CN219981140U - 多层基板、多层基板模块以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种多层基板、多层基板模块以及电子设备。第2信号导体层位于比第1信号导体层靠第2方向，包含在上下方向上观察与第1信号导体层重叠的重复部分。层间连接导体在上下方向上观察与重复部分重叠，且与第1信号导体层以及第2信号导体层接触。第1参考导体层位于比第2信号导体层靠第2方向，且在上下方向上观察与重复部分的至少一部分重叠。第1空洞在上下方向上观察与层间连接导体的至少一部分重叠，且在上下方向上位于第2信号导体层与第1参考导体层之间。

Description

多层基板、多层基板模块以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及具有层叠有多个绝缘体层的构造的多层基板。

背景技术

作为以往的关于多层基板的发明，例如，已知有专利文献1记载的高频信号线路。在该高频信号线路中，具备层叠体、信号线路、第1参考导体、第2参考导体、层间连接导体以及外部端子。层叠体具有在上下方向上层叠有多个电介质片的构造。信号线路设置在层叠体的内部。第1参考导体位于信号线路的上方。第2参考导体位于信号线路的下方。由此，信号线路、第1参考导体以及第2参考导体具有带状线构造。外部端子位于层叠体的上主面。外部端子经由层间连接导体与信号线路连接。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5477422号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

可是，在专利文献1记载的高频信号线路中，如前所述，信号线路和外部端子通过层间连接导体连接。在这样的存在层间连接导体的部位，在高频信号的传递路径产生的特性阻抗容易变动。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种能够对存在将第1信号导体层和第2信号导体层连接的层间连接导体的部位的特性阻抗进行调整的多层基板、多层基板模块以及电子设备。

用于解决问题的技术方案

在本实用新型的一个方式涉及的多层基板中，

上方向或下方向中的一者为第1方向，上方向或下方向中的另一者为第2方向，

多层基板具备：

层叠体，具有在上下方向上层叠有多个绝缘体层的构造；

第1信号导体层，设置在所述层叠体；

第2信号导体层，设置在所述层叠体，位于比所述第1信号导体层靠所述第2方向，其包含在上下方向上观察与所述第1信号导体层重叠的重复部分；

层间连接导体，设置在所述层叠体，且在上下方向上观察与所述重复部分重叠，且通过在上下方向上贯通所述绝缘体层，从而与所述第1信号导体层以及所述第2信号导体层接触；以及

第1参考导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述第2信号导体层靠所述第2方向，且在上下方向上观察与所述重复部分的至少一部分重叠，

在所述第1信号导体层、所述第2信号导体层以及所述层间连接导体传输高频信号，

在所述层叠体设置有不存在所述绝缘体层的第1空洞，

所述第1空洞在上下方向上观察与所述层间连接导体的至少一部分重叠，且在上下方向上位于所述第2信号导体层与所述第1参考导体层之间。

本实用新型的另一个方式涉及的多层基板模块，具备：

第1多层基板，具有本实用新型的多层基板的构造；以及

第2多层基板，具有本实用新型的多层基板的构造，其中，

所述第1多层基板的所述第1信号导体层通过导电性接合材料固定于所述第2多层基板的所述第1信号导体层，

在上下方向上观察，所述第1空洞与所述导电性接合材料重叠。

本实用新型的另一个方式涉及的电子设备具备本实用新型的多层基板。

实用新型效果

根据本实用新型涉及的多层基板，能够对存在将第1信号导体层和第2信号导体层连接的层间连接导体的部位的特性阻抗进行调整。

附图说明

图1是多层基板10的分解立体图。

图2是多层基板10的右端部的剖视图。

图3是多层基板10的右端部的俯视图。

图4是具备多层基板10的电子设备1的内部构造的后视图。

图5是多层基板10a的右端部的剖视图。

图6是多层基板10a的与左右方向正交的剖视图。

图7是多层基板10b的与左右方向正交的剖视图。

图8是多层基板10c的右端部的剖视图。

图9是多层基板模块200的剖视图。

图10是多层基板模块200a的剖视图。

图11是多层基板10d的剖视图。

图12是多层基板10e的俯视图。在图12中，透视了多层基板10e。

图13是多层基板10e的剖视图。

图14是多层基板10f的剖视图。

图15是多层基板10g的剖视图。

图16是多层基板10h的剖视图。

图17是多层基板10i的俯视图。

图18是多层基板10j的俯视图。

图19是多层基板10k的剖视图。

图20是多层基板10k的俯视图。

图21是层间连接导体v4附近的等效电路图。

图22是多层基板10l的剖视图。

图23是多层基板10m的剖视图。

图24是多层基板10n的剖视图。

图25是多层基板10o的剖视图。

具体实施方式

(实施方式)

[多层基板的构造]

以下，参照附图对本实用新型的实施方式涉及的多层基板10的构造进行说明。图1是多层基板10的分解立体图。另外，在图1中，仅对多个层间连接导体v1以及多个层间连接导体v2中的代表性的层间连接导体v1、v2标注了附图标记。图2是多层基板10的右端部的剖视图。图3是多层基板10的右端部的俯视图。在图3中，透视了多层基板10。

在本说明书中，像以下那样定义方向。将多层基板10的层叠体12的层叠方向定义为上下方向。上方向或下方向的中一者为第1方向。上方向或下方向中的另一者为第2方向。在本实施方式中，第1方向为上方向。第2方向为下方向。不过，第1方向也可以是下方向。第2方向也可以是上方向。此外，将多层基板10的信号导体层22延伸的方向定义为左右方向。此外，将信号导体层22的线宽度方向定义为前后方向。上下方向与前后方向正交。左右方向与上下方向以及前后方向正交。另外，本实施方式中的上下方向、左右方向、前后方向也可以与多层基板10的使用时的上下方向、左右方向以及前后方向不一致。

