JP7327690B2 - 伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号が伝送される伝送線路及び電子機器に関する。

従来の伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号伝送線路が知られている。この信号伝送線路は、積層体、信号導体及びグランド導体を備えている。積層体は、複数の樹脂層が積層された構造を有している。信号導体及びグランド導体は、積層体の積層方向に見て、重なっている。また、信号導体とグランド導体との間には、中空部が設けられている。

このような信号伝送線路では、低い誘電率を有する空気が中空部に存在している。中空部は、信号導体の近くに設けられている。そのため、信号導体の周囲の誘電率が低くなる。その結果、信号伝送線路では、信号導体を伝送される高周波信号に誘電損が発生することが抑制されるので、信号伝送線路の伝送損失が低くなる。

特許第６４８９２６５号

ところで、特許文献１に記載の信号伝送線路の分野では、信号伝送線路の伝送損失をより低減したいという要望がある。

そこで、本発明の目的は、伝送線路の伝送損失の低減を図ることができる伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る伝送線路は、
素体上下方向に延びる法線を有する主面を有する素体であって、単一層の第１絶縁体層を含む素体と、
前記素体において前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における下に設けられている信号導体層と、
前記素体において前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における上に設けられている第１グランド導体層と、
を備えており、
前記第１絶縁体層には、前記第１絶縁体層を前記素体上下方向に貫通する第１空孔が設けられており、
前記信号導体層が延びる方向を素体前後方向と定義し、
前記信号導体層の線幅方向を素体左右方向と定義し、
前記第１空孔の少なくとも一部は、前記素体上下方向に見て、前記信号導体層と重なっており、
前記第１絶縁体層が前記第１空孔を形成している面を第１空孔形成面と定義し、
前記第１空孔形成面の左部は、前記素体前後方向に直交する断面において、前記第１空孔形成面の左部の上端及び前記第１空孔形成面の左部の下端より前記素体左右方向における左に位置する部分を有している。

本発明に係る伝送線路及び電子機器によれば、伝送損失の低減を図ることができる。

図１は、伝送線路１０の分解斜視図である。 図２は、図１のＡ－Ａにおける伝送線路１０の断面図である。 図３は、伝送線路１０を備える電子機器１の左面図である。 図４は、伝送線路１０ａの断面図である。 図５は、伝送線路１０ｂの断面図である。 図６は、比較例に係る伝送線路５００の断面図である。 図７は、第１モデルの電界分布を示した図である。 図８は、第２モデルの電界分布を示した図である。 図９は、第１モデルの信号導体層２２の左端部における電界分布を示した図である。 図１０は、第２モデルの信号導体層２２の左端部における電界分布を示した図である。 図１１は、第１モデル及び第２モデルの周波数と伝送損失との関係を示したグラフである。 図１２は、伝送線路１０ｃの断面図である。 図１３は、伝送線路１０ｄの断面図である。 図１４は、伝送線路１０ｅの断面図である。 図１５は、伝送線路１０ｆの断面図である。 図１６は、伝送線路１０ｇの断面図である。 図１７は、伝送線路１０ｈの断面図である。 図１８は、伝送線路１０ｉの断面図である。 図１９は、伝送線路１０ｊの断面図である。 図２０は、伝送線路１０ｋの断面図である。 図２１は、伝送線路１０ｌの断面図である。 図２２は、伝送線路１０ｍの断面図である。 図２３は、伝送線路１０ｎの断面図である。 図２４は、伝送線路１０ｏの断面図である。

（実施形態）
［伝送線路の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る伝送線路１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、伝送線路１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１，ｖ２にのみ参照符号を付した。図２は、図１のＡ－Ａにおける伝送線路１０の断面図である。

本明細書において、方向を以下のように定義する。伝送線路１０の素体１２の主面の法線が延びる方向を素体上下方向と定義する。また、伝送線路１０の信号導体層２２が延びる方向を素体前後方向と定義する。また、信号導体層２２の線幅方向を素体左右方向と定義する。素体上下方向、素体前後方向及び素体左右方向は、互いに直交している。

以下では、Ｘは、伝送線路１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

まず、図１を参照しながら、伝送線路１０の構造について説明する。伝送線路１０は、高周波信号を伝送する。伝送線路１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。伝送線路１０は、図１に示すように、素体１２、保護層２０ａ，２０ｂ、信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、第３グランド導体層２７、信号端子２８ａ，２８ｂ、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２及び層間接続導体ｖ３，ｖ４を備えている。

素体１２は、板形状を有している。従って、素体１２は、上主面及び下主面（主面）を有している。素体１２の上主面及び下主面（主面）は、素体上下方向に延びる法線を有している。素体１２の上主面及び下主面は、素体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、素体１２の素体前後方向の長さは、素体１２の素体左右方向の長さより長い。

素体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂを含んでいる。素体１２は、絶縁体層１６ａ，１８ａ，１６ｂ，１８ｂ，１６ｃが素体上下方向における上から下へとこの順に積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂは、素体上下方向に見て、素体１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等である。また、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、ポリイミドであってもよい。絶縁体層１８ａは、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとを接着する接着層である。絶縁体層１８ａは、単一層の絶縁体層である。絶縁体層１８ａが単一層であるとは、絶縁体層１８ａが複数の絶縁体層が貼り合された構造を有していないことを意味する。絶縁体層１８ｂは、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとを接着する接着層である。絶縁体層１８ｂは、単一層の絶縁体層である。絶縁体層１８ｂ（第２絶縁体層）は、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）より素体上下方向における下に設けられている。本明細書において、「絶縁体層１８ｂは、絶縁体層１８ａより素体上下方向における下に設けられている」とは、以下の状態を指す。絶縁体層１８ｂは、絶縁体層１８ａの上端を通り素体上下方向に直交する平面（上主面）の素体上下方向における下に配置される。この場合、絶縁体層１８ａ及び絶縁体層１８ｂは、素体上下方向に並んでいてもよく、並んでいなくてもよい。絶縁体層１８ａ，１８ｂは、接着性を有するシートや、印刷等により塗布される液体状の接着剤や粘性を有しシート状態で貼り付けられるボンディングシート等である。絶縁体層１８ａ，１８ｂの材料は、例えば、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂、アクリル樹脂等である。このように、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）の材料は、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）の素体上下方向における下に設けられている絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の材料と異なっている。

信号導体層２２は、図１に示すように、素体１２において絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）より素体上下方向における下に設けられている。また、信号導体層２２は、素体１２において絶縁体層１８ｂ（第２絶縁体層）より素体上下方向における上に設けられている。本実施形態では、信号導体層２２は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。これにより、信号導体層２２は、素体１２内に設けられている。信号導体層２２は、線形状を有している。信号導体層２２は、素体前後方向に延びている。信号導体層２２は、絶縁体層１６ｂの上主面の素体左右方向の中央に位置している。

