4的左右方向上的长度短。由此，在上下方向上观察，中空部Sp2的面积小于贯通导体v2、v4的面积。在多层基板10c中，在上下方向上观察，这样的小的多个中空部Sp2均匀地分散在信号导体层20的周围。此外，在上下方向(Z轴方向)上观察，多个中空部Sp2包围信号导体层20和外部电极30a、30b重叠的部分。多层基板10c的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10c能够达到与多层基板10相同的作用效果。

多层基板10c的多个中空部Sp1的体积的合计小于多层基板10的中空部Sp1的体积的合计。因此，由于设置多个中空部Sp1而造成的层叠体12的强度的下降少。因而，层叠体12不易变形。其结果是，信号导体层20的周围的构造的变化变小，因此在信号导体层20产生的特性阻抗不易从所希望的特性阻抗变动。

如图10所示，在多层基板10c中，中空部Sp1位于贯通导体v7与贯通导体v11之间。由此，可抑制与接地电位连接的贯通导体v7和传输高频信号的贯通导体v11进行电容耦合。

在多层基板10c中，可抑制层叠体12的强度的下降。更详细地，通过在层叠体12的区域R1设置多个中空部Sp1，从而层叠体12的区域R1的强度下降。因此，在上下方向上观察，多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7包围设置有多个中空部Sp1的区域R1。多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7具有高的强度。由此，可抑制层叠体12的强度的下降。

在多层基板10c中，多个贯通导体v1的间隔大于多个中空部Sp1的间隔。由此，可设置更多的多个中空部Sp1，因此信号导体层20的周围的介电常数下降。其结果是，根据多层基板10c，可降低信号导体层20的介质损耗。

在多层基板10c中，多个贯通导体v1不与多个中空部Sp1相接。由此，可抑制贯通导体v1的导体侵入到中空部Sp1。

在多层基板10c中，信号导体层20在左右方向上延伸。因此，多层基板10c在左右方向上具有长尺寸方向。在该情况下，多层基板10c在前后方向上延伸的折线处折弯的可能性高。因此，多个贯通导体v1具有在左右方向上延伸的长边。由此，可抑制多层基板10c沿着在前后方向上延伸的折线折弯。

在多层基板10c中，多个中空部Sp1的下端部是向下方向突出的曲面。由此，可抑制层叠体12的强度的下降。此外，在信号导体层20产生的特性阻抗变得不易从所希望的特性阻抗变动。

在多层基板10c中，在上下方向上观察，多个中空部Sp1的直径为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下。由此，基于与多层基板10a相同的理由，可抑制从多层基板10c辐射噪声。

在多层基板10c中，在上下方向(Z轴方向)上观察，多个中空部Sp1包围信号导体层20和外部电极30a重叠的部分。由此，可抑制在外部电极30a附近产生的特性阻抗从所希望的特性阻抗变动。

在多层基板10c中，多个中空部Sp1以及多个中空部Sp2例如通过钻头而形成在树脂层14b的上主面或树脂层14c的下主面。

另外，在上下方向上观察，中空部Sp1与中空部Sp2不重叠。然而，在上下方向上观察，中空部Sp1也可以与中空部Sp2重叠。在中空部Sp1与中空部Sp2不重叠的情况下，特性阻抗的变化小，能够抑制反射。在中空部Sp1与中空部Sp2重叠的情况下，在上下方向上有存在树脂的部分，因此多层基板10c的强度提高。

(第4变形例)

以下，参照附图对第4变形例涉及的多层基板进行说明。图11是多层基板10d的树脂层14b的俯视图。图12是多层基板10d的剖视图。

多层基板10d与多层基板10的不同点在于，在底面S3、S6设置有凹凸。在底面S3、S6，设置有在前后方向上排列的多条条状的凹陷g。条状的凹陷g在左右方向上延伸。另外，条状的凹陷g的上下方向上的深度也可以存在多种。条状的凹陷g的底为曲面。而且，凹凸的周期t为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下。因此，凹凸的周期t比贯通导体v1、v3的前后方向上的长度以及左右方向上的长度短。此外，在通过钻头、激光束的照射而形成了中空部Sp1、Sp2的情况下，在底面S3、S6形成这样的凹凸。多层基板10d的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10d能够达到与多层基板10相同的作用效果。

此外，凹凸的周期t为在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8以下，因此基于与多层基板10a相同的理由，可抑制从多层基板10d辐射噪声。进而，凹凸的周期t比贯通导体v1、v3的前后方向上的长度以及左右方向上的长度短。由此，能够在中空部Sp1、Sp2以及贯通导体v1、v3的形成中使用共同的钻头。

此外，在多层基板10d中，多条凹陷g在左右方向上延伸，因此可抑制多层基板10d在前后方向上延伸的折线处折弯。

(第5变形例)