以下，X是多层基板10的部件或构件。在本说明书中，在没有特别声明的情况下，像以下那样对X的各部分进行定义。所谓X的前部，意味着X的前半部分。所谓X的后部，意味着X的后半部分。所谓X的左部，意味着X的左半部分。所谓X的右部，意味着X的右半部分。所谓X的上部，意味着X的上半部分。所谓X的下部，意味着X的下半部分。所谓X的前端，意味着X的前方向的端。所谓X的后端，意味着X的后方向的端。所谓X的左端，意味着X的左方向的端。所谓X的右端，意味着X的右方向的端。所谓X的上端，意味着X的上方向的端。所谓X的下端，意味着X的下方向的端。所谓X的前端部，意味着X的前端及其附近。所谓X的后端部，意味着X的后端及其附近。所谓X的左端部，意味着X的左端及其附近。所谓X的右端部，意味着X的右端及其附近。所谓X的上端部，意味着X的上端及其附近。所谓X的下端部，意味着X的下端及其附近。

首先，参照图1对多层基板10的构造进行说明。多层基板10传输高频信号。多层基板10在智能电话等电子设备中用于将两个电路电连接。如图1所示，多层基板10具备层叠体12、保护层18a、18b、信号导体层22(第2信号导体层)、第2参考导体层24、第1参考导体层26、信号电极28a、信号电极28b(第1信号导体层)、多个层间连接导体v1、多个层间连接导体v2以及层间连接导体v3、v4。

层叠体12具有板形状。因此，层叠体12具有上主面(第1主面)以及下主面(第2主面)。层叠体12的上主面(第1主面)位于比层叠体12的下主面(第2主面)靠上(第1方向)。层叠体12的上主面以及下主面具有长方形形状，该长方形形状具有在左右方向上延伸的长边。因此，层叠体12的左右方向上的长度比层叠体12的前后方向上的长度长。

如图1所示，层叠体12具有在上下方向上层叠了绝缘体层16a～16c的构造。绝缘体层16a～16c从上向下依次排列。在上下方向上观察，绝缘体层16a～16c具有与层叠体12相同的长方形形状。绝缘体层16a～16c是具有挠性的电介质片。绝缘体层16a～16c的材料例如为热塑性树脂。热塑性树脂例如为液晶聚合物、PTFE(聚四氟乙烯)等热塑性树脂。绝缘体层16a～16c的材料也可以是聚酰亚胺。

信号电极28a没置在层叠体12。在本实施方式中，信号电极28a位于层叠体12的上主面。更详细地，信号电极28a位于绝缘体层16a的上主面的左端部。信号电极28a在上下方向上观察具有长方形形状。在信号电极28a输入输出高频信号。

信号电极28b(第1信号导体层)设置在层叠体12。在本实施方式中，信号电极28b(第1信号导体层)位于层叠体12的上主面。更详细地，信号电极28b位于绝缘体层16a的上主面的右端部。在上下方向上观察，信号电极28b具有长方形形状。在信号电极28b(第1信号导体层)输入输出高频信号。

如图1所示，信号导体层22(第2信号导体层)设置在层叠体12。在本实施方式中，信号导体层22(第2信号导体层)位于比信号电极28a、28b(第1信号导体层)靠下(第2方向)。信号导体层22位于绝缘体层16b的上主面。由此，信号导体层22设置在层叠体12内。信号导体层22具有线形状。信号导体层22在左右方向上延伸。信号导体层22位于绝缘体层16b的上主面的前后方向上的中央。

在此，在上下方向上观察，信号导体层22的左端部与信号电极28a重叠。在上下方向上观察，信号导体层22的右端部与信号电极28b重叠。因此，信号导体层22包含线状部分22a、重复部分22b以及重复部分22c。线状部分22a是在上下方向上观察与信号电极28a、28b不重叠的部分。线状部分22a具有线形状。线状部分22a在左右方向上延伸。重复部分22b是在上下方向上观察与信号电极28a重叠的部分。重复部分22b与线状部分22a的左端连接。重复部分22c是在上下方向上观察与信号电极28b(第1信号导体层)重叠的部分。重复部分22c与线状部分22a的右端连接。在上下方向上观察，重复部分22b、22c具有圆形形状。重复部分22b的前后方向上的宽度以及重复部分22c的前后方向上的宽度大于线状部分22a的前后方向上的宽度。

层间连接导体v3设置在层叠体12。在上下方向上观察，层间连接导体v3与重复部分22b重叠。层间连接导体v3通过在上下方向上贯通绝缘体层16a，从而与信号电极28a以及信号导体层22接触。由此，信号电极28a和信号导体层22电连接。

层间连接导体v4设置在层叠体12。在上下方向上观察，层间连接导体v4与重复部分22c重叠。层间连接导体v4通过在上下方向上贯通绝缘体层16a，从而与信号电极28b(第1信号导体层)以及信号导体层22(第2信号导体层)接触。由此，信号电极28b和信号导体层22电连接。在像以上那样的信号电极28a、信号电极28b(第1信号导体层)、信号导体层22(第2信号导体层)以及层间连接导体v3、v4传输高频信号。

第2参考导体层24设置在层叠体12。在本实施方式中，第2参考导体层24位于比信号导体层22(第2信号导体层)靠上(第1方向)。第2参考导体层24位于绝缘体层16a的上主面。第2参考导体层24覆盖绝缘体层16a的上主面的大致整个面。在上下方向上观察，第2参考导体层24与信号导体层22重叠。不过，第2参考导体层24与信号电极28a、28b不接触。在第2参考导体层24连接参考电位。参考电位例如为接地电位。