第１グランド導体層２４は、素体１２において絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）より素体上下方向における上に設けられている。本実施形態では、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。これにより、第１グランド導体層２４は、信号導体層２２の素体上下方向における上に位置している。本明細書において、「第１グランド導体層２４は、信号導体層２２の素体上下方向における上に位置している。」とは、以下の状態を指す。第１グランド導体層２４の少なくとも一部分は、信号導体層２２が素体上方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１グランド導体層２４は、信号導体層２２が素体上方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、信号導体層２２が素体上方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。本実施形態では、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。そのため、第１グランド導体層２４は、信号導体層２２が素体上方向に平行移動するときに通過する領域から突出している。また、第１グランド導体層２４は、素体上下方向に見て信号導体層２２と重なっている。

第２グランド導体層２６は、素体１２において絶縁体層１８ｂ（第２絶縁体層）より素体上下方向における下に設けられている。本実施形態では、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｃの下主面に設けられている。これにより、第２グランド導体層２６は、信号導体層２２の素体上下方向における下に位置している。本実施形態では、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｃの下主面の略全面を覆っている。これにより、第２グランド導体層２６は、素体上下方向に見て信号導体層２２と重なっている。その結果、信号導体層２２、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６は、ストリップライン構造を有している。

第３グランド導体層２７は、素体１２において絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）より素体上下方向における下に設けられている。本実施形態では、第３グランド導体層２７は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第３グランド導体層２７は、上下方向に見て、信号導体層２２の周囲を囲んでいる。従って、第３グランド導体層２７は、信号導体層２２の素体左右方向における左及び右に設けられている。

複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６と第３グランド導体層２７とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂを素体上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の上端は、第１グランド導体層２４に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の下端は、第２グランド導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の中間部は、第３グランド導体層２７に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、信号導体層２２の素体左右方向における左に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、素体前後方向において等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、信号導体層２２の素体左右方向における右に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、素体前後方向において等間隔に一列に並んでいる。

信号端子２８ａは、素体１２の上主面に設けられている。より詳細には、信号端子２８ａは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。信号端子２８ａは、素体上下方向に見て、信号導体層２２の前端部と重なっている。ただし、信号端子２８ａは、素体上下方向に見て、後述する第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２と重なっていない。信号端子２８ａは、素体上下方向に見て、長方形状を有している。信号端子２８ａが第１グランド導体層２４と絶縁されるように、信号端子２８ａの周囲には第１グランド導体層２４が設けられていない。

層間接続導体ｖ３は、信号端子２８ａと信号導体層２２とを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａ，１８ａを素体上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、信号端子２８ａに接続されている。層間接続導体ｖ３の下端は、信号導体層２２の前端部に接続されている。これにより、信号端子２８ａは、信号導体層２２と電気的に接続されている。高周波信号は、信号端子２８ａを介して、信号導体層２２に入出力する。

なお、信号端子２８ｂ及び層間接続導体ｖ４は、信号端子２８ａ及び層間接続導体ｖ３と左右対称な構造を有する。従って、信号端子２８ｂ及び層間接続導体ｖ４の説明を省略する。

以上のような信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、第３グランド導体層２７及び信号端子２８ａ，２８ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｃの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１～ｖ４は、例えば、スルーホール導体である。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキを施すことにより作製される。

保護層２０ａ，２０ｂは、可撓性を有する絶縁体層である。ただし、保護層２０ａ，２０ｂは、素体１２の一部ではない。保護層２０ａ，２０ｂは、素体上下方向に見て、素体１２と同じ長方形状を有している。

保護層２０ａは、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。これにより、保護層２０ａは、第１グランド導体層２４を保護している。ただし、保護層２０ａには、開口ｈ１～ｈ６が設けられている。開口ｈ１は、素体上下方向に見て、信号端子２８ａと重なっている。これにより、信号端子２８ａは、開口ｈ１を介して伝送線路１０から外部に露出している。開口ｈ２は、開口ｈ１の素体左右方向における左に設けられている。開口ｈ３は、開口ｈ１の素体左右方向における右に設けられている。これにより、第１グランド導体層２４は、開口ｈ２，ｈ３を介して伝送線路１０から外部に露出している。なお、開口ｈ４～ｈ６の構造はそれぞれ、開口ｈ１～ｈ３の構造と左右対称である。従って、開口ｈ４～ｈ６の説明を省略する。

次に、図１及び図２を参照しながら第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２について説明する。絶縁体層１８ａには、絶縁体層１８ａを素体上下方向に貫通する第１空孔Ｈ１が設けられている。より詳細には、第１空孔Ｈ１は、図１に示すように、素体上下方向に見て、素体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第１空孔Ｈ１は、絶縁体層１８ａの素体左右方向の中央に設けられている。これにより、第１空孔Ｈ１の少なくとも一部は、素体上下方向に見て、信号導体層２２と重なっている。そして、信号導体層２２は、図２に示すように、第１空孔Ｈ１内に位置している。ただし、信号導体層２２の前端及び後端は、素体上下方向に見て、第１空孔Ｈ１と重なっていない。すなわち、信号導体層２２の前端及び後端は、第１空孔Ｈ１内に位置していない。

また、第３グランド導体層２７の左部の右端部は、図２に示すように、第１空孔Ｈ１内に位置している。第３グランド導体層２７の右部の左端部は、第１空孔Ｈ１内に位置している。

ここで、図２に示すように、絶縁体層１８ａが第１空孔Ｈ１を形成している面を第１空孔形成面Ｓ１と定義する。また、第１空孔形成面Ｓ１は、左部Ｓ１Ｌ及び右部Ｓ１Ｒを有している。更に、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、上端Ｐ１ＬＵ及び下端Ｐ１ＬＤを有している。第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、上端Ｐ１ＲＵ及び下端Ｐ１ＲＤを有している。

第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体前後方向に見て、素体左方向に突出する円弧形状を有している。すなわち、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤから素体左方向に突出するように湾曲した形状を有している。これにより、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの素体上下方向の中央は、左部Ｓ１Ｌにおいて最も左に位置している。以上より、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有している。

第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体前後方向に見て、素体右方向に突出する円弧形状を有している。すなわち、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒの上端Ｐ１ＲＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒの下端Ｐ１ＲＤから素体右方向に突出するように湾曲した形状を有している。これにより、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒの素体上下方向の中央は、右部Ｓ１Ｒにおいて最も右に位置している。以上より、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒの上端Ｐ１ＲＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒの下端Ｐ１ＲＤより素体左右方向における右に位置する部分を有している。

絶縁体層１８ｂには、絶縁体層１８ｂを素体上下方向に貫通する第２空孔Ｈ２が設けられている。より詳細には、第２空孔Ｈ２は、図１に示すように、素体上下方向に見て、素体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第２空孔Ｈ２は、絶縁体層１８ｂの素体左右方向の中央に設けられている。これにより、第２空孔Ｈ２の少なくとも一部は、素体上下方向に見て、信号導体層２２と重なっている。ただし、信号導体層２２の前端及び後端は、素体上下方向に見て、第２空孔Ｈ２と重なっていない。