以下，参照附图对第5变形例涉及的多层基板10e进行说明。图13是多层基板10e的树脂层14b的俯视图。

多层基板10e与多层基板10c的不同点在于，在上下方向上观察，在树脂层14b设置有环形状的中空部Sp3。在上下方向上观察，环形状的中空部Sp3包围设置有多个中空部Sp1的区域R1。由此，在上下方向(Z轴方向)上观察，在左右方向(X轴方向)上延伸的中空部Sp3位于信号导体层20与多个贯通导体v1、v3之间。此外，在上下方向上观察，中空部Sp3包围贯通导体v10、v11各自的周围。多层基板10e的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10e能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10e中，在上下方向(Z轴方向)上观察，在左右方向(X轴方向)上延伸的中空部Sp3位于信号导体层20与多个贯通导体v1、v3之间。由此，可抑制多个贯通导体v1、v3的溶剂到达至信号导体层20，因此可抑制信号导体层20的腐蚀。

(第6变形例)

以下，参照附图对第6变形例涉及的多层基板10f进行说明。图14是多层基板10f的树脂层14b的俯视图。

多层基板10f与多层基板10d的不同点在于，多条条状的凹陷g在前后方向上延伸且在左右方向上排列。多层基板10f的其它构造与多层基板10d相同，因此省略说明。多层基板10f能够达到与多层基板10d相同的作用效果。在多层基板10f中，多条凹陷g在前后方向上延伸，因此可抑制多层基板10f在左右方向上延伸的折线处折弯。

(第7变形例)

以下，参照附图对第7变形例涉及的多层基板10g进行说明。图15是多层基板10g的剖视图。

多层基板10g与多层基板10d的不同点在于，中空部Sp1分离为中空部Sp1f以及中空部Sp1b，以及中空部Sp2分离为中空部Sp2f以及中空部Sp2b。中空部Sp1f以及中空部Sp1b从前向后依次排列。中空部Sp2f以及中空部Sp2b从前向后依次排列。多层基板10g的其它构造与多层基板10d相同，因此省略说明。多层基板10g能够达到与多层基板10d相同的作用效果。

在多层基板10g中，在中空部Sp1f与中空部Sp1b之间存在树脂层14b。由此，层叠体12的强度提高。

(第8变形例)

以下，参照附图对第8变形例涉及的多层基板10h进行说明。图16是多层基板10h的剖视图。

多层基板10h与多层基板10d的不同点在于，层叠体12还包含树脂层14e、14f，以及还具备多个贯通导体v21、多个贯通导体v22、多个贯通导体v23以及多个贯通导体v24。树脂层14e位于树脂层14a与树脂层14b之间。由此，顶面S1是树脂层14a～14f中的与树脂层14b(第1树脂层)的上主面(正主面)接触的树脂层14e(第2树脂层)的下主面(负主面)的一部分。因此，在中空部Sp1不露出第1接地导体层22。树脂层14f位于树脂层14c与树脂层14d之间。由此，顶面S4是树脂层14a～14f中的与树脂层14c(第1树脂层)的下主面(负主面)接触的树脂层14f(第2树脂层)的上主面(正主面)的一部分。因此，在中空部Sp2不露出第2接地导体层24。

多个贯通导体v21以及多个贯通导体v23分别在上下方向上贯通树脂层14e。多个贯通导体v21分别将第1接地导体层22和多个贯通导体v1电连接。多个贯通导体v23分别将第1接地导体层22和多个贯通导体v3电连接。多个贯通导体v22以及多个贯通导体v24分别在上下方向上贯通树脂层14f。多个贯通导体v22分别将第2接地导体层24和多个贯通导体v2电连接。多个贯通导体v24分别将第2接地导体层24和多个贯通导体v4电连接。多层基板10h的其它构造与多层基板10d相同，因此省略说明。多层基板10h能够达到与多层基板10d相同的作用效果。

在多层基板10h中，在中空部Sp1不露出第1接地导体层22，因此可抑制第1接地导体层22腐蚀。

在多层基板10h中，信号导体层20和第1接地导体层22的距离变长。

在多层基板10h中，在与信号导体层20接触的树脂层14b设置有中空部Sp1。由此，中空部Sp1位于信号导体层20的附近，因此信号导体层20的周围的介电常数下降。其结果是，可降低在多层基板10h产生的介质损耗。

(第9变形例)

以下，参照附图对第9变形例涉及的多层基板10i进行说明。图17是多层基板10i的剖视图。

多层基板10i与多层基板10h的不同点在于，在树脂层14e设置有多个中空部Sp11，以及在树脂层14f设置有多个中空部Sp12。多个中空部Sp11分别与多个中空部Sp1相连。多个中空部Sp12分别与多个中空部Sp2相连。多层基板10i的其它构造与多层基板10h相同，因此省略说明。多层基板10i能够达到与多层基板10h相同的作用效果。