第1参考导体层26设置在层叠体12。在本实施方式中，第1参考导体层26位于比信号导体层22(第2信号导体层)靠下(第2方向)。第1参考导体层26位于绝缘体层16c的下主面。第1参考导体层26覆盖绝缘体层16c的下主面的大致整个面。在上下方向上观察，第1参考导体层26与信号导体层22重叠。由此，在上下方向上观察，第1参考导体层26与重复部分22b以及重复部分22c的至少一部分重叠。在第1参考导体层26连接参考电位。参考电位例如为接地电位。像以上那样的信号导体层22、第2参考导体层24以及第1参考导体层26具有带状线构造。

多个层间连接导体v1以及多个层间连接导体v2设置在层叠体12。多个层间连接导体v1、v2将第2参考导体层24和第1参考导体层26电连接。更详细地，多个层间连接导体v1以及多个层间连接导体v2在上下方向上贯通绝缘体层16a～16c。多个层间连接导体v1以及多个层间连接导体v2与第2参考导体层24以及第1参考导体层26接触。多个层间连接导体v1位于信号导体层22的前方。多个层间连接导体v1在左右方向上呈等间隔排列为一列。多个层间连接导体v2位于信号导体层22的后方。多个层间连接导体v2在左右方向上呈等间隔排列为一列。

像以上那样的信号导体层22、第2参考导体层24、第1参考导体层26以及信号电极28a、28b例如通过对设置于绝缘体层16a～16c的上主面或下主面的金属箔实施蚀刻来形成。金属箔例如为铜箔。此外，层间连接导体v1～v4例如为过孔导体。过孔导体通过如下方式来制作，即，在绝缘体层16a～16c形成贯通孔，在贯通孔填充导电性膏，并使导电性膏烧结。层间连接导体v1～v4例如也可以是通孔导体。通孔导体通过如下方式来制作，即，形成贯通绝缘体层16a～16c的一部分或全部的贯通孔，并对贯通孔实施镀敷。

保护层18a层叠在第2参考导体层24的上方。因此，保护层18a是在多层基板10中位于最上方的绝缘体层。保护层18a覆盖第2参考导体层24的大致整体。不过，在保护层18a设置有开口ha～hf。开口ha～hc设置在保护层18a的左端部。开口hb、ha、hc从前向后依次排列。开口hd～hf设置在保护层18a的右端部。开口he、hd、hf从前向后依次排列。而且，信号电极28a、28b的至少一部分分别经由开口ha、hd从多层基板10露出到外部。第2参考导体层24的一部分经由开口hb、hc、he、hf从多层基板10露出到外部。

保护层18b层叠在第1参考导体层26的下方。因此，保护层18b是在多层基板10中位于最下方的绝缘体层。保护层18b覆盖第1参考导体层26的大致整体。像以上那样的保护层18a、18b不是层叠体12的一部分。保护层18a、18b的材料与绝缘体层16a～16c的材料不同。特别是，保护层18a、18b各自的材料与相邻的绝缘体层16a、16c的材料不同。保护层18a、18b是阻挡层。因此，保护层18a、18b可以通过在绝缘体层16a的上主面以及绝缘体层16c的下主面粘附树脂片而形成，也可以通过在绝缘体层16a的上主面以及绝缘体层16c的下主面涂敷液体状的树脂并使其固化而形成。

如图1所示，在层叠体12设置有不存在绝缘体层16a～16c的第1空洞Sp1。第1空洞Sp1在上下方向上位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1参考导体层26之间。具体地，如图2所示，第1空洞Sp1具有半球形形状。第1空洞Sp1从绝缘体层16c的下主面向上方向突出。第1空洞Sp1的上端位于绝缘体层16b的上主面与绝缘体层16b的下主面之间。

此外，如图2以及图3所示，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与层间连接导体v4的至少一部分重叠。在本实施方式中，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与层间连接导体v4的整体重叠。进而，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与重复部分22c的至少一部分重叠。在本实施方式中，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与重复部分22c的整体重叠。而且，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与线状部分22a的右端部重叠。不过，第1空洞Sp1和重复部分22c重叠的面积大于第1空洞Sp1和线状部分22a重叠的面积。

如图1所示，在层叠体12设置有不存在绝缘体层16a～16c的第1空洞Sp11。不过，第1空洞Sp11具有与第1空洞Sp1左右对称的构造，因此省略说明。

此外，如图2以及图3所示，在第1参考导体层26设置有在上下方向上贯通第1参考导体层26的一个以上的贯通孔h1。一个以上的贯通孔h1与第1空洞Sp1相连。在本实施方式中，一个以上的贯通孔h1的数量为一个。在上下方向上观察，贯通孔h1具有圆形形状。贯通孔h1的直径小于第1空洞Sp1的直径以及重复部分22c的直径。而且，在上下方向上观察，贯通孔h1位于第1空洞Sp1的中心以及重复部分22c的中心。由此，在上下方向上观察，贯通孔h1位于第1空洞Sp1的外缘的内侧。此外，在上下方向上观察，贯通孔h1位于重复部分22c的外缘的内侧。而且，在上下方向上观察，贯通孔h1与层间连接导体v4重叠。

此外，在第1参考导体层26中，与第1空洞Sp11相连的贯通孔(未图示)设置于第1参考导体层26。不过，该贯通孔具有与贯通孔h1左右对称的构造，因此省略说明。

在此，对第1空洞Sp1的形成进行说明。通过将第1参考导体层26作为掩模而对绝缘体层16c实施蚀刻，从而在绝缘体层16c中除去与贯通孔h1相邻的部分。由此，形成第1空洞Sp1。

[电子设备的构造]

接着，参照附图对具备多层基板10的电子设备1的构造进行说明。图4是具备多层基板10的电子设备1的内部构造的后视图。电子设备1例如为便携式无线通信终端。电子设备1例如为智能电话。