ここで、絶縁体層１８ｂが第２空孔Ｈ２を形成している面を第２空孔形成面Ｓ２と定義する。また、第２空孔形成面Ｓ２は、左部Ｓ２Ｌ及び右部Ｓ２Ｒを有している。更に、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、上端Ｐ２ＬＵ及び下端Ｐ２ＬＤを有している。第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、上端Ｐ２ＲＵ及び下端Ｐ２ＲＤを有している。

第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、素体前後方向に見て、素体左方向に突出する円弧形状を有している。すなわち、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、素体前後方向に直交する断面において、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌの上端Ｐ２ＬＵ及び第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌの下端Ｐ２ＬＤから素体左方向に突出するように湾曲した形状を有している。これにより、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌの素体上下方向の中央は、左部Ｓ２Ｌにおいて最も左に位置している。以上より、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌの上端Ｐ２ＬＵ及び第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌの下端Ｐ２ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有している。

第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、素体前後方向に見て、素体右方向に突出する円弧形状を有している。すなわち、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、素体前後方向に直交する断面において、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒの上端Ｐ２ＲＵ及び第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒの下端Ｐ２ＲＤから素体右方向に突出するように湾曲した形状を有している。これにより、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒの素体上下方向の中央は、右部Ｓ２Ｒにおいて最も右に位置している。以上より、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ１Ｒは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒの上端Ｐ２ＲＵ及び第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒの下端Ｐ２ＲＤより素体左右方向における右に位置する部分を有している。

以上のような第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の形成方法について説明する。第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の形成方法には、熱膨張法、揮発法及び圧力法が存在する。

熱膨張法では、絶縁体層１６ａ～１６ｃの線膨張係数と絶縁体層１８ａ，１８ｂの線膨張係数との差を利用する。絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂを熱圧着すると、第１空孔Ｈ１が熱圧着の圧力により小さくなる。ここで、絶縁体層１８ａ，１８ｂの線膨張係数は、絶縁体層１６ａ～１６ｃの線膨張係数より大きい。そのため、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの熱圧着が完了し、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂが冷却されると、絶縁体層１８ａ，１８ｂが絶縁体層１６ａ～１６ｃより大きく収縮する。ただし、絶縁体層１８ａの上主面は、絶縁体層１６ａの下主面に接着されている。絶縁体層１８ａの下主面は、絶縁体層１６ｂの上主面に接着されている。従って、絶縁体層１８ａの上主面及び下主面のそれぞれは、絶縁体層１６ａの下主面及び絶縁体層１６ｂの上主面に拘束される。そのため、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。これにより、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が形成される。

揮発法では、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの熱圧着により絶縁体層１８ａ，１８ｂに含まれる成分が揮発することを利用する。より詳細には、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂを熱圧着すると、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が熱圧着の圧力により小さくなる。ここで、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの熱圧着により絶縁体層１８ａ，１８ｂに含まれる成分が揮発する。そのため、熱圧着前後における絶縁体層１８ａ，１８ｂの体積の減少率は、熱圧着前後における絶縁体層１６ａ～１６ｃの体積の減少率より大きい。ただし、絶縁体層１８ａの上主面は、絶縁体層１６ａの下主面に接着されている。絶縁体層１８ａの下主面は、絶縁体層１６ｂの上主面に接着されている。従って、絶縁体層１８ａの上主面及び下主面のそれぞれは、絶縁体層１６ａの下主面及び絶縁体層１６ｂの上主面に拘束される。そのため、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。これにより、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が形成される。

圧力法では、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの熱圧着後の第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の膨張を利用する。より詳細には、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂを熱圧着すると、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が熱圧着の圧力により小さくなる。絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの熱圧着が完了すると、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２に加わる圧力が小さくなるので、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が大きくなる。ただし、絶縁体層１８ａの上主面は、絶縁体層１６ａの下主面に接着されている。絶縁体層１８ａの下主面は、絶縁体層１６ｂの上主面に接着されている。従って、絶縁体層１８ａの上主面及び下主面のそれぞれは、絶縁体層１６ａの下主面及び絶縁体層１６ｂの上主面に拘束される。そのため、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の左部Ｓ２Ｌは、素体左方向に突出するように変形する。同様に、第２空孔形成面Ｓ２の右部Ｓ２Ｒは、素体右方向に突出するように変形する。これにより、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２が形成される。

［電子機器の構造］
次に、伝送線路１０を備える電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。図３は、伝送線路１０を備える電子機器１の左面図である。電子機器１は、例えば、携帯無線通信端末である。電子機器１は、例えば、スマートフォンである。

伝送線路１０は、図３に示すように、折り曲げられる。「伝送線路１０が折り曲げられる」とは、伝送線路１０に外力が加えられることにより伝送線路１０が変形して曲がっていることを意味する。以下では、伝送線路１０が折り曲げられる区間を曲げ区間Ａ２と呼ぶ。伝送線路１０が折り曲げられない区間を非曲げ区間Ａ１，Ａ３と呼ぶ。そして、電子機器１におけるｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を以下の様に定義する。ｘ軸は、非曲げ区間Ａ１での素体前後方向である。ｙ軸は、非曲げ区間Ａ１での素体左右方向である。ｚ軸は、非曲げ区間Ａ１での素体上下方向である。非曲げ区間Ａ１、曲げ区間Ａ２及び非曲げ区間Ａ３は、ｘ軸の正方向に向かってこの順に並んでいる。

図３に示すように、曲げ区間Ａ２はｚ軸方向に折り曲げられる。従って、素体上下方向及び素体前後方向は、図３に示すように、伝送線路１０の位置によって異なる。素体１２が折り曲げられていない非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３（例えば、（１）の位置）では、素体上下方向及び素体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致する。一方、素体１２が折り曲げられている曲げ区間Ａ２（例えば、（２）の位置）では、素体上下方向及び素体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致しない。

電子機器１は、図３に示すように、伝送線路１０、コネクタ３０ａ，３０ｂ，１０２ａ，１０２ｂ、回路基板１００，１１０を備えている。

回路基板１００，１１０は、板形状を有している。回路基板１００は、主面Ｓ５，Ｓ６を有している。主面Ｓ５は、主面Ｓ６よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１１０は、主面Ｓ１１，Ｓ１２を有している。主面Ｓ１１は、主面Ｓ１２よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１００，１１０は、図示しない配線導体層やグランド導体層、電極等を含んでいる。

コネクタ３０ａ，３０ｂのそれぞれは、非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３のｚ軸の正方向側の主面（上主面）に実装されている。より詳細には、コネクタ３０ａは、開口ｈ１～ｈ３から露出している信号端子２８ａ及び第１グランド導体層２４に実装される。コネクタ３０ｂは、開口ｈ４～ｈ６から露出している信号端子２８ｂ及び第１グランド導体層２４に実装される。

コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、回路基板１００の主面Ｓ５及び回路基板１１０の主面Ｓ１１に実装されている。コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、コネクタ３０ａ，３０ｂに接続されている。これにより、伝送線路１０は、回路基板１００と回路基板１１０とを電気的に接続している。

［効果］
伝送線路１０によれば、伝送線路１０の伝送損失の低減を図ることができる。より詳細には、絶縁体層１８ａには、絶縁体層１８ａを素体上下方向に貫通する第１空孔Ｈ１が設けられている。低い誘電率を有する空気が第１空孔Ｈ１内に存在する。第１空孔Ｈ１の少なくとも一部は、素体上下方向に見て、信号導体層２２と重なっている。そのため、信号導体層２２の周囲の誘電率が低くなる。その結果、伝送線路１０では、信号導体層２２を伝送される高周波信号に誘電損が発生することが抑制されるので、伝送線路１０の伝送損失が低くなる。第２空孔Ｈ２も、第１空孔Ｈ１と同じ理由により、伝送線路１０の伝送損失の低減に寄与する。

また、伝送線路１０によれば、絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａとの剥離、及び、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの剥離を抑制しつつ、伝送線路１０の伝送損失の低減を図ることができる。より詳細には、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有している。これにより、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵは、素体１２の左面から離れるようになる。すなわち、絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａとが接着している領域が広くなる。同様に、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤは、素体１２の左面から離れるようになる。すなわち、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとが接着している領域が広くなる。その結果、絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａとの剥離、及び、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの剥離を抑制される。

更に、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有している。これにより、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体前後方向に直交する断面において、素体左方向に突出する形状を有している。そのため、第１空孔Ｈ１の体積が大きい。その結果、伝送線路１０では、信号導体層２２を伝送される高周波信号に誘電損が発生することが抑制されるので、伝送線路１０の伝送損失が低くなる。第２空孔Ｈ２も、第１空孔Ｈ１と同じ理由により、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ｂとの剥離、及び、絶縁体層１６ｃと絶縁体層１８ｂとの剥離の抑制、及び、伝送線路１０の伝送損失の低減に寄与する。

なお、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌと左右対称な形状を有している。これにより、伝送線路１０によれば、絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａとの剥離、及び、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの剥離を抑制しつつ、伝送線路１０の伝送損失の低減を図ることができる。

また、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、素体前後方向に直交する断面において、素体左方向に突出する形状を有している。第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、湾曲している。その結果、伝送線路１０に力が加わった際に、左部Ｓ１Ｌの一部に応力が集中することが抑制される。すなわち、伝送線路１０が破損しにくくなる。

また、伝送線路１０によれば、第１空孔Ｈ１が設けられているので、素体１２が変形しやすくなる。その結果、伝送線路１０を折り曲げて使用することが容易となる。また、伝送線路１０において使用される接着剤が低減される。そのため、伝送線路１０の製造コストの低減及び伝送線路１０の軽量化が図られる。なお、第２空孔Ｈ２も、第１空孔Ｈ１と同様に、素体１２を容易に変形させること、及び、接着剤の低減に寄与する。

また、伝送線路１０によれば、以下の理由によって、伝送線路１０の伝送損失を低減できる。より詳細には、信号導体層２２からは、電界が放射される。電界は、低い誘電率を有する第１空孔Ｈ１より高い誘電率を有する絶縁体層１６ａを通過しやすい。そのため、信号導体層２２の近くに絶縁体層１６ａが存在すると、信号導体層２２が放射した電界は、素体左方向に延びて、絶縁体層１６ａを通過する。この場合、信号導体層２２の左面では、信号導体層２２の角に電界が集中する。このような電界の集中は、信号導体層２２の角における電流の集中の原因となる。その結果、伝送線路１０の伝送損失の増大を生じる場合がある。

そこで、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、図２に示すように、素体前後方向に直交する断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの上端Ｐ１ＬＵ及び第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有している。従って、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、信号導体層２２から離れる方向に突出している。これにより、信号導体層２２の近くに位置する絶縁体層１８ａが少なくなる。よって、信号導体層２２が放射した電界は、素体左上方向に広がる。この場合、信号導体層２２の左面では、信号導体層２２の角に電界が集中することが抑制される。その結果、伝送線路１０によれば、伝送線路１０の伝送損失を低減できる。

伝送線路１０では、第１空孔Ｈ１が層間接続導体ｖ１，ｖ２の近くに位置するので、信号導体層２２と層間接続導体ｖ１，ｖ２との間に容量が形成されにくくなる。これにより、信号導体層２２と層間接続導体ｖ１，ｖ２を近づけることができる。なお、「第１空孔Ｈ１が層間接続導体ｖ１の近くに位置する」とは、例えば、第１空孔Ｈ１の左端と第１空孔Ｈ１の素体左右方向における左に位置する層間接続導体ｖ１との距離が層間接続導体ｖ１と信号導体層２２との距離より短いことを意味する。

伝送線路１０では、第１空孔Ｈ１が層間接続導体ｖ１，ｖ２の近くに位置するので、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２を伝送される高周波信号の波長が長くなる。その結果、複数の層間接続導体ｖ１の間隔及び複数の層間接続導体ｖ２の間隔が長くなる。

空気中の水蒸気等は、信号線導体層２０等の導体層を酸化させ、信号特性を劣化させる虞がある。伝送線路１０では、第１空孔Ｈ１内の空気と樹脂１８ａとの接触面積が増えるため、樹脂１８ａにおいて空気に含まれる不要なガスの吸着性が上がり、空気に含まれる水蒸気等が減少する。このように、伝送線路１０によれば、空気中の水蒸気等を減少させることによって、特性の劣化を抑制することができる。

伝送線路１０では、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとが剥離することが抑制される。より詳細には、第３グランド導体層２７の左部の右端部が第１空孔Ｈ１内に位置していないと、第３グランド導体層２７の左部の右端部は、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌより左に位置する。この場合、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤ近傍において、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの間に隙間が形成される。このような隙間は、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの剥離の原因となる。そこで、第３グランド導体層２７の左部の右端部は、第１空孔Ｈ１内に位置している。すなわち、第３グランド導体層２７の一部分が、第１空孔Ｈ１内に位置している。これにより、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌの下端Ｐ１ＬＤ近傍において、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの間に隙間が形成されない。その結果、伝送線路１０では、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとが剥離することが抑制される。

また、伝送線路１０では、信号導体層２２は、図２に示すように、第１空孔Ｈ１内に位置している。これにより、信号導体層２２が空気に接するようになるので、信号導体層２２の周囲の誘電率が低くなる。その結果、信号導体層２２を伝送される高周波信号に誘電損が発生することが抑制される。

また、伝送線路１０では、信号端子２８ａは、素体上下方向に見て、後述する第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２と重なっていない。これにより、伝送線路１０の製造時の熱圧着時の応力により、伝送線路１０が破損することが抑制される。