(第10变形例)

以下，参照附图对第10变形例涉及的多层基板10j进行说明。图18是多层基板10j的剖视图。

多层基板10j与多层基板10i的不同点在于，未设置多个中空部Sp1以及多个中空部Sp2。在该情况下，多个中空部Sp11作为多个第1中空部而发挥功能。多个中空部Sp12作为多个第2中空部而发挥功能。多层基板10j的其它构造与多层基板10i相同，因此省略说明。多层基板10j能够达到与多层基板10i相同的作用效果。

(第11变形例)

以下，参照附图对第11变形例涉及的多层基板10k进行说明。图19是多层基板10k的剖视图。

多层基板10k与多层基板10d的不同点在于，不具备第3接地导体层26。多层基板10k的其它构造与多层基板10d相同，因此省略说明。多层基板10k能够达到与多层基板10d相同的作用效果。

(第12变形例)

以下，参照附图对第12变形例涉及的多层基板10l进行说明。图20是多层基板10l的剖视图。

多层基板10l与多层基板10c的不同点在于，未设置多个中空部Sp1。多层基板10l的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10l能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10l中，多个中空部Sp2作为多个第1中空部而发挥功能。在该情况下，Z轴的正方向为上方向，Z轴的负方向为下方向。

在多层基板10l中，在树脂层14b未设置多个中空部Sp1，因此层叠体12的强度提高。

在多层基板10l中，在树脂层14b未设置多个中空部Sp1，因此能够在设置了多个中空部Sp1的部分设置布线等。其结果是，多层基板10l的设计的自由度提高。

(第13变形例)

以下，参照附图对第13变形例涉及的多层基板10m进行说明。图21是多层基板10m的剖视图。

多层基板10m在贯通导体的构造上与多层基板10h不同。更详细地，多层基板10m不具备多个贯通导体v21、多个贯通导体v22、多个贯通导体v23以及多个贯通导体v24。取而代之，多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3在上下方向上贯通树脂层14b、14e。多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4在上下方向上贯通树脂层14c、14f。多层基板10m的其它构造与多层基板10h相同，因此省略说明。多层基板10m能够达到与多层基板10h相同的作用效果。

在多层基板10m中，在层叠了树脂层14b、14e之后，在树脂层14b、14e形成贯通孔。然后，对贯通孔填充导电性膏，并通过加热以及加压使导电性膏固化，由此形成多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3。另外，也可以通过镀敷来形成多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3。由此，能够在密闭了多个中空部Sp1的状态下形成多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3。

在多层基板10m中，多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3在上下方向上贯通树脂层14b、14e，因此可抑制在树脂层14b与树脂层14c之间产生剥离。

(第14变形例)

以下，参照附图对第14变形例涉及的多层基板10n进行说明。图22是多层基板10n的剖视图。

多层基板10n与多层基板10的不同点在于，层叠体12包含粘接层15a～15c。在树脂层14a～14d中，在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此通过粘接层15a～15c固定。具体地，粘接层15a将树脂层14a和树脂层14b粘接。粘接层15b将树脂层14b和树脂层14c粘接。粘接层15c将树脂层14c和树脂层14d粘接。另外，也可以是，在信号导体层20的上方以及下方也存在粘接层。此外，粘接层15a也可以设置在树脂层14a与树脂层14b之间的整体。粘接层15b也可以设置在树脂层14b与树脂层14c之间的整体。粘接层15c也可以设置在树脂层14c与树脂层14d之间的整体。多层基板10n的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10n能够达到与多层基板10相同的作用效果。另外，在多层基板10n中，虽然在导体层与树脂层之间不存在粘接层，但是也可以在导体层与树脂层之间存在粘接层。

在多层基板10n中，在树脂层14a～14d中，在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此通过粘接层15a～15c固定。因此，树脂层14a～14d的材料也可以为热塑性树脂以外的树脂。其结果是，树脂层14a～14d的材料的选项增加。

(第15变形例)

以下，参照附图对第15变形例涉及的多层基板10o进行说明。图23是多层基板10o的剖视图。

多层基板10o在多个中空部Sp11、Sp12的形状上与多层基板10i不同。在多层基板10o中，多个中空部Sp11在上下方向上贯通树脂层14e。多个中空部Sp12在上下方向上贯通树脂层14f。多层基板10o的其它构造与多层基板10i相同，因此省略说明。多层基板10o能够达到与多层基板10i相同的作用效果。此外，因为中空部Sp11、Sp12大，所以信号导体层20的周围的介电常数变低。其结果是，在信号导体层20产生的传输损耗小。