多层基板10包含第1区间A2以及第2区间A1、A3。第1区间A2是多层基板10被折弯的区间。第2区间A1、A3是多层基板10不被折弯的区间。即，第1区间A2的曲率半径小于第2区间A1、A3的曲率半径。因此，也可以是，在第2区间A1、A3中多层基板10也被折弯。所谓多层基板10被折弯，意味着多层基板10受到外力而变形。变形可以是塑性变形，也可以是弹性变形，还可以是塑性变形以及弹性变形。

像以下那样定义电子设备1中的x轴、y轴以及z轴。x轴是第2区间A1中的左右方向。y轴是第2区间A1中的前后方向。z轴是第2区间A1中的上下方向。第2区间A1、第1区间A2以及第2区间A3朝向x轴的正方向依次排列。

如图4所示，第1区间A2相对于第2区间A1在z轴方向(第2区间A1中的上下方向)上折弯。因此，如图4所示，上下方向以及前后方向根据多层基板10的位置而不同。在层叠体12未折弯的第2区间A1(例如，(1)的位置)中，上下方向以及左右方向分别与z轴方向以及x轴方向一致。另一方面，在层叠体12折弯的第1区间A2(例如，(2)的位置)中，上下方向以及左右方向分别与z轴方向以及x轴方向不一致。

如图4所示，电子设备1具备多层基板10、连接器32a、32b、102a、102b、电路基板500、510。

电路基板500、510具有板形状。电路基板500具有主面S105、S106。主面S105位于比主面S106靠z轴的负方向侧。电路基板510具有主面S111、S112。主面S111位于比主面S112靠z轴的负方向侧。电路基板500、510包含未图示的布线导体层、参考导体层、电极等。

连接器32a、32b各自安装于第2区间A1以及第2区间A3的z轴的正方向侧的主面(上主面)。更详细地，连接器32a安装于信号电极28a以及第2参考导体层24。连接器32b安装于信号电极28b以及第2参考导体层24。

连接器102a、102b各自安装于电路基板500的主面S105以及电路基板510的主面S111。连接器102a、102b各自与连接器32a、32b连接。由此，多层基板10将电路基板500和电路基板510电连接。

[效果]

根据多层基板10，能够对存在将信号电极28b(第1信号导体层)和信号导体层22(第2信号导体层)连接的层间连接导体v4的部位的特性阻抗进行调整。更详细地，在多层基板10中，第1空洞Sp1在上下方向上观察与层间连接导体v4的至少一部分重叠，且在上下方向上位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1参考导体层26之间。由此，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的介电常数变低。即，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容变小。其结果是，存在将信号电极28b(第1信号导体层)和信号导体层22(第2信号导体层)连接的层间连接导体v4的部位的特性阻抗变高。而且，通过调整第1空洞Sp1的大小、位置，从而能够对信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容进行调整。通过以上，根据多层基板10，能够对存在将信号电极28b(第1信号导体层)和信号导体层22(第2信号导体层)连接的层间连接导体v4的部位的特性阻抗进行调整。

根据多层基板10，能够谋求多层基板10的薄型化。更详细地，在多层基板10中，第1空洞Sp1在上下方向上观察与层间连接导体v4的至少一部分重叠，且在上下方向上位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1参考导体层26之间。由此，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的介电常数变低。即，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容变小。在该情况下，即使在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分和第1参考导体层26的距离变短，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容也不会变得过大。其结果是，根据多层基板10，能够谋求多层基板10的薄型化。

根据多层基板10，能够容易地形成第1空洞Sp1。更详细地，在第1参考导体层26设置有在上下方向上贯通第1参考导体层26的一个以上的贯通孔h1。由此，通过将第1参考导体层26作为掩模而对绝缘体层16c实施蚀刻，从而在绝缘体层16c中除去与贯通孔h1相邻的部分。由此，能够形成与贯通孔h1相连的第1空洞Sp1。像这样，根据多层基板10，能够利用贯通孔h1简单地形成第1空洞Sp1。

根据多层基板10，能够得到对信号导体层22的高的屏蔽性。更详细地，多层基板10具备位于比信号导体层22靠上方的第2参考导体层24以及位于比信号导体层22靠下方的第1参考导体层26。因此，信号导体层22、第2参考导体层24以及第l参考导体层26具有带状线构造。由此，信号导体层22被第2参考导体层24以及第1参考导体层26屏蔽。因而，根据多层基板10，能够得到对信号导体层22的高的屏蔽性。进而，在上下方向上观察，贯通孔h1小于第1空洞Sp1，因此第1参考导体层26具有高的屏蔽性。

根据多层基板10，绝缘体层16a～16c的材料为热塑性树脂，因此容易使多层基板10进行塑性变形。因此，容易维持多层基板10折弯的状态。

根据多层基板10，通过多层基板10进行塑性变形，从而变得容易沿着在电子设备内形成的狭窄的空间配置多层基板10。

(第1变形例)

以下，参照附图对第1变形例涉及的多层基板10a进行说明。图5是多层基板10a的右端部的剖视图。图6是多层基板10a的与左右方向正交的剖视图。

多层基板10a与多层基板10的不同点在于，信号导体层22以及第1参考导体层26具有微带线构造。更详细地，在多层基板10a中，在上下方向上观察，第2参考导体层24与信号导体层22不重叠。多层基板10a的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10a能够达到与多层基板10相同的作用效果。

(第2变形例)

以下，参照附图对第2变形例涉及的多层基板10b进行说明。图7是多层基板10b的与左右方向正交的剖视图。关于多层基板10b的右端部的剖视图，援引图5。

多层基板10b与多层基板10a的不同点在于，还具备参考导体层23a、23b。参考导体层23a、23b位于绝缘体层16b的上主面。参考导体层23a位于信号导体层22的前方。参考导体层23b位于信号导体层22的后方。参考导体层23a、23b沿着信号导体层22延伸。由此，信号导体层22和参考导体层23a、23b具有共面构造。此外，第1参考导体层26经由层间连接导体(未图示)与参考导体层23a、23b连接。多层基板10b的其它构造与多层基板10a相同，因此省略说明。多层基板10b能够达到与多层基板10a相同的作用效果。