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、伝送線路１０ａの断面図である。

伝送線路１０ａは、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６が設けられている位置において伝送線路１０と相違する。より詳細には、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの下主面に設けられている。これにより、第１グランド導体層２４は、第１空孔Ｈ１に面している。第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。これにより、第２グランド導体層２６は、第２空孔Ｈ２に面している。伝送線路１０ａのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ａは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、伝送線路１０ｂの断面図である。図６は、比較例に係る伝送線路５００の断面図である。

伝送線路１０ｂは、絶縁体層１６ａ，１６ｃ、保護層２０ａ，２０ｂ及び層間接続導体ｖ１，ｖ２を備えていない点において、伝送線路１０と相違する。このように、絶縁体層１６ａ，１６ｃ、保護層２０ａ，２０ｂ及び層間接続導体ｖ１，ｖ２は、必須の構成ではない。なお、伝送線路１０ｂでは、第１グランド導体層２４は、例えば、転写法により、絶縁体層１８ａの上主面に貼り付けられる。第２グランド導体層２６は、例えば、転写法により、絶縁体層１８ｂの下主面に貼り付けられる。伝送線路１０ｂのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｂは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。

本願発明者は、伝送線路１０ｂが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、伝送線路１０ｂの構造を有する第１モデル、及び、伝送線路５００の構造を有する第２モデルを作成した。第１モデルと第２モデルとの相違点は、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の形状である。なお、第１モデルにおける上端Ｐ１ＬＵと上端Ｐ１ＲＵとの距離Ｌ１は、第２モデルにおける上端Ｐ１ＬＵと上端Ｐ１ＲＵとの距離Ｌ２と等しい。本願発明者は、第１モデル及び第２モデルを用いて信号導体層２２周辺の電界の分布をコンピュータに演算させた。また、本願発明者は、第１モデル及び第２モデルの周波数と第１モデル及び第２モデルの伝送損失との関係をコンピュータに演算させた。この際、本願発明者は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続して、信号導体層２２との間に高周波信号を印加した条件で演算した。

図７は、第１モデルの電界分布を示した図である。図８は、第２モデルの電界分布を示した図である。図７及び図８では、色が濃い部分が電界の強度が高い部分であることを意味し、色が薄い部分が電界の強度が低い部分であることを意味する。図７及び図８を比べると、第１モデルにおける電界の強度が低い領域が第２モデルにおける電界の強度が低い領域より広いことが分かる。また、空気よりも誘電体損失が大きい絶縁体層の電界の強度が第１モデルの方が第２モデルよりも小さいことが分かる。これは、第１モデルの第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の体積が、第２モデルの第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の体積より大きいためであると考えられる。このように、第１モデルにおける電界の強度が低い領域が第２モデルにおける電界の強度が低い領域より広くなり、絶縁体層の電界の強度が低くなると、第１モデルにおいて生じる高周波信号の伝送損失が第２モデルにおいて生じる高周波信号の伝送損失より小さくなる。

図９は、第１モデルの信号導体層２２の左端部における電界分布を示した図である。図１０は、第２モデルの信号導体層２２の左端部における電界分布を示した図である。図９及び図１０を比較すると、第１モデルの方が第２モデルより信号導体層２２の角に電界が集中することが抑制されていることが分かる。これにより、第１モデルでは、信号導体層２２の角における電流の集中が抑制される。その結果、第１モデルでは、第２モデルより、高周波信号の伝送損失が低減される。

図１１は、第１モデル及び第２モデルの周波数と第１モデル及び第２モデルの伝送損失との関係を示したグラフである。横軸は、信号導体層２２を伝送される高周波信号の周波数である。縦軸は、第１モデル及び第２モデルの１メートル当りの伝送線路の伝送損失である。図１１によれば、第１モデル（伝送線路１０ａ）の伝送損失は、第２モデル（伝送線路５００）の伝送損失より小さいことが分かる。

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１２は、伝送線路１０ｃの断面図である。

伝送線路１０ｃは、絶縁体層１６ｄ及び第３グランド導体層２７ａ，２７ｂを更に備えている点において伝送線路１０ａと相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｄは、絶縁体層１８ａと絶縁体層１６ｂとの間に設けられている。これにより、信号導体層２２は、絶縁体層１６ｄと絶縁体層１６ｂとの間に位置している。すなわち、信号導体層２２は、第１空孔Ｈ１内に位置していない。以上のように、信号導体層２２が絶縁体層１６ｂ，１６ｄに囲まれることにより、信号導体層２２が他の導体層とショートすることが抑制される。更に、信号導体層２２が酸化等により劣化することが抑制される。

また、第３グランド導体層２７ａは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第３グランド導体層２７ｂは、絶縁体層１６ｄの下主面に設けられている。伝送線路１０ｃのその他の構造は、伝送線路１０ａと同じであるので説明を省略する。伝送線路１０ｃは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。

また、信号導体層２２より素体上下方向における上に第３グランド導体層２７ａが位置し、信号導体層２２より素体上下方向における下に第３グランド導体層２７ｂが位置している。これにより、信号導体層２２に対するシールド性が向上する。

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１３は、伝送線路１０ｄの断面図である。

伝送線路１０ｄは、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６が設けられている位置において伝送線路１０ｃと相違する。より詳細には、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｃの下主面に設けられている。伝送線路１０ｄのその他の構造は、伝送線路１０ｃと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｄは、伝送線路１０ｃと同じ作用効果を奏することができる。

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る伝送線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１４は、伝送線路１０ｅの断面図である。

伝送線路１０ｅは、絶縁体層１６ａ，１６ｃ，１８ａ，１８ｂの厚み、及び、空孔Ｈ３、Ｈ４の有無において、伝送線路１０と相違する。より詳細には、伝送線路１０ｅでは、絶縁体層１８ａ，１８ｂの厚みは、絶縁体層１６ａ，１６ｃの厚みより小さい。また、空孔Ｈ３，Ｈ４のそれぞれが、絶縁体層１６ａ，１６ｃに設けられている。空孔Ｈ３，Ｈ４のそれぞれは、絶縁体層１６ａ，１６ｃを素体上下方向に貫通している。また、空孔Ｈ３は、第１空孔Ｈ１と繋がっている。空孔Ｈ４は、第２空孔Ｈ２と繋がっている。伝送線路１０ｅのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

絶縁体層１８ａ，１８ｂは、接着層である。そのため、絶縁体層１８ａ，１８ｂの厚みは、素体１２の圧着時に、変化しやすい。そこで、絶縁体層１８ａ，１８ｂの厚みが、絶縁体層１６ａ，１６ｂの厚みより小さい。素体１２の圧着時における絶縁体層１８ａ，１８ｂの厚みの変化量が低減される。これにより、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２の素体上下方向の大きさにばらつきが生じることが抑制される。

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る伝送線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１５は、伝送線路１０ｆの断面図である。