(第16变形例)

以下，参照附图对第16变形例涉及的多层基板10p进行说明。图24是多层基板10p的主视图。图25是多层基板10p的树脂层14b的俯视图。

多层基板10p与多层基板10c的不同点在于，层叠体12在上下方向上弯折。层叠体12具有第1区间A1、A3以及第2区间A2。第1区间A1、第2区间A2以及第1区间A3从左向右依次排列。而且，第2区间A2弯折，使得第2区间A2的曲率半径小于第1区间A1、A3的曲率半径。另外，也可以使多层基板10、10a～10n像多层基板10p那样弯折。

此外，多层基板10p与多层基板10c的不同点在于，在第2区间A2未设置贯通导体v1～v4。由此，第2区间A2变得容易弯折。多层基板10p的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10p能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

(第17变形例)

以下，参照附图对第17变形例涉及的多层基板10q进行说明。图26是多层基板10q的树脂层14b的剖视图。

多层基板10q与多层基板10p的不同点在于，在第2区间A2设置有贯通导体v1～v4。贯通导体v1～v4在从第2区间A2的左端到右端之间连续地在左右方向上延伸。由此，通过使第2区间A2的贯通导体v1～v4进行塑性变形，从而能够维持第2区间A2弯折的状态。多层基板10q的其它构造与多层基板10p相同，因此省略说明。

(第18变形例)

以下，参照附图对第18变形例涉及的多层基板10r进行说明。图27是多层基板10r的树脂层14b的剖视图。

多层基板10r在第2区间A2中的多个中空部Sp1的构造上与多层基板10c不同。在上下方向上观察，第2区间A2中的每单位面积的中空部Sp1的数量比第1区间A1、A3中的每单位面积的中空部Sp1的数量少。由此，空气在第2区间A2中所占的比例比空气在第1区间A1、A3中所占的比例低。多层基板10r的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10r能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10r中，空气在第2区间A2中所占的比例比空气在第1区间A1、A3中所占的比例低。由此，在第2区间A2弯折时，可抑制多个中空部Sp1变形。

第2区间A2中的信号导体层20的线宽也可以比第1区间A1、A3中的信号导体层20的线宽细。由此，在第2区间A2中产生于信号导体层20的特性阻抗接近于在第1区间A1、A3中产生于信号导体层20的特性阻抗。

(第19变形例)

以下，参照附图对第19变形例涉及的多层基板10s进行说明。图28是多层基板10s的树脂层14b的剖视图。

多层基板10s与多层基板10c的不同点在于，第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1的形状和第2区间A2中的多个中空部Sp1的形状不同。在多层基板10s中，在上下方向上观察，第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1具有大的长方形状。在上下方向上观察，第2区间A2中的多个中空部Sp2具有小的圆形状。多层基板10s的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10s能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10s中，在上下方向上观察，第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1具有大的长方形状。由此，在第1区间A1、A3中，信号导体层20附近的介电常数下降。其结果是，可降低多层基板10s的第1区间A1、A3中的介质损耗。

(第20变形例)

以下，参照附图对第20变形例涉及的多层基板10t进行说明。图29是多层基板10t的树脂层14b的剖视图。

多层基板10t与多层基板10c的不同点在于，第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1的形状和第2区间A2中的多个中空部Sp1的形状不同。在上下方向上观察，第2区间A2中的多个中空部Sp1的直径小于第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1的直径。多层基板10t的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10t能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10t中，在上下方向上观察，第2区间A2中的多个中空部Sp1的直径小于第1区间A1、A3中的多个中空部Sp1的直径。因此，在多层基板10t中，空气在第2区间A2中所占的比例比空气在第1区间A1、A3中所占的比例低。由此，在第2区间A2弯折时，可抑制多个中空部Sp1变形。

(第21变形例)

以下，参照附图对第21变形例涉及的多层基板10u进行说明。图30是多层基板10u的树脂层14b的剖视图。

多层基板10u与多层基板10c的不同点在于，代替多个贯通导体v1、多个贯通导体v3、贯通导体v5以及贯通导体v7而具备贯通导体v101，以及代替多个贯通导体v2、多个贯通导体v4、贯通导体v6以及贯通导体v8而具备贯通导体v102(未图示)。在上下方向(Z轴方向)上观察，贯通导体v101(第1贯通导体)具有包围设置有多个中空部Sp1的区域R1的环形状。在上下方向(Z轴方向)上观察，贯通导体v102具有包围设置有多个中空部Sp2的区域R1的环形状。多层基板10u的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10u能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

在多层基板10u中，在上下方向(Z轴方向)上观察，贯通导体v101具有包围设置有多个中空部Sp1的区域R1的环形状。由此，从信号导体层20辐射的噪声被贯通导体v101屏蔽。此外，侵入到多层基板10u的噪声被贯通导体v101屏蔽。