(第3变形例)

以下，参照附图对第3变形例涉及的多层基板10c进行说明。图8是多层基板10c的剖视图。

多层基板10c与多层基板10的不同点在于，在层叠体12设置有第2空洞Sp2。更详细地，多层基板10c具备信号导体层25。信号导体层25位于绝缘体层16a的上主面。信号导体层25在左右方向上延伸。在上下方向上观察，信号导体层25的左端部与信号导体层22的右端部重叠。此外，层间连接导体v4通过在上下方向上贯通绝缘体层16a，从而与信号导体层25(第1信号导体层)以及信号导体层22(第2信号导体层)接触。

层叠体12还包含绝缘体层16d。绝缘体层16d层叠在绝缘体层16a的上方。第2参考导体层24位于绝缘体层16d的上主面。由此，第2参考导体层24位于比信号导体层25(第1信号导体层)靠上(第1方向)。在上下方向上观察，第2参考导体层24与重复部分22c的至少一部分重叠。

在层叠体12设置有不存在绝缘体层16a～16d的第2空洞Sp2。第2空洞Sp2在上下方向上观察与层间连接导体v4的至少一部分重叠，且在上下方向上位于信号导体层25(第1信号导体层)与第2参考导体层24之间。

此外，在第2参考导体层24设置有在上下方向上贯通第2参考导体层24的一个以上的贯通孔h2。一个以上的贯通孔h2与第2空洞Sp2相连。在本实施方式中，一个以上的贯通孔h2的数量为一个。在上下方向上观察，贯通孔h2具有圆形形状。贯通孔h2的直径小于第2空洞Sp2的直径以及重复部分22c的直径。而且，在上下方向上观察，贯通孔h2位于第2空洞Sp2的中心以及重复部分22c的中心。由此，在上下方向上观察，贯通孔h2位于第2空洞Sp2的外缘的内侧。此外，在上下方向上观察，贯通孔h2位于重复部分22c的外缘的内侧。而且，在上下方向上观察，贯通孔h2与层间连接导体v4重叠。多层基板10c的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。根据多层基板10c，能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10c，能够进一步谋求多层基板10c的薄型化。更详细地，在多层基板10c中，第2空洞Sp2在上下方向上观察与层间连接导体v4的至少一部分重叠，且在上下方向上位于信号导体层25(第1信号导体层)与第2参考导体层24之间。由此，在信号导体层25中连接有层间连接导体v4的部分与第2参考导体层24之间的介电常数变低。即，在信号导体层25中连接有层间连接导体v4的部分与第2参考导体层24之间的电容变小。在该情况下，即使在信号导体层25中连接有层间连接导体v4的部分和第2参考导体层24的距离变短，在信号导体层25中连接有层间连接导体v4的部分与第2参考导体层24之间的电容也不会变得过大。其结果是，根据多层基板10c，能够进一步谋求多层基板10c的薄型化。

(第4变形例)

以下，参照附图对第4变形例涉及的多层基板模块200进行说明。图9是多层基板模块200的剖视图。

多层基板模块200具备多层基板10(第1多层基板)以及多层基板110(第2多层基板)。多层基板110具有与多层基板10上下对称的构造。因此，关于多层基板110的构造物，标注了在对多层基板10的构造物标注的附图标记加了100的附图标记。

多层基板110位于比多层基板10靠上。而且，在上下方向上观察，多层基板10的右端部与多层基板110的左端部重叠。多层基板10(第1多层基板)的信号电极28b(第1信号导体层)通过导电性接合材料300固定于多层基板110(第2多层基板)的信号电极128b(第1信号导体层)。导电性接合材料300例如是焊料、导电性粘接剂。而且，在上下方向上观察，第1空洞Sp1、Sp101与导电性接合材料300重叠。

根据像以上那样的多层基板模块200，能够谋求多层基板模块200的薄型化。更详细地，多层基板10和多层基板110连接的部分存在导电性接合材料300，因此难以薄型化。因此，像已经进行了说明的那样，可谋求多层基板10、110的薄型化。而且，在谋求多层基板10、110的薄型化的部分，多层基板10和多层基板110连接。由此，可谋求多层基板10和多层基板110连接的部分的薄型化。其结果是，根据多层基板模块200，能够谋求多层基板模块200的薄型化。

(第5变形例)

以下，参照附图对第5变形例涉及的多层基板模块200a进行说明。图10是多层基板模块200a的剖视图。

多层基板模块200a与多层基板模块200的不同点在于，在多层基板110未设置第1空洞Sp101。多层基板模块200a的其它构造与多层基板模块200相同，因此省略说明。多层基板模块200a能够达到与多层基板模块200相同的作用效果。

(第6变形例)

以下，参照附图对第6变形例涉及的多层基板10d进行说明。图11是多层基板10d的剖视图。

多层基板10d与多层基板10的不同点在于，层叠体12具有第1区域A11以及第2区域A12。第1区域A11位于第2区域A12的右侧。第1区域A11和第2区域A12相邻。第1区域A11的弯曲刚性比第2区域A12的弯曲刚性高。弯曲刚性例如能够根据对第1区域A11以及第2区域A12各自施加了相同的大小的力时的第1区域A11以及第2区域A12各自的变形量进行测定。具体地，在第1区域A11中，在上下方向上层叠有绝缘体层16a～16e。在第2区域A12中，在上下方向上层叠有绝缘体层16a～16c。因此，第1区域A11的上下方向上的大小比第2区域A12的上下方向上的大小大。其结果是，第1区域A11的弯曲刚性比第2区域A12的弯曲刚性高。而且，第1空洞Sp1位于第1区域A11。多层基板10d的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10d能够达到与多层基板10相同的作用效果。