伝送線路１０ｆは、第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４が素体１２に設けられている点において、伝送線路１０ｅと相違する。より詳細には、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４は、素体１２の素体左右方向の中央より左に配置されている。また、第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４は、素体１２の素体左右方向の中央より右に配置されている。第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４のそれぞれは、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４と左右対称な構造を有している。伝送線路１０ｆのその他の構造は、伝送線路１０ｅと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｆは、伝送線路１０eと同じ作用効果を奏することができる。

伝送線路１０ｆによれば、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの一部が、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４と第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４との間に存在している。これにより、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの一部が、支柱として機能するようになる。その結果、伝送線路１０ｆが折り曲げられたときに、第１空孔Ｈ１，Ｈ１１、第２空孔Ｈ２，Ｈ１２及び空孔Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１３，Ｈ１４が変形することが抑制される。

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る伝送線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１６は、伝送線路１０ｇの断面図である。

伝送線路１０ｇは、第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４が素体１２に設けられている点において、伝送線路１０ｆと相違する。より詳細には、第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４は、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４の素体左右方向の右に配置されている。第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４は、第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４の素体左右方向の左に配置されている。第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４のそれぞれは、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４と同じ構造を有している。伝送線路１０ｇのその他の構造は、伝送線路１０ｆと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｇは、伝送線路１０ｆと同じ作用効果を奏することができる。

伝送線路１０ｇによれば、第１空孔Ｈ１、第２空孔Ｈ２及び空孔Ｈ３，Ｈ４と第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４との間に絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの一部が存在している。第１空孔Ｈ１１、第２空孔Ｈ１２及び空孔Ｈ１３，Ｈ１４と第１空孔Ｈ２１、第２空孔Ｈ２２及び空孔Ｈ２３，Ｈ２４との間に絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの一部が存在している。これにより、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ，１８ｂの一部が、支柱として機能するようになる。その結果、伝送線路１０ｇが折り曲げられたときに、第１空孔Ｈ１，Ｈ１１，Ｈ２１、第２空孔Ｈ２，Ｈ１２，Ｈ２２及び空孔Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１３，Ｈ１４，Ｈ２３，Ｈ２４が変形することが抑制される。

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る伝送線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１７は、伝送線路１０ｈの断面図である。

伝送線路１０ｈは、絶縁体層１８ｃ，１８ｄを更に備えている点、及び、第１空孔Ｈ３１及び第２空孔Ｈ４１が素体１２に設けられている点において、伝送線路１０ｅと相違する。絶縁体層１８ｃは、絶縁体層１６ａの素体上下方向における上に設けられている。そのため、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１８ｃの上主面に設けられている。絶縁体層１８ｄは、絶縁体層１６ｃの素体上下方向における下に設けられている。そのため、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１８ｄの下主面に設けられている。

第１空孔Ｈ３１は、絶縁体層１８ｃを素体上下方向に貫通している。第１空孔Ｈ３１の形状は、第１空孔Ｈ１と同じである。第１空孔Ｈ３１は、空孔Ｈ３と繋がっている。第２空孔Ｈ４１は、絶縁体層１８ｄを素体上下方向に貫通している。第２空孔Ｈ４１の形状は、第１空孔Ｈ１と同じである。第２空孔Ｈ４１は、空孔Ｈ４と繋がっている。伝送線路１０ｈのその他の構造は、伝送線路１０ｅと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｈは、伝送線路１０ｅと同じ作用効果を奏することができる。

絶縁体層１８ａ～１８ｄは、接着層である。そのため、絶縁体層１８ａ～１８ｄの厚みは、素体１２の圧着時に、変化しやすい。そこで、絶縁体層１８ａ～１８ｄの厚みが、絶縁体層１６ａ，１６ｃの厚みより小さい。素体１２の圧着時における絶縁体層１８ａ～１８ｄの厚みの変化量が低減される。これにより、第１空孔Ｈ１，Ｈ３１、第２空孔Ｈ２，Ｈ４１及び空孔Ｈ３，Ｈ４の素体上下方向の大きさにばらつきが生じることが抑制される。

また、絶縁体層１６ａ，１６ｃの材料に絶縁体層１６ｂの材料より低い誘電率を有する材料又は低い誘電正接を有する材料を用いれば、伝送線路１０ｈの伝送損失の低減が図られる。

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る伝送線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１８は、伝送線路１０ｉの断面図である。

伝送線路１０ｉは、層間接続導体ｖ１，ｖ２の代わりに複数の導体物２００を備えている点において、伝送線路１０ｃと相違する。より詳細には、複数の導体物２００は、例えば、半田や導電性接着剤に表面が覆われた金属球である。複数の導体物２００の金属球の直径は、均一である。複数の導体物２００は、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）に設けられている。複数の導体物２００は、第１グランド導体層２４と第３グランド導体層２７ａとを電気的に接続している。

複数の導体物２００は、絶縁体層１８ｂに設けられている。複数の導体物２００は、第２グランド導体層２６と第３グランド導体層２７ｂとを電気的に接続している。複数の導体物２００は、第２グランド導体層２６及び第３グランド導体層２７ｂに接合している。伝送線路１０ｉのその他の構造は、伝送線路１０ｃと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｉは、伝送線路１０ｃと同じ作用効果を奏することができる。

伝送線路１０ｉによれば、層間接続導体ｖ１，ｖ２が不要になる。そのため、層間接続導体ｖ１，ｖ２を形成するためのメッキ工程が不要となる。そのため、メッキ液が伝送線路１０ｉ内に侵入することがなくなる。

伝送線路１０ｉによれば、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｄとの間隔が複数の導体物２００の金属球の直径により実質的に定まる。同様に、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間隔が複数の導体物２００の金属球の直径により実質的に定まる。これにより、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｄとの間隔、及び、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間隔がばらつくことが抑制される。すなわち、第１空孔Ｈ１の素体上下方向の大きさ及び第２空孔Ｈ２の素体上下方向の大きさがばらつくことが抑制される。

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る伝送線路１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１９は、伝送線路１０ｊの断面図である。

伝送線路１０ｊは、絶縁体層１６ｅ，１６ｆ及び導体層１５０，１５２，１６０，１６２を更に備えている点において、伝送線路１０ｃと相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｅは、絶縁体層１６ａの素体上下方向における上に設けられている。絶縁体層１６ｆは、絶縁体層１６ｃの素体上下方向における下に設けられている。導体層１５０は、絶縁体層１６ｅの下主面に設けられている。導体層１５２は、絶縁体層１６ｅの上主面に設けられている。導体層１６０は、絶縁体層１６ｆの上主面に設けられている。導体層１６２は、絶縁体層１６ｆの下主面に設けられている。導体層１５０，１５２，１６０，１６２は、信号配線やグランド導体である。このように、導体層１５０，１５２，１６０，１６２が設けられることにより、伝送線路１０ｊに電気回路が追加される。伝送線路１０ｊのその他の構造は、伝送線路１０ｃと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｊは、伝送線路１０ｃと同じ作用効果を奏することができる。