(第22变形例)

以下，参照附图对第22变形例涉及的多层基板10v进行说明。图31是多层基板10v的树脂层14b的剖视图。

多层基板10v在多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5、贯通导体v6、贯通导体v7、贯通导体v8、贯通导体v10以及贯通导体v11的构造上与多层基板10c不同。在上下方向上观察，多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5、贯通导体v6、贯通导体v7、贯通导体v8、贯通导体v10以及贯通导体v11具有圆形状。由此，能够通过钻头来形成用于形成多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3、多个贯通导体v4、贯通导体v5、贯通导体v6、贯通导体v7、贯通导体v8、贯通导体v10以及贯通导体v11的贯通孔。多层基板10v的其它构造与多层基板10c相同，因此省略说明。多层基板10v能够达到与多层基板10c相同的作用效果。

(电子设备)

以下，参照附图对电子设备1进行说明。图32是电子设备1的剖视图。

电子设备1例如是智能电话等无线通信终端。电子设备1具备多层基板10以及壳体300。壳体300容纳多层基板10。壳体300的材料既可以是金属，也可以是树脂，还可以是玻璃。另外，电子设备1也可以具备多层基板10a～10v。

(其它实施方式)

多层基板10、10a～10v能够在其主旨的范围内进行变更。也可以将多层基板10、10a～10v的构造任意地组合。

另外，多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3以及多个贯通导体v4的构造并不限于图2所示的构造。以下，参照附图对多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3以及多个贯通导体v4的变形例进行说明。图33是变形例涉及的具备多个贯通导体v1、多个贯通导体v2、多个贯通导体v3以及多个贯通导体v4的多层基板10的剖视图。

多个贯通导体v1以及多个贯通导体v3分别位于在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14b的贯通孔h1、h3内。多个贯通孔h1、h3中的至少一个的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而增加。增加区间AI的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v1、v3的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。换言之，贯通导体v1的锥形区域TA的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v1的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。此外，贯通导体v3的锥形区域TA的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v3的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。不过，在增加区间AI的下方的区间中，贯通导体v1以及贯通导体v3的与上下方向正交的截面积随着朝向上方向而减少。由此，在贯通导体v1与贯通孔h1的内周面之间存在间隙。在贯通导体v3与贯通孔h3的内周面之间存在间隙。另外，只要多个贯通导体v1中的至少一个具有上述构造即可。只要多个贯通导体v3中的至少一个具有上述构造即可。

多个贯通导体v2以及多个贯通导体v4分别位于在上下方向(Z轴方向)上贯通树脂层14c的贯通孔h2、h4内。多个贯通孔h2、h4中的至少一个的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少。减少区间AD的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v2、v4的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。换言之，贯通导体v2的锥形区域TA的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v2的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。此外，贯通导体v4的锥形区域TA的上下方向(Z轴方向)上的长度为贯通导体v4的上下方向(Z轴方向)上的长度的一半以上。不过，在减少区间AD的上方的区间中，贯通导体v2以及贯通导体v4的与上下方向正交的截面积随着朝向上方向而增加。由此，在贯通导体v2与贯通孔h2的内周面之间存在间隙。在贯通导体v4与贯通孔h4的内周面之间存在间隙。另外，只要多个贯通导体v2中的至少一个具有上述构造即可。只要多个贯通导体v4中的至少一个具有上述构造即可。

通过使用焊料作为贯通导体v1～v4的材料，从而贯通导体v1～v4具有图33的构造。更详细地，若作为贯通导体v1～v4的材料的焊料被加热，则熔融。此时，由于表面张力，焊料在上下方向上被拉伸。由此，贯通导体v1～v4的上下方向上的中央附近的中间变细。其结果是，在贯通导体v1与贯通孔h1的内周面之间存在间隙。在贯通导体v3与贯通孔h3的内周面之间存在间隙。在贯通导体v2与贯通孔h2的内周面之间存在间隙。在贯通导体v4与贯通孔h4的内周面之间存在间隙。贯通导体v1～v4与信号导体层20之间的电容由于贯通导体v1～v4与贯通孔h1～h4之间的间隙而变小，因此能够维持在信号导体层20产生的特性阻抗的同时增大信号导体层20的线宽。其结果是，能够降低在信号导体层20产生的传输损耗。