此外，第1区域A11的弯曲刚性比第2区域A12的弯曲刚性高。因此，即使第1空洞Sp1位于第1区域A11，也容易确保第1区域A11的充分的弯曲刚性。此外，因为第1区域A11不易变形，所以第1空洞Sp1也不易变形。

(第7变形例)

以下，参照附图对第7变形例涉及的多层基板10e进行说明。图12是多层基板10e的俯视图。在图12中，透视了多层基板10e。图13是多层基板10e的剖视图。

多层基板10e在信号电极28b的构造上与多层基板10不同。重复部分22c与线状部分22a的右端部连接。信号电极28b具有长方形形状，该长方形形状具有在前后方向上延伸的长边。

在上下方向上观察，层间连接导体v4与信号电极28b的后部重叠。层间连接导体v4通过在上下方向上贯通绝缘体层16a，从而与信号电极28b(第1信号导体层)以及信号导体层22(第2信号导体层)接触。由此，信号电极28b和信号导体层22电连接。

此外，在层叠体12设置有不存在绝缘体层16a～16c的第3空洞Sp3。第3空洞Sp3在上下方向上位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1参考导体层26之间。此外，第3空洞Sp3在上下方向上位于信号电极28b(第1信号导体层)与第1参考导体层26之间。在上下方向上观察，第3空洞Sp3与层间连接导体不重叠。进而，在上下方向上观察，第3空洞Sp3与信号电极28b的一部分重叠。多层基板10e的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10e能够达到与多层基板10相同的作用效果。

另外，第1空洞Sp1和第3空洞Sp3也可以相连。在上下方向上观察，第3空洞Sp3与层间连接导体不重叠。

(第8变形例)

以下，参照附图对第8变形例涉及的多层基板10f进行说明。图14是多层基板10f的剖视图。

多层基板10f在第1空洞Sp1的大小上与多层基板10不同。多层基板10f的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，第1空洞Sp1与信号导体层22(第2导体层)相接。更准确地，第1空洞Sp1的上端与重复部分22c相接。多层基板10f的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10f能够达到与多层基板10相同的作用效果。

多层基板10f的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容变小。

(第9变形例)

以下，参照附图对第9变形例涉及的多层基板10g进行说明。图15是多层基板10g的剖视图。

多层基板10g在第1空洞Sp1的大小上与多层基板10不同。多层基板10f的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，第1空洞Sp1与层间连接导体v4相接。更准确地，第1空洞Sp1的上端位于比重复部分22c靠上。由此，层间连接导体v4的下端部位于第1空洞Sp1。多层基板10g的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10g能够达到与多层基板10相同的作用效果。

多层基板10g的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容变小。

(第10变形例)

以下，参照附图对第10变形例涉及的多层基板10h进行说明。图16是多层基板10h的剖视图。

多层基板10h在第1空洞Sp1的大小上与多层基板10不同。多层基板10h的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，第1空洞Sp1与信号电极28b相接。多层基板10h的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10h能够达到与多层基板10相同的作用效果。

多层基板10h的第1空洞Sp1比多层基板10的第1空洞Sp1大。由此，在信号导体层22中连接有层间连接导体v4的部分与第1参考导体层26之间的电容变小。

(第11变形例)

以下，参照附图对第11变形例涉及的多层基板10i进行说明。图17是多层基板10i的俯视图。在图17中，透视了多层基板10i。

多层基板10i在贯通孔h1a～h1d的数量上与多层基板10不同。在多层基板10i中，与第1空洞Sp1相连的贯通孔h1a～h1d的数量为多个。在本实施方式中，贯通孔h1a～h1d的数量为四个。不过，在上下方向上观察，贯通孔h1a～h1d的面积分别小于贯通孔h1的面积。此外，在上下方向上观察，第1空洞Sp1具有以贯通孔h1a～h1d为中心的四个圆相互重叠的形状。多层基板10i的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10i能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10i，与第1空洞Sp1相连的贯通孔h1a～h1d的数量为多个。由此，在上下方向上观察，贯通孔h1a～h1d的面积也可以分别小于贯通孔h1的面积。其结果是，可抑制电磁场经由贯通孔h1a～h1d泄漏到多层基板10i的外部。

(第12变形例)

以下，参照附图对第12变形例涉及的多层基板10j进行说明。图18是多层基板10j的俯视图。在图18中，透视了多层基板10j。

多层基板10j在贯通孔h1的形状以及第1空洞Sp1的形状上与多层基板10不同。在多层基板10j中，在上下方向上观察，贯通孔h1具有在左右方向上延伸的长圆形形状。此外，在上下方向上观察，第1空洞Sp1具有在左右方向上延伸的长圆形形状。多层基板10j的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10j能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10j，贯通孔h1具有长圆形形状，因此能够形成长圆状的第1空洞Sp1。

(第13变形例)

以下，参照附图对第13变形例涉及的多层基板10k进行说明。图19是多层基板10k的剖视图。图20是多层基板10k的俯视图。在图20中，透视了多层基板10k。图21是层间连接导体v4附近的等效电路图。