（第１１変形例）
以下に、第１１変形例に係る伝送線路１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図２０は、伝送線路１０ｋの断面図である。

伝送線路１０ｋは、層間接続導体ｖ１，ｖ２の代わりに複数の導体物２００を備えている点において、伝送線路１０ｊと相違する。より詳細には、複数の導体物２００の直径は、均一である。複数の導体物２００は、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）に設けられている。複数の導体物２００は、第１グランド導体層２４と第３グランド導体層２７ａとを電気的に接続している。

複数の導体物２００は、絶縁体層１８ｂに設けられている。複数の導体物２００は、第２グランド導体層２６と第３グランド導体層２７ｂとを電気的に接続している。伝送線路１０ｋのその他の構造は、伝送線路１０ｊと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｋは、伝送線路１０ｊと同じ作用効果を奏することができる。

（第１２変形例）
以下に、第１２変形例に係る伝送線路１０ｌについて図面を参照しながら説明する。図２１は、伝送線路１０ｌの断面図である。

伝送線路１０ｌは、絶縁体層１６ａ，１６ｃを備えていない点、絶縁体層１６ｂの材料が絶縁体層１８ａ，１８ｂの材料と同じである点及び層間接続導体ｖ１，ｖ２がビアホール導体である点において、伝送線路１０と相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）は、絶縁体層１８ａ（第１絶縁体層）の素体上下方向における下に設けられている。絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の材料は、絶縁体層１８ａ，１８ｂ（第１絶縁体層）の材料と同じである。絶縁体層１６ｂ，１８ａ，１８ｂの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。

第１グランド導体層２４は、絶縁体層１８ａの上主面に設けられている。第２グランド導体層２６は、絶縁体層１８ｂの下主面に設けられている。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１６ｂ，１８ａ，１８ｂに貫通孔を形成し、導電性ペーストを貫通孔に充填した後に、導電性ペーストを焼結させることにより作製される。伝送線路１０ｌのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｌは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。

伝送線路１０ｌでは、伝送線路１０ｌの伝送損失の低減を図ることができる。より詳細には、伝送線路では、複数の絶縁体層を接合するために、接着層が用いられる場合がある。しかしながら、接着層には高い接着性が要求されるので、低い誘電率や低い誘電正接を有する材料を接着層に用いることが難しい場合がある。そこで、伝送線路１０ｌでは、絶縁体層１８ａ，１８ｂの材料は、絶縁体層１６ｂの材料と同じ熱可塑性樹脂である。そのため、絶縁体層１８ａ，１６ｂ，１８ｂを熱圧着により接合することが可能となる。これにより、絶縁体層の接合のための接着層が不要となる。その結果、伝送線路１０ｌでは、伝送線路１０ｌの伝送損失の低減を図ることができる。

伝送線路１０ｌでは、絶縁体層１６ｂの材料は、絶縁体層１８ａ，１８ｂの材料と同じである。そのため、絶縁体層１６ｂの線膨張係数は、絶縁体層１８ａ，１８ｂの線膨張係数と等しい。これにより、伝送線路１０ｌの温度が変化したときに、絶縁体層１６ｂの線膨張係数と絶縁体層１８ａ，１８ｂの線膨張係数との差により、素体１２の内部に応力が発生することが抑制される。

伝送線路１０ｌでは、素体１２の熱圧着の際に、ビアホール導体である層間接続導体ｖ１，ｖ２を形成することが可能である。

（第１３変形例）
以下に、第１３変形例に係る伝送線路１０ｍについて図面を参照しながら説明する。図２２は、伝送線路１０ｍの断面図である。

伝送線路１０ｍは、層間接続導体ｖ１，ｖ２がスルーホール導体である点において、伝送線路１０ｌと相違する。伝送線路１０ｍのその他の構造は、伝送線路１０ｌと同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｍは、伝送線路１０ｌと同じ作用効果を奏することができる。

（第１４変形例）
以下に、第１４変形例に係る伝送線路１０ｎについて図面を参照しながら説明する。図２３は、伝送線路１０ｎの断面図である。

伝送線路１０ｎは、第２空孔Ｈ２が設けられていない点において、伝送線路１０と相違する。伝送線路１０ｎのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｎは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。なお、伝送線路１０ａ～１０ｍにおいても、第２空孔Ｈ２が設けられていなくてもよい。

（第１５変形例）
以下に、第１５変形例に係る伝送線路１０ｏについて図面を参照しながら説明する。図２４は、伝送線路１０ｏの断面図である。

伝送線路１０ｏは、信号導体層２２ａ，２２ｂを更に備えている点において、伝送線路１０と相違する。信号導体層２２ａは、信号導体層２２の素体左右方向における左に設けられている。信号導体層２２ｂは、信号導体層２２の素体左右方向における右に設けられている。伝送線路１０ｏのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。また、伝送線路１０ｏは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。なお、伝送線路１０ｏは、２本の信号導体層を備えていてもよいし、４本以上の信号導体層を備えていてもよい。また、複数本の信号導体層の内の隣り合う２本の信号導体層が差動伝送線路を構成していてもよい。なお、伝送線路１０ａ～１０ｍは、信号導体層２２ａ，２２ｂを更に備えていてもよい。

（その他の実施形態）
本発明に係る伝送線路は、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいての全ての断面において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、上端Ｐ１ＬＵ及び下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有する必要はない。従って、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏの断面の一部において、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌは、上端Ｐ１ＬＵ及び下端Ｐ１ＬＤより素体左右方向における左に位置する部分を有していればよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいての全ての断面において、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、上端Ｐ１ＲＵ及び下端Ｐ１ＲＤより素体左右方向における右に位置する部分を有する必要はない。従って、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏの断面の一部において、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、上端Ｐ１ＲＵ及び下端Ｐ１ＲＤより素体左右方向における右に位置する部分を有していればよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいて、第２グランド導体層２６は、必須の構成ではない。また、伝送線路１０が第２グランド導体層２６、絶縁体層１８ｂ，１６ｃ及び保護層２０ｂを備えていないことにより、信号導体層２２及び第１グランド導体層２４がマイクロストリップライン構造を有していてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいて、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、素体前後方向に直交する断面において、上端Ｐ１ＲＵ及び下端Ｐ１ＲＤより素体左右方向における右に位置する部分を有していなくてもよい。ただし、左部Ｓ１Ｌ及び右部Ｓ１Ｒの両方が湾曲している場合の方が、左部Ｓ１Ｌ又は右部Ｓ１Ｒのいずれか一方が湾曲している場合より、絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａとの剥離、及び、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１８ａとの剥離を効果的に抑制しつつ、伝送線路１０の伝送損失の低減を効果的に図ることができる。 なお、伝送線路１０ｉ，１０ｋにおいて、絶縁体層１８ａは、異方性導電膜であってもよい。この場合、複数の導体物２００は、異方性導電膜の微小な金属粒子である。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいて、信号端子２８ａ，２８ｂは、素体１２の下主面に設けられてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏは、ストリップライン線路に加えて、他の回路を更に備えていてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏには、コネクタ３０ａ，３０ｂ以外に電子部品が実装されてもよい。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏは、素体上下方向に見て、直線形状を有している。しかしながら、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏは、曲がっていてもよい。ここでの「伝送線路１０，１０ａ～１０ｏが曲がっている」とは、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏに外力を加えない状態で曲がった形状を有していることを意味する。