另外，第1接地导体层22、第2接地导体层24以及第3接地导体层26不是必需的构成要件。

另外，贯通导体v1的数量、贯通导体v2的数量、贯通导体v3的数量以及贯通导体v4的数量只要为一个以上即可。

另外，中空部Sp1的数量以及中空部Sp2的数量只要为一个以上即可。

另外，信号导体层20也可以设置在树脂层14b的下主面以外的位置。信号导体层20也可以位于中空部Sp1、Sp2内。

另外，凹凸的周期也可以比在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8长。

另外，树脂层14a～14f的材料也可以是热塑性树脂以外的树脂。

另外，只要第2区间A2的曲率半径小于第1区间A1、A3的曲率半径，则第1区间A1、A3也可以弯折。

另外，也可以是，空气在第2区间A2中所占的比例为空气在第1区间A1中所占的比例以上。

另外，也可以是，相邻的两个中空部Sp1的左端之间的距离P1比在信号导体层20传输的高频信号的波长的1/8长。

另外，也可以是，在前后方向上观察，多个中空部Sp1分别与多个贯通导体v1中的任一者均不重叠。

另外，也可以是，中空部Sp1的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少。

另外，也可以是，中空部Sp2的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而增加。

另外，也可以在层叠体12的上主面上设置保护层。在该保护层的上主面不设置导体层。也可以在层叠体12的下主面上设置保护层。在该保护层的上主面不设置导体层。

另外，高频信号既可以是模拟信号，也可以是数字信号。

另外，多层基板10、10a～10v也可以具备多个信号导体层。在该情况下，多个信号导体层也可以是差动传输线路。此外，多个信号导体层既可以位于相同的树脂层上，也可以位于不同的树脂层上。

另外，多层基板10、10a～10v具有带状线构造，但是也可以具有微带线构造。

另外，多层基板也可以具有在上下方向上堆积了多个多层基板10、10a～10v的构造。

另外，多层基板10、10a～10v也可以还具备带状线构造的信号线路以外的电路。

另外，中空部Sp1用的孔眼以及贯通孔也可以通过钻头以外的手段来形成。关于钻头以外的手段，例如，可列举激光束、喷砂、蚀刻或3D打印等。

另外，只要一个以上的中空部Sp1中的至少一个的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而增加即可。此外，只要一个以上的贯通导体v1、v3中的至少一个具有增加区间AI即可。

另外，只要一个以上的中空部Sp2中的至少一个的与上下方向(Z轴方向)正交的截面积随着朝向上方向(Z轴的正方向)而减少即可。此外，只要一个以上的贯通导体v2、v4中的至少一个具有减少区间AD即可。

另外，中空部Sp1、Sp11、Sp12、Sp1b、Sp1f、Sp2、Sp2b、Sp2f、Sp3各自的形状并不限于实施方式以及变形例所示的形状。中空部Sp1、Sp11、Sp12、Sp1b、Sp1f、Sp2、Sp2b、Sp2f、Sp3分别也可以例如至少一部分具有多边形状、弯曲形状等。

另外，贯通导体v1～v8、v10、v11、v21～v24、v101、v102各自的形状并不限于实施方式以及变形例所示的形状。贯通导体v1～v8、v10、v11、v21～v24、v101、v102分别也可以例如至少一部分具有多边形状、弯曲形状等。

以下，对判别树脂层14a～14f的边界的方法进行说明。首先，对在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此未熔接的树脂层的情况进行说明。接着，对在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此熔接的树脂层的情况进行说明。

在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此未熔接的树脂层的情况下，在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层之间，存在用于将在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此固定的粘接材料。因此，能够判别出位于粘接材料之上的树脂层和位于粘接材料之下的树脂层为不同的树脂层。

在上下方向(Z轴方向)上相邻的树脂层彼此熔接的树脂层的情况下，由于在一体化时施加的压力等而在树脂层的分子取向上产生差异，或者由于树脂层的表面的氧化等而产生低分子化。通过利用荧光显微镜等对树脂层进行观察，从而能够判别出分子取向产生了差异的部分或产生了低分子化的部分为树脂层14a～14f的边界。

本实用新型具备以下的构造。

(1)一种多层基板，具备：

层叠体，具有在Z轴方向上层叠了包含第1树脂层的多个树脂层的构造；

信号导体层，设置在所述层叠体；以及

一个以上的贯通导体，在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述多个树脂层分别具有在所述Z轴方向上排列的第1主面和第2主面，

在所述第1树脂层的所述第1主面，设置有不与所述信号导体层相接且在所述Z轴方向上观察与所述信号导体层重叠的一个以上的中空部，

所述一个以上的中空部不在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述一个以上的中空部以及所述一个以上的贯通导体分别具有锥形区域，在所述锥形区域中，所述一个以上的中空部的与所述Z轴方向正交的截面积以及所述一个以上的贯通导体的与所述Z轴方向正交的截面积分别在所述Z轴方向上越靠近所述第1树脂层的所述第1主面越大，