多层基板10k在第1空洞Sp1的位置以及第1空洞Sp1的形状上与多层基板10不同。更详细地，在上下方向上观察，第1空洞Sp1具有在左右方向上延伸的长圆形形状。此外，在上下方向上观察，第1空洞Sp1的中心位于比重复部分22c靠左。由此，在上下方向上观察，第1空洞Sp1与重复部分22c以及线状部分22a重叠。而且，在上下方向上观察，第1空洞Sp1和线状部分22a重叠的区域的左右方向上的长度比第1空洞Sp1和重复部分22c重叠的左右方向上的长度短。像这样，若线状部分22a的右端部在上下方向上观察与第1空洞Sp1重叠，则线状部分22a的右端部与第1参考导体层26之间的电容变小。即，如图21所示，线状部分22a作为电感器L而发挥功能。另一方面，在重复部分22c中与第1空洞Sp1不重叠的部分与第1参考导体层26之间的电容变大。即，如图21所示，在重复部分22c中与第1空洞Sp1不重叠的部分和第1参考导体层26作为电容器C而发挥功能。通过以上，形成低通滤波器。多层基板10k的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10k能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10k，能够通过第1空洞Sp1的位置以及第1空洞Sp1的形状来形成低通滤波器。因而，在多层基板10k中，可谋求噪声的降低。此外，能够在不使信号导体层22的右端部的线宽度变细的情况下使信号导体层22的右端部作为电感器L而发挥功能。因而，能够抑制信号导体层22的直流电阻值的增大。

此外，在多层基板10k中，在信号导体层22中位于比层间连接导体v4靠右的部分(被圆B包围的部分)作为开路短截线而发挥功能。

(第14变形例)

以下，参照附图对第14变形例涉及的多层基板10l进行说明。图22是多层基板10l的剖视图。

多层基板10l与多层基板10的不同点在于，多个绝缘体层还包含绝缘体层19(第1绝缘体层)。绝缘体层19(第1绝缘体层)位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1空洞Sp1之间。在本实施方式中，绝缘体层19位于绝缘体层16b与绝缘体层16c之间。在上下方向上观察，绝缘体层19与第1空洞Sp1重叠。这样的绝缘体层19是将绝缘体层16b和绝缘体层16c粘接的粘接层。绝缘体层19(第1绝缘体层)的材料与残余的绝缘体层16a～16c的材料相比不易被蚀刻。由此，第1空洞Sp1位于比绝缘体层19靠下，不位于比绝缘体层19靠上。另外，绝缘体层19也可以还位于绝缘体层16a与绝缘体层16b之间。多层基板10l的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10l能够达到与多层基板10相同的作用效果。

在多层基板10l中，绝缘体层19(第1绝缘体层)位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1空洞Sp1之间。绝缘体层19(第1绝缘体层)的材料与残余的绝缘体层16a～16c的材料相比不易被蚀刻。由此，第1空洞Sp1不形成于绝缘体层19。其结果是，可抑制第1空洞Sp1的制造偏差。绝缘体层19的材料例如是不易被药液蚀刻的特氟隆(注册商标)。

(第15变形例)

以下，参照附图对第15变形例涉及的多层基板10m进行说明。图23是多层基板10m的剖视图。

多层基板10m与多层基板10的不同点在于，还具备虚设导体层60。虚设导体层60位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1空洞Sp1之间。在本实施方式中，绝缘体层16d层叠在绝缘体层16b与绝缘体层16c之间。虚设导体层60位于绝缘体层16d的下主面。在上下方向上观察，虚设导体层60与第1空洞Sp1重叠。虚设导体层60不与参考电位、信号电位连接。因此，虚设导体层60的电位是浮置电位。多层基板10m的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10m能够达到与多层基板10相同的作用效果。

在多层基板10m中，虚设导体层60位于信号导体层22(第2信号导体层)与第1空洞Sp1之间。虚设导体层60几乎不被蚀刻。由此，第1空洞Sp1不形成在比虚设导体层60靠上。其结果是，可抑制第1空洞Sp1的制造偏差。

在多层基板10m中，在上下方向上观察，虚设导体层60与层间连接导体v4重叠。

(第16变形例)

以下，参照附图对第16变形例涉及的多层基板10n进行说明。图24是多层基板10n的剖视图。

多层基板10n与多层基板10的不同点在于，在保护层18b设置有贯通孔h50。贯通孔h50在上下方向上贯通保护层18b。在上下方向上观察，贯通孔h50与贯通孔h1以及第1空洞Sp1重叠。由此，贯通孔h50与贯通孔h1以及第1空洞Sp1相连。多层基板10n的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10n能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10n，在第1空洞Sp1内的空气由于热而膨胀时，空气能够经由贯通孔h1、h50跑到第1空洞Sp1外。由此，可抑制第1参考导体层26从绝缘体层16c剥离。

(第17变形例)

以下，参照附图对第17变形例涉及的多层基板10o进行说明。图25是多层基板10o的剖视图。

多层基板10o在保护层18b的材料上与多层基板10不同。保护层18b的材料是具有通气性的多孔质材料。多层基板10o的其它构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10o能够达到与多层基板10相同的作用效果。

根据多层基板10o，在第1空洞Sp1内的空气由于热而膨胀时，空气能够经由具有通气性的保护层18b跑到第1空洞Sp1外。由此，可抑制第1参考导体层26从绝缘体层16c剥离。此外，可抑制异物侵入到第1空洞Sp1内。

(其它实施方式)

本实用新型涉及的传输线路并不限于多层基板10、10a～10o，能够在其主旨的范围内进行变更。另外，也可以将多层基板10、10a～10o的结构任意地组合。

另外，在多层基板10、10a～10o中，第2参考导体层24不是必需的构成要件。

另外，第1信号导体层只要是传输高频信号的导体层即可。因此，第1信号导体层可以是具有长方形形状的信号电极28b，也可以是具有线形状的信号导体层25。此外，第1信号导体层例如是配置于在上下排列的两个层间连接导体之间的小的导体层。

另外，高频信号的频率例如为10MHz以上。

另外，在多层基板10、10a～10o中，在上下方向上观察，第1空洞Sp1可以与层间连接导体v1的一部分重叠，也可以与层间连接导体v1的整体重叠。

另外，在多层基板10d中，第1空洞Sp1也可以位于第2区域A12。在该情况下，能够谋求第2区域A12的薄型化。

另外，在多层基板模块200a中，多层基板10的上下方向上的厚度也可以小于多层基板110的上下方向上的厚度。像这样，通过在上下方向上的厚度小的多层基板110设置第1空洞Sp1，从而能够谋求多层基板110的薄型化。