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｏにおいて、第１空孔Ｈ１及び第２空孔Ｈ２は、非曲げ区間Ａ１，Ａ３に設けられ、曲げ区間Ａ２に設けられなくてもよい。

なお、伝送線路１０において、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒは、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌと左右対称ではない形状を有していてもよい。例えば、信号導体層２２と下端Ｐ１ＬＤとの距離が信号導体層２２とＰ１ＲＤ下端との距離と異なる場合、第１空孔形成面Ｓ１の右部Ｓ１Ｒが、第１空孔形成面Ｓ１の左部Ｓ１Ｌと左右対称ではない形状を有する。このような場合、左部Ｓ１Ｌと右部Ｓ１Ｒとの内の信号導体層２２に近い方が、湾曲していればよい。また、左部Ｓ１Ｌと右部Ｓ１Ｒとの内の信号導体層２２に近い方が、右部Ｓ１Ｒと左部Ｓ１Ｌの内の信号導体層２２に遠い方より大きく湾曲していればよい。ただし、左部Ｓ１Ｌと右部Ｓ１Ｒとの湾曲が大きすぎると伝送線路１０が衝撃により損傷しやすくなる。そこで、左部Ｓ１Ｌの左右方向の幅又は右部Ｓ１Ｒの左右方向の幅は、伝送線路１０の上下方向の厚みより小さくてもよい。

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｏ：伝送線路
１２：素体
１６ａ～１６ｆ，１８ａ～１８ｄ：絶縁体層
２０ａ，２０ｂ：保護層
２２，２２ａ，２２ｂ：信号導体層
２４：第１グランド導体層
２６：第２グランド導体層
２７，２７ａ，２７ｂ：第３グランド導体層
２８ａ，２８ｂ：信号端子
３０ａ，３０ｂ，１０２ａ，１０２ｂ：コネクタ
１００，１１０：回路基板
１５０，１５２，１６０，１６２：導体層
２００：導体物
５００：伝送線路
Ａ１，Ａ３：非曲げ区間
Ａ２：曲げ区間
Ｈ１，Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１：第１空孔
Ｈ２，Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ４１：第２空孔
Ｈ３，Ｈ４，Ｈ１３、Ｈ１４，Ｈ２３，Ｈ２４：空孔
Ｐ１ＬＵ，Ｐ１ＲＵ，Ｐ２ＬＵ，Ｐ２ＲＵ：上端
Ｐ１ＬＤ，Ｐ１ＲＤ，Ｐ２ＬＤ，Ｐ２ＲＤ：下端
Ｓ１：第１空孔形成面
Ｓ１Ｌ，Ｓ２Ｌ：左部
Ｓ１Ｒ，Ｓ２Ｒ：右部
Ｓ２：第２空孔形成面
ｈ１～ｈ６：開口
ｖ１～ｖ４：層間接続導体

Claims (11)

1. 素体上下方向に延びる法線を有する主面を有する素体であって、単一層の第１絶縁体層を含む素体と、
   前記素体において前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における下に設けられている信号導体層と、
   前記素体において前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における上に設けられている第１グランド導体層と、
   を備えており、
   前記第１絶縁体層には、前記第１絶縁体層を前記素体上下方向に貫通する第１空孔が設けられており、
   前記信号導体層が延びる方向を素体前後方向と定義し、
   前記信号導体層の線幅方向を素体左右方向と定義し、
   前記第１空孔の少なくとも一部は、前記素体上下方向に見て、前記信号導体層と重なっており、
   前記第１絶縁体層が前記第１空孔を形成している面を第１空孔形成面と定義し、
   前記第１空孔形成面の左部は、前記素体前後方向に直交する断面において、前記第１空孔形成面の左部の上端及び前記第１空孔形成面の左部の下端より前記素体左右方向における左に位置する部分を有している、
   伝送線路。
2. 前記第１空孔形成面の右部は、前記素体前後方向に直交する断面において、前記第１空孔形成面の右部の上端及び前記第１空孔形成面の右部の下端より前記素体左右方向における右に位置する部分を有している、
   請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記第１空孔形成面の左部は、前記素体前後方向に直交する断面において、前記第１空孔形成面の左部の上端及び前記第１空孔形成面の左部の下端から素体左方向に突出するように湾曲した形状を有している、
   請求項１又は請求項２のいずれかに記載の伝送線路。
4. 前記素体は、前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における下に設けられている単一層の第２絶縁体層を更に含んでおり、
   前記信号導体層は、前記素体において前記第２絶縁体層より前記素体上下方向における上に設けられており、
   前記伝送線路は、
   前記素体において前記第２絶縁体層より前記素体上下方向における下に設けられている第２グランド導体層を、
   更に備えており、
   前記第２絶縁体層には、前記第２絶縁体層を前記素体上下方向に貫通する第２空孔が設けられており、
   前記第２空孔の少なくとも一部は、前記素体上下方向に見て、前記信号導体層と重なっており、
   前記第２絶縁体層が前記第２空孔を形成している面を第２空孔形成面と定義し、
   前記第２空孔形成面の左部は、前記素体前後方向に直交する断面において、前記第２空孔形成面の左部の上端及び前記第２空孔形成面の左部の下端より前記素体左右方向における左に位置する部分を有している、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の伝送線路。
5. 前記信号導体層は、前記第１空孔内に位置している、
   請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の伝送線路。
6. 前記第１グランド導体層は、前記第１空孔に面している、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の伝送線路。
7. 前記素体は、前記第１絶縁体層の前記素体上下方向における下に設けられている第３絶縁体層を更に含んでおり、
   前記第１絶縁体層の材料は、前記第３絶縁体層の材料と異なる、
   請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の伝送線路。
8. 前記素体は、前記第１絶縁体層の前記素体上下方向における下に設けられている第３絶縁体層を更に含んでおり、
   前記第１絶縁体層の材料は、前記第３絶縁体層の材料と同じである、
   請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の伝送線路。
9. 前記伝送線路は、
   前記素体において前記第１絶縁体層より前記素体上下方向における下に設けられている第３グランド導体層を、
   更に備えており、
   前記第１絶縁体層には、前記第１グランド導体層と前記第３グランド導体層とを電気的に接続する導体物が設けられている、
   請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の伝送線路。
10. 前記伝送線路は、
    前記信号導体層と電気的に接続されており、かつ、前記素体の上主面又は下主面に設けられている信号端子を、
    更に備えている、
    請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の伝送線路。
11. 請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の伝送線路を、
    備える、
    電子機器。

Images