所述锥形区域与所述第1树脂层的所述第1主面相接。

(2)根据(1)记载的多层基板，其中，

所述信号导体层位于所述第1树脂层的所述第2主面。

(3)根据(1)或(2)记载的多层基板，其中，

所述一个以上的中空部的内周面包含朝着从所述第1树脂层的所述第1主面朝向所述第1树脂层的所述第2主面的方向的顶面，

所述顶面是所述多个树脂层中的与所述第1树脂层的所述第1主面接触的第2树脂层的所述第2主面的一部分。

(4)根据(3)记载的多层基板，其中，

所述一个以上的中空部位于比所述信号导体层靠从所述第1树脂层的所述第2主面朝向所述第1树脂层的所述第1主面的方向的位置，

所述一个以上的中空部的内周面包含在所述Z轴方向上延伸的侧面，

所述侧面是所述第1树脂层的一部分，

所述侧面与所述顶面形成锐角。

(5)根据(4)记载的多层基板，其中，

所述一个以上的中空部的内周面包含与所述顶面彼此相向的底面，

所述底面和所述侧面的边界为曲面。

(6)根据(4)或(5)记载的多层基板，其中，

所述一个以上的中空部的内周面包含与所述顶面彼此相向的底面，在所述底面设置有凹凸。

(7)根据(6)记载的多层基板，其中，

所述凹凸的周期为在所述信号导体层传输的高频信号的波长的1/8以下。

(8)根据(1)或(2)记载的多层基板，其中，

所述多层基板还具备：接地导体层，与所述第1树脂层的所述第1主面接触，且具有在所述Z轴方向上排列的第1接地导体层主面和第2接地导体层主面，

所述一个以上的中空部的内周面包含朝着从所述第1树脂层的所述第1主面朝向所述第1树脂层的所述第2主面的方向的顶面，

所述顶面是所述接地导体层的所述第2接地导体层主面的一部分。

(9)根据(1)至(8)中的任一项记载的多层基板，其中，

在所述Z轴方向上观察，所述中空部的最大宽度小于所述贯通导体的最大宽度。

(10)根据(1)至(9)中的任一项记载的多层基板，其中，

在所述Z轴方向上观察，所述一个以上的贯通导体具有包围设置有所述一个以上的中空部的区域的环形状。

(11)根据(1)至(9)中的任一项记载的多层基板，其中，

在所述Z轴方向上观察，在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸的所述中空部位于所述信号导体层与所述一个以上的贯通导体之间。

(12)根据(1)至(11)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体具有在所述Z轴方向上排列的第1层叠体主面和第2层叠体主面，

所述多层基板具备：外部电极，设置在所述层叠体，且从所述层叠体的所述第1层叠体主面露出，

所述信号导体层与所述外部电极电连接，

在所述Z轴方向上观察，所述一个以上的中空部包围所述信号导体层和所述外部电极重叠的部分。

(13)根据(1)至(12)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述多个树脂层的材料为热塑性树脂，

在所述多个树脂层中，在所述Z轴方向上相邻的树脂层彼此熔接。

(14)根据(1)至(12)中的任一项记载的多层基板，其中，

在所述多个树脂层中，在所述Z轴方向上相邻的树脂层彼此通过粘接层固定。

(15)根据(1)至(14)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述层叠体具有第1区间以及第2区间，

所述第2区间弯折，使得所述第2区间的曲率半径小于所述第1区间的曲率半径。

(16)根据(15)记载的多层基板，其中，

空气在所述第2区间中所占的比例比空气在所述第1区间中所占的比例低。

(17)根据(1)至(16)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述一个以上的贯通导体位于在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层的贯通孔内，

所述一个以上的贯通孔中的至少一个的与所述Z轴方向正交的截面积随着朝向从所述第1树脂层的所述第2主面朝向所述第1树脂层的所述第1主面的方向而减少或增加。

(18)根据(1)至(17)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述信号导体层在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸，

所述一个以上的中空部的数量为多个，

在所述Z轴方向上观察，所述多个中空部沿着所述信号导体层排列，

在所述Z轴方向上观察，相邻的两个所述中空部的所述X轴方向的正方向的端之间的距离为在所述信号导体层传输的高频信号的波长的1/8以下。

(19)根据(1)至(18)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述信号导体层在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸，

在与所述X轴方向以及所述Z轴方向正交的Y轴方向上观察，所述一个以上的中空部分别与所述一个以上的贯通导体中的任一个重叠。

(20)根据(1)至(19)中的任一项记载的多层基板，其中，

所述一个以上的贯通导体的所述锥形区域的所述Z轴方向上的长度为所述贯通导体的所述Z轴方向上的长度的一半以上。

(21)一种电子设备，其中，

具备(1)至(20)中的任一项记载的多层基板。

Claims (21)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：

层叠体，具有在Z轴方向上层叠了包含第1树脂层的多个树脂层的构造；

信号导体层，设置在所述层叠体；以及

一个以上的贯通导体，在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述多个树脂层分别具有在所述Z轴方向上排列的第1主面和第2主面，