另外，保护层18a、18b不是必需的构成要件。

另外，绝缘体层16a～16c的材料可以是热塑性树脂以外的树脂，也可以是陶瓷。

另外，多层基板10e也可以还具备层间连接导体。层间连接导体设置在层叠体12。在上下方向上观察，层间连接导体与重复部分22c的前部重叠。层间连接导体通过在上下方向上贯通绝缘体层16a，从而与信号电极28b(第1信号导体层)以及信号导体层22(第2信号导体层)接触。由此，信号电极28b和信号导体层22电连接。在该情况下，在上下方向上观察，第3空洞Sp3与层间连接导体的至少一部分重叠。不过，也可以是，在上下方向上观察，第3空洞Sp3与层间连接导体的整体重叠。

另外，在多层基板10e中，也可以在层叠体12设置有不与层间连接导体重叠的多个第3空洞Sp3。

另外，在多层基板10e中，第3空洞Sp3只要在上下方向上位于信号电极28b或信号导体层22与第1参考导体层26之间即可。

附图标记说明

1：电子设备；

10、10a～10o、110：多层基板；

12：层叠体；

16a～16e、19：绝缘体层；

18a、18b：保护层；

22：信号导体层；

22a：线状部分；

22b、22c：重复部分；

23a、23b：参考导体层；

24：第2参考导体层；

25：信号导体层；

26：第1参考导体层；

28a、28b、128b：信号电极；

60：虚设导体层；

200、200a：多层基板模块；

300：导电性接合材料；

A11：第1区域；

A12：第2区域；

Sp1、Sp101、Sp11：第1空洞；

Sp2：第2空洞；

Sp3：第3空洞；

h1、h1a～h1d、h2、h50：贯通孔；

v1～v4：层间连接导体。

Claims (16)

1.一种多层基板，其特征在于，

上方向或下方向中的一者为第1方向，上方向或下方向中的另一者为第2方向，

多层基板具备：

层叠体，具有在上下方向上层叠有多个绝缘体层的构造；

第1信号导体层，设置在所述层叠体；

第2信号导体层，设置在所述层叠体，位于比所述第1信号导体层靠所述第2方向，其包含在上下方向上观察与所述第1信号导体层重叠的重复部分；

层间连接导体，设置在所述层叠体，且在上下方向上观察与所述重复部分重叠，且通过在上下方向上贯通所述绝缘体层，从而与所述第1信号导体层以及所述第2信号导体层接触；以及

第1参考导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述第2信号导体层靠所述第2方向，且在上下方向上观察与所述重复部分的至少一部分重叠，

在所述第1信号导体层、所述第2信号导体层以及所述层间连接导体传输高频信号，

在所述层叠体设置有不存在所述绝缘体层的第1空洞，

所述第1空洞在上下方向上观察与所述层间连接导体的至少一部分重叠，且在上下方向上位于所述第2信号导体层与所述第1参考导体层之间。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

在所述第1参考导体层设置有在上下方向上贯通所述第1参考导体层的一个以上的贯通孔，

所述一个以上的贯通孔与所述第1空洞相连。

3.根据权利要求2所述的多层基板，其特征在于，

所述一个以上的贯通孔的数量为多个。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述多层基板还具备：

第2参考导体层，设置在所述层叠体，且位于比所述第2信号导体层靠所述第1方向。

5.根据权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述第2参考导体层位于比所述第1信号导体层靠所述第1方向，且在上下方向上观察与所述重复部分的至少一部分重叠，

在所述层叠体设置有不存在所述绝缘体层的第2空洞，

所述第2空洞在上下方向上观察与所述层间连接导体的至少一部分重叠，且在上下方向上位于所述第1信号导体层与所述第2参考导体层之间。

6.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有在上下方向上排列的第1主面以及第2主面，

所述第1主面位于比所述第2主面靠所述第1方向，

所述第1信号导体层是位于所述第1主面且输入输出所述高频信号的信号电极。

7.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述层叠体具有第1区域以及第2区域，

所述第1区域的弯曲刚性比所述第2区域的弯曲刚性高，

所述第1空洞位于所述第1区域。

8.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述第1空洞与所述第2信号导体层相接。

9.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述第1空洞与所述层间连接导体相接。

10.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述第2信号导体层包含具有线形状的线状部分，

所述重复部分的宽度大于所述线状部分的宽度，

在上下方向上观察，所述第1空洞与所述重复部分以及所述线状部分重叠。

11.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述多个绝缘体层包含位于所述第2信号导体层与所述第1空洞之间的第1绝缘体层，

所述第1绝缘体层的材料与残余的绝缘体层的材料相比不易被蚀刻。

12.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述多层基板还具备：

虚设导体层，位于所述第2信号导体层与所述第1空洞之间。

13.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述多层基板还具备：

保护层，层叠在所述第1参考导体层的第2方向。

14.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

在所述层叠体设置有不存在所述绝缘体层的第3空洞，

所述第3空洞在上下方向上观察不与层间连接导体重叠，且在上下方向上位于所述第1信号导体层或第2信号导体层与所述第1参考导体层之间。

15.一种多层基板模块，其特征在于，具备：

第1多层基板，具有权利要求1至权利要求14中的任一项所述的构造；以及

第2多层基板，具有权利要求1至权利要求14中的任一项所述的构造，其中，

所述第1多层基板的所述第1信号导体层通过导电性接合材料固定于所述第2多层基板的所述第1信号导体层，

在上下方向上观察，所述第1空洞与所述导电性接合材料重叠。

16.一种电子设备，其特征在于，

具备根据权利要求1至权利要求14中的任一项所述的多层基板。