在所述第1树脂层的所述第1主面，设置有不与所述信号导体层相接且在所述Z轴方向上观察与所述信号导体层重叠的一个以上的中空部，

所述一个以上的中空部不在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层，

所述一个以上的中空部以及所述一个以上的贯通导体分别具有锥形区域，在所述锥形区域中，所述一个以上的中空部的与所述Z轴方向正交的截面积以及所述一个以上的贯通导体的与所述Z轴方向正交的截面积分别在所述Z轴方向上越靠近所述第1树脂层的所述第1主面越大，

所述锥形区域与所述第1树脂层的所述第1主面相接。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述信号导体层位于所述第1树脂层的所述第2主面。

3.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的中空部的内周面包含朝着从所述第1树脂层的所述第1主面朝向所述第1树脂层的所述第2主面的方向的顶面，

所述顶面是所述多个树脂层中的与所述第1树脂层的所述第1主面接触的第2树脂层的所述第2主面的一部分。

4.根据权利要求3所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的中空部位于比所述信号导体层靠从所述第1树脂层的所述第2主面朝向所述第1树脂层的所述第1主面的方向的位置，

所述一个以上的中空部的内周面包含在所述Z轴方向上延伸的侧面，

所述侧面是所述第1树脂层的一部分，

所述侧面与所述顶面形成锐角。

5.根据权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的中空部的内周面包含与所述顶面彼此相向的底面，

所述底面和所述侧面的边界为曲面。

6.根据权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的中空部的内周面包含与所述顶面彼此相向的底面，

在所述底面设置有凹凸。

7.根据权利要求6所述的多层基板，其特征在于，

所述凹凸的周期为在所述信号导体层传输的高频信号的波长的1/8以下。

8.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述多层基板还具备：接地导体层，与所述第1树脂层的所述第1主面接触，且具有在所述Z轴方向上排列的第1接地导体层主面和第2接地导体层主面，

所述一个以上的中空部的内周面包含朝着从所述第1树脂层的所述第1主面朝向所述第1树脂层的所述第2主面的方向的顶面，

所述顶面是所述接地导体层的所述第2接地导体层主面的一部分。

9.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在所述Z轴方向上观察，所述中空部的最大宽度小于所述贯通导体的最大宽度。

10.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在所述Z轴方向上观察，所述一个以上的贯通导体具有包围设置有所述一个以上的中空部的区域的环形状。

11.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在所述Z轴方向上观察，在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸的所述中空部位于所述信号导体层与所述一个以上的贯通导体之间。

12.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有在所述Z轴方向上排列的第1层叠体主面和第2层叠体主面，

所述多层基板具备：外部电极，设置在所述层叠体，且从所述层叠体的所述第1层叠体主面露出，

所述信号导体层与所述外部电极电连接，

在所述Z轴方向上观察，所述一个以上的中空部包围所述信号导体层和所述外部电极重叠的部分。

13.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述多个树脂层的材料为热塑性树脂，

在所述多个树脂层中，在所述Z轴方向上相邻的树脂层彼此熔接。

14.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

在所述多个树脂层中，在所述Z轴方向上相邻的树脂层彼此通过粘接层固定。

15.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有第1区间以及第2区间，

所述第2区间弯折，使得所述第2区间的曲率半径小于所述第1区间的曲率半径。

16.根据权利要求15所述的多层基板，其特征在于，

空气在所述第2区间中所占的比例比空气在所述第1区间中所占的比例低。

17.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的贯通导体位于在所述Z轴方向上贯通所述第1树脂层的贯通孔内，

所述一个以上的贯通孔中的至少一个的与所述Z轴方向正交的截面积随着朝向从所述第1树脂层的所述第2主面朝向所述第1树脂层的所述第1主面的方向而减少或增加。

18.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述信号导体层在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸，

所述一个以上的中空部的数量为多个，

在所述Z轴方向上观察，所述多个中空部沿着所述信号导体层排列，

在所述Z轴方向上观察，相邻的两个所述中空部的所述X轴方向的正方向的端之间的距离为在所述信号导体层传输的高频信号的波长的1/8以下。

19.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述信号导体层在与所述Z轴方向正交的X轴方向上延伸，

在与所述X轴方向以及所述Z轴方向正交的Y轴方向上观察，所述一个以上的中空部分别与所述一个以上的贯通导体中的任一个重叠。

20.根据权利要求1或2所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的贯通导体的所述锥形区域的所述Z轴方向上的长度为所述贯通导体的所述Z轴方向上的长度的一半以上。

21.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求1或2所述的多层基